CN105091730B - 一种dsoi应变计及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种DSOI应变计及其制作方法，包括应变计，应变计包括衬底层和器件薄膜层，所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成，衬底层底部设有与其相接的绝缘膜基底。该结构减少了电泄漏，提高了传感器的工作温度范围，同时衬底层底部的绝缘膜基底把整个应变计连成一片，既保证了电阻敏感栅中电阻条的相对位置不发生变化，减小全桥电路的失调电压，又防止了玻璃胶中的有害杂质直接与衬底层、弹性膜接触，提高了应变计与弹性膜之间的绝缘耐压性能。

Description

一种DSOI应变计及其制作方法

技术领域

本发明涉及压力传感器领域，特别是一种DSOI应变计及其制作方法。

背景技术

在6Mpa～200Mpa的高压传感器领域中，封装结构己成为突出矛盾，靠O型圈密封已无法抵阻高温高压情况下的压力泄漏问题。所以在高压传感器中一般先把压敏桥路电阻制作在17-4PH不锈钢基座上，再把基座通过氩弧焊、电子束、高能激光束等工艺烧焊在不锈钢外壳的接口端，以保证基座背面受压时能经得住几千公斤压力而不漏气。

目前国内外的大量程的压力传感器或变送器主要有以下两种结构：（1）一种是全封闭式溅射膜结构，其在不锈钢基座的弹性膜上，采用溅射技术、PECVD技术及光刻技术，先生长一薄层绝缘膜(例如氮化硅薄膜)，再淀积一薄层铂、铂铱、铂钨等合金薄膜，再通过微细加工光刻技术把这层金属膜制成电阻敏感栅，电阻敏感栅位于弹性膜的应力峰值区，以便得到最大的信号输出，在电阻敏感栅表面上复盖一层保护膜，具有防潮、防湿的作用；（2）另一种是全封闭式微熔结构，其在不锈钢基座的弹性膜上，用丝网印刷办法，印上玻璃胶，然后把半导体应变计移植到玻璃胶表面，通过500℃左右的高温烧结工艺，把半导体应变计、玻璃胶和弹性膜的应力峰值区连为一体。

由于溅射膜结构成本高、产量低、成品率低、一致性差、耐绝缘电压低，其抗绝缘电压一般低于250伏，不适宜于大规模生产。因此近几年己逐渐被超薄型半导体应变计的微熔结构所取代。微熔结构中用到的超薄型半导体应变计采用集成电路平面工艺和微机械工艺技术相结合办法制造，可以大规摸生产，一致性好。一个6英寸的硅片可以生产超薄型半导体应变计在23500片以上（若半桥半导体应变计尺寸为0.5*1.5mm²），应变计的电学性能一致性极好。抗绝缘电压高达500伏以上，而且微熔结构中的应变计与弹性膜表面的玻璃粉烧结技术己成熟，不锈钢基座通过热板自动传送带进入烧结炉，自动升温，自动恒温，自动退火处理，实现了一条全自动的生产线。这正适合当前1800公斤车用高压共轨压力传感器的大规模需求。但是这种超薄型半导体应变计目前国内全靠进口来维持微熔结构的生产，本专利就是在这种形势下提出一种新型结构的应变计来满足国内对高压共轨压力传感器制造的需求。

现有的单晶硅应变计一般采用外延结构，桥路电阻间采用P-N 结隔离，存在P-N结反向漏电流，导致输出温度漂移大，不能在高温环境下工作。同时现有的单晶硅应变计在将其移植到弹性膜上的玻璃胶进行微熔时，桥路电阻之间的相对位置容易发生变化，由于桥路电阻的尺寸及其小（宽度和厚度均为微米级），只要电阻条之间的相对位置发生微小变化，就将造成桥路电阻的微小变化，而这种变化将造成全桥电路的失调电压变大，降低了成品率。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种可减少电泄漏、提高测量精度的DSOI应变计及其制作方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种DSOI应变计，包括应变计，应变计包括衬底层和器件薄膜层，所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成，衬底层底部设有与其相接的绝缘膜基底。

作为上述技术方案的改进，所述电阻条外表包裹一绝缘薄膜层。

进一步，所述器件薄膜层的外形与衬底层的外形相一致，且两者之间形成下宽上窄的台阶结构。

进一步，所述衬底层、器件薄膜层外轮廓的转角均为圆角。

进一步，所述应变计的外表覆盖一层氮化硅薄膜，所述绝缘膜基底为二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜构成的复合基底。

