CN105099372A - 全差分跨阻放大器 - Google Patents

Abstract

本发明属于集成电路设计领域，尤其涉及全差分跨阻放大器的设计。本发明提供的全差分跨阻放大器，包括低电源电压差分对及其射极反馈网络、两个反相放大器以及分别连接在反相放大器与低电源电压差分对之间的两个负反馈网络，结构简单实用，实现了全差分跨阻放大器的低电源电压和低功耗的要求。并且，本发明提供的全差分跨阻放大器的设计实现条件简易，在电路结构不做修改的情况下，多种晶体管工艺都能实现，能为迅速发展的集成电路设计业提供多种全新的全差分跨阻放大器结构。

Description

全差分跨阻放大器

技术领域

本发明属于集成电路设计领域，尤其涉及全差分跨阻放大器的设计。

背景技术

随着短距离（小于100Km）光纤通信数据量不断的增加，对数据传输速率的要求越来越高，同时短距离光通信网络的规模也越来越大。所以高效率利用频谱资源，低成本、低功耗地实现光纤通信系统，是整个光纤通信产业的发展趋势。

采用高阶调制是实现高效率利用频谱资源、低成本和低功耗光纤通信系统，最为有效的方案。由此跨阻放大器作为光纤通信系统光接收机的核心部件，探测到的是模拟电流信号，所以不仅要求跨阻放大器具有低功耗的特点，更是要求其具有高线性度的特性。而全差分跨阻放大器相比单端输入跨阻放大器，虽然功耗偏大，但是全差分结构具有良好的线性度与信噪比，能更好地降低高阶调制光纤通信系统的误码率。

优化全差分跨阻放大器的结构，降低电源电压达到降低功耗的目的，以此弥补全差分跨阻放大器功耗偏大的不足。但现有的全差分跨阻放大器，不仅电路结构类型不多，而且普遍工作电源电压偏高，使得全差分跨阻放大器功耗偏大的缺点更加突出。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的即在于提供新型全差分跨阻放大器的设计，解决现有全差分跨阻放大器功耗过大的技术问题，实现其低电源电压、低功耗的要求。

为了实现上述目的，本发明提供的全差分跨阻放大器的设计思路主要包括以下三个步骤：首先，构建带有射极反馈网络的低电源电压差分对；其次，构建两个反相放大器形成差分输入；最后，构建低电源电压差分对与反相放大器之间的两个负反馈网络。根据上述全差分跨阻放大器的设计思路，本发明至少提供了两种类型的全差分跨阻放大器的结构设计。

一方面，本发明实施例提供的一种全差分跨阻放大器包括：低电源电压差分对及其射极反馈网络、第一反相放大器、第二反相放大器以及分别连接在反相放大器与低电源电压差分对之间的第一负反馈网络和第二负反馈网络；

具体地，所述低电源电压差分对包括四个晶体管Q1-Q4，晶体管Q1和晶体管Q2的集电极同时接工作电源VCC，晶体管Q1和晶体管Q2的发射极分别接晶体管Q3和晶体管Q4的集电极，晶体管Q3和晶体管Q4的发射极都接地，晶体管Q3和晶体管Q4的基极分别接第一直流偏置点，所述射极反馈网络接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间；第一反相放大器和第二反相器的输入端分别为所述全差分跨阻放大器的第一输入端IN1和第二输入端IN2，晶体管Q1的基极与所述第一反相放大器的输出端共接作为所述全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1，晶体管Q2的基极与所述第二反相放大器的输出端共接作为所述全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2；所述第一负反馈网络连接在晶体管Q1的发射极与第一反相器的输入端之间，所述第二负反馈网络连接在晶体管Q2的发射极与第二反相器的输入端之间。

另一方面，本发明实施例提供的另一种全差分跨阻放大器，其也包括：低电源电压差分对及其射极反馈网络、第一反相放大器、第二反相放大器以及分别连接在反相放大器与低电源电压差分对之间的第一负反馈网络和第二负反馈网络；

