CN105102085B - 控制光组件的工作温度的方法、装置、光组件和光网络系统 - Google Patents

控制光组件的工作温度的方法、装置、光组件和光网络系统 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种控制光组件的工作温度的方法、装置、光组件和光网络系统。该方法包括：获取光组件的外部环境温度；根据该外部环境温度，设置温度控制器的目标控制温度，该目标控制温度为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器的工作温度下限至该激光器的工作温度上限的范围内；根据该目标控制温度，通过该温度控制器的加热或制冷来控制该光组件的工作温度。本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法、装置、光组件和光网络系统，通过获取光组件的外部环境温度，并根据该外部环境温度设置温度控制器的目标控制温度，从而能够实时调整温度控制器的目标控制温度，减少温度控制器的控制电流，由此能够降低温度控制器的功耗。

Description

控制光组件的工作温度的方法、装置、光组件和光网络系统
技术领域
本发明涉及光网络领域，尤其涉及光网络领域中控制光组件的工作温度的方法、装置、光组件和光网络系统。
背景技术
10G无源光网络(Passive Optical Network，简称为“PON”)包括10G以太网无源光网络(10G bit/S Ethernet Passive Optical Network，简称为“10G EPON”)和10G比特无源光网络(10-Gigabit-capable Passive Optical Network，简称为“XG PON”)。标准组织定义该10G无源光网络的光线路终端(Optical Line Terminal，简称为“OLT”)采用波长为1577nm且波长范围为1575nm～1580nm的光信号。为了满足上述要求，10G无源光网络的激光器需要采用电吸收调制激光器(Electricity Absorb Modulate Laser，简称为“EML”)激光器。
EML激光器通常要求工作在一定的温度范围内，为此，一般可以用热电制冷器(Thermal Electric Cooler，简称为“TEC”)进行加热或制冷，来控制EML激光器的工作温度。
包括EML激光器的光模块子封装(Optical Sub-Assembly，简称为“OSA”)或发送光模块子封装(Transmitter Optical Sub-Assembly，简称为“TOSA”)，可以包括热敏电阻、激光二极管(Laser Diode，简称为“LD”)、电吸收调制器(Electricity Absorb，简称为“EA”)和TEC。其中，该热敏电阻用于监控TEC内部的工作温度；该LD用于发送单纵模的波长为1577nm的激光；电吸收调制器EA用于对光信号进行调制编码；该TEC用于控制LD和EA的工作温度，从而控制该OSA的工作温度。
在包括EML激光器的OSA或TOSA的整个工作温度范围内，热电制冷器TEC的目标控制温度为恒定温度，具体地，在OSA或TOSA工作在高温下时，TEC需要制冷到该恒定温度；而在OSA或TOSA工作在低温下时，TEC需要加热到该恒定温度。因而，为保证EML激光器工作在恒定温度下，TEC的功耗很大。
发明内容
本发明实施例提供了一种控制光组件的工作温度的方法、装置、光组件和光网络系统，通过改进温度控制器的温度控制方式，能够降低温度控制器的功耗。
第一方面，提供了一种控制光组件的工作温度的方法，该光组件包括激光器和用于在该光组件内部加热或制冷的温度控制器，其特征在于，该方法包括：获取该光组件的外部环境温度；根据该外部环境温度，设置该温度控制器的目标控制温度，该目标控制温度为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器的工作温度下限至该激光器的工作温度上限的范围内；根据该目标控制温度，通过该温度控制器的加热或制冷来控制该光组件的工作温度。
结合第一方面，在第一方面的第一种可能的实现方式中，该设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度下限时，将该激光器的工作温度下限确定为该温度控制器的目标控制温度。
结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，该设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度上限时，将该激光器的工作温度上限确定为该温度控制器的目标控制温度。
结合第一方面、第一方面的第一种或第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，该设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度上限，并且该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，将该光组件的外部环境温度确定为该温度控制器的目标控制温度。
结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，该设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，该目标控制温度设置为与该外部环境温度呈线性关系或曲线关系。
结合第一方面或第一方面的第一种至第四种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，该激光器的工作温度下限在45℃至54℃的范围内；和/或该激光器的工作温度上限在56℃至65℃的范围内。
第二方面，提供了一种光组件，该光组件包括：光模块子封装OSA，该OSA内设置有激光器、温度控制器和内部温度传感器，该内部温度传感器用于检测该OSA内部的OSA温度；微控制单元MCU，该MCU用于设置该温度控制器的目标控制温度；比例积分微分PID电路，该PID电路用于获取该内部温度传感器检测的该OSA温度，以及该MCU设置的该目标控制温度，并根据该目标控制温度和该OSA温度，输出控制量；和温度控制器驱动电路，该温度控制器驱动电路用于根据该PID电路输出的该控制量，给该温度控制器提供用于加热或制冷的电流，以控制该OSA内部的温度；其中，该光组件还包括用于检测该OSA的外部环境温度的环境温度传感器，该MCU具体用于获取该环境温度传感器检测的该OSA的外部环境温度，以及根据该外部环境温度，设置该温度控制器的目标控制温度，该目标控制温度为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器的工作温度下限至该激光器的工作温度上限的范围内。