进一步，所述每个电阻敏感栅的电阻条之间通过浓硼填埋层电连接而形成短路。

进一步，所述电阻敏感栅包括热压脚，电阻条与热压脚之间通过浓硼填埋层电连接，所述热压脚在浓硼填埋层表面上行走。

本发明还提供一种DSOI应变计的制作方法，包括以下步骤：

A、制作绝缘硅片，所述绝缘硅片包括从下至上设置的牺牲层、衬底层、器件薄膜层，牺牲层与衬底层、衬底层与器件薄膜层之间均设有绝缘薄膜层；

B、采用热氧化工艺在绝缘硅片上表面生成第一氧化层，在所述第一氧化层上光刻出浓硼区窗口，并在该浓硼区窗口进行硼杂质扩散而形成浓硼填埋层；

C、采用热氧化工艺在浓硼区窗口覆盖第二氧化层，保护浓硼埋层不受外界污染的影响；

D、光刻电阻区，使电阻区以外的第一氧化层被光刻腐蚀液漂净，保留电阻区表面的光刻胶，用干法刻蚀电阻区至应变片衬底上表面的绝缘薄膜层止，形成电阻条；

E、光刻第一引线孔，在第二氧化层上光刻出第一引线孔，漂净第一引线孔区域内的第二氧化层，在第一引线孔上方覆盖一层与浓硼填埋层接触的金属层。

F、光刻热压脚，用干法刻蚀热压脚区域外的金属层，形成热压脚；

G、光刻深刻蚀区，把衬底层上表面除深刻蚀区外的绝缘薄膜层通过光刻腐蚀液漂蚀干净，保留深刻蚀区表面的光刻胶，用干法刻蚀深刻区外的衬底层，终止于牺牲层上表面的绝缘薄膜层上；

H、采用自停止腐蚀技术去除牺牲层。

作为上述技术方案的改进，在所述的G步骤之后H步骤之前增加如下步骤：

G(1)、光刻深刻蚀区后，在绝缘硅片除牺牲层外的表面上覆盖一层氮化硅薄膜层，在衬底层的侧壁表面生长一层氮化硅薄膜层，衬底层与牺牲层之间的绝缘薄膜层及覆盖于其上表面的氮化硅薄膜层构成复合基底；

G(2)、光刻第二引线孔，把热压脚表面覆盖的氮化硅薄膜去除，暴露电极热压脚。

进一步，在所述的F步骤之后将形成有热压脚的绝缘硅片进行合金化处理。

本发明的有益效果是：本发明由于在器件薄膜层和衬底层之间设置绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层和衬底层形成电学性能相互独立的双层结构，代替P-N结隔离，减少了电泄漏，提高了传感器的工作温度范围，可以满足传感器在高温工作环境下的要求，同时衬底层底部设有与其相接的绝缘膜基底，把整个应变计连成一片，既保证了电阻敏感栅中电阻条的相对位置不发生变化，减小全桥电路的失调电压，提高测量精度，又防止了玻璃胶中的有害杂质直接与衬底层、弹性膜接触，提高了应变计与弹性膜之间的绝缘耐压性能。此外，电阻条外表包裹一绝缘薄膜层，电阻条的侧面和背面均有绝缘薄膜层保护，使电阻敏感栅之间完全处于绝缘隔离状态，即使在几百度的高温下，也不会出现漏电现象，因而本发明具有耐高温、低漂移的优良特性，适用于工作温度高达300℃以上的场合。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。