具体地，所述低电源电压差分对包括四个晶体管Q1-Q4、电阻RC5和电阻RC6，晶体管Q1和晶体管Q2的集电极分别通过所述电阻RC5和电阻RC6接工作电源VCC，晶体管Q1的集电极与所述电阻RC5的共接端为所述全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1，晶体管Q2的集电极与所述电阻RC6的共接端为所述全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2，晶体管Q1和晶体管Q2的基极分别接第一反相放大器和第二反相器的输出端，晶体管Q1和晶体管Q2的发射极分别接晶体管Q3和晶体管Q4的集电极，晶体管Q3和晶体管Q4的发射极都接地，晶体管Q3和晶体管Q4的基极分别接第一直流偏置点，所述射极反馈网络接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间；第一反相放大器和第二反相器的输入端分别为所述全差分跨阻放大器的第一输入端IN1和第二输入端IN2；所述第一负反馈网络连接在晶体管Q1的发射极与第一反相器的输入端之间，所述第二负反馈网络连接在晶体管Q2的发射极与第二反相器的输入端之间。

本发明提供的全差分跨阻放大器，结构简单实用，适用于除数模混合芯片以外任何需要跨阻放大器的电子系统，实现了全差分跨阻放大器的低电源电压和低功耗的要求。相比现有的全差分跨阻放大器，在消耗相同电流的情况下，正常工作电源电压低0.7V以上。并且，本发明提供的全差分跨阻放大器的设计实现条件简易，在电路结构不做修改的情况下，CMOS工艺、BiCMOS工艺和bipolar工艺都能实现，能为迅速发展的集成电路设计业提供多种全新的全差分跨阻放大器结构。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的全差分跨阻放大器的结构框图；

图2是本发明第二实施例提供的全差分跨阻放大器的结构示意图；

图3是本发明第三实施例提供的全差分跨阻放大器的结构示意图；

图4是本发明第四实施例提供的全差分跨阻放大器的结构框图；

图5是本发明第五实施例提供的全差分跨阻放大器的结构示意图；

图6是本发明第六实施例提供的全差分跨阻放大器的结构示意图；

图7是将本发明第三实施例提供的全差分跨阻放大器进行拆分后形成的单端跨阻放大器的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

图1是本发明第一实施例提供的全差分跨阻放大器的结构框图；为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，如图所示：

一种全差分跨阻放大器，包括：低电源电压差分对10及其射极反馈网络F1、第一反相放大器-A1、第二反相放大器-A2以及分别连接在反相放大器与低电源电压差分对10之间的第一负反馈网络FB1和第二负反馈网络FB2。

低电源电压差分对10包括四个晶体管Q1-Q4，晶体管Q1和晶体管Q2的集电极同时接工作电源VCC，晶体管Q1和晶体管Q2的发射极分别接晶体管Q3和晶体管Q4的集电极，晶体管Q3和晶体管Q4的发射极都接地，晶体管Q3和晶体管Q4的基极分别接第一直流偏置点BIAS1，射极反馈网络F1接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间；第一反相放大器-A1和第二反相器-A2的输入端分别为全差分跨阻放大器的第一输入端IN1和第二输入端IN2，晶体管Q1的基极与第一反相放大器-A1的输出端共接作为全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1，晶体管Q2的基极与第二反相放大器-A2的输出端共接作为全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2；第一负反馈网络FB1连接在晶体管Q1的发射极与第一反相器-A1的输入端之间，第二负反馈网络FB2连接在晶体管Q2的发射极与第二反相器-A2的输入端之间。

在具体实现时，构建好低电源电压差分对之后，就要分别构建反相放大器和负反馈网络。图2和图3分别是本发明第二和第三实施例所提供的两个全差分跨阻放大器的结构示意图。同样的，为了便于说明，图2和图3都仅示出了与实施例相关的部分。

参见图2，本实施例中，低电源电压差分对由四个晶体管Q1-Q4构成，射极反馈网络F1则包括电阻RE，该电阻RE就连接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间。

