CN105036815A - 一种仿洞石抛釉砖的生产方法 - Google Patents
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Abstract
一种仿洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤：A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉，然后进行印花；B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施烧后具有膨胀发泡效果的低温釉；C、布施透明釉：对步骤B获得的砖坯布施透明釉；D、烧制抛光，获得成品。本发明提出一种仿真程度高的仿洞石抛釉砖的生产方法，其色泽丰富多变，洞石效果可控性高。
Description
技术领域
本发明涉及建筑材料技术领域，尤其涉及一种仿洞石抛釉砖的生产方法。
背景技术
洞石，学名叫做石灰华，英文名：(Travertine)是一种多孔的岩石，所以通常人们也叫它洞石。洞石属于陆相沉积岩，它是一种碳酸钙的沉积物。洞石大多形成于富含碳酸钙的石灰石地形，是由溶于水中的钙碳酸钙及其他矿物沉积于河床、湖底等地而形成的。由于在重堆积的过程中有时会出现孔隙，同时由于其自身的主要成分又是碳酸钙，自身就很容易被水溶解腐蚀，所以这些堆积物中会出现许多天然的无规则的孔洞。天然洞石纹理清晰、温和丰富的质感，源自天然，却超越天然。出来的成品，疏密有致、凹凸和谐，仿佛刚刚从泥土里活过来，在纹路走势、纹理的质感上，深藏着史前文明的痕迹，但它的总体造型又可以用“现代时尚”来形容，凸现一种大师级的设计风范，将尊荣、典雅、顶级的产品特质表现得淋漓尽致，因为深受众多建筑师们的钟爱。
仿天然洞石瓷砖中，可以分为两种，一种是具有真实孔洞的，瓷砖在生产过程中刻意生成孔洞，例如申请号200610167363.X仿天然洞石瓷质砖，采用抛光渣材料作为面料的一部分，在烧制的时候材料受热产生气体，气体从面料中散发出去从而表面的孔洞。这种仿天然洞石瓷砖和天然洞石比较接近。另外一种仿天然洞石瓷砖，则是在第一种的基础上，将产生的孔洞使用透明物质填充，从而形成一种看起来有孔洞，但是摸起来没有孔洞感觉的瓷砖，这种瓷砖的好处是，可以作为地砖铺设，并且由于孔洞被填充，不会藏污纳垢，方便清洁，同时又保留了洞石的天然美感。但是现有的仿天然洞石瓷砖一般为抛光砖，其色泽纹理变化少，砖面设计不能丰富多变，具有一定的局限性，不及釉面砖质感真实以及图案丰富细腻的特点。
发明内容
本发明的目的在于提出一种仿真程度高的仿洞石抛釉砖的生产方法，其色泽丰富多变，洞石效果可控性高。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种仿洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉，然后进行印花；
B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施低温釉；
C、布施透明釉：对步骤B获得的砖坯布施透明釉；
D、烧制抛光，获得成品。
优选的，所述低温釉的软化点低于850℃。
优选的，所述低温釉的布施方法为丝网印制或喷墨喷釉中的一种或多种组合。
优选的，步骤B中低温釉对应印刷于步骤A的印花层的印花上。
优选的，步骤B中所述低温釉的釉料包括以下组分：30-40％SiO2、55-65％PbO、3-8％Al2O3、1-3％(Na2O，K2O)和0.2-1％MgO。
优选的，步骤A通过定位喷墨或丝网印刷中的一种或多种组合的方式进行印花。
优选的，步骤A的印花图案由两种或两种以上图案的拼组设计而成。
优选的，步骤B中低温釉对应印刷于步骤A的印花图案中的一种或两种图案上。
优选的，步骤B中低温釉随机印刷于步骤A的印花层的印花上。
优选的，步骤C获得的砖坯结构自下而上包括底料层、底釉层、印花层和透明釉层，所述印花层和所述透明釉层之间还设置低温釉层。
优选的，所述低温釉层按所述印花层的图案设计，不设有印花图案的位置也不设有所述低温釉层。
本发明的有益效果：1、使用低温釉熔融后对坯体烧成产生的气体封闭于熔融层里，获得洞石效果，烧制抛光后于砖面上形成洞石效果，可获得洞石底部具有花纹或纹理图案的抛釉砖；2、其色泽可根据人们不同需求来对底料或透明釉等工艺上的变化来改变，比抛光砖色泽更加丰富，仿真程度更高；3、通过仿洞石的间隔或随机设计，增强砖面的立体视觉效果。
附图说明
图1是本发明的一个实施例的坯体结构的制备流程示意图；
图2是本发明的另一个实施例的坯体结构的制备流程示意图；
图3是本发明的一个实施例的烧成的仿洞石抛釉砖的砖面示意图。
其中：底料层1、底釉层2、印花层3、低温釉层4、透明釉层5。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