结合第二方面，在第二方面的第一种可能的实现方式中，该MCU具体用于：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度下限时，将该激光器的工作温度下限确定为该温度控制器的目标控制温度。
结合第二方面或第二方面的第一种可能的实现方式，在第二方面的第二种可能的实现方式中，该MCU具体用于：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度上限时，将该激光器的工作温度上限确定为该温度控制器的目标控制温度。
结合第二方面、第二方面的第一种或第二种可能的实现方式，在第二方面的第三种可能的实现方式中，该MCU具体用于：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度上限，并且该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，将该光组件的外部环境温度确定为该温度控制器的目标控制温度。
结合第二方面或第二方面的第一种可能的实现方式，在第二方面的第四种可能的实现方式中，该MCU具体用于：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，该目标控制温度设置为与该外部环境温度呈线性关系或曲线关系。
结合第二方面或第二方面的第一种至第四种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第二方面的第五种可能的实现方式中，该激光器的工作温度下限在45℃至54℃的范围内；和/或该激光器的工作温度上限在56℃至65℃的范围内。
第三方面，提供了一种控制光组件的工作温度的装置，该光组件包括激光器和用于在该光组件内部加热或制冷的温度控制器，其特征在于，该装置包括处理器、存储器和总线系统，该处理器和该存储器通过该总线系统相连，该存储器用于存储指令，该处理器用于执行该存储器存储的指令，其中，该处理器用于：获取该光组件的外部环境温度；根据该外部环境温度，设置该温度控制器的目标控制温度，该目标控制温度为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器的工作温度下限至该激光器的工作温度上限的范围内；根据该目标控制温度，通过该温度控制器的加热或制冷来控制该光组件的工作温度。
结合第三方面，在第三方面的第一种可能的实现方式中，该处理器设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度下限时，将该激光器的工作温度下限确定为该温度控制器的目标控制温度。
结合第三方面或第三方面的第一种可能的实现方式，在第三方面的第二种可能的实现方式中，该处理器设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度上限时，将该激光器的工作温度上限确定为该温度控制器的目标控制温度。
结合第三方面、第三方面的第一种或第二种可能的实现方式，在第三方面的第三种可能的实现方式中，该处理器设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度上限，并且该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，将该光组件的外部环境温度确定为该温度控制器的目标控制温度。
结合第三方面或第三方面的第一种可能的实现方式，在第三方面的第四种可能的实现方式中，该处理器设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，该目标控制温度设置为与该外部环境温度呈线性关系或曲线关系。
结合第三方面或第三方面的第一种至第四种可能的实现方式中的任一种可能的实现方式，在第三方面的第五种可能的实现方式中，该激光器的工作温度下限在45℃至54℃的范围内；和/或该激光器的工作温度上限在56℃至65℃的范围内。
第四方面，提供了一种光网络系统，该光网络系统包括：光线路终端OLT，该OLT包括根据本发明实施例的光组件，或根据本发明实施例的装置；至少一个光网络终端ONT；以及分光器，其中，该至少一个ONT通过该分光器与该OLT连接；
其中，该光组件包括：光模块子封装OSA，该OSA内设置有激光器、温度控制器和内部温度传感器，该内部温度传感器用于检测该OSA内部的OSA温度；微控制单元MCU，该MCU用于设置该温度控制器的目标控制温度；比例积分微分PID电路，该PID电路用于获取该内部温度传感器检测的该OSA温度，以及该MCU设置的该目标控制温度，并根据该目标控制温度和该OSA温度，输出控制量；和温度控制器驱动电路，该温度控制器驱动电路用于根据该PID电路输出的该控制量，给该温度控制器提供用于加热或制冷的电流，以控制该OSA内部的温度；其中，该光组件还包括用于检测该OSA的外部环境温度的环境温度传感器，该MCU具体用于获取该环境温度传感器检测的该OSA的外部环境温度，以及根据该外部环境温度，设置该温度控制器的目标控制温度，该目标控制温度为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器的工作温度下限至该激光器的工作温度上限的范围内；
其中，该装置包括处理器、存储器和总线系统，该处理器和该存储器通过该总线系统相连，该存储器用于存储指令，该处理器用于执行该存储器存储的指令，其中，该处理器用于：获取光组件的外部环境温度；根据该外部环境温度，设置用于在该光组件内部加热或制冷的温度控制器的目标控制温度，该目标控制温度为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器的工作温度下限至该激光器的工作温度上限的范围内；根据该目标控制温度，通过该温度控制器的加热或制冷来控制该光组件的工作温度。
基于上述技术方案，本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法、装置、光组件和光网络系统，通过获取光组件的外部环境温度，并根据该外部环境温度设置温度控制器的目标控制温度，能够动态地调整温度控制器的目标控制温度，改进温度控制器的温度控制方式，由此能够避免温度控制器将光组件的温度控制到恒定温度而引起的功耗较大的问题，从而能够减少温度控制器的控制电流，并能够显著地降低温度控制器的功耗。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法的示意性流程图。