第一反相放大器-A1包括晶体管Q11、晶体管Q12和电阻RC1，第二反相放大器-A2则包括晶体管Q21、晶体管Q22和电阻RC2。在具体实现时，晶体管Q11的基极即为第一反相放大器-A1的输入端，也即是该全差分跨阻放大器的第一输入端IN1，晶体管Q11的发射极接地，晶体管Q11的集电极接晶体管Q12的发射极，晶体管Q12的基极接第二直流偏置点BIAS2，晶体管Q12的集电极通过电阻RC1接工作电源VCC，并且，晶体管Q12的集电极与差分对中的晶体管Q1的基极共接作为所述全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1。晶体管Q21的基极为第二反相放大器-A2的输入端，也即是该全差分跨阻放大器的第二输入端IN2，晶体管Q21的发射极接地，晶体管Q21的集电极接晶体管Q22的发射极，晶体管Q22的基极接第二直流偏置点BIAS2，晶体管Q22的集电极通过电阻RC2接工作电源VCC，并且，晶体管Q22的集电极与差分对中晶体管Q2的基极共接作为所述全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2。

第一负反馈网络FB1包括电阻RF1和电容CF1，第二负反馈网络FB2则包括电阻RF2和电容CF2。具体地，电阻RF1和电容CF1分别并接在晶体管Q1的发射极与第一反相器-A1的输入端之间；电阻RF2和电容CF2分别并接在晶体管Q2的发射极与第二反相器-A2的输入端之间。

根据图2所示的本实施例提供的全差分跨阻放大器，第一输入端IN1和第二输入端IN2形成差分输入，第一输出端OUT1和第二输出端OUT2形成差分输出。假设流过电阻RC1和RC2（一般情况下，优选电阻RC1和电阻RC2的阻值相等）的静态电流是Ic，则该全差分跨阻放大器的工作电源电压为VCC=VBE1+VBE11+Ic·RC1=2·VBE+Ic·RC1，实现了较低的工作电源电压，因此降低了功耗。

实际上，在具体实施过程中，射极反馈网络F1除了可以由图示的电阻RE构成外，还可以包括电阻RE和电容CE；电阻RE和电容CE分别并接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间，也可以实现射极反馈网络F1的功能，在此就不再展开说明。

继续参见图3第三实施例提供的全差分跨阻放大器，与图2相比，其不同之处仅在于两个反相放大器的结构不一样。具体来说，第三实施例提供的全差分跨阻放大器中的第一反相放大器-A1包括晶体管Q11、晶体管Q12、晶体管Q13、电阻R1和电阻R2；第二反相放大器-A2包括晶体管Q21、晶体管Q22、晶体管Q23、电阻R3和电阻R4。

进一步地，第一反相放大器-A1中的晶体管Q11的基极为第一反相放大器-A1的输入端，晶体管Q11的集电极同时接晶体管Q12的发射极和晶体管Q13的基极，晶体管Q11的发射极和晶体管Q13的发射极都接地，晶体管Q13的集电极通过电阻R2接工作电源VCC，晶体管Q12的基极接晶体管Q13的集电极，晶体管Q12的集电极通过电阻R1接工作电源VCC，晶体管Q12的集电极与差分对中晶体管Q1的基极共接作为所述全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1。第一反相放大器-A2中的晶体管Q21的基极为第二反相放大器-A2的输入端，晶体管Q21的集电极同时接晶体管Q22的发射极和晶体管Q23的基极，晶体管Q21的发射极和晶体管Q23的发射极都接地，晶体管Q23的集电极通过电阻R3接工作电源VCC，晶体管Q22的基极接晶体管Q23的集电极，晶体管Q22的集电极通过电阻R4接工作电源VCC，晶体管Q22的集电极与差分对中晶体管Q2的基极共接作为全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2。

同样的，根据图3所示的全差分跨阻放大器，假设流过电阻R1和R4（优选电阻R1等于电阻R4）的静态电流是Ic，则该全差分跨阻放大器的工作电源电压为VCC=VBE1+VBE11+Ic·R1=2·VBE+Ic·R1，同样实现了较低的工作电源电压，因此降低了其功耗。

图4是本发明第四实施例提供的全差分跨阻放大器的结构框图；同样的，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，如图所示：

