CN105047527B - 用于处理基板的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种用于处理基板的系统和方法。所述基板处理系统可包括处理腔室，所述处理腔室包括具有开放顶部的壳体和从外部密闭地密封所述壳体的顶部的介质窗；支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理腔室中以支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将处理气体供应到所述处理腔室；等离子体源，所述等离子体源设置在所述处理腔室外部，以由供应到所述处理腔室中的处理气体产生等离子体；以及加热单元，所述加热单元加热所述介质窗，加热单元可包括加热器和设置在所述介质窗的一个表面上的导热层。

Description

用于处理基板的系统和方法
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及基板处理系统，尤其涉及使用等离子体来处理基板的系统。
背景技术
通常，执行等离子体处理工艺来制作半导体器件和平板显示器。例如，在沉积、清洗、灰化或刻蚀工艺期间，由供应气体产生的等离子体可用来在等离子体处理腔室中处理半导体基板。等离子体可由多个来源之一产生，所述来源例如，电容性耦合等离子体(CCP)源和电感耦合等离子体(ICP)源。
在ICP系统中，介质窗可用作高频功率的传递路径。
介质窗设置在处理腔室的顶壁上，并且在介质窗上可设置天线。介质窗可在等离子体工艺期间由加热器加热。通常，加热器可包括由金属材料制成的加热管线。在加热器设置在介质窗的整个顶部区域的情况下，能够加热介质窗的整个区域，但这可能导致电磁波与加热管线之间的电磁干扰，该电磁波易于从天线到介质窗产生。为了避免该技术问题，加热器可通常设置在介质窗的边缘区域上，但这可能导致介质窗的中央区域和边缘区域之间的温差。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供一种构造为对介质窗的整个区域均匀地提供热量的基板处理系统和利用该系统处理基板的方法。
同时，本发明构思的其它示例性实施例提供一种防止为介质窗提供的热量排到外部的基板处理系统和利用该系统处理基板的方法。
本发明构思的示例性实施例提供一种基板处理系统。
根据本发明构思的示例性实施例，基板处理系统可包括处理腔室，所述处理腔室包括具有开放顶部的壳体和从外部密闭地密封所述壳体的顶部的介质窗；支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理腔室中以支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将处理气体供应到所述处理腔室中；等离子体源，所述等离子体源设置在所述处理腔室外部，以由供应到所述处理腔室中的所述处理气体产生等离子体；以及加热单元，所述加热单元加热所述介质窗，所述加热单元可包括加热器以及设置在所述介质窗一个表面上的导热层。
在示例性实施例中，所述导热层可设置在所述介质窗的顶表面上。
在示例性实施例中，所述加热单元还可包括设置在所述导热层的顶表面上的绝缘层。
在示例性实施例中，所述导热层可由热导率高于所述介质窗的材料形成。
在示例性实施例中，所述导热层可由热导率高于所述介质窗的材料形成，且所述绝缘层可由热导率低于所述导热层的材料形成。
在示例性实施例中，所述加热器可设置为加热所述介质窗的边缘区域。
在示例性实施例中，所述等离子体源可设置在所述介质窗上。
在示例性实施例中，所述等离子体源可包括天线，并且所述基板处理系统还可包括：天线室，所述天线室设置在所述处理腔室上以容纳所述天线，以及冷却构件，所述冷却构件将冷却气体供应到所述天线室中。
在示例性实施例中，所述导热层可包含含石墨烯的材料。
在示例性实施例中，所述绝缘层可包含硅酸钠。
本发明构思的示例性实施例提供一种处理基板的方法。
根据本发明构思的示例性实施例，一种处理基板的方法可包括：将处理气体供应到处理腔室中，所述处理腔室具有顶部开放的壳体和介质窗；将电功率施加到设置在所述处理腔室外部的天线以由在所述处理腔室中的所述处理气体产生等离子体，然后用所述等离子体处理基板。所述方法还可包括：在所述基板的处理之前或期间，加热所述介质窗，以及使用热能执行所述介质窗的加热，所述热能可由加热器产生且从所述加热器供应到所述介质窗的边缘部分，并且所述热能的一部分通过与所述介质窗接触的导热层传递到所述介质窗的整个区域。
在示例性实施例中，所述导热层可设置在所述介质窗的顶表面上，且加热单元还可包括设置在所述导热层的顶表面上的绝缘层。
