CN105023937A - 有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 260
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 4
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000954 Polyglycolide Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000004633 polyglycolic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
提供了一种有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法，该有机发光显示装置包括：基底；用于第一颜色发射的第一像素电极、用于第二颜色发射的第二像素电极和用于第三颜色发射的第三像素电极，第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极在基底上彼此分隔开；位于第一像素电极上的第一颜色发射层、位于第二像素电极上的第二颜色发射层和位于第三像素电极上的第三颜色发射层；对电极，位于第一颜色发射层、第二颜色发射层和第三颜色发射层上；以及覆盖层，包括与对电极的材料相同的材料，并且是多孔的。
Description
于2014年4月30日向韩国知识产权局提交的名称为“有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法”的第10-2014-0052979号韩国专利申请以其全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种有机发光显示装置和一种制造该有机发光显示装置的方法。
背景技术
可以显现出宽视角、高对比度和高响应速度的有机发光显示装置可以适合作为显示器。
发明内容
实施例可以通过提供一种有机发光显示装置来实现，该有机发光显示装置包括：基底；用于第一颜色发射的第一像素电极、用于第二颜色发射的第二像素电极和用于第三颜色发射的第三像素电极，第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极在基底上彼此分隔开；位于第一像素电极上的第一颜色发射层、位于第二像素电极上的第二颜色发射层和位于第三像素电极上的第三颜色发射层；对电极，位于第一颜色发射层、第二颜色发射层和第三颜色发射层上；以及覆盖层，包括与对电极的材料相同的材料，并且是多孔的。
覆盖层可以与对电极一体地形成。
覆盖层的厚度在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极上可以改变。
覆盖层可以包括与第一像素电极对应的第一覆盖层、与第二像素电极对应的第二覆盖层以及与第三像素电极对应的第三覆盖层，第一覆盖层的厚度可以在大约至大约的范围内，第二覆盖层的厚度可以在大约至大约的范围内，第三覆盖层的厚度可以在大约至大约的范围内。
覆盖层可以通过激光烧蚀来形成。
实施例可以通过提供一种制造有机发光显示装置的方法来实现，该方法包括下述步骤：准备基底；形成用于第一颜色发射的第一像素电极、用于第二颜色发射的第二像素电极和用于第三颜色发射的第三像素电极，第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极在基底上彼此分隔开；形成与第一像素电极对应的第一颜色发射层、与第二像素电极对应的第二颜色发射层以及与第三像素电极对应的第三颜色发射层；在第一颜色发射层、第二颜色发射层和第三颜色发射层上形成金属层；以及通过将激光照射到金属层的表面的至少一部分来形成覆盖层。
形成覆盖层的步骤可以包括改变金属层的所述表面的至少一部分的结构特性和光学特性。
形成覆盖层的步骤可以包括将金属层的所述表面的至少一部分改变成多孔的。
可以将金属层形成为具有大约至大约的厚度。
形成覆盖层的步骤可以包括不对金属层的具有大约至大约的厚度的下部进行照射。
覆盖层的厚度在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极上可以改变。
形成覆盖层的步骤可以包括：在第一像素电极上形成第一覆盖层；在第二像素电极上形成第二覆盖层；并在第三像素电极上形成第三覆盖层。
可以将第一覆盖层形成为具有大约至大约的厚度，可以将第二覆盖层形成为具有大约至大约的厚度，并可以将第三覆盖层形成为具有大约至大约的厚度。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来讲将变得明显，在附图中：
图1示出根据实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图；
图2至图4示意性地示出根据实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
现在，将在下面参照附图来更充分地描述示例实施例；然而，示例实施例可以以不同的形式来实施，且不应被解释为限制于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将示例性实施方式充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，同样的附图标记始终指示同样的元件。为了便于说明，可以夸大附图中元件的尺寸。
如这里所使用的，术语“和/或”包括相关列出的一个或更多个项的任一和全部组合。
将理解的是，虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述不同的组件，但是这些组件不应受到这些术语的限制。这些组件仅用于将一个组件与另一个组件区分开。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式“一”、“一个”、“该”和“所述”也意图包括复数形式。