图2是根据本发明实施例的设置温度控制器的目标控制温度的方法的示意性流程图。
图3是根据本发明实施例的温度控制器的目标控制温度与外部环境温度的关系的示意图。
图4是根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法的另一示意性流程图。
图5是根据本发明实施例的光组件的示意性框图。
图6是根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的装置的示意性框图。
图7是根据本发明实施例的光网络系统的示意性框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本发明保护的范围。
应理解，本发明实施例的技术方案可以应用于各种光网络，特别是无源光网络，例如：吉比特无源光网络(Gigabit-capable Passive Optical Networks，简称为“GPON”)系统、EPON系统、XG PON系统等。此外，为了描述方便，下文中将以10G PON系统为例进行说明，但本发明并不限于此。
还应理解，本发明实施例的技术方案可以应用于EML激光器，也可以应用于分布式反馈激光器(Distributed Feedback Laser，简称为“DFB”)，还可以应用于其它激光器，本发明实施例仅以EML激光器为例进行说明，但本发明并不限于此。
图1示出了根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法100的示意性流程图，该方法100可以由控制光组件的工作温度的装置执行，例如可以光组件执行，或例如由光组件中的控制单元执行。该光组件可以包括激光器和用于在该光组件内部加热或制冷的温度控制器，其中，如图1所示，该方法100包括：
S110，获取该光组件的外部环境温度；
S120，根据该外部环境温度，设置该温度控制器的目标控制温度，该目标控制温度为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器的工作温度下限至该激光器的工作温度上限的范围内；
S130，根据该目标控制温度，通过该温度控制器的加热或制冷来控制该光组件的工作温度。
具体而言，为了减少光组件中的温度控制器的功耗，控制光组件的工作温度的装置可以获取该光组件的外部环境温度，从而能够根据该外部环境温度，动态地设置该温度控制器的目标控制温度，其中，该目标控制温度可以为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器的工作温度下限至该激光器的工作温度上限的范围内，以保证该激光器能够正常工作；由此控制光组件的工作温度的装置可以根据该目标控制温度，通过该温度控制器的加热或制冷来控制该光组件的工作温度。
因而，与现有技术中不管外部环境温度高或低，都将温度控制到恒定温度的方案相比，根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法能够根据光组件的外部环境温度，动态地设置温度控制器的目标控制温度，以使得激光器能够正常工作的情况下，目标控制温度与光组件的外部环境温度之间的温差可以尽可能小，从而能够显著地降低温度控制器的功耗。
因此，本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法，通过获取光组件的外部环境温度，并根据该外部环境温度设置温度控制器的目标控制温度，能够动态地调整温度控制器的目标控制温度，改进温度控制器的温度控制方式，由此能够避免温度控制器将光组件的温度控制到恒定温度而引起的功耗较大的问题，从而能够减少温度控制器的控制电流，并能够显著地降低温度控制器的功耗。
下面将结合图2至图4，进一步详细描述根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法。
在本发明实施例中，可选地，如图2所示，该设置该温度控制器的目标控制温度，包括：
S121，当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度下限时，将该激光器的工作温度下限确定为该温度控制器的目标控制温度。
具体而言，例如，假设激光器的工作温度下限为50℃，当光组件的外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度下限时，例如，该光组件的外部环境温度为25℃，则可以将该温度控制器的目标控制温度确定为50℃。因此，相比将目标控制温度设置为恒定温度的方案，例如该恒定温度为55℃，根据本发明实施例的方法仅需要温度控制器将光组件的内部温度提升至50℃，就可以使得激光器正常工作，不需要让温度控制器进一步将光组件的内部温度由50℃提升至55℃，由此能够显著地降低温度控制器的功耗。
即在本发明实施例中，在外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度下限时，仅需要将激光器的工作温度下限确定为该温度控制器的目标控制温度，使得激光器正常工作的同时，能够显著地降低温度控制器的功耗。
在本发明实施例中，可选地，该激光器的工作温度下限在45℃至54℃的范围内；和/或该激光器的工作温度上限在56℃至65℃的范围内。
具体地，在本发明实施例中，该激光器例如为EML激光器，该温度控制器例如为TEC。该激光器的工作温度下限例如可以为45℃、48℃、50℃、52℃或54℃等。应理解，该激光器的工作温度下限还可以为其它温度值，例如该激光器的工作温度下限在50℃至55℃的范围内；又例如该激光器的工作温度下限在40℃至50℃的范围内；再例如该激光器的工作温度下限在50℃至60℃的范围内。例如，该激光器的工作温度下限可以为40℃、45℃、50℃、55℃或60℃等。
另一方面，在本发明实施例中，该激光器的工作温度上限例如可以为56℃、58℃、60℃、62℃或65℃等。应理解，该激光器的工作温度上限还可以为其它温度值，例如该激光器的工作温度上限在55℃至60℃的范围内；又例如该激光器的工作温度上限在45℃至55℃的范围内；再例如该激光器的工作温度上限在55℃至65℃的范围内。例如，该激光器的工作温度上限可以为45℃、50℃、55℃、60℃或65℃等。
在本发明实施例中，可选地，如图2所示，该设置该温度控制器的目标控制温度，包括：
S122，当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度上限时，将该激光器的工作温度上限确定为该温度控制器的目标控制温度。