一种仿洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉，然后进行印花；
B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施烧后具有膨胀发泡效果的低温釉；
C、布施透明釉：对步骤B获得的砖坯布施透明釉；
D、烧制抛光，获得成品。
本发明使用低温釉来获得洞石效果，烧制抛光后于砖面上形成洞石效果，可获得洞石底部具有花纹或纹理图案的抛釉砖，低温釉是指烧成温度低于1120℃的釉，其色泽可根据人们不同需求来对底料或施釉印花等工艺上的变化来改变，比抛光砖色泽更加丰富，仿真程度更高。步骤D中烧制过程为将淋釉完成的坯体送入窑炉中烧成，烧成温度为1100-1250℃。步骤A中底釉的喷淋，每平方米200-300g。步骤C中透明釉的喷淋，每平方米150-1200g。步骤F中采用软抛磨具进行抛光，可选用树脂软抛磨具进行抛光，抛光后成洞。
优选的，所述低温釉的软化点低于850℃。
优选的，所述低温釉的布施方法为丝网印制或喷墨喷釉中的一种或多种组合。本发明使用低温釉来获得洞石效果，且可通过丝网的目数大小以及低温釉的粘度来决定低温釉印于坯体表面的数量，低温釉印于坯体表面的数量决定成洞的数量和大小，成洞效果可控性高，低温釉可根据印花的设计，于印花表面或者印花上的间隔设计来进行印刷，可间隔印刷烧制成洞，与现有的洞石随机分布于砖面上的仿天然洞石抛光砖相比，效果更加多样化，具有更大的市场。
优选的，步骤B中低温釉对应印刷于步骤A的印花层的印花上。通过定位将出现洞石的地方与步骤A印花的位置相对应，使低温釉对应于印花印刷，烧成后在印花上形成良好的洞石效果，洞石效果于印花上会更加明显，而且洞石的结构使洞底的印花给人立体的视觉效果。
优选的，步骤B中所述低温釉的釉料包括以下组分：30-40％SiO2、55-65％PbO、3-8％Al2O3、1-3％(Na2O，K2O)和0.2-1％MgO。在900℃左右下，氧化铅低温熔融，会将坯体排出的气体全部或部分封闭在熔融层内，形成气泡，且部分气泡会涨破透明釉层，形成外露的孔洞，使砖面印有低温釉的位置留有洞孔，抛光后部分或封闭气泡也外露于砖面上，形成很好的洞石效果。低温釉的粘度范围值为6000-11000mpa.s，比重范围值为1.5-1.8。
坯体原料中含有一定量的化合水和有机质以及可分解的碳酸盐，这些组分都会在烧成时产生气体并排出。因为产生气体温度较低，约为800-1000℃，对于传统的釉料在此温度下并未熔融，气体很容易排出，本发明提供的低温釉中含有低温熔剂，可以在坯体气体产生的温度下熔融，将坯体产生的气体全部或部分封闭在其中，形成气泡。
优选的，步骤A通过定位喷墨或丝网印刷中的一种或多种组合的方式进行印花。所述步骤B采用的丝网为60-160目。使用同一粘度的低温釉，其丝网目数越小，低温釉下印于坯体的数量越多。
优选的，步骤A的印花图案由两种或两种以上图案的拼组设计而成。布施底釉后进行印花，其印花图案由两种或两种以上图案的拼组而成，设计不受限制，选择范围广。
优选的，步骤B中低温釉对应印刷于步骤A的印花图案中的一种或两种图案上。
优选的，步骤B中低温釉随机印刷于步骤A的印花层的印花上。步骤B中低温釉对应印刷于步骤A的印花图案中的一种或两种图案上或随机印刷于步骤A的印花层的印花上，使砖面上部分印花图案上设有洞石效果，丰富砖面的装饰效果，且通过仿洞石的间隔或随机设计，增强砖面的立体视觉效果。
优选的，步骤C获得的砖坯结构自下而上包括底料层1、底釉层2、印花层3和透明釉层5，所述印花层3和所述透明釉层4之间还设置低温釉层4。
优选的，所述低温釉层4按所述印花层3的图案设计，不设有印花图案的位置也不设有所述低温釉层4。
实施例1
使用的砖坯结构，其坯体层的粉料化学组分(wt％)为：SiO2：70％，Al2O3：21％，CaO:1％，MgO：2％，K2O：2％，Na2O：3％，Fe2O3：0.5％，TiO2：0.5％，按上述配比制备粉料，将制备获得的粉料压制成砖坯后干燥备用；
其底釉层的粉料化学组分(wt％)为：SiO2：68.4％，Al2O3：17.9％，Fe2O3：0.8％，CaO：5.4％，MgO：2.7％，K2O2.3％，Na2O：0.9％，B2O3：1.6％。
其低温釉的化学组分：SiO2：38％、PbO：55％、Al2O3：3％、(Na2O，K2O)：3％，MgO：1％，通过混合球磨制备获得的低温釉粘度为7000mpa.s，比重为1.65，，所述低温釉的软化点为850℃。
其透明釉的化学组分(wt％)为：NaO：1.5％；KO：2％；AlO：11％；CaO：8％；MgO：5％；ZnO：2％；ZrO：4％；高温熔块：15％；烧失量：6％；SiO为45.5％。流速为40s，比重1.75。需要说明的是，底釉和透明釉可选用现有生产中所使用的配方。
一种仿洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤(流程可见图2所示)：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉，然后进行丝网印花，其中印花图案由两种图形间隔拼接而成；