还将理解的是，虽然这里所使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所述的特征或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它的特征或组件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。此外，将理解的是，当层被称为“在”另一层“下”时，该层可以直接在所述另一层下，也可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义来解释它们。例如，x轴、y轴和z轴可以相互垂直，或者可以代表不相互垂直的不同的方向。
当可以不同地实施某一实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续地描述的工艺可以基本上同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
图1示出根据实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图。
参照图1，根据实施例的有机发光显示装置可以包括：基底100；设置在基底100上的第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B；分别与第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B对应地设置的第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B(例如，第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B分别设置在第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B上)；设置在分别与第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B对应的第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B上的对电极230；以及设置在对电极230上的覆盖层(cappinglayer)232。
基底100可以由各种材料形成，例如，玻璃、金属或者诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺的塑料材料。基底100可以具有其上设置有多个像素的显示区域和围绕显示区域的外围区域。
第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B可以在基底100上彼此分隔开。第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B可以位于基底100的显示区域上。第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B可以分别是用于第一颜色发射的像素电极、用于第二颜色发射的像素电极和用于第三颜色发射的像素电极。例如，第一颜色可以是红色(R)，第二颜色可以是绿色(G)，第三颜色可以是蓝色(B)。
第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B均可以形成为透明电极或半透明电极或反射电极。当形成为透明电极或半透明电极时，可以使用例如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。当形成为反射电极时，第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B均可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物形成的反射膜和由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成的层。然而，可以使用各种其它材料形成第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B。此外，第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B中的每个可以具有诸如单层结构或多层结构的各种其它结构。
第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B可以分别设置在第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B上。第一颜色发射层220R可以与第一像素电极210R对应地设置，第二颜色发射层220G可以与第二像素电极210G对应地设置，并且第三颜色发射层220B可以与第三像素电极210B对应地设置。
虽然图1中示出的第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B均可以是单层，但是该有机发光显示装置还可以包括除第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B之外的其它层，并且第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B可以视为具有多层结构的中间层。为了便于说明，以下，第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B均可以理解为中间层，该中间层具有多层结构，该多层结构实质上包括第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B中的相应层。
中间层可以包括例如发射层(EML)，并且还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)，其中，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)均可以具有单层结构或多层结构。包括EML的中间层的一些层可以是与基底100的整个表面对应的公共层，包括EML的中间层的其它层可以是通过与第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B对应地图案化来形成的图案层。