在示例性实施例中，所述传热层可由热导率高于所述介质窗的材料形成。
在示例性实施例中，所述导热层可由热导率高于所述介质窗的材料形成，且所述绝缘层可由热导率低于所述导热层的材料形成。
在示例性实施例中，所述加热器可设置为加热所述导热层的边缘区域。
附图说明
从以下结合附图的简明描述中，本发明的示例性实施例将被更清楚地理解。附图表示如本文所描述的非限制的示例性实施例。
图1为示出根据本发明构思的示例性实施例的基板处理系统的剖视图；
图2为示出设置在图1的基板处理系统中的加热单元的示例的剖视图；
图3为示出当图2中加热单元构造为不具有导热层和绝缘层时，通过介质窗的热量流动的示意图；
图4为示例性示出当使用图2中加热单元时热量流动的示意图；
图5为示出设置在图1的基板处理系统中的加热单元的另一示例的剖视图。
需注意的是这些附图旨在阐明在特定示例性实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特征，以及补充以下提供的书面描述。然而这些附图不是等比例的，且可能不能精确反映任意给定实施例的精确结构或性能特征，因此不应被理解为限定或限制由示例性实施例包含的数值的范围或性能。例如，为清楚起见，分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和位置可减少或放大。在不同附图中相似或相同的参考编号的使用旨在表明相似或相同的元件或特征的存在。
具体实施方式
现在将参照在其中示出示例性实施例的附图更充分地描述本发明构思的示例性实施例。然而，本发明构思的示例性实施例可以不同形式体现且不应解释为限制本文陈述的实施例；相反，提供这些实施例以便使本公开是彻底的且完整的，并向本领域普通技术人员充分传达示例性实施例的构思。在附图中，为清楚起见，层和区域的厚度被放大。在附图中相似的参考编号表示相似的元件，因此它们的描述将被省略。
应理解的是，当一个元件被称为“连接”或“耦合”到另一元件时，它可直接地连接或耦合到另一元件或可能存在中间元件。相反地，当元件被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一元件时，不存在中间元件。在全文中相似的编号代表相似的元件。如本文使用的术语“和/或”，包括一个或多个相关联的列出项目的任意和所有组合。用于描述元件或层之间关系的其它词语(例如，“在……之间”与“直接在……之间”，“邻近”与“直接邻近”，“在……上”与“直接在……上)应以相似的方式解释。
应理解的是，虽然本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分从另一个元件、组件、区域、层或部分中区分出来。因此，以下讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分，而不脱离示例性实施例的教导。
为了便于描述，本文可使用空间相对术语，例如“在……下面(beneath)”、“在……下方(below)”、“下部的(lower)”、“在……上方(above)”、“上部的(upper)”等，以描述如附图中示出的一个元件或特征，与另一个(或多个)元件或特征的关系。应理解的是，除附图中描述的方位以外，空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的设备被倒置，描述为在其它元件或特征“下方(below)”或“下面(beneath)”的元件将随之调整为在所述其它元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”可包含上方和下方两个方位。设备可作其它调整(旋转90度或处于其它方位)，且本文使用的空间相对术语被相应地解释。
本文所用术语仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制示例性实施例。如本文使用的单数形式的“一个(a，an)”和“该/所述(the)”旨在还包含复数形式，除非上下文清楚指出并非如此。还应当理解的是，在该说明书中使用术语“包含(comprises和/或comprising)”、“包括(include和/或including)”时，指定陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件、和/或以上的组合的存在或附加。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思的示例性实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解的是，术语，例如那些在常用词典中定义的术语，应解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，不能以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文明确定义如此。