B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施烧后具有膨胀发泡效果的低温釉，其中采用丝网对应于印花层中其中一种印花上印刷低温釉，丝网目数为120目。
C、布施透明釉：对步骤B获得的砖坯布施透明釉；
D、烧制抛光，获得成品，砖面效果如图3所示，洞底设有纹理图案，使纹理图案给人3D的视觉效果，洞石仿真程度高，洞石的可见度为4-5m，洞石的洞口长度为3-10mm，宽度为2-5mm，深度为3-5mm。
实施例2
使用与实施例1相同的砖坯、底釉以及透明釉。
其低温釉的化学组分：SiO2：30％、PbO：65％、Al2O3：3％、(Na2O，K2O)：1％，MgO：1％，通过混合球磨制备获得的低温釉粘度为8000mpa.s，比重为1.72，所述低温釉的软化点为800℃。
一种仿洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤(流程可见图1所示)：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉，然后进行定位喷墨印花，其中印花图案为仿天然大理石裂纹纹理；
B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施烧后具有膨胀发泡效果的低温釉，其中采用喷墨打印机对应于印花层的纹理上打印低温釉，厚度为5mm。
C、布施透明釉：对步骤B获得的砖坯布施透明釉；
D、烧制抛光，获得成品，洞底设有天然大理石裂纹纹理，使纹理图案给人3D的视觉效果，洞石仿真程度高，洞石的可见度为5-6m，洞石的洞口长度为5-20mm，宽度为2-8mm，深度为3-6mm。
实施例3
使用与实施例1相同的砖坯、底釉以及透明釉。
其低温釉的化学组分：SiO2：40％、PbO：55％、Al2O3：3％、(Na2O，K2O)：1％，MgO：1％，通过混合球磨制备获得的低温釉粘度为9500mpa.s，比重为1.8，所述低温釉的软化点为780℃。
一种仿洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤(流程可见图2所示)：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉，然后进行定位喷墨印花，其中印花图案为仿天然石材纹理；
B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施烧后具有膨胀发泡效果的低温釉，其中采用丝网对应于印花层的纹理上印刷低温釉，丝网目数为60目。
C、布施透明釉：对步骤B获得的砖坯布施透明釉；
D、烧制抛光，获得成品，洞底设有精细、逼真的仿天然石材纹理，在洞石的作用下，纹理图案给人3D的视觉效果，洞石仿真程度高，洞石的可见度为3-5m，洞石的洞口长度为5-10mm，宽度为2-5mm，深度为1-5mm。
实施例4
使用与实施例1相同的砖坯、底釉以及透明釉。
其低温釉的化学组分：SiO2：33.8％、PbO：55％、Al2O3：8％、(Na2O，K2O)：3％，MgO：0.2％，通过混合球磨制备获得的低温釉粘度为7500mpa.s，比重为1.56，所述低温釉的软化点为820℃。
一种仿洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤(流程可见图2所示)：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉，然后进行定位喷墨印花，其中印花图案为仿天然石材纹理；
B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施烧后具有膨胀发泡效果的低温釉，其中采用丝网对应于印花层的纹理上印刷低温釉，丝网目数为160目。
C、布施透明釉：对步骤B获得的砖坯布施透明釉；
D、烧制抛光，获得成品，洞底设有精细、逼真的仿天然石材纹理，在洞石的作用下，纹理图案给人3D的视觉效果，像由岩浆自然流动堆积形成的石材结构，精细逼真，洞石仿真程度高，洞石的可见度为3-4m，洞石的洞口长度为3-8mm，宽度为2-4mm，深度为1-5mm。
实施例5
使用与实施例1相同的砖坯和透明釉；
其低温釉的化学组分：SiO2：40％、PbO：50％、Al2O3：7.5％、(Na2O，K2O)：2％，MgO：0.5％，通过混合球磨制备获得的低温釉粘度为8470mpa.s，比重为1.60，所述低温釉的软化点为900℃。
一种仿洞石抛釉砖的生产方法，包括以下步骤：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉，然后进行定位喷墨印花，其中印花图案为仿天然石材纹理；