第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B可以包括低分子量有机材料或聚合物有机材料。当第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B包括低分子量有机材料时，可以在发射层(EML)的周围堆叠例如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在一些实施例中，根据目的还可以堆叠各种其它的层。这里可利用的有机材料可以是例如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。
当第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B包括聚合物有机材料时，除EML之外还可以包括例如HTL。HTL可以包括聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。可利用的有机材料的示例可以是例如聚苯撑乙烯撑(PPV)类聚合物有机材料或聚芴类聚合物有机材料。
HTL、HIL、ETL和EIL可以一体地形成在基底100的整个表面上，并且仅EML可以通过针对每个像素喷墨印刷来形成。第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B可以通过使用各种方法形成，例如，从沉积法、旋涂法、喷墨印刷法和激光热转印法中选择的至少一种方法。
覆盖第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B并面对第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B的对电极230可以设置在基底100的整个表面上。对电极230的厚度t4可以在例如大约至大约的范围内。
对电极230可以形成为半透明电极或反射电极。当对电极230形成为半透明电极时，对电极230可以包括例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物的具有低逸出功的金属和诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的半透明导电层。当对电极230形成为反射电极时，对电极230可以包括具有Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物的层。
覆盖层232可以设置在对电极230上。在实施例中，图1中示出的覆盖层232与基底100的整个表面对应。在一些实施例中，覆盖层232可以被图案化成仅与发射层对应，例如仅在发射层上。
覆盖层232可以是多孔的。多孔的覆盖层232是指覆盖层232可以具有例如包括碗形凹坑的表面。具有凹坑的多孔结构可以改变覆盖层232的光学特性，并且经由覆盖层232朝向外部发射的光可具有提高的光提取效率。
覆盖层232可以与对电极230一体地形成。如在覆盖层232的制造工艺中，可以将与对电极230对应的金属层230'(见图3)形成为具有比对电极230的厚度t4大的厚度。可以将激光照射到金属层230'的上部。金属层230'的被激光照射到的部分可以被蚀刻，金属层230'的其它部分可以具有改变的膜特性，并可形成覆盖层232。金属层230'的改变的膜特性是指激光照射部分的微观结构可以被改变为具有多孔性或凹坑，并且可以改变金属层230'的上部的光学特性，例如从反射系数和吸收系数中选择的至少一种。覆盖层232可以与对电极230一体地形成。
在一些实施例中，覆盖层232可以包括与对电极230中使用的材料相同的材料。覆盖层232可以通过改变与对电极230对应的金属层的上部的膜特性来形成。覆盖层232可以由用来形成对电极230的材料来形成，例如，覆盖层232可以包括从Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、上述材料的混合物、ITO、IZO、ZnO和In2O3中选择的一种或更多种。
在有机发光显示装置中，在玻璃基底接触空气层的界面处发生的全反射和沿着由ITO-有机层构成的光波导行进的波导模式结合不能使有机发光显示装置内部产生的80％或更多的光朝向外部提取。还可在对电极上设置经受单独(另外)的工艺的覆盖层(CPL)以增加发射单元的光提取效率。根据例如在R、G和B子像素上，R、G和B子像素的不同发射波长可以使得覆盖层的厚度不同，其中，该覆盖层使得在发射层中产生的光被诱导朝向有机发光显示装置的外部行进。
在根据实施例的有机发光显示装置中，在形成覆盖层232时，不采用单独(另外)的工艺，可以使与对电极230对应的金属层的表面经受激光烧蚀(laser ablation)来改变其光学特性，从而形成覆盖层232，并且局部蚀刻可以使得覆盖层232具有与R、G、B对应的不同的厚度t1、t2和t3。有机发光显示装置的光提取效率可以最大化。
在实施例中，覆盖层232的分别与第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B对应的部分可以具有不同的厚度t1、t2和t3。如上所述，为了使覆盖层232的光提取效果最大化，覆盖层232可以具有根据每个子像素的发射波长来优化的厚度t1、t2和t3。
覆盖层232可以包括分别与第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B对应的第一覆盖层232R、第二覆盖层232G和第三覆盖层232B。覆盖层232可以包括与第一像素电极210R对应的第一覆盖层232R、与第二像素电极210G对应的第二覆盖层232G和与第三像素电极210B对应的第三覆盖层232B。在一些实施例中，第一覆盖层232R的厚度t1可以在大约至大约的范围内，第二覆盖层232G的厚度t2可以在大约至大约的范围内，第三覆盖层232B的厚度t3可以在大约至大约的范围内。