具体而言，例如，假设激光器的工作温度上限为60℃，当光组件的外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度上限时，例如，该光组件的外部环境温度为80℃，则可以将该温度控制器的目标控制温度确定为60℃。因此，相比将目标控制温度设置为恒定温度的方案，例如该恒定温度为55℃，根据本发明实施例的方法仅需要温度控制器将光组件的内部温度降低至60℃，就可以使得激光器正常工作，不需要让温度控制器进一步将光组件的内部温度由60℃降低至55℃，由此能够显著地降低温度控制器的功耗。
即在本发明实施例中，在外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度下限时，仅需要将激光器的工作温度下限确定为该温度控制器的目标控制温度，使得激光器正常工作的同时，能够显著地降低温度控制器的功耗。
在本发明实施例中，可选地，如图2所示，该设置该温度控制器的目标控制温度，包括：
S123，当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度上限，并且该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，将该光组件的外部环境温度确定为该温度控制器的目标控制温度。
即在本发明实施例中，在该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度上限，并且该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，可以将光组件的外部环境温度确定为该温度控制器的目标控制温度，从而温度控制器检测到外部环境温度与目标控制温度相等时，该温度控制器不需要制热或制冷，此时激光器不仅能够正常工作，还能够显著地降低温度控制器的功耗。
在本发明实施例中，可选地，如图2所示，该设置该温度控制器的目标控制温度，包括：
S124，当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，该目标控制温度设置为与该外部环境温度呈线性关系或曲线关系。
具体而言，该目标控制温度可以设置为与该外部环境温度呈线性关系或曲线关系，该线性关系例如为一次函数关系或正比例函数关系等；该曲线关系例如为二次函数关系等，以使得光组件的温度平滑变化，由此能够进一步保证在温度变化过程中，激光器的输出光功率、消光比等平滑变化，从而能够减少对接收端的影响。
例如，如图3所示，示出了温度控制器的目标控制温度与外部环境温度的关系，其中，横坐标轴表示外部环境温度TOSA，纵坐标轴表示目标控制温度TTEC，TTEC_MIN表示激光器的工作温度下限，TTEC_MAX表示激光器的工作温度上限，TOSA_MIN表示光组件的外部环境温度下限，TOSA_MAX表示光组件的外部环境温度上限，例如，光组件的外部环境温度下限TOSA_MIN为-10℃，该光组件的外部环境温度上限TOSA_MAX为90℃等。
如图3所示，当该外部环境温度TOSA小于或等于该激光器的工作温度下限TTEC_MIN时，可以将该温度控制器的目标控制温度TTEC确定为TTEC_MIN；当该外部环境温度TOSA大于或等于该激光器的工作温度下限TTEC_MIN时，该目标控制温度TTEC设置为与该外部环境温度呈线性关系，该线性关系例如可以由下列等式(1)确定：
又例如，该线性关系例如也可以由下列等式(2)确定：
其中，K为常数，或K为一个关于外部环境温度的函数。
再例如，目标控制温度设置为与该外部环境温度所呈现的曲线关系可以由下列等式(3)确定：
TTEC＝a·TOSA 2+b·TOSA+c (3)
其中，a、b和c为常数，且TTEC_MIN＝aTTEC_MIN 2+bTTEC_MIN+c。
应理解，在本发明的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
因此，本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法，通过获取光组件的外部环境温度，并根据该外部环境温度设置温度控制器的目标控制温度，能够动态地调整温度控制器的目标控制温度，改进温度控制器的温度控制方式，由此能够避免温度控制器将光组件的温度控制到恒定温度而引起的功耗较大的问题，从而能够减少温度控制器的控制电流，并能够显著地降低温度控制器的功耗。
图4示出了根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法的另一示意性流程图。如图4所示，在S201中，控制光组件的工作温度的装置获取OSA的外部环境温度TOSA，例如，该装置可以通过设置在OSA外部的各种温度传感器，获取该OSA的外部环境温度TOSA。
在S202中，控制光组件的工作温度的装置比较外部环境温度TOSA与温度控制器TEC的目标控制温度TTEC是否相等，如果相等，流程进行到S203；否则，流程进行到S204。
在S203中，控制光组件的工作温度的装置不改变TEC的目标控制温度TTEC。
在S204中，控制光组件的工作温度的装置比较外部环境温度TOSA是否大于或等于激光器的工作温度上限TTEC_MAX，如果是，流程进行到S205；否则，流程进行到S206。
在S205中，控制光组件的工作温度的装置将该温度控制器TEC的目标控制温度TTEC设置为激光器的工作温度上限TTEC_MAX。
在S206中，控制光组件的工作温度的装置比较外部环境温度TOSA是否小于或等于激光器的工作温度下限TTEC_MIN，如果是，流程进行到S207；否则，流程进行到S208。
在S207中，控制光组件的工作温度的装置将该温度控制器TEC的目标控制温度TTEC设置为激光器的工作温度下限TTEC_MIN。
在S208中，控制光组件的工作温度的装置比较外部环境温度TOSA是否大于或等于激光器的工作温度下限TTEC_MIN，并且该外部环境温度TOSA是否小于或等于激光器的工作温度上限TTEC_MAX，如果是，流程进行到S209；否则，流程结束。
在S209中，控制光组件的工作温度的装置将该温度控制器TEC的目标控制温度TTEC设置为OSA的外部环境温度TOSA。
应理解，在本发明的各种实施例中，上述各过程的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
因此，本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法，通过获取光组件的外部环境温度，并根据该外部环境温度设置温度控制器的目标控制温度，能够动态地调整温度控制器的目标控制温度，改进温度控制器的温度控制方式，由此能够避免温度控制器将光组件的温度控制到恒定温度而引起的功耗较大的问题，从而能够减少温度控制器的控制电流，并能够显著地降低温度控制器的功耗。
