CN105088319A - 一种基于无机物的led中心基板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种基于无机物的LED中心基板的制造方法,包括:对Cu基板进行磨光处理;对磨光处理后的Cu基板进行化学除油;水洗后,用40℃的盐酸溶液对所述Cu基板进行除锈;40℃恒温条件下,利用质量浓度为70~80g/L的除油剂溶液对所述Cu基板进行电解除油;水洗后,在质量分数为5%的稀盐酸中浸泡1分钟,用以对Cu基板进行活化;水洗后,对活化后的Cu基板进行复合电镀,在Cu基板的一侧表面形成纳米SiC层;水洗后,烘干包装,得到SiC-Cu复合中心基板。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种基于无机物的LED中心基板的制造方法。
背景技术
在传统的半导体显示器产品发展到今天,配套的或是交叉行业的资源已经极大地丰富和完善。在传统的LED产品结构中,通常采用FR4电路板用来做LED电路基板。
但是,在传统电路板作为LED电路基板时,其材料的材质里存在的杂质,气孔,热应力,热膨胀等缺陷,都会造成致命的产品稳定性信赖性的隐患。而且在半导体显示器的分辨率提高到一定程度时(例如像素间距要求小于1MM时)无法实现加工。因此传统电路板是完全没法满足小尺寸、高精度的要求的。同时,后续与LED的接合工艺繁琐,一个LED电路基板承载的多个LED晶片间性能的一致性无法得到保障,可能会对最终产品的性能造成影响。
发明内容
本发明的目的是提供一种用于无机LED积层电路板制备的,基于无机物的LED中心基板的制造方法。
本发明提供了一种基于无机物的LED中心基板的制造方法,包括:
对Cu基板进行磨光处理;
对磨光处理后的Cu基板进行化学除油;
水洗后,用40℃的盐酸溶液对所述Cu基板进行除锈;
40℃恒温条件下,利用质量浓度为70~80g/L的除油剂溶液对所述Cu基板进行电解除油;
水洗后,在质量分数为5%的稀盐酸中浸泡1分钟,用以对Cu基板进行活化;
水洗后,对活化后的Cu基板进行复合电镀,在Cu基板的一侧表面形成纳米SiC层;
水洗后烘干,得到SiC-Cu复合中心基板。
优选的,所述化学除油的方法具体为:
将所述Cu基板置于质量浓度为70~80g/L的沸腾的除油剂溶液中5~6min。
优选的,所述电解除油的方法具体为:
将所述Cu基板作为阴极,将铁片作为阳极,在所述除油剂溶液中,根据所述Cu基板的尺寸调节适当的电流通电2分钟;然后将所述Cu基板作为阳极,将铁片作为阴极通电1分钟。
优选的,所述活化后的水洗步骤具体为:
在50℃的水中清洗1分钟后,再在用冷水清洗。
优选的,所述复合电镀具体为:
在50℃,PH值为5.0的电镀液中,以纯镍板为阳极,碳素结构钢板为阴极,电流密度为2.56A/dM2,电镀20分钟;
其中所述电镀液的组成包括:270g/L的硫酸镍、12g/L的硫酸钴、35g/L硼酸、15g/L的氯化镍、0.85g/L复配表面活性剂和适量的纳米碳化硅粉。
进一步优选的,在进行所述复合电镀之前,所述方法还包括,利用所述复配表面活性剂对所述纳米碳化硅粉进行湿润和分散,并进行超声处理。
进一步优选的,所述超声处理的时间为30分钟。
进一步的,所述盐酸溶液的质量分数为18%。
本发明提供的基于无机物的LED中心基板的制造方法,采用无机物Cu作为基板,通过磨光、除油、除锈、复合电镀的工艺在Cu基板上形成纳米SiC层,并制备得到SiC-Cu复合中心基板。该SiC-Cu复合中心基板可以作为中心基板用于无机LED积层电路板的制备。
附图说明
图1为本发明实施例提供的基于无机物的LED中心基板的制造方法;
图2为本发明实施例提供的Cu基板上电镀生成SiC层过程的微观结构示意图;
图3为本发明实施例提供的SiC-Cu复合中心基板的示意图。
具体实施方式
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
本发明的基于无机物的LED中心基板的制造方法,主要用于LED显示屏,超小间距LED显示屏,超高密度LED显示屏,LED正发光电视,LED正发光监视器,LED视频墙,LED指示,LED特殊照明等领域的显示面板制造。
图1为本发明实施例提供的基于无机物的LED中心基板的制造方法的流程图。本发明的制造方法包括如下步骤:
步骤101,对Cu基板进行磨光处理;
具体的,所述磨光处理是指对Cu基板表面的物理磨光处理。
步骤102,对磨光处理后的Cu基板进行化学除油;
具体的,将所述Cu基板置于质量浓度为70~80g/L的沸腾的除油剂溶液中5~6min。
步骤103,水洗后,用40℃的盐酸溶液对所述Cu基板进行除锈;
具体的,所述盐酸溶液的质量分数为18%,除锈时间为2-3分钟。
步骤104,40℃恒温条件下,利用质量浓度为70~80g/L的除油剂溶液对所述Cu基板进行电解除油;
其中,电解除油的方法具体为:
将所述Cu基板作为阴极,将铁片作为阳极,在所述除油剂溶液中,根据所述Cu基板的尺寸调节适当的电流通电2分钟;然后将所述Cu基板作为阳极,将铁片作为阴极通电1分钟。