在一些实施例中，在基底100上还可以设置各种组件。例如，如图1中所示，电容器Cap和薄膜晶体管TFT可以设置在基底100上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层120、栅电极140、源电极162和漏电极160，半导体层120包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。以下，将详细描述薄膜晶体管TFT的典型结构和设置在基底100上的各种组件。
在基底100上，可以设置由例如氧化硅或氮化硅形成的缓冲层110，以使基底100平坦化或者防止杂质渗入到半导体层120中，并且半导体层120可以设置在缓冲层110上。
栅电极140可以设置在半导体层120上，并且根据施加到栅电极140的信号，源电极162可以电连接到漏电极160。考虑到与相邻层的紧密性、将要堆叠的层的表面平坦性和可加工性，栅电极140可以由从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的至少一种材料以单层或多层的形式形成。
为了使半导体层120与栅电极140绝缘，由从氧化硅和氮化硅中选择的至少一种形成的栅极绝缘膜130可以设置在半导体层120和栅电极140之间。
层间绝缘层150可以设置在栅电极140上，并且可以由氧化硅或氮化硅以单层或多层的形式形成。
源电极162和漏电极160可以设置在层间绝缘层150上。源电极162和漏电极160可以各自经由层间绝缘层150和栅极绝缘膜130中形成的接触孔电连接到半导体层120。考虑到导电性，源电极162和漏电极160可以由从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的至少一种材料以单层或多层的形式形成。
为了保护具有这种结构的薄膜晶体管TFT，虽然图1中未示出，但是保护膜(未示出)可以被设置以覆盖薄膜晶体管TFT。保护膜可以由诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料形成。保护膜可以具有例如单层结构或多层结构。
此外，平坦化层170可以设置在基底100上。平坦化层170可以用作保护膜。如图1中所示，有机发光器件可以设置在薄膜晶体管TFT上，并且平坦化层170可以被设置，以使薄膜晶体管TFT的上部平坦化。保护膜(未示出)和平坦化层170可以由例如丙烯酰类有机材料或者聚苯并环丁烯(BCB)形成。如图1中所示，栅极绝缘膜130、层间绝缘层150、保护膜(未示出)和平坦化层170可以设置在基底100的整个表面上。
像素限定膜180可以设置在薄膜晶体管TFT上。像素限定膜180可以设置在平坦化层170上，并且可以具有开口。像素限定膜180的开口可以限定基底100的显示区域上的像素区域。
像素限定膜180可以包括例如有机绝缘膜。有机绝缘膜可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酰类聚合物、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟基聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者它们的混合物。
如上所述，在根据实施例的有机发光显示装置中，在形成覆盖层232时，不采用单独(另外)的工艺，与对电极230对应的金属层的表面可以经受激光烧蚀以改变其光学特性，从而形成覆盖层，同时，局部蚀刻可以使得覆盖层232具有与R、G和B对应的不同厚度t1、t2和t3。有机发光显示装置的光提取效率可以最大化。
已经描述了有机发光显示装置。现在将描述制造有机发光显示装置的方法。
图2至图4示意性地示出根据实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖视图。以下，将详细描述制造有机发光显示装置的方法。然而，有机发光显示装置的组件的材料与上面描述的材料相同，这里将不再给出对所述材料的说明。
参照图2，在制造有机发光显示装置的方法中，可以准备基底100。基底100可以由例如玻璃、金属或塑料材料的各种材料形成。
然后，可以在基底100上形成第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B。在基底上100可以将第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B彼此分隔开。第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B可以分别是用于第一颜色发射的像素电极、用于第二颜色发射的像素电极和用于第三颜色发射的像素电极。例如，第一颜色可以是红色(R)，第二颜色可以是绿色(G)，第三颜色可以是蓝色(B)。
可以将第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B均形成为(半)透明电极或反射电极。在一些实施例中，第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B中的每个可以具有例如单层结构或多层结构。
此外，可以形成第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B，以分别与第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B对应，例如，分别在第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B上。可以在第一像素电极210R上形成第一颜色发射层220R，可以在第二像素电极210G上形成第二颜色发射层220G，并且可在第三像素电极210B上形成第三颜色发射层220B。可以在第一像素电极210R上形成红色发射层，可以在第二像素电极210G上形成绿色发射层，并且可在第三像素电极210B上形成蓝色发射层。