上文中结合图1至图4，详细描述了根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的方法，下面将结合图5至图7，详细描述根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的装置、光组件和光网络系统。
图5示出了根据本发明实施例的光组件300的示意性框图。如图5所示，该光组件300包括：
光模块子封装OSA310，该OSA310内设置有激光器311、温度控制器312和内部温度传感器313，该内部温度传感器313用于检测该OSA310内部的OSA温度；
微控制单元MCU320，该MCU320用于设置该温度控制器312的目标控制温度；
比例积分微分PID电路330，该PID电路330用于获取该内部温度传感器313检测的该OSA温度，以及该MCU320设置的该目标控制温度，并根据该目标控制温度和该OSA温度，输出控制量；和
温度控制器驱动电路340，该温度控制器驱动电路340用于根据该PID电路330输出的该控制量，给该温度控制器312提供用于加热或制冷的电流，以控制该OSA310内部的温度；
其中，该光组件300还包括用于检测该OSA310的外部环境温度的环境温度传感器350，该MCU320具体用于获取该环境温度传感器350检测的该OSA的外部环境温度，以及根据该外部环境温度，设置该温度控制器312的目标控制温度，该目标控制温度为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器311的工作温度下限至该激光器311的工作温度上限的范围内。
因此，本发明实施例的光组件，通过获取光组件的外部环境温度，并根据该外部环境温度设置温度控制器的目标控制温度，能够动态地调整温度控制器的目标控制温度，改进温度控制器的温度控制方式，由此能够避免温度控制器将光组件的温度控制到恒定温度而引起的功耗较大的问题，从而能够减少温度控制器的控制电流，并能够显著地降低温度控制器的功耗。
在本发明实施例中，可选地，该MCU320具体用于：当该外部环境温度小于或等于该激光器311的工作温度下限时，将该激光器311的工作温度下限确定为该温度控制器312的目标控制温度。
在本发明实施例中，可选地，该MCU320具体用于：当该外部环境温度大于或等于该激光器311的工作温度上限时，将该激光器311的工作温度上限确定为该温度控制器312的目标控制温度。
在本发明实施例中，可选地，该MCU320具体用于：当该外部环境温度小于或等于该激光器311的工作温度上限，并且该外部环境温度大于或等于该激光器311的工作温度下限时，将该光组件300的外部环境温度确定为该温度控制器312的目标控制温度。
在本发明实施例中，可选地，该MCU320具体用于：当该外部环境温度大于或等于该激光器311的工作温度下限时，该目标控制温度设置为与该外部环境温度呈线性关系或曲线关系。
在本发明实施例中，可选地，该激光器311的工作温度下限在45℃至54℃的范围内；和/或
该激光器311的工作温度上限在56℃至65℃的范围内。
具体地，在本发明实施例中，该激光器例如为EML激光器，该温度控制器例如为TEC。该激光器的工作温度下限例如可以为45℃、48℃、50℃、52℃或54℃等。应理解，该激光器的工作温度下限还可以为其它温度值，例如该激光器的工作温度下限在50℃至55℃的范围内；又例如该激光器的工作温度下限在40℃至50℃的范围内；再例如该激光器的工作温度下限在50℃至60℃的范围内。例如，该激光器的工作温度下限可以为40℃、45℃、50℃、55℃或60℃等。
另一方面，在本发明实施例中，该激光器的工作温度上限例如可以为56℃、58℃、60℃、62℃或65℃等。应理解，该激光器的工作温度上限还可以为其它温度值，例如该激光器的工作温度上限在55℃至60℃的范围内；又例如该激光器的工作温度上限在45℃至55℃的范围内；再例如该激光器的工作温度上限在55℃至65℃的范围内。例如，该激光器的工作温度上限可以为45℃、50℃、55℃、60℃或65℃等。
在本发明实施例中，可选地，该激光器311为电吸收调制激光器EML，该温度控制器312为热电制冷器TEC。
应理解，在本发明实施例中，该激光器311还可以为其他激光器，例如该激光器311可以为DFB激光器。
应理解，在本发明实施例中，根据本发明实施例的光组件300可对应于根据本发明实施例的方法的执行主体，并且光组件300中的各个模块的上述和其它操作和/或功能分别为了实现图1至图4中的各个方法的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。
因此，本发明实施例的光组件，通过获取光组件的外部环境温度，并根据该外部环境温度设置温度控制器的目标控制温度，能够动态地调整温度控制器的目标控制温度，改进温度控制器的温度控制方式，由此能够避免温度控制器将光组件的温度控制到恒定温度而引起的功耗较大的问题，从而能够减少温度控制器的控制电流，并能够显著地降低温度控制器的功耗。
图6示出了根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的装置500的示意性框图，该光组件包括激光器和用于在该光组件内部加热或制冷的温度控制器。如图6所示，该装置500包括：处理器510、存储器520和总线系统530，该处理器510和该存储器520通过该总线系统530相连，该存储器520用于存储指令，该处理器510用于执行该存储器520存储的指令，
其中，该处理器510用于：获取该光组件的外部环境温度；根据该外部环境温度，设置该温度控制器的目标控制温度，该目标控制温度为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器的工作温度下限至该激光器的工作温度上限的范围内；根据该目标控制温度，通过该温度控制器的加热或制冷来控制该光组件的工作温度。
因此，本发明实施例的控制光组件的工作温度的装置，通过获取光组件的外部环境温度，并根据该外部环境温度设置温度控制器的目标控制温度，能够动态地调整温度控制器的目标控制温度，改进温度控制器的温度控制方式，由此能够避免温度控制器将光组件的温度控制到恒定温度而引起的功耗较大的问题，从而能够减少温度控制器的控制电流，并能够显著地降低温度控制器的功耗。