图1为示出根据本发明构思的示例性实施例的基板处理系统的剖视图。
参见图1，基板处理系统10可构造为使用等离子体处理基板W。例如，基板处理系统10可构造为在基板W上执行刻蚀工艺。基板处理系统10可包括处理腔室100、支撑单元200、气体供应单元300、等离子体源400和挡板单元500。
处理腔室100可提供空间，基板处理工艺将在所述空间中执行。处理腔室100可包括壳体110、介质窗120、内衬130和加热单元150。
壳体110可具有设置在其中的内部空间，并且该内部空间的顶表面是开放的。基板处理工艺可在壳体110的所述内部空间中执行。壳体110可由金属材料形成，例如壳体110可由含铝材料形成。壳体110可接地。排气孔102可形成为通过壳体110的底表面。所述排气孔102可连接到排气管线161。在基板处理工艺中可能产生的反应副产物和存在于壳体110的内部空间的残余气体可通过排气管线161排出到外部。该排放处理的结果是，壳体110可被减压到特定压力。
内衬130可设置在壳体110中。内衬130可设置为限定一个空间，该空间的顶表面和底表面是开放的。内衬130可设置为具有圆柱体形状。内衬130可具有半径，该半径对应于或等于壳体110的内部空间的半径。内衬130可沿壳体110的内表面设置。在内衬130的顶部可设置支撑环131。支撑环131可以环形板的形式设置且可从内衬130的外圆周向外突出。支撑环131可设置在壳体110的顶上以支撑内衬130。内衬130可保护壳体110的内侧表面免受损坏。在处理气体激发期间，在腔室100中可能发生电弧放电。这种电弧放电可能导致对邻近设备的损坏。然而，凭借设置在壳体110的内侧表面的内衬130，能够防止壳体110的内侧表面被电弧放电损坏。此外，内衬130可防止在基板处理过程中可能产生的污染物材料沉积在壳体110的内侧表面上。与壳体110相比，内衬130可具有较低成本且容易替换。因此，在内衬130被电弧放电损坏的情况下，内衬130可由操作员用新的内衬替换。
介质窗120可置于壳体110上。介质窗120可具有与壳体110的半径基本相同的半径。介质窗120可由氧化铝(Al2O3)或石英形成，或者介质窗120可包含氧化铝(Al2O3)或石英。介质窗120的表面可覆盖有氧化钇(Y2O3)。
图2为示出设置在图1的基板处理系统10中的加热单元150的示例的剖视图。
参照图1和图2，加热单元150可包括导热层151、绝缘层153和加热器155。加热单元150可构造为加热介质窗120。加热器155可设置在壳体110中邻近介质窗120的边缘区域。加热器155可构造为为介质窗120提供热能。
导热层151可设置在介质窗120的表面上。在示例性实施例中，导热层151可设置在介质窗120的顶表面上。导热层151允许提供给介质窗120边缘区域的热能被传递到介质窗120的中央区域。例如，导热层151可允许介质窗120的整个区域具有均匀的热量分布。导热层151可由热导率高于介质窗120的材料形成，或者导热层151可包含热导率高于介质窗120的材料。在示例性实施例中，导热层151可包含石墨烯。
绝缘层153可设置在导热层151的顶表面上。绝缘层153可防止流经导热层151的热量向远离介质窗120的方向排出。绝缘层153可由热导率低于导热层151的材料形成，或者绝缘层153可包含热导率低于导热层151的材料。进一步，绝缘层153可由热导率低于介质窗120的材料形成，或者绝缘层153可包含热导率低于介质窗120的材料。在示例性实施例中，绝缘层153可包括硅酸钠。
图3为示出当图2的加热单元150构造为不具有导热层151和绝缘层153时，通过介质窗120的热流的示意图；图4为示例性示出当使用图2的加热单元时热量流动的示意图。在附图中，实线箭头表示介质窗120中的热量流动，虚线箭头表示导热层151中的热量流动。每个箭头示出具有与热能的量相对应的长度。
参照图3，在导热层151和绝缘层153不设置在介质窗120的顶表面上的情况下，热能可从加热器155传递到介质窗120的边缘区域。该热能的一部分可通过介质窗120被传递到介质窗120的中央区域。这种情形下，在介质窗120的中央区域和边缘区域之间可能有相对大的温差。