图1中示出的第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B是单层。然而，第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B可以理解为中间层，该中间层具有多层结构，该多层结构除EML之外还包括其它层。为了便于说明，以下，第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B中的每个可以理解为中间层，该中间层具有多层结构，该多层结构实质上包括EML。包括EML的中间层的一些层可以是与基底100的整个表面对应的公共层，包括EML的中间层的其它层可以是通过与第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B对应地图案化来形成的图案层。
中间层可以包括EML，还可以包括例如从HIL、HTL、ETL和EIL中选择的至少一个层。
可以通过利用例如从沉积法、旋涂法、喷墨印刷法和激光热转印法中选择的至少一种方法的各种方法来形成第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B。
然后，参照图3，可以与第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B对应地在第一颜色发射层220R、第二颜色发射层220G和第三颜色发射层220B上形成金属层230'。可以在基底100的整个表面上形成金属层230'。金属层230'的厚度t'可以在大约至大约的范围内。金属层230'的厚度t'可以比普通有机发光显示装置的对电极的厚度大。
可以由例如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物、ITO、IZO、ZnO或者In2O3形成金属层230'。
然后，参照图4，可以将激光L照射到金属层230'的背对基底100(例如，面朝+z方向)的表面的至少一部分，以形成覆盖层232。虽然图4中示出的激光L被照射到基底100的整个表面，但在一些实施例中，可以将激光L仅照射到金属层230'的表面的可以形成覆盖层232的部分。
此外，在通过将激光L照射到金属层230'形成覆盖层232时，金属层230'的没有受到激光L照射的下部的部分可以是对电极230。可以将激光L照射到金属层230'的除了其具有大约至大约的厚度t4的下部之外的部分，以形成覆盖层232，而金属层230'的具有大约至大约的厚度t4的下部可以是对电极230。使用激光L照射金属层230'可以使对电极230和覆盖层232能够同时地形成，并且可以由相同的材料形成对电极230和覆盖层232。
在制造有机发光显示装置的方法中，可以通过利用单独(另外)的工艺在对电极上形成覆盖层。然而，在根据实施例的制造有机发光显示装置的方法中，可以不需要单独(另外)的工艺来在对电极230上形成覆盖层232，这可以简化制造工艺。
在形成覆盖层232时，在金属层230'的激光L所照射到的部分中，至少一部分可以被蚀刻，并且其它部分可以经历结构特性和光学特性的改变。金属层230'的结构特性和光学特性的改变是指激光L可以照射到的部分的微观结构可以具有多孔性或凹坑，并且可以改变金属层230'的上部的光学特性—反射系数和/或吸收系数。
形成覆盖层232的步骤可以包括形成与第一像素电极210R对应的第一覆盖层232R、形成与第二像素电极210G对应的第二覆盖层232G以及形成与第三像素电极210B对应的第三覆盖层232B。可以顺序地或同时地执行形成第一覆盖层232R、形成第二覆盖层232G和形成第三覆盖层232B的步骤。
在形成第一覆盖层232R、形成第二覆盖层232G和形成第三覆盖层232B的步骤中，第一覆盖层232R、第二覆盖层232G和第三覆盖层232B可以根据第一像素电极210R、第二像素电极210G和第三像素电极210B而具有不同的厚度t1、t2和t3。子像素(R、G和B)的发射波长的不同可以使覆盖层232具有优化的厚度，该优化的厚度可以根据子像素(R、G和B)而不同。第一覆盖层232R的厚度t1可以在大约至大约的范围内，第二覆盖层232G的厚度t2可以在大约至大约的范围内，并且第三覆盖层232B的厚度t3可以在大约至大约的范围内。
在有机发光显示装置中，在玻璃基底接触空气层的界面处发生的全反射和沿着由ITO-有机层构成的光波导存在的波导模式结合不能使有机发光显示装置内部产生的80％或更多的光朝向外部提取。在有机发光显示装置中，还可以在对电极上设置经受单独(另外)的工艺的覆盖层(CPL)以增加发射单元的光提取效率。R、G和B子像素的不同发射波长可以使得覆盖层的厚度根据R、G和B子像素而不同，其中，该覆盖层使得在发射层中产生的光被诱导朝向有机发光显示装置的外部行进。
在根据实施例的有机发光显示装置中，在形成覆盖层232时，不采用单独(另外)的工艺，可以使与对电极230对应的金属层230'的表面经受激光烧蚀，以形成具有根据R、G和B而不同的厚度(t1、t2或t3)的覆盖层232。有机发光显示装置的光提取效率可以最大化。
在一些实施例中，除上面描述的这些工艺之外，如果需要，还可以形成各种其它的组件。例如，如图2至图4中所示，可以在基底100上设置电容器Cap和薄膜晶体管TFT。
薄膜晶体管TFT可以经受在基底100上形成由氧化硅或氮化硅形成的缓冲层110的步骤，以使基底100的表面平坦化或者防止杂质渗入到半导体层120中。此后，可以在缓冲层110上形成包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料的半导体层120的图案。
在半导体层120上，可以形成由从氧化硅和氮化硅中选择的至少一种形成的栅极绝缘膜130，以使半导体层120与栅电极140绝缘。此后，可以在栅极绝缘膜130上图案化出包括从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的至少一种材料的栅电极140。根据施加到栅电极140的信号，源电极162和漏电极160可以彼此电连接。
可以在栅电极140上设置层间绝缘层150，并且层间绝缘层150可以由氧化硅或氮化硅以单层或多层的形式形成。
可以在层间绝缘层150上形成源电极162和漏电极160。源电极162和漏电极160可以各自经由层间绝缘层150和栅极绝缘膜130中形成的接触孔电连接到半导体层120。
为了保护具有这种结构的薄膜晶体管TFT，虽然在图2至图4中未示出，但是还可以形成保护膜(未示出)以覆盖薄膜晶体管TFT。保护膜可以由诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料形成。保护膜可以具有例如单层结构或多层结构。