B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施烧后具有膨胀发泡效果的低温釉，其中采用丝网对应于印花层的纹理上印刷低温釉，丝网目数为160目。
C、布施透明釉：对步骤B获得的砖坯布施透明釉；
D、烧制抛光，获得成品，洞底设有精细、逼真的仿天然石材纹理，在洞石的作用下，纹理图案给人3D的视觉效果，像由岩浆自然流动堆积形成的石材结构，精细逼真，洞石仿真程度高，洞石的可见度为3-4m，洞石的洞口长度为3-5mm，宽度为2-3mm，深度为1-3mm。所述低温釉的软化点为900℃，因为产生气体温度较低，约为800-1000℃，在900℃时低温釉才形成熔融层的话，在900℃前会跑走一部分的气体，使孔洞的形成变小，洞石的长度和宽度以及深度均变少，不利于控制孔洞的形成。
以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它具体实施方式，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种仿洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：
A、在成型干燥后的砖坯表面布施底釉，然后进行印花；
B、布施低温釉：在步骤A印花后的砖坯上布施低温釉；
C、布施透明釉：对步骤B获得的砖坯布施透明釉；
D、烧制抛光，获得成品。
2.根据权利要求1所述的一种仿洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：所述低温釉的软化点低于850℃。
3.根据权利要求1所述的一种仿洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：所述低温釉的布施方法为丝网印制或喷墨喷釉中的一种或多种组合。
4.根据权利要求1所述的一种仿洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：步骤B中低温釉对应印刷于步骤A的印花层的印花上。
5.根据权利要求1所述的一种仿洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：步骤B中所述低温釉的釉料包括以下组分：30-40％SiO2、55-65％PbO、3-8％Al2O3、1-3％(Na2O，K2O)和0.2-1％MgO。
6.根据权利要求1所述的一种仿洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：步骤A通过定位喷墨或丝网印刷中的一种或多种组合的方式进行印花。
7.根据权利要求1所述的一种仿洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：步骤A的印花图案由两种或两种以上图案的拼组设计而成。
8.根据权利要求7所述的一种仿洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：步骤B中低温釉对应印刷于步骤A的印花图案中的一种或两种图案上。
9.根据权利要求1所述的一种仿洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：步骤B中低温釉随机印刷于步骤A的印花层的印花上。
10.根据权利要求1所述的一种仿洞石抛釉砖的生产方法，其特征在于：步骤C获得的砖坯结构自下而上包括底料层、底釉层、印花层和透明釉层，所述印花层和所述透明釉层之间还设置低温釉层。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108472986A (zh) * | 2016-01-14 | 2018-08-31 | 护眼公司 | 带有纹理的瓷砖 |
| CN108545999A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-09-18 | 佛山东华盛昌新材料有限公司 | 一种孔洞料的制备方法、仿大理石孔洞砖及其制备方法 |
| CN110981196A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-10 | 广东清远蒙娜丽莎建陶有限公司 | 有孔厚抛釉、洞石全抛釉瓷质砖及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1519213A (zh) * | 2003-01-22 | 2004-08-11 | 强 王 | 超强度搪瓷黑板、白板的制造方法及其搪瓷釉料 |
| CN201644780U (zh) * | 2010-04-16 | 2010-11-24 | 常州市武进第一耐火材料厂 | 鱼雷式铁水罐 |
| CN201754821U (zh) * | 2010-05-20 | 2011-03-09 | 郑菁菁 | 一种仿真瓷花 |