本实施例提供的全差分跨阻放大器，与前述的第一实施例提供的全差分跨阻放大器一样，都包括低电源电压差分对及其射极反馈网络F1、第一反相放大器-A1、第二反相放大器-A2以及分别连接在反相放大器与低电源电压差分对之间的第一负反馈网络FB1和第二负反馈网络FB2。不同之处就在于所述低电源电压差分对的结构不一样，相对应的，该全差分跨阻放大器的查分输出端也不同。

具体的，该低电源电压差分对包括四个晶体管Q1-Q4、电阻RC5和电阻RC6，晶体管Q1和晶体管Q2的集电极分别通过电阻RC5和电阻RC6接工作电源VCC，晶体管Q1的集电极与电阻RC5的共接端为全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1，晶体管Q2的集电极与电阻RC6的共接端为全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2，晶体管Q1和晶体管Q2的基极分别接第一反相放大器-A1和第二反相器-A2的输出端，晶体管Q1和晶体管Q2的发射极分别接晶体管Q3和晶体管Q4的集电极，晶体管Q3和晶体管Q4的发射极都接地，晶体管Q3和晶体管Q4的基极分别接第一直流偏置点BIAS2，射极反馈网络F1接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间；第一反相放大器-A1和第二反相器-A2的输入端分别为全差分跨阻放大器的第一输入端IN1和第二输入端IN2；第一负反馈网络FB1连接在晶体管Q1的发射极与第一反相器-A1的输入端之间，第二负反馈网络FB2连接在晶体管Q2的发射极与第二反相器-A2的输入端之间。

图5是本发明第五实施例提供的全差分跨阻放大器的结构示意图。与上述第四实施例相对应的，本优选实施例提供的全差分跨阻放大器中，低电源电压差分对包括四个晶体管Q1-Q4、电阻RC5和电阻RC6，晶体管Q1和晶体管Q2的集电极分别通过电阻RC5和电阻RC6接工作电源VCC，晶体管Q1的集电极与电阻RC5的共接端为全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1，晶体管Q2的集电极与电阻RC6的共接端为全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2。

射极反馈网络F1则包括电阻RE，该电阻RE就连接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间。同样的，在具体实施过程中，射极反馈网络F1除了可以由图示的电阻RE构成外，还可以包括电阻RE和电容CE；电阻RE和电容CE分别并接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间，也可以实现射极反馈网络F1的功能，在此就不再赘述。

第一反相放大器包括晶体管Q11、晶体管Q12和电阻RC1；晶体管Q11的基极为第一反相放大器-A1的输入端，也即是该全差分跨阻放大器的第一输入端IN1，晶体管Q11的发射极接地，晶体管Q11的集电极接晶体管Q12的发射极，晶体管Q12的基极接第二直流偏置点BIAS2，晶体管Q12的集电极通过电阻RC1接工作电源VCC，同时，晶体管Q12的集电极接晶体管Q1的基极。第二反相放大器-A2包括晶体管Q21、晶体管Q22和电阻RC2；晶体管Q21的基极为第二反相放大器-A2的输入端，也即是该全差分跨阻放大器的第二输入端IN2，晶体管Q21的发射极接地，晶体管Q21的集电极接晶体管Q22的发射极，晶体管Q22的基极接第二直流偏置点BIAS2，晶体管Q22的集电极通过电阻RC2接工作电源VCC，同时，晶体管Q22的集电极接晶体管Q2的基极。

进一步的，在本实施例中，第一负反馈网络FB1包括电阻RF1和电容CF1，第二负反馈网络FB2则包括电阻RF2和电容CF2。具体地，电阻RF1和电容CF1分别并接在晶体管Q1的发射极与第一反相器-A1的输入端之间；电阻RF2和电容CF2分别并接在晶体管Q2的发射极与第二反相器-A2的输入端之间。