图1是本发明的立体结构示意图；

图2是本发明安装在不锈钢基座上的安装结构示意图；

图3是本发明中的绝缘硅片的示意图；

图4是本发明中的绝缘硅片上生成第一氧化层的示意图；

图5是本发明中的绝缘硅片上光刻出浓硼区窗口的示意图；

图6是本发明中的绝缘硅片上形成浓硼填埋层的示意图；

图7是本发明中的绝缘硅片上将电阻区以外的第一氧化层被光刻腐蚀掉的示意图；

图8是本发明中的绝缘硅片上形成电阻条的示意图；

图9是本发明中的绝缘硅片上光刻出第一引线孔的示意图；

图10是本发明中的绝缘硅片上形成金属层的示意图；

图11是本发明中的绝缘硅片上光刻出热压脚的示意图；

图12是本发明中的绝缘硅片上将衬底层上表面除深刻蚀区外的绝缘薄膜层腐蚀掉的示意图；

图13是本发明中的绝缘硅片上将深刻区外的衬底层刻蚀掉的示意图；

图14是本发明中的绝缘硅片上形成氮化硅薄膜层的示意图；

图15是本发明中的绝缘硅片上光刻出第二引线孔的示意图；

图16是本发明中的绝缘硅片上去除牺牲层的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细的说明。

参照图1至图16，本发明的一种DSOI（double silicon oxide insulation）应变计，包括应变计100，应变计100整个结构分成二层，包括上表层为2-5µm的器件薄膜层2，下表层为12-15µ的衬底层1，用于支撑上表层，器件薄膜层2可由单晶硅或多晶硅材料制成，衬底层1可由单晶硅或多晶硅材料制成，器件薄膜层2与衬底层1之间设有1µm厚的绝缘薄膜层31隔离，代替P-N结隔离，保证二者之间的电学性能绝对隔离，提高了传感器的工作温度范围，可以满足传感器在高温工作环境下的要求。所述器件薄膜层2包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条20串接而成，优选地，电阻条20外表包裹一绝缘薄膜层31，电阻条20的侧面和背面均有绝缘薄膜层31保护，使电阻敏感栅之间完全处于绝缘隔离状态，即使在几百度的高温下，也不会出现漏电现象，因而本发明具有耐高温、低漂移的优良特性，适用于工作温度高达300℃以上的场合。

参照图1，本实施例中，所述SOI应变计包括两个电阻敏感栅，一个电阻敏感栅构成一个桥路电阻，两个电阻敏感栅连接形成半桥惠斯顿测量电路，通过两片SOI应变计组成全桥惠斯顿测量电路。但并不限定，所述电阻敏感栅个数可根据需求设置。本发明中的每个电阻敏感栅可包含4～6个条状电阻条20（本具体实施例中为每个电阻敏感栅包含4个电阻条20），由于电阻敏感栅的横向压阻效应是一种负效应，为了减小这种负效应，本发明中所述每个电阻敏感栅的电阻条20之间通过浓硼填埋层51电连接而形成短路，同时所述每个电阻敏感栅的电阻条20之间的浓硼填埋层51表面覆盖一层绝缘薄膜层31，以防止浓硼填埋层51受外界影响。该结构相对于条状体单电阻的半导体应变计100，可大大缩短应变计100的长度，具有桥路电阻大（约3.5KΩ～5KΩ）、功耗小、体积小等优点，适应于微型高压传感器的制作。

优选地，所述电阻敏感栅采用单晶体硅材料制成，对比于采用P-N结扩散电阻的工艺技术制造电阻敏感栅，由于体硅材料直接由直拉的单晶硅硅锭上切割下来，没有热扩散或离子束注入引起杂质分布不均匀的现象，保证了每一个SOI应变计上桥路电阻阻值的一致性，这对降低传感器失调电压带来极大好处。优选地，所述电阻敏感栅采用单晶体硅材料制成时，电阻敏感栅与单晶硅的晶轴方向平行，所述单晶硅可为P型单晶硅，晶轴方向为〔111〕，所述单晶硅也可为N型单晶硅，晶轴方向为〔100〕。对于P型单晶硅，晶轴为〔111〕，且体硅电阻敏感栅的电阻条20与P型体硅晶轴方向平行时，应变计100的灵敏度系数具有最大值+177。而采用N型单晶硅，晶轴为〔100〕，且体硅电阻敏感栅的电阻条20与N型体硅晶轴方向平行时，应变计100的灵敏度系数具有最大值－132。为了提高微熔压力传感器/变送器的灵敏度和精度，除了应变计100与弹性膜201的微熔结合位置必须选择应力峰值区以外，应变计100制作的单晶体硅材料应选择灵敏度系数Ks值大的材料。