应理解，在本发明实施例中，该处理器510可以是中央处理单元(CentralProcessing Unit，简称为“CPU”)，该处理器510还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现成可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
该存储器520可以包括只读存储器和随机存取存储器，并向处理器510提供指令和数据。存储器520的一部分还可以包括非易失性随机存取存储器。例如，存储器520还可以存储设备类型的信息。
该总线系统530除包括数据总线之外，还可以包括电源总线、控制总线和状态信号总线等。但是为了清楚说明起见，在图中将各种总线都标为总线系统530。
在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器510中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件处理器执行完成，或者用处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器520，处理器510读取存储器520中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。为避免重复，这里不再详细描述。
可选地，作为一个实施例，该处理器510设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度下限时，将该激光器的工作温度下限确定为该温度控制器的目标控制温度。
可选地，作为一个实施例，该处理器510设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度上限时，将该激光器的工作温度上限确定为该温度控制器的目标控制温度。
可选地，作为一个实施例，该处理器510设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度上限，并且该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，将该光组件的外部环境温度确定为该温度控制器的目标控制温度。
可选地，作为一个实施例，该处理器510设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，该目标控制温度设置为与该外部环境温度呈线性关系或曲线关系。
可选地，作为一个实施例，该激光器的工作温度下限在45℃至54℃的范围内；和/或该激光器的工作温度上限在56℃至65℃的范围内。
可选地，作为一个实施例，该激光器为电吸收调制激光器EML，该温度控制器为热电制冷器TEC。
应理解，在本发明实施例中，根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的装置500可对应于根据本发明实施例的方法的执行主体，并且可以对应于根据本发明实施例的光组件300，并且该装置500中的各个模块的上述和其它操作和/或功能分别为了实现图1至图4中的各个方法的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。
因此，本发明实施例的控制光组件的工作温度的装置，通过获取光组件的外部环境温度，并根据该外部环境温度设置温度控制器的目标控制温度，能够动态地调整温度控制器的目标控制温度，改进温度控制器的温度控制方式，由此能够避免温度控制器将光组件的温度控制到恒定温度而引起的功耗较大的问题，从而能够减少温度控制器的控制电流，并能够显著地降低温度控制器的功耗。
如图7所示，本发明实施例还提供了一种光网络系统700，该光网络系统700包括：
光线路终端OLT710，该OLT710包括根据本发明实施例的光组件，或根据本发明实施例的装置；
至少一个光网络终端ONT720；以及
分光器730，其中，该至少一个ONT720通过该分光器730与该OLT710连接；
其中，该光组件包括：
光模块子封装OSA，该OSA内设置有激光器、温度控制器和内部温度传感器，该内部温度传感器用于检测该OSA内部的OSA温度；
微控制单元MCU，该MCU用于设置该温度控制器的目标控制温度；
比例积分微分PID电路，该PID电路用于获取该内部温度传感器检测的该OSA温度，以及该MCU设置的该目标控制温度，并根据该目标控制温度和该OSA温度，输出控制量；和
温度控制器驱动电路，该温度控制器驱动电路用于根据该PID电路输出的该控制量，给该温度控制器提供用于加热或制冷的电流，以控制该OSA内部的温度；
其中，该光组件还包括用于检测该OSA的外部环境温度的环境温度传感器，该MCU具体用于获取该环境温度传感器检测的该OSA的外部环境温度，以及根据该外部环境温度，设置该温度控制器的目标控制温度，该目标控制温度为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器的工作温度下限至该激光器的工作温度上限的范围内；
其中，该装置包括处理器、存储器和总线系统，该处理器和该存储器通过该总线系统相连，该存储器用于存储指令，该处理器用于执行该存储器存储的指令，其中，该处理器用于：获取光组件的外部环境温度；根据该外部环境温度，设置用于在该光组件内部加热或制冷的温度控制器的目标控制温度，该目标控制温度为该外部环境温度的函数值，并且该目标控制温度在该激光器的工作温度下限至该激光器的工作温度上限的范围内；根据该目标控制温度，通过该温度控制器的加热或制冷来控制该光组件的工作温度。
因此，本发明实施例的光网络系统，通过获取光组件的外部环境温度，并根据该外部环境温度设置温度控制器的目标控制温度，能够动态地调整温度控制器的目标控制温度，改进温度控制器的温度控制方式，由此能够避免温度控制器将光组件的温度控制到恒定温度而引起的功耗较大的问题，从而能够减少温度控制器的控制电流，并能够显著地降低温度控制器的功耗。
在本发明实施例中，该光网络系统可以为无源光网络(Passive OpticalNetwork，简称为“PON”)系统，该PON系统可以包括位于局端的光线路终端OLT以及光网络终端ONT/光网络单元ONU，一个OLT可以通过诸如无源光分路器的分光器，与一个或多个ONT/ONU相连。
还应理解，在本发明实施例中，为了描述方便，下文中将以ONT代替ONT和/或ONU进行说明，但本发明并不限于此。
还应理解，该PON系统例如可以包括吉比特无源光网络(Gigabit-capablePassive Optical Networks，简称为“GPON”)系统、EPON系统、XG PON系统等。此外，为了描述方便，下文中将以10G PON系统为例进行说明，但本发明并不限于此。