图6是本发明第六实施例提供的全差分跨阻放大器的结构示意图。与图5相同的，本第六实施例提供的全差分跨阻放大器中，低电源电压差分对包括四个晶体管Q1-Q4、电阻RC5和电阻RC6，晶体管Q1和晶体管Q2的集电极分别通过电阻RC5和电阻RC6接工作电源VCC，晶体管Q1的集电极与电阻RC5的共接端为全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1，晶体管Q2的集电极与电阻RC6的共接端为全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2。射极反馈网络F1则包括电阻RE，该电阻RE就连接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间。第一负反馈网络FB1包括电阻RF1和电容CF1，第二负反馈网络FB2则包括电阻RF2和电容CF2。具体地，电阻RF1和电容CF1分别并接在晶体管Q1的发射极与第一反相器-A1的输入端之间；电阻RF2和电容CF2分别并接在晶体管Q2的发射极与第二反相器-A2的输入端之间。

与图5所示的不同之处在于，第一反相放大器-A1包括晶体管Q11、晶体管Q12、晶体管Q13、电阻R1和电阻R2；晶体管Q11的基极为第一反相放大器-A1的输入端，晶体管Q11的集电极同时接晶体管Q12的发射极和晶体管Q13的基极，晶体管Q11的发射极和晶体管Q13的发射极都接地，晶体管Q13的集电极通过电阻R2接工作电源VCC，晶体管Q12的基极接晶体管Q13的集电极，晶体管Q12的集电极通过电阻R1接工作电源VCC，同时，晶体管Q12的集电极还接晶体管Q1的基极。

第二反相放大器-A2包括晶体管Q21、晶体管Q22、晶体管Q23、电阻R3和电阻R4；晶体管Q21的基极为第二反相放大器-A2的输入端，晶体管Q21的集电极同时接晶体管Q22的发射极和晶体管Q23的基极，晶体管Q21的发射极和晶体管Q23的发射极都接地，晶体管Q23的集电极通过电阻R3接工作电源VCC，晶体管Q22的基极接晶体管Q23的集电极，晶体管Q22的集电极通过电阻R4接工作电源VCC，同时，晶体管Q22的集电极还接晶体管Q2的基极。

与前述实施例类似的，根据本发明第五、第六实施例提供的全差分跨阻放大器，同样可以实现低电源电压、低功耗的要求。

此外，在具体应用中，还可以将上述实施例提供的各个全差分跨阻放大器拆分成单端输入单端输出的跨阻放大器进行单独应用。以图3所示的全差分跨阻放大器为例，其可以拆分成两个单端输入单端输出的跨阻放大器进行单独应用，拆分后的单个结构如图7所示。实际上，上述实施例提供的其他全差分跨阻放大器也同样可以进行拆分单独应用，因此能够衍生出新的实用性强的单端输入单端输出的跨阻放大器结构，为迅速发展的集成电路设计业提供多种全新的跨阻放大器结构，在此就不再一一示例。

综上所述，本发明提供的全差分跨阻放大器，结构简单实用，适用于除数模混合芯片以外任何需要跨阻放大器的电子系统，实现了全差分跨阻放大器的低电源电压和低功耗的要求。相比现有的全差分跨阻放大器，在消耗相同电流的情况下，若采用bipolar工艺实现，正常工作电源电压低0.7V以上。并且，本发明提供的全差分跨阻放大器的设计实现条件简易，在电路结构不做修改的情况下，CMOS工艺、BiCMOS工艺和bipolar工艺都能实现，能为迅速发展的集成电路设计业提供多种全新的全差分跨阻放大器结构。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了较详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改、或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种全差分跨阻放大器，其特征在于，所述全差分跨阻放大器包括：

低电源电压差分对及其射极反馈网络、第一反相放大器、第二反相放大器以及分别连接在反相放大器与低电源电压差分对之间的第一负反馈网络和第二负反馈网络；

所述低电源电压差分对包括四个晶体管Q1-Q4，晶体管Q1和晶体管Q2的集电极同时接工作电源VCC，晶体管Q1和晶体管Q2的发射极分别接晶体管Q3和晶体管Q4的集电极，晶体管Q3和晶体管Q4的发射极都接地，晶体管Q3和晶体管Q4的基极分别接第一直流偏置点，所述射极反馈网络接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间；第一反相放大器和第二反相器的输入端分别为所述全差分跨阻放大器的第一输入端IN1和第二输入端IN2，晶体管Q1的基极与所述第一反相放大器的输出端共接作为所述全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1，晶体管Q2的基极与所述第二反相放大器的输出端共接作为所述全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2；所述第一负反馈网络连接在晶体管Q1的发射极与第一反相器的输入端之间，所述第二负反馈网络连接在晶体管Q2的发射极与第二反相器的输入端之间。