应变计100电阻敏感栅的任何微小扭曲都将会造成电阻值的变化，如果这种变化保持在应变计100与不锈钢基座200的弹性膜201微熔结合以后，那么组成惠斯特电桥的两个电阻敏感栅的阻值会发生差异，从而使惠斯特电桥失去平衡，使传感器的零点电压会变得很大。这种现象的产生会造成综合精度下降。为了固定电阻敏感栅中的电阻条20的相对位置，所述衬底层1底部设有与其相接的绝缘膜基底7，把整个应变计100连成一片。参照图2，当应变计100微熔到不锈钢基座200的弹性膜201表面时，绝缘膜基底7与弹性膜201之间形成一层固态玻璃薄膜202（由玻璃胶通过微熔技术形成），起到一种粘结剂的作用，把应变计100与弹性膜201表面牢牢粘结在一起。绝缘膜基底7既保证了电阻敏感栅中电阻条20的相对位置不发生变化，又防止了玻璃胶中的有害杂质直接与衬底层1、弹性膜201接触，提高了应变计100与弹性膜201之间的绝缘耐压性能。而且可将绝缘膜基底7的厚度设置得较薄，如1~2µm，使绝缘膜基底7对电阻敏感栅与弹性膜201之间的结合影响几乎忽略不计，基本上应由玻璃胶的厚度决定应力匹配系数的大小。由于在实现微熔技术过程中，玻璃胶的纯度受到一定的限止，为了避免玻璃粉所含杂质将直接与衬底层1和弹性膜201接触而造成应变计100的电阻敏感栅与不锈钢基座200之间的绝缘阻抗很低，所述器件薄膜层2的外形与衬底层1的外形相一致，且两者之间形成下宽上窄的台阶结构，该台阶结构保护电阻条20侧面的晶面不被暴露，防止玻璃胶中的杂质通过电阻条20侧面污染器件薄膜层2而降低了绝缘耐压性，采用台阶结构的应变计100其静电绝缘耐压可轻易达到100MΩ/500V以上。

为了提高应变计100的生产率，所述衬底层1、器件薄膜层2外轮廓的转角均为圆角。应变计100是由直径为6英寸、厚度为600微米的硅晶圆片通过腐蚀分离成的2万个大小仅1.50×0.50毫米2、厚度仅12～15微米的小芯片。这种微型的小芯片不仅要从硅晶圆片上分离出来，而且还要经过的严格的清洗程序，把腐蚀分离过程中浸润在每一个应变计100上的碱性物质洗涤干净。在清洗过程中，小芯片之间的冲撞摩擦都会产生一种微小的破坏力，让应变计100破碎。本发明为了减少应变计100的破碎，提高成品的合格率，通过圆角结构将冲撞摩擦所产生的力加以匀散，从而保证应变计100具有足够高的成品率。

所述应变计100的外表覆盖一层氮化硅薄膜6，所述绝缘膜基底7为二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜6构成的复合基底。上述氮化硅薄膜6不仅保护衬底层1的侧壁不受污染，而且与二氧化硅薄膜构成复合基底作为绝缘膜基底7，由于弹性膜201的应变通过绝缘基底传递给衬底层1上的电阻敏感栅，因此基底材料性能的好坏将直接影响到应变计100的质量。由氮化硅薄膜6与二氧化硅薄膜构成的复合基底具有足够的抗剪强度、较高的应变极限、良好的热稳定性和防潮性能，以及高的电绝缘性，保证了应变计100的质量。

本发明中，所述电阻敏感栅包括热压脚53，电阻条20与热压脚53之间通过浓硼填埋层51电连接，所述热压脚53在浓硼填埋层51表面上行走。在常规的设计中，通常都把桥路电阻和热压脚53设计成两个区域，两者之间通过金属连接线实现电连接，金属连接线是在桥路电阻和热压脚53下面的绝缘层上面行走的，当电阻区和热压脚53区相对于绝缘层有一个较高的台阶时，金属连接线在爬行该台阶时容易发生断裂，从而造成传感器失效或可靠性不高的问题。本发明采用浓硼填埋层51实现电阻条20与热压脚53之间的电连接，使热压脚53布设在浓硼填埋层51平整的表面上，不存在台阶而造成引线断裂的问题，使成品率和可靠性得到很大的提高。

一种DSOI应变计的制作方法，包括以下步骤：

A、参照图3，制作绝缘硅片，所述绝缘硅片包括从下至上设置的牺牲层4、衬底层1、器件薄膜层2，牺牲层4与衬底层1、衬底层1与器件薄膜层2之间均设有绝缘薄膜层31。在此，牺牲层4用于保证应变计100在半导体集成电路工艺线上流片时有足够强度而不会碎裂，其在最后应变计100成型时被去除，衬底层1用于支撑器件薄膜层2，应变计100的厚度主要由衬底层1决定。优选地，在厚度为580~620μm的硅片表面即牺牲层4表面热氧化生长0.5～1.0μm厚的二氧化硅绝缘层，通过SBD、Smart-cut、Simox等硅-硅键合技术和减薄技术，在该二氧化硅绝缘层上面形成12～15μm厚的单晶硅层即为衬底层1，然后在衬底层1表面热氧化生长0.5～1.0μm厚的二氧化硅绝缘层，接着再通过硅-硅键合技术和减薄抛光技术在衬底层1上表面的二氧化硅绝缘层上面形成2～5μm厚的单晶硅层即为器件薄膜层2。