相比之下，参照图4，在导热层151和绝缘层153设置在介质窗120顶表面上的情况下，由加热器155供应的热能可被传递到介质窗120的边缘区域。供应到介质窗120的边缘区域的热能的一部分可通过介质窗120被传递到介质窗120的中央区域。进一步，供应到介质窗120边缘区域的热能的另一部分可被传递到导热层151，然后可通过导热层151被传递到介质窗120的中央区域。据此，流经导热层151的热能的一部分可被传递到介质窗120。在热传递过程中，绝缘层153可防止供应到导热层151的热能从导热层151排出。作为这种热传递过程的结果，介质窗120的中央区域和边缘区域之间的温差可减小。
图5为示出设置在图1的基板处理系统中的加热单元的另一示例的剖视图。参照图5，不同于图2中的导热层151，图5的导热层651可设置在介质窗620的底表面上。绝缘层653可设置在介质窗620的顶表面上。
重新参照图1，支撑单元200可设置在壳体110中。支撑单元200可构造为支撑基板W。支撑单元200可构造为使用静电力吸附并保持基板W。可选地，支撑单元200可构造为使用其它方式，如机械夹具，保持基板W。
支撑单元200可包括静电吸盘210、绝缘板250和下盖270。支撑单元200可设置在处理腔室100中以向上与壳体110的底表面隔离开。
静电吸盘210可包括介电板220、下电极223、加热器225、支撑板230以及聚焦环240。
介电板220可设置在静电吸盘210的顶上。介电板220形状可如圆盘形且由介电材料形成。基板W可设置在介电板220的顶表面上。介电板220的顶表面可具有比基板W的半径小的半径。因此，基板W的边缘区域可置于介电板220的外部。第一供应管道221可设置在介电板220中。第一供应管道221可设置为从介电板220的顶表面延伸到介电板220的底表面。在示例性实施例中，多个第一供应管道221可设置为彼此相互隔开，且可用作向基板W的底表面供应传热介质的通道。
下电极223和加热器225可被埋设在介电板220中。下电极223可置于加热器225上。下电极223可电连接到第一下部电源223a。第一下部电源223a可包括直流(DC)电源。开关223b可安装在下电极223和第一下部电源223a之间。通过接通或断开开关223b，下电极223可电连接到第一下部电源223a或与第一下部电源223a电断开。例如，如果开关223b接通，直流电流可施加到下电极223。因为施加到下电极223的电流，在下电极223和基板W之间可产生静电力。由此，基板W可被固定到介电板220。
加热器225可电连接到第二下部电源225a。利用施加到第二下部电源225a的电流，加热器225可产生热量。产生的热量可通过介电板220传递到基板W。例如，由加热器225产生的热量可允许基板W处于特定温度。加热器225可包括至少一个螺旋形线圈。
支撑板230可设置在介电板220的下方。介电板220的底表面可通过粘胶层236附接到支撑板230的顶表面。支撑板230可由含铝材料形成。支撑板230的顶表面的中央区域可高于支撑板230的顶表面的边缘区域，从而具有阶梯结构。支撑板230的顶表面的中央区域可具有与介电板220的底表面的中央区域基本相同或相似的面积，且可粘附到介电板220的底表面。第一循环管道231、第二循环管道232和第二供应管道233可在支撑板230中形成。
第一循环管道231可用作循环传热介质的通道。第一循环管道231可为设置在支撑板230中的螺旋结构。可选地，第一循环管道231可构造为包括多个环形管道，该多个环形管道以同心方式形成且半径彼此不同。在特定实施例中，组成第一循环管道231的各管道可彼此连接。组成第一循环管道231的各管道可设置在同一水平上。
第二循环管道232可用作循环冷却剂的通道。第二循环管道232可为设置在支撑板230中的螺旋结构。可选地，第二循环管道232可构造为包括多个环形同心管道，该多个环形同心管道具有不同于彼此的半径。第二循环管道232可具有比第一循环管道231更大的截面积。组成第二循环管道232的管道可设置在基本相同的水平上。第二循环管道232可设置在第一循环管道231的下方。
第二供应管道233可从第一循环管道231向上延伸从而将第一循环管道231连接到支撑板230的顶表面。在特定实施例中，第二供应管道233可包括多个管道，这些管道的数量等于组成第一供应管道221的通道的数量，且每个管道将组成第一循环管道231的管道之一连接到相应的组成第一供应管道221的管道之一。
第一循环管道231可通过传热介质供应管线231b连接到传热介质存储部231a。传热介质存储部231a可构造为存储传热介质。传热介质可包括至少一种非活性或惰性气体。在示例性实施例中，氦气可用作传热介质。在一个示例中，氦气可通过传热介质供应管线231b供应到第一循环管道231，然后可通过第二供应管道233和第一供应管道221供应到基板W的底表面。氦气可用作传递热能的介质，该热能通过基板W由等离子体传递到静电吸盘210。