步骤105,水洗后,在质量分数为5%的稀盐酸中浸泡1分钟,用以对Cu基板进行活化;
步骤106,对活化后的Cu基板进行水洗;
具体的,水洗的步骤包括:在50℃的水中清洗1分钟后,再在用冷水清洗。
步骤107,对活化后的Cu基板进行复合电镀,在Cu基板的一侧表面形成纳米SiC层;
具体的,在50℃,PH值为5.0的电镀液中,以纯镍板为阳极,碳素结构钢板为阴极,电流密度为2.56A/dM2,电镀20分钟;
其中所述电镀液的组成包括:270g/L的硫酸镍、12g/L的硫酸钴、35g/L硼酸、15g/L的氯化镍、0.85g/L复配表面活性剂和适量的纳米碳化硅粉。
通过在电镀液中配置的硫酸镍,硫酸钴,硼酸,氯化镍,及镍阳极,使得电镀液中产生镍离子(带正电荷),和钴例子(带正电荷)。氢离子首先会附着在纳米SiC的表面使其带电,在电流效应的作用下,镍离子和带电纳米SiC粒子都会向作为阴极的铜基板表面运动,沉积,但镍离子运动速度快过带电纳米SiC粒子并首先沉积在Cu基表面并与之表面原子形成金属键,如图2所示,随后到来的带电纳米SiC粒子就堆积在了镍离子上。并由于纳米级粒子特有的小尺寸效应、量子尺寸效应和表面界面效应,会稳固地沉积在镍离子表面,形成纳米SiC层。同时,附着在纳米SiC表面的氢离子在到达阴极后被还原成氢气释放。
由于纳米材料尺寸小,其活性高,在电镀液中易团聚,所以纳米SiC的分散问题是纳米复合电镀的关键。在施镀之前须对其进行有效分散。在一个优选的方案中,采用复配表面活性剂对纳米SiC进行润湿和分散,之后在超声波中振荡30分钟,利用超声波的空化效应和机械剪切作用有效地搅拌和分散纳米SiC。
步骤108,水洗后烘干,得到SiC-Cu复合中心基板。
具体本发明制备得到的SiC-Cu复合中心基板可以如图3所示。其中包括SiC层1和Cu层2。
本发明提供的基于无机物的LED中心基板的制造方法,采用无机物Cu作为基板,通过磨光、除油、除锈、复合电镀的工艺在Cu基板上形成纳米SiC层,并制备得到SiC-Cu复合中心基板。该SiC-Cu复合中心基板可以作为中心基板用于无机LED积层电路板的制备。
上述实施例中所述的温度、浓度、时间等参数,仅为具体实施例,并非对本发明的限定,本领域技术人员在不付出创造性劳动的情况下,均可对上述参数进行调整,以得到与本发明相同的效果,因此对各参数数值的调整均应包括在本发明的保护范围内。
以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种基于无机物的LED中心基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
对Cu基板进行磨光处理;
对磨光处理后的Cu基板进行化学除油;
水洗后,用40℃的盐酸溶液对所述Cu基板进行除锈;
40℃恒温条件下,利用质量浓度为70~80g/L的除油剂溶液对所述Cu基板进行电解除油;
水洗后,在质量分数为5%的稀盐酸中浸泡1分钟,用以对Cu基板进行活化;
水洗后,对活化后的Cu基板进行复合电镀,在Cu基板的一侧表面形成纳米SiC层;
水洗后烘干,得到SiC-Cu复合中心基板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述化学除油的方法具体为:
将所述Cu基板置于质量浓度为70~80g/L的沸腾的除油剂溶液中5~6min。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电解除油的方法具体为:
将所述Cu基板作为阴极,将铁片作为阳极,在所述除油剂溶液中,根据所述Cu基板的尺寸调节适当的电流通电2分钟;然后将所述Cu基板作为阳极,将铁片作为阴极通电1分钟。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述活化后的水洗步骤具体为:
在50℃的水中清洗1分钟后,再在用冷水清洗。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述复合电镀具体为:
在50℃,PH值为5.0的电镀液中,以纯镍板为阳极,碳素结构钢板为阴极,电流密度为2.56A/dM2,电镀20分钟;
其中所述电镀液的组成包括:270g/L的硫酸镍、12g/L的硫酸钴、35g/L硼酸、15g/L的氯化镍、0.85g/L复配表面活性剂和适量的纳米碳化硅粉。
6.根据权利要求5的方法,其特征在于,在进行所述复合电镀之前,所述方法还包括,利用所述复配表面活性剂对所述纳米碳化硅粉进行湿润和分散,并进行超声处理。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述超声处理的时间为30分钟。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述盐酸溶液的质量分数为18%。
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