B、参照图4至图6，采用热氧化工艺在绝缘硅片上表面生成第一氧化层32，在所述第一氧化层32上光刻出浓硼区窗口321，并在该浓硼区窗口321进行硼杂质扩散而形成浓硼填埋层51，使该区域的具有很低的电阻率和很好的欧姆接触，保证传感器具有稳定的零点和很小的失调电压。所述第一氧化层32优选为二氧化硅薄膜层。

C、采用热氧化工艺在浓硼区窗口321覆盖第二氧化层33，保护浓硼埋层不受外界污染的影响。所述第二氧化层33优选为二氧化硅薄膜层。

D、参照图7和图8，光刻电阻区，使电阻区以外的第一氧化层32被光刻腐蚀液漂净，保留电阻区表面的光刻胶，用ICP工艺干法刻蚀电阻区至应变片衬底上表面的绝缘薄膜层31止，形成电阻条20。

E、参照图9和图10，光刻第一引线孔331，在第二氧化层33上光刻出第一引线孔331，漂净第一引线孔331区域内的第二氧化层33，在第一引线孔331上方覆盖一层与浓硼填埋层51接触的金属层52。优选地，在第一引线孔331上方采用电子束蒸发或磁控溅射淀积1.5-2.0µm厚的金属层52，金属层52可为铝硅合金层、铬镍金合金层和钛镍银合金层中的任意一种。

F、参照图11，光刻热压脚53，采用IBE干法刻蚀工艺，用光刻胶作掩蔽层，把热压脚53区域外的金属层52刻蚀干净，得到热压脚53。

G、参照图12和图13，光刻深刻蚀区，把衬底层1上表面除深刻蚀区外的绝缘薄膜层31通过光刻腐蚀液漂蚀干净，保留深刻蚀区表面的光刻胶，用ICP工艺干法刻蚀深刻区外的衬底层1，终止于牺牲层4上表面的绝缘薄膜层31上。

H、参照图16，采用自停止腐蚀技术去除牺牲层4。对正面进行保护，背面采用KOH腐蚀液腐蚀牺牲层4。由于绝缘薄膜层31对KOH腐蚀液具有抗腐蚀作用，因此当牺牲层41被KOH腐蚀液腐蚀到绝缘薄膜层31时，就出现自终止腐蚀现象。这种技术它保证了应变计100厚度的一致性和背面的平整性。由于直径为6英寸的硅晶圆片的厚度均匀性为600μm±10，即使硅晶圆片上每一点的腐蚀速率完全相同，如果没有自终止腐蚀的技术措施，则最后腐蚀结构也会有±10μm的厚度误差。这就会造成有的应变计100很厚，而有的应变计100很薄的现象。其次长时间的大面积湿法腐蚀过程中，对于硅晶圆片上的点缺陷或线缺陷(包括表面的机械损伤)处的化学势比较低，这些位置的腐蚀速率相对于晶格排列正常的晶体腐蚀速率要大很多，结果长时间腐蚀后的硅片背面出现凹凸不平的桔皮状表面。也即应变计100背面的平整度很差。实验证明，这样的应变计100制成传感器以后，其重复性和稳定性均不能满足正常的技术指标要求。所以本发明采用绝缘薄膜层31基底结构和自终止腐蚀技术，对该产品的质量和生产成品率具有极其重要的作用。

进一步，在步骤E之后F步骤之前，采用热氧化工艺在电阻条20的侧壁生长一层绝缘薄膜层31，使电阻条20四面均被绝缘薄膜层31所包围，保护其不受外界污染的影响。所述绝缘薄膜层31优选为二氧化硅薄膜层。

进一步，在所述的G步骤之后H步骤之前增加如下步骤：

G(1)、参照图14，光刻深刻蚀区后，在绝缘硅片除牺牲层4外的表面上覆盖一层氮化硅薄膜6层，在衬底层1的侧壁表面生长一层氮化硅薄膜6层，保护衬底层1不被污染，衬底层1与牺牲层4之间的绝缘薄膜层31及覆盖于其上表面的氮化硅薄膜6层构成复合基底，该复合基底具有足够的抗剪强度、较高的应变极限及较高电绝缘性，复合基底通过玻璃胶微熔技术与不锈钢基座200的弹性膜201连为一体，保证了应变计100的质量。