第二循环管道232可通过冷却剂供应管线232c连接到冷却剂存储部232a。冷却剂存储部232a可构造用于存储冷却剂。冷却器232b可设置在冷却剂存储部232a中。冷却器232b可构造用于使冷却剂骤冷到预设温度。可选地，冷却器232b可设置在冷却剂供应管线232c上。通过冷却剂供应管线232c供应到第二循环管道232的冷却剂可通过第二循环管道232循环以使支撑板230骤冷。如果支撑板230被骤冷，介电板220和基板W也可被骤冷，这使得将基板W的温度维持到预定温度成为可能。
聚焦环240可设置在静电吸盘210的边缘区域上。聚焦环240可具有如环形的形状且可沿介电板220的圆周设置。聚焦环240可设置为具有阶梯结构，例如，聚焦环240的顶表面的外部240a可置于比聚焦环240的顶表面的内部240b更高的水平。聚焦环240的顶表面的内部240b可置于与介电板220的顶表面同一水平。聚焦环240的顶表面的内部240b可支撑位于介电板220外部的基板W的边缘区域。聚焦环240的外部240a可设置为环绕基板W的边缘区域。聚焦环240可构造用于，在面向基板W的区域上汇集在处理腔室100中产生的等离子体。
绝缘板250可置于支撑板230的下方。绝缘板250可设置为具有与支撑板230的截面积相同或相似的截面积。绝缘板250可置于支撑板230和下盖270之间。绝缘板250可由绝缘材料形成，或者绝缘板250可包含绝缘材料，从而将支撑板230从下盖270电分离。
下盖270可设置在支撑单元200的底部。下盖270可设置在向上与壳体110的底表面隔离开的位置。下盖270可设置为在其内部限定顶部开放的空间。下盖270的顶部可覆盖有绝缘板250。在示例性实施例中，下盖270可设置为具有与绝缘板250的外径基本相等的外径。升降销模块(未示出)可设置在由下盖270限定的空间中。例如，当基板W装载在腔室100上时，升降销模块可用于将基板W从外部传输构件移动到静电吸盘210。
下盖270可包括连接构件273。连接构件273可设置为将下盖270的外侧表面连接到壳体110的内侧表面。连接构件273可包括多个部件，该多个部件设置为彼此隔开，且连接到下盖270的外侧表面。连接构件273可为设置在处理腔室100中以对支撑单元200进行支撑的结构。进一步，连接构件273可连接到壳体110的内侧表面，这可允许下盖270电接地。连接到第一下部电源223a的第一电源线223c、连接到第二下部电源225a的第二电源线225c、连接到传热介质存储部231a的传热介质供应管线231b、以及连接到冷却剂存储部232a的冷却剂供应管线232c，可通过连接构件273的内部空间延伸到下盖270中。
气体供应单元300可将处理气体供应到处理腔室100中。气体供应单元300可包括气体供应喷嘴310、气体供应管线320和气体存储部330。气体供应喷嘴310可包括形成在其底部的喷射口。处理气体可通过喷射口供应到处理腔室100中。气体供应管线320可将气体供应喷嘴310连接到气体存储部330。
气体供应管线320可将存储在气体存储部330中的处理气体供应到气体供应喷嘴310。阀门321可安装在气体供应管线320上。阀门321可控制气体供应管线320的开启/关闭操作，从而控制通过气体供应管线320将要供应的处理气体的流速。
等离子体源400可构造为使腔室100中的处理气体激发为等离子体状态。在示例性实施例中，电感耦合等离子体(ICP)源可用作等离子体源400。等离子体源400可包括天线室410、天线420和等离子体电源430。等离子体源400可置于介质窗120上。天线室410可设置在处理腔室100上。天线室410可设置为底部开放的圆柱体形式。天线室410可在其内部限定空的空间。天线室410可设置为具有与处理腔室100的直径基本相等的直径。
冷却构件411可置于天线室410的外部。冷却构件411可向天线室410供应冷却气体。
天线420可设置在天线室410中。天线420可设置为具有多个线圈的螺旋结构且可耦合到等离子体电源430。天线420可被供应由等离子体电源430提供的电功率。等离子体电源430可置于处理腔室100外部。在电功率施加到天线420的情况下，在处理腔室100的处理空间中可产生电磁场。处理气体可由电磁场激发为等离子体状态。
挡板500可设置在壳体110的内侧表面和支撑单元200之间。挡板500可以圆环的形式设置。多个通孔510可形成为通过挡板500。供应到壳体110中的处理气体可通过挡板500的通孔510排到排气孔102。挡板500和通孔510的形状可以有多种变化以控制处理气体的流动。