另外，可以在基底100上形成平坦化层170。平坦化层170可以用作保护膜。如图2至图4中所示，可以在薄膜晶体管TFT上设置有机发光器件，并且可以形成平坦化层170以使薄膜晶体管TFT的上部平坦化。如图2至图4中所示，可以在基底100的整个表面上设置栅极绝缘膜130、层间绝缘层150、保护膜和平坦化层170。
可以在薄膜晶体管TFT上形成像素限定膜180。像素限定膜180可以形成在平坦化层170上并且可以经受图案化以在其中形成开口。像素限定膜180的开口可以限定基底100的显示区域上的像素区域。
在根据实施例的有机发光显示装置中，在形成覆盖层232时，不采用单独(另外)的工艺，可以使与对电极230对应的金属层230'的表面经受激光烧蚀，以形成具有根据R、G和B而不同的厚度(t1、t2或t3)的覆盖层232。有机发光显示装置的光提取效率可以最大化。
如上所述，根据实施例，提供了每个子像素中具有最大化的光提取效率的有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法。
通过总结和回顾，通常，在有机发光显示装置中，可以在基底上设置薄膜晶体管和有机发光器件，并且有机发光器件可以自发光。这种有机发光显示装置可以用作诸如移动电话的小产品或诸如电视的大产品的显示单元。
有机发光显示装置可以包括如像素(或子像素)的有机发光器件，并且在一个有机发光器件中，包括发射层的中间层可以设置在像素电极和对电极之间。在这种有机发光显示装置中，通常，可以通过电连接到像素电极的薄膜晶体管来控制像素是否发光或者像素的发射程度，对电极可以被多个像素(或子像素)公共地共享。
然而，在有机发光显示装置中，在其中产生的光大部分会被限制在(困在)有机发光显示装置的内部。
一个或更多个实施例涉及一种每个子像素中可具有最大化的光提取效率的有机发光显示装置以及制造该有机发光显示装置的方法。
这里已经公开了示例实施例，虽然使用了特定的术语，但是它们仅以普遍的和描述性的意义被使用和被解释，且不出于限制的目的。在一些情况下，对于截止到本申请提交时的本领域技术人员而言将明显的是，除非特别指示为相反，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者可以与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的本发明的精神和范围的前提下，可以在形式上和细节上做各种变化。
Claims (13)
1.一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置包括：
基底；
用于第一颜色发射的第一像素电极、用于第二颜色发射的第二像素电极和用于第三颜色发射的第三像素电极，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极在所述基底上彼此分隔开；
位于所述第一像素电极上的第一颜色发射层、位于所述第二像素电极上的第二颜色发射层和位于所述第三像素电极上的第三颜色发射层；
对电极，位于所述第一颜色发射层、所述第二颜色发射层和所述第三颜色发射层上；以及
覆盖层，包括与所述对电极的材料相同的材料，并且是多孔的。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述覆盖层与所述对电极一体地形成。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述覆盖层的厚度在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极上改变。
4.如权利要求3所述的有机发光显示装置，其特征在于：
所述覆盖层包括与所述第一像素电极对应的第一覆盖层、与所述第二像素电极对应的第二覆盖层以及与所述第三像素电极对应的第三覆盖层，以及
所述第一覆盖层的厚度在至的范围内，所述第二覆盖层的厚度在至的范围内，所述第三覆盖层的厚度在至的范围内。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述覆盖层通过激光烧蚀来形成。
6.一种制造有机发光显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
准备基底；
形成用于第一颜色发射的第一像素电极、用于第二颜色发射的第二像素电极和用于第三颜色发射的第三像素电极，所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极在所述基底上彼此分隔开；
形成与所述第一像素电极对应的第一颜色发射层、与所述第二像素电极对应的第二颜色发射层以及与所述第三像素电极对应的第三颜色发射层；
在所述第一颜色发射层、所述第二颜色发射层和所述第三颜色发射层上形成金属层；以及
通过将激光照射到所述金属层的表面的至少一部分来形成覆盖层。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述覆盖层的步骤包括改变所述金属层的所述表面的至少一部分的结构特性和光学特性。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述覆盖层的步骤包括将所述金属层的所述表面的至少一部分改变成多孔的。
9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，将所述金属层形成为具有至的厚度。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述覆盖层的步骤包括不对所述金属层的具有至的厚度的下部进行照射。
11.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极上改变。
12.如权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述覆盖层的步骤包括：
在所述第一像素电极上形成第一覆盖层；
在所述第二像素电极上形成第二覆盖层；以及