G(2)、参照图15，光刻第二引线孔61，把热压脚53表面覆盖的氮化硅薄膜6去除，暴露电极热压脚53，方便在热压脚53表面键合金丝或硅铝丝。

进一步，在所述的F步骤之后将形成有热压脚53的绝缘硅片进行合金化处理0.5h，加热温度为450~500℃，使热压脚53与第一引线孔331区域内的浓硼填埋层51形成优良的欧姆接触。

本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了相互排斥的特征和/ 或步骤以外，均可以以任何方式组合，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换，即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个实施例而已。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种DSOI应变计，其特征在于：包括应变计，应变计包括衬底层和器件薄膜层，所述器件薄膜层设于衬底层上方且两者之间设有绝缘薄膜层隔离，器件薄膜层包括至少一个电阻敏感栅，每个电阻敏感栅由至少两条电阻条串接而成，所述器件薄膜层的外形与衬底层的外形相一致，衬底层底部设有与其相接的绝缘膜基底。

2.根据权利要求1所述的一种DSOI应变计，其特征在于：所述电阻条外表包裹一绝缘薄膜层。

3.根据权利要求1所述的一种DSOI应变计，其特征在于：所述衬底层、器件薄膜层外轮廓的转角均为圆角。

4.根据权利要求1所述的一种DSOI应变计，其特征在于：所述应变计的外表覆盖一层氮化硅薄膜，所述绝缘膜基底为二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜构成的复合基底。

5.根据权利要求1所述的一种DSOI应变计，其特征在于：所述每个电阻敏感栅的电阻条之间通过浓硼填埋层电连接而形成短路。

6.根据权利要求1所述的一种DSOI应变计，其特征在于：所述电阻敏感栅包括热压脚，电阻条与热压脚之间通过浓硼填埋层电连接，所述热压脚在浓硼填埋层表面上行走。

7.一种权利要求1～6任一所述的一种DSOI应变计的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、制作绝缘硅片，所述绝缘硅片包括从下至上设置的牺牲层、衬底层、器件薄膜层，牺牲层与衬底层、衬底层与器件薄膜层之间均设有绝缘薄膜层；

B、采用热氧化工艺在绝缘硅片上表面生成第一氧化层，在所述第一氧化层上光刻出浓硼区窗口，并在该浓硼区窗口进行硼杂质扩散而形成浓硼填埋层；

C、采用热氧化工艺在浓硼区窗口覆盖第二氧化层，保护浓硼埋层不受外界污染的影响；

D、光刻电阻区，使电阻区以外的第一氧化层被光刻腐蚀液漂净，保留电阻区表面的光刻胶，用干法刻蚀电阻区至应变片衬底上表面的绝缘薄膜层止，形成电阻条；

E、光刻第一引线孔，在第二氧化层上光刻出第一引线孔，漂净第一引线孔区域内的第二氧化层，在第一引线孔上方覆盖一层与浓硼填埋层接触的金属层；

F、光刻热压脚，用干法刻蚀热压脚区域外的金属层，形成热压脚；

G、光刻深刻蚀区，把衬底层上表面除深刻蚀区外的绝缘薄膜层通过光刻腐蚀液漂蚀干净，保留深刻蚀区表面的光刻胶，用干法刻蚀深刻区外的衬底层，终止于牺牲层上表面的绝缘薄膜层上；

H、采用自停止腐蚀技术去除牺牲层。

8.根据权利要求7所述的一种DSOI应变计的制作方法，其特征在于：在所述的G步骤之后H步骤之前增加如下步骤：

G(1)、光刻深刻蚀区后，在绝缘硅片除牺牲层外的表面上覆盖一层氮化硅薄膜层，在衬底层的侧壁表面生长一层氮化硅薄膜层，衬底层与牺牲层之间的绝缘薄膜层及覆盖于其上表面的氮化硅薄膜层构成复合基底；

G(2)、光刻第二引线孔，把热压脚表面覆盖的氮化硅薄膜去除，暴露电极热压脚。

9.根据权利要求7所述的一种DSOI应变计的制作方法，其特征在于：在所述的F步骤之后将形成有热压脚的绝缘硅片进行合金化处理。