可选地，作为一个实施例，该MCU具体用于：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度下限时，将该激光器的工作温度下限确定为该温度控制器的目标控制温度。
在本发明实施例中，可选地，该MCU具体用于：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度上限时，将该激光器的工作温度上限确定为该温度控制器的目标控制温度。
在本发明实施例中，可选地，该MCU具体用于：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度上限，并且该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，将该光组件的外部环境温度确定为该温度控制器的目标控制温度。
在本发明实施例中，可选地，该MCU具体用于：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，该目标控制温度设置为与该外部环境温度呈线性关系或曲线关系。
在本发明实施例中，可选地，该激光器的工作温度下限在45℃至54℃的范围内；和/或
该激光器的工作温度上限在56℃至65℃的范围内。
具体地，在本发明实施例中，该激光器例如为EML激光器，该温度控制器例如为TEC。该激光器的工作温度下限例如可以为45℃、48℃、50℃、52℃或54℃等。应理解，该激光器的工作温度下限还可以为其它温度值，例如该激光器的工作温度下限在50℃至55℃的范围内；又例如该激光器的工作温度下限在40℃至50℃的范围内；再例如该激光器的工作温度下限在50℃至60℃的范围内。例如，该激光器的工作温度下限可以为40℃、45℃、50℃、55℃或60℃等。
另一方面，在本发明实施例中，该激光器的工作温度上限例如可以为56℃、58℃、60℃、62℃或65℃等。应理解，该激光器的工作温度上限还可以为其它温度值，例如该激光器的工作温度上限在55℃至60℃的范围内；又例如该激光器的工作温度上限在45℃至55℃的范围内；再例如该激光器的工作温度上限在55℃至65℃的范围内。例如，该激光器的工作温度上限可以为45℃、50℃、55℃、60℃或65℃等。
在本发明实施例中，可选地，该激光器为电吸收调制激光器EML，该温度控制器为热电制冷器TEC。
应理解，在本发明实施例中，该激光器还可以为其他激光器，例如该激光器可以为DFB激光器。
可选地，作为一个实施例，该处理器设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度下限时，将该激光器的工作温度下限确定为该温度控制器的目标控制温度。
可选地，作为一个实施例，该处理器设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度上限时，将该激光器的工作温度上限确定为该温度控制器的目标控制温度。
可选地，作为一个实施例，该处理器设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度小于或等于该激光器的工作温度上限，并且该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，将该光组件的外部环境温度确定为该温度控制器的目标控制温度。
可选地，作为一个实施例，该处理器设置该温度控制器的目标控制温度，包括：当该外部环境温度大于或等于该激光器的工作温度下限时，该目标控制温度设置为与该外部环境温度呈线性关系或曲线关系。
可选地，作为一个实施例，该激光器的工作温度下限在45℃至54℃的范围内；和/或该激光器的工作温度上限在56℃至65℃的范围内。
可选地，作为一个实施例，该激光器为电吸收调制激光器EML，该温度控制器为热电制冷器TEC。
应理解，在本发明实施例中，根据本发明实施例的光网络系统700包括的光组件可对应于根据本发明实施例的方法的执行主体，以及根据本发明实施例的光组件300，并且光网络系统700包括的光组件中的各个模块的上述和其它操作和/或功能分别为了实现图1至图4中的各个方法的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。
还应理解，在本发明实施例中，根据本发明实施例的光网络系统700包括的装置可对应于根据本发明实施例的方法的执行主体，以及根据本发明实施例的控制光组件的工作温度的装置500，并且光网络系统700包括的装置中的各个模块的上述和其它操作和/或功能分别为了实现图1至图4中的各个方法的相应流程，为了简洁，在此不再赘述。
因此，本发明实施例的光网络系统，通过获取光组件的外部环境温度，并根据该外部环境温度设置温度控制器的目标控制温度，能够动态地调整温度控制器的目标控制温度，改进温度控制器的温度控制方式，由此能够避免温度控制器将光组件的温度控制到恒定温度而引起的功耗较大的问题，从而能够减少温度控制器的控制电流，并能够显著地降低温度控制器的功耗。
另外，本文中术语“系统”和“网络”在本文中常被可互换使用。本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应理解，在本发明实施例中，“与A相应的B”表示B与A相关联，根据A可以确定B。但还应理解，根据A确定B并不意味着仅仅根据A确定B，还可以根据A和/或其它信息确定B。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统、装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口、装置或单元的间接耦合或通信连接，也可以是电的，机械的或其它的形式连接。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本发明实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以是两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分，或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种控制光组件的工作温度的方法，所述光组件包括激光器和用于在所述光组件内部加热或制冷的温度控制器，其特征在于，所述方法包括：
获取所述光组件内部的温度；
获取所述温度控制器的目标控制温度；
根据所述目标控制温度和所述光组件的内部的温度输出控制量；
根据所述控制量，通过所述温度控制器的加热或制冷来控制所述光组件的内部的工作温度；
其中，所述获取所述温度控制器的目标控制温度，包括：
获取所述光组件的外部环境温度；