根据本发明构思的示例性实施例，当使用等离子体执行基板处理工艺时，基板处理系统可构造为加热介质窗的整个区域，这使提高基板处理工艺的处理效率成为可能。
根据本发明构思的示例性实施例，基板处理系统可包括导热层，导热层设置在介质窗的顶表面上以允许供应到介质窗的热能均匀地分布在介质窗的整个区域上。导热层的使用使待执行的基板处理工艺效率提高。
根据本发明构思的示例性实施例，基板处理系统可包括构造为防止供应到介质窗的热能排到外部的绝缘层，从而提高基板处理工艺的处理效率。
虽然本发明构思的示例性实施例已具体示出和描述，应理解的是本领域技术人员可在不脱离所附权利要求书的精神和范围下做出各种形式和细节改变。

Claims (12)

1.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
处理腔室，所述处理腔室包括具有开放顶部的壳体和从外部密闭地密封所述壳体的顶部的介质窗；
内衬，所述内衬设置在壳体内表面并且可以替换；
支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理腔室中以支撑基板；
气体供应单元，所述气体供应单元将处理气体供应到所述处理腔室中；
等离子体源，所述等离子体源设置在所述处理腔室外部，以由供应到所述处理腔室的所述处理气体产生等离子体；以及
加热单元，所述加热单元加热所述介质窗，
其中所述加热单元包括：
邻近所述介质窗的边缘区域设置的加热器；
设置在所述介质窗的一个表面上的导热层，所述导热层允许提供给所述介质窗边缘区域的热能被传递到所述介质窗的中央区域；以及
设置在所述导热层的顶表面上的绝缘层，所述绝缘层防止流经所述导热层的热量向远离所述介质窗的方向排出，
其中，所述导热层由热导率高于所述介质窗的材料形成，且所述绝缘层由热导率低于所述导热层的材料形成。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述导热层设置在所述介质窗的顶表面上。
3.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述加热器设置为加热所述介质窗的边缘区域。
4.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述等离子体源设置在所述介质窗上。
5.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述等离子体源包括天线，并且所述基板处理系统还包括：
天线室，所述天线室设置在所述处理腔室上以容纳所述天线；以及
冷却构件，所述冷却构件将冷却气体供应到所述天线室中。
6.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述导热层包含含石墨烯的材料。
7.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述绝缘层包含硅酸钠。
8.一种处理基板的方法，其特征在于，包括：将处理气体供应到处理腔室中，所述处理腔室具有顶部开放的壳体和介质窗；将电功率施加到设置在所述处理腔室外部的天线，以由在所述处理腔室中的所述处理气体产生等离子体，然后用所述等离子体处理基板；
其中，所述方法还包括：在所述基板的处理之前或期间，加热所述介质窗，以及
使用热能执行所述介质窗的加热，所述热能由加热器产生且从所述加热器供应到所述介质窗的边缘部分，并且所述热能的一部分通过与所述介质窗接触的导热层传递到所述介质窗的整个区域。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述导热层设置在所述介质窗的顶表面上，且加热单元还包括设置在所述导热层的顶表面上的绝缘层。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述导热层由热导率高于所述介质窗的材料形成。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述导热层由热导率高于所述介质窗的材料形成，且所述绝缘层由热导率低于所述导热层的材料形成。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述加热器设置为加热所述导热层的边缘区域。
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