在所述第三像素电极上形成第三覆盖层。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，将所述第一覆盖层形成为具有至的厚度，将所述第二覆盖层形成为具有至的厚度，并将所述第三覆盖层形成为具有至的厚度。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2014-0052979 | 2014-04-30 | ||
| KR1020140052979A KR20150125889A (ko) | 2014-04-30 | 2014-04-30 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105023937A true CN105023937A (zh) | 2015-11-04 |
Family
ID=54355872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510194333.7A Pending CN105023937A (zh) | 2014-04-30 | 2015-04-22 | 有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9620743B2 (zh) |
| KR (1) | KR20150125889A (zh) |
| CN (1) | CN105023937A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109004102A (zh) * | 2018-06-11 | 2018-12-14 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 一种化合物的应用 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11699704B2 (en) * | 2017-09-28 | 2023-07-11 | Intel Corporation | Monolithic integration of a thin film transistor over a complimentary transistor |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100883306B1 (ko) * | 2005-03-24 | 2009-02-11 | 쿄세라 코포레이션 | 발광 소자, 그 발광 소자를 구비한 발광 장치 및 그 제조방법 |
| KR100752384B1 (ko) | 2006-10-19 | 2007-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치의 제조방법 |
| AU2008216170B2 (en) * | 2007-02-14 | 2012-07-26 | Otsuka Pharmaceutical Co., Ltd. | In-body power source having high surface area electrode |
| KR20100128153A (ko) | 2009-05-27 | 2010-12-07 | (주)미래컴퍼니 | 레이저 식각장치 및 이를 이용한 공극 형성 방법 |
| KR101094287B1 (ko) | 2009-10-09 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101244706B1 (ko) | 2009-12-01 | 2013-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101182447B1 (ko) | 2010-06-16 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US20140042422A1 (en) * | 2011-04-12 | 2014-02-13 | Battelle Memorial Institute | Internal optical extraction layer for oled devices |
| US8884316B2 (en) | 2011-06-17 | 2014-11-11 | Universal Display Corporation | Non-common capping layer on an organic device |
-
2014
- 2014-04-30 KR KR1020140052979A patent/KR20150125889A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-12-05 US US14/561,623 patent/US9620743B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-04-22 CN CN201510194333.7A patent/CN105023937A/zh active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109004102A (zh) * | 2018-06-11 | 2018-12-14 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 一种化合物的应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20150318515A1 (en) | 2015-11-05 |
| KR20150125889A (ko) | 2015-11-10 |
| US9620743B2 (en) | 2017-04-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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