根据所述外部环境温度，设置所述温度控制器的目标控制温度，所述目标控制温度为所述外部环境温度的函数值，并且所述目标控制温度在所述激光器的工作温度下限至所述激光器的工作温度上限的范围内。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置所述温度控制器的目标控制温度，包括：
当所述外部环境温度小于或等于所述激光器的工作温度下限时，将所述激光器的工作温度下限确定为所述温度控制器的目标控制温度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置所述温度控制器的目标控制温度，包括：
当所述外部环境温度大于或等于所述激光器的工作温度上限时，将所述激光器的工作温度上限确定为所述温度控制器的目标控制温度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置所述温度控制器的目标控制温度，包括：
当所述外部环境温度小于或等于所述激光器的工作温度上限，并且所述外部环境温度大于或等于所述激光器的工作温度下限时，将所述光组件的外部环境温度确定为所述温度控制器的目标控制温度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设置所述温度控制器的目标控制温度，包括：
当所述外部环境温度大于或等于所述激光器的工作温度下限时，所述目标控制温度设置为与所述外部环境温度呈线性关系或曲线关系。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述激光器的工作温度下限在45℃至54℃的范围内；和/或
所述激光器的工作温度上限在56℃至65℃的范围内。
7.一种光组件，其特征在于，所述光组件包括：
光模块子封装OSA，所述OSA内设置有激光器、温度控制器和内部温度传感器，所述内部温度传感器用于检测所述OSA内部的OSA温度；
微控制单元MCU，所述MCU用于设置所述温度控制器的目标控制温度；
比例积分微分PID电路，所述PID电路用于获取所述内部温度传感器检测的所述OSA温度，以及所述MCU设置的所述目标控制温度，并根据所述目标控制温度和所述OSA温度，输出控制量；和
温度控制器驱动电路，所述温度控制器驱动电路用于根据所述PID电路输出的所述控制量，给所述温度控制器提供用于加热或制冷的电流，以控制所述OSA内部的温度；
其中，所述光组件还包括用于检测所述OSA的外部环境温度的环境温度传感器，所述MCU具体用于获取所述环境温度传感器检测的所述OSA的外部环境温度，以及根据所述外部环境温度，设置所述温度控制器的目标控制温度，所述目标控制温度为所述外部环境温度的函数值，并且所述目标控制温度在所述激光器的工作温度下限至所述激光器的工作温度上限的范围内。
8.根据权利要求7所述的光组件，其特征在于，所述MCU具体用于：
当所述外部环境温度小于或等于所述激光器的工作温度下限时，将所述激光器的工作温度下限确定为所述温度控制器的目标控制温度。
9.根据权利要求7所述的光组件，其特征在于，所述MCU具体用于：
当所述外部环境温度大于或等于所述激光器的工作温度上限时，将所述激光器的工作温度上限确定为所述温度控制器的目标控制温度。
10.根据权利要求7所述的光组件，其特征在于，所述MCU具体用于：
当所述外部环境温度小于或等于所述激光器的工作温度上限，并且所述外部环境温度大于或等于所述激光器的工作温度下限时，将所述光组件的外部环境温度确定为所述温度控制器的目标控制温度。
11.根据权利要求7所述的光组件，其特征在于，所述MCU具体用于：
当所述外部环境温度大于或等于所述激光器的工作温度下限时，所述目标控制温度设置为与所述外部环境温度呈线性关系或曲线关系。
12.根据权利要求7至11中任一项所述的光组件，其特征在于，所述激光器的工作温度下限在45℃至54℃的范围内；和/或
所述激光器的工作温度上限在56℃至65℃的范围内。
13.一种控制光组件的工作温度的装置，所述光组件包括激光器和用于在所述光组件内部加热或制冷的温度控制器，其特征在于，所述装置包括处理器、存储器和总线系统，所述处理器和所述存储器通过所述总线系统相连，所述存储器用于存储指令，所述处理器用于执行所述存储器存储的指令，其中，所述处理器用于：获取所述光组件内部的温度；获取所述温度控制器的目标控制温度；根据所述目标控制温度和所述光组件的内部的温度输出控制量；根据所述控制量，通过所述温度控制器的加热或制冷来控制所述光组件的内部的工作温度；
所述处理器具体用于：获取所述光组件的外部环境温度；根据所述外部环境温度，设置所述温度控制器的目标控制温度，所述目标控制温度为所述外部环境温度的函数值，并且所述目标控制温度在所述激光器的工作温度下限至所述激光器的工作温度上限的范围内。
14.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述处理器设置所述温度控制器的目标控制温度，包括：
当所述外部环境温度小于或等于所述激光器的工作温度下限时，将所述激光器的工作温度下限确定为所述温度控制器的目标控制温度。
15.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述处理器设置所述温度控制器的目标控制温度，包括：
当所述外部环境温度大于或等于所述激光器的工作温度上限时，将所述激光器的工作温度上限确定为所述温度控制器的目标控制温度。
16.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述处理器设置所述温度控制器的目标控制温度，包括：
当所述外部环境温度小于或等于所述激光器的工作温度上限，并且所述外部环境温度大于或等于所述激光器的工作温度下限时，将所述光组件的外部环境温度确定为所述温度控制器的目标控制温度。
17.根据权利要求13所述的装置，其特征在于，所述处理器设置所述温度控制器的目标控制温度，包括：
当所述外部环境温度大于或等于所述激光器的工作温度下限时，所述目标控制温度设置为与所述外部环境温度呈线性关系或曲线关系。
18.根据权利要求13至17中任一项所述的装置，其特征在于，所述激光器的工作温度下限在45℃至54℃的范围内；和/或
所述激光器的工作温度上限在56℃至65℃的范围内。
19.一种光网络系统，其特征在于，所述光网络系统包括：
光线路终端OLT，所述OLT包括根据权利要求7至12中任一项所述的光组件，或根据权利要求13至18中任一项所述的装置；
至少一个光网络终端ONT；以及
分光器，
其中，所述至少一个光网络终端ONT通过所述分光器与所述OLT连接。
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