2.如权利要求1所述的全差分跨阻放大器，其特征在于：

所述第一反相放大器包括晶体管Q11、晶体管Q12和电阻RC1；所述晶体管Q11的基极为所述第一反相放大器的输入端，所述晶体管Q11的发射极接地，所述晶体管Q11的集电极接所述晶体管Q12的发射极，所述晶体管Q12的基极接第二直流偏置点，所述晶体管Q12的集电极通过所述电阻RC1接工作电源VCC，并且，所述晶体管Q12的集电极与所述晶体管Q1的基极共接作为所述全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1；

所述第二反相放大器包括晶体管Q21、晶体管Q22和电阻RC2；所述晶体管Q21的基极为所述第二反相放大器的输入端，所述晶体管Q21的发射极接地，所述晶体管Q21的集电极接所述晶体管Q22的发射极，所述晶体管Q22的基极接第二直流偏置点，所述晶体管Q22的集电极通过所述电阻RC2接工作电源VCC，并且，所述晶体管Q22的集电极与所述晶体管Q2的基极共接作为所述全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2。

3.如权利要求1所述的全差分跨阻放大器，其特征在于：

所述第一反相放大器包括晶体管Q11、晶体管Q12、晶体管Q13、电阻R1和电阻R2；所述晶体管Q11的基极为所述第一反相放大器的输入端，所述晶体管Q11的集电极同时接所述晶体管Q12的发射极和晶体管Q13的基极，所述晶体管Q11的发射极和所述晶体管Q13的发射极都接地，所述晶体管Q13的集电极通过所述电阻R2接工作电源VCC，所述晶体管Q12的基极接所述晶体管Q13的集电极，所述晶体管Q12的集电极通过所述电阻R1接工作电源VCC，所述晶体管Q12的集电极与所述晶体管Q1的基极共接作为所述全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1；

所述第二反相放大器包括晶体管Q21、晶体管Q22、晶体管Q23、电阻R3和电阻R4；所述晶体管Q21的基极为所述第二反相放大器的输入端，所述晶体管Q21的集电极同时接所述晶体管Q22的发射极和晶体管Q23的基极，所述晶体管Q21的发射极和所述晶体管Q23的发射极都接地，所述晶体管Q23的集电极通过所述电阻R3接工作电源VCC，所述晶体管Q22的基极接所述晶体管Q23的集电极，所述晶体管Q22的集电极通过所述电阻R4接工作电源VCC，所述晶体管Q22的集电极与所述晶体管Q2的基极共接作为所述全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2。

4.如权利要求1所述的全差分跨阻放大器，其特征在于：

所述射极反馈网络包括电阻RE；所述电阻RE连接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间；或者

所述射极反馈网络包括电阻RE和电容CE；所述电阻RE和电容CE分别并接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间。