| CN103524147A (zh) * | 2013-10-25 | 2014-01-22 | 广东金牌陶瓷有限公司 | 一种抛釉砖生产工艺 |
| CN104130032A (zh) * | 2014-08-01 | 2014-11-05 | 佛山市东鹏陶瓷有限公司 | 一种抛釉砖的制造方法及其产品 |
-
2015
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1519213A (zh) * | 2003-01-22 | 2004-08-11 | 强 王 | 超强度搪瓷黑板、白板的制造方法及其搪瓷釉料 |
| CN201644780U (zh) * | 2010-04-16 | 2010-11-24 | 常州市武进第一耐火材料厂 | 鱼雷式铁水罐 |
| CN201754821U (zh) * | 2010-05-20 | 2011-03-09 | 郑菁菁 | 一种仿真瓷花 |
| CN103524147A (zh) * | 2013-10-25 | 2014-01-22 | 广东金牌陶瓷有限公司 | 一种抛釉砖生产工艺 |
| CN104130032A (zh) * | 2014-08-01 | 2014-11-05 | 佛山市东鹏陶瓷有限公司 | 一种抛釉砖的制造方法及其产品 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108472986A (zh) * | 2016-01-14 | 2018-08-31 | 护眼公司 | 带有纹理的瓷砖 |
| CN108472986B (zh) * | 2016-01-14 | 2020-07-17 | 护眼公司 | 带有纹理的瓷砖 |
| CN108545999A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-09-18 | 佛山东华盛昌新材料有限公司 | 一种孔洞料的制备方法、仿大理石孔洞砖及其制备方法 |
| CN108545999B (zh) * | 2018-04-13 | 2020-12-01 | 佛山东华盛昌新材料有限公司 | 一种孔洞料的制备方法、仿大理石孔洞砖及其制备方法 |
| CN110981196A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-10 | 广东清远蒙娜丽莎建陶有限公司 | 有孔厚抛釉、洞石全抛釉瓷质砖及其制备方法 |
| CN110981196B (zh) * | 2019-12-09 | 2022-03-15 | 广东清远蒙娜丽莎建陶有限公司 | 有孔厚抛釉、洞石全抛釉瓷质砖及其制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
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Effective date of registration: 20170417 Address after: 528031 Chancheng, Foshan District, Jiangwan, No. three, No., layer 8, layer two Applicant after: Foshan Dongpeng Ceramic Co., Ltd. Applicant after: Guangdong Dongpeng Holdings Co., Ltd. Applicant after: Qingyuan Nafuna Ceramics Co.,Ltd. Applicant after: Fengcheng Dongpeng Ceramic Co., Ltd. Address before: 528031 Chancheng, Foshan District, Jiangwan, No. three, No., layer 8, layer two Applicant before: Foshan Dongpeng Ceramic Co., Ltd. Applicant before: Guangdong Dongpeng Holdings Co., Ltd. Applicant before: Qingyuan Nafuna Ceramics Co.,Ltd. Applicant before: Fengcheng Dongpeng Ceramic Co., Ltd. Applicant before: Guangdong Dongpeng Ceramic Co., Ltd. |
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| GR01 | Patent grant | ||
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