5.如权利要求1所述的全差分跨阻放大器，其特征在于：

所述第一负反馈网络包括电阻RF1和电容CF1，所述电阻RF1和电容CF1分别并接在晶体管Q1的发射极与第一反相器的输入端之间；

所述第二负反馈网络包括电阻RF2和电容CF2，所述电阻RF2和电容CF2分别并接在晶体管Q2的发射极与第二反相器的输入端之间。

6.一种全差分跨阻放大器，其特征在于，所述全差分跨阻放大器包括：

低电源电压差分对及其射极反馈网络、第一反相放大器、第二反相放大器以及分别连接在反相放大器与低电源电压差分对之间的第一负反馈网络和第二负反馈网络；

所述低电源电压差分对包括四个晶体管Q1-Q4、电阻RC5和电阻RC6，晶体管Q1和晶体管Q2的集电极分别通过所述电阻RC5和电阻RC6接工作电源VCC，晶体管Q1的集电极与所述电阻RC5的共接端为所述全差分跨阻放大器的第一输出端OUT1，晶体管Q2的集电极与所述电阻RC6的共接端为所述全差分跨阻放大器的第二输出端OUT2，晶体管Q1和晶体管Q2的基极分别接第一反相放大器和第二反相器的输出端，晶体管Q1和晶体管Q2的发射极分别接晶体管Q3和晶体管Q4的集电极，晶体管Q3和晶体管Q4的发射极都接地，晶体管Q3和晶体管Q4的基极分别接第一直流偏置点，所述射极反馈网络接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间；第一反相放大器和第二反相器的输入端分别为所述全差分跨阻放大器的第一输入端IN1和第二输入端IN2；所述第一负反馈网络连接在晶体管Q1的发射极与第一反相器的输入端之间，所述第二负反馈网络连接在晶体管Q2的发射极与第二反相器的输入端之间。

7.如权利要求6所述的全差分跨阻放大器，其特征在于：

所述第一反相放大器包括晶体管Q11、晶体管Q12和电阻RC1；所述晶体管Q11的基极为所述第一反相放大器的输入端，所述晶体管Q11的发射极接地，所述晶体管Q11的集电极接所述晶体管Q12的发射极，所述晶体管Q12的基极接第二直流偏置点，所述晶体管Q12的集电极通过所述电阻RC1接工作电源VCC，同时，所述晶体管Q12的集电极接所述晶体管Q1的基极；

所述第二反相放大器包括晶体管Q21、晶体管Q22和电阻RC2；所述晶体管Q21的基极为所述第二反相放大器的输入端，所述晶体管Q21的发射极接地，所述晶体管Q21的集电极接所述晶体管Q22的发射极，所述晶体管Q22的基极接第二直流偏置点，所述晶体管Q22的集电极通过所述电阻RC2接工作电源VCC，同时，所述晶体管Q22的集电极接所述晶体管Q2的基极。

8.如权利要求6所述的全差分跨阻放大器，其特征在于：

所述第一反相放大器包括晶体管Q11、晶体管Q12、晶体管Q13、电阻R1和电阻R2；所述晶体管Q11的基极为所述第一反相放大器的输入端，所述晶体管Q11的集电极同时接所述晶体管Q12的发射极和晶体管Q13的基极，所述晶体管Q11的发射极和所述晶体管Q13的发射极都接地，所述晶体管Q13的集电极通过所述电阻R2接工作电源VCC，所述晶体管Q12的基极接所述晶体管Q13的集电极，所述晶体管Q12的集电极通过所述电阻R1接工作电源VCC，同时，所述晶体管Q12的集电极还接所述晶体管Q1的基极；

所述第二反相放大器包括晶体管Q21、晶体管Q22、晶体管Q23、电阻R3和电阻R4；所述晶体管Q21的基极为所述第二反相放大器的输入端，所述晶体管Q21的集电极同时接所述晶体管Q22的发射极和晶体管Q23的基极，所述晶体管Q21的发射极和所述晶体管Q23的发射极都接地，所述晶体管Q23的集电极通过所述电阻R3接工作电源VCC，所述晶体管Q22的基极接所述晶体管Q23的集电极，所述晶体管Q22的集电极通过所述电阻R4接工作电源VCC，同时，所述晶体管Q22的集电极还接所述晶体管Q2的基极。

9.如权利要求6所述的全差分跨阻放大器，其特征在于：

所述射极反馈网络包括电阻RE；所述电阻RE连接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间；或者

所述射极反馈网络包括电阻RE和电容CE；所述电阻RE和电容CE分别并接在晶体管Q1和晶体管Q2的发射极之间。

10.如权利要求6所述的全差分跨阻放大器，其特征在于，

所述第一负反馈网络包括电阻RF1和电容CF1，所述电阻RF1和电容CF1分别并接在晶体管Q1的发射极与第一反相器的输入端之间；

所述第二负反馈网络包括电阻RF2和电容CF2，所述电阻RF2和电容CF2分别并接在晶体管Q2的发射极与第二反相器的输入端之间。