CN105003928A - 一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置，包括：燃烧室，其为中空的圆锥形筒体，其上部设有第一进气口，其与第一进气管连通，其下部设有第一排气口，燃烧室的内径自上至下逐步增大，第一进气口处设有回火防止器；第一沉降池，其位于燃烧室的下方，第一沉降池上方有第一开口，其侧壁靠近第一开口的上部设有第二排气口，其侧壁靠近所述第一沉降池底部的部位设有第一排水口；第一喷淋装置，其连接所述第一排气口与所述第一开口，第一喷淋装置为中空的长方体，其四个内壁上依次自上而下设有朝下的水幕板，第一喷淋装置的上部设有一连接控制阀的入水孔。本发明的废气处理装置燃烧室工作安全，废气处理彻底，燃烧室使用寿命长。
Description
技术领域
本发明涉及一种废气处理装置。更具体地说，本发明涉及一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置。
背景技术
在半导体制作工艺中需要使用多种特殊气体以及大量的酸或碱，在半导体制造的不同工艺中使用并产生大量的废气，这些废气通过排风系统收集并处理，以防止直接排放对环境以及人们的身体健康造成的严重后果。
半导体制作工艺中产生的废气一般采取水洗、燃烧、吸附、解离等方法，然而燃烧水洗式去除废气的方法能有效处理废气中的主要废弃物PFCs，能处理大流量的废气，同时去除各种可燃性的污染物，对环境污染较少，但是燃烧室内燃烧有回火造成燃烧室爆炸的风险，存在一定的安全隐患，同时，燃烧室内气体燃尽的灰烬以及高温对燃烧室内壁容易造成结垢，降低燃烧室的使用寿命，一般对燃烧室进行定期清理，但常以刮刀直接在燃烧室的内壁上采用强力去除，对燃烧室的结构造成破坏，仍旧会降低其使用寿命，另外，废气的处理除了燃烧之外，一般多采用水洗或其他酸碱性液体洗涤，水流量使用较多，资源浪费严重。
发明内容
本发明的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。
本发明还有一个目的是提供一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置，通过提供一种圆锥形的燃烧室，在小内径的进气口设置回火防止器，以使燃烧室内在发生回火时，气体流路集中于燃烧室上部的进气口，以降低可燃物造成爆炸的几率，保证燃烧室的安全工作。
本发明还有一个目的是通过设置磨砂式的内壁打磨装置，结合具有伸缩结构的L型主轴，充分清理燃烧室的内壁，同时通过打磨棒清理燃烧室内壁，相比使用刮刀减少对燃烧室内壁的损伤，延长燃烧室的使用寿命。
本发明还有一个目的是通过在第一喷淋装置和第二喷淋装置中设置水幕板，增加水流路径，以使水流充分接触气体，吸附气体中的固体颗粒以及水流可以去除的有害气体成分。
为了实现根据本发明的这些目的和其它优点，提供了一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置，包括：
燃烧室，其为中空的圆锥形筒体，所述燃烧室的上部设有第一进气口，其与第一进气管连通，其下部设有第一排气口，其中，所述燃烧室的内径自上至下逐步增大，所述第一进气口处设有回火防止器；
第一沉降池，其位于所述燃烧室的下方，所述第一沉降池上方有第一开口，其侧壁靠近所述第一开口的上部设有第二排气口，其侧壁靠近所述第一沉降池底部的部位设有第一排水口；
第一喷淋装置，其连接所述第一排气口与所述第一开口，所述第一喷淋装置为中空的长方体，其四个内壁上依次自上而下设有朝下的水幕板，所述第一喷淋装置的上部设有一连接控制阀的入水孔。
优选的是，所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，还包括内壁打磨装置，其包括：
主轴，其竖直设置在所述燃烧室内，所述主轴呈L型，包括纵轴和横轴；
电机，其连接所述纵轴的一端并驱动所述主轴在所述燃烧室自转；
打磨棒，其呈圆柱状，所述打磨棒与所述横轴的一端可拆卸连接，所述打磨棒倾斜设置在所述燃烧室内，与所述燃烧室的内壁平行，以使其与所述燃烧室的内壁贴合。
优选的是，所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述纵轴沿其轴向方向上设有竹节伸缩结构。
优选的是，所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述横轴沿其轴向方向上设有竹节伸缩结构。
优选的是，所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述打磨棒包括柔性填充层和磨砂层，所述柔性填充层是采用橡胶制成的内径为4-6cm的圆柱体，所述磨砂层包覆在所述柔性填充层的圆周面上，其采用厚度为2-4mm的海绵砂纸制成。
优选的是，所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，还包括：
第二沉降池，其侧壁的上部设有第二进气口，所述第二进气口通过一导管与所述第二排气口连通，所述第二沉降池的上部设有第二开口，所述第二沉降池的侧壁靠近所述第二沉降池底部的部位设有第二排水口；
第二喷淋装置，其一端与所述第二开口连通，另一端与大气连通，所述第二喷淋装置的结构与形状和所述第一喷淋装置相同。
优选的是，所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述第二沉降池的上部设有贯通所述第二沉降池的引水管，其通过水泵和导管连接所述第一喷淋装置的入水孔，所述引水管延伸到所述第二沉降池内的长度为所述沉降池高度的1/4-1/3。
优选的是，所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述第一沉降池的第二排气口处设有可拆卸的过滤装置。
优选的是，所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述水幕板与所述第一喷淋装置的内壁呈45°，且所述水幕板未与所述内壁相连的一端与所述第一喷淋装置的中心线在一个平面上。
本发明至少包括以下有益效果：
1)通过提供一种圆锥形的燃烧室，在小内径的进气口设置回火防止器，以使燃烧室内在发生回火时，气体流路集中于燃烧室上部的进气口，以降低可燃物造成爆炸的几率，保证燃烧室的安全工作；
2)通过设置磨砂式的内壁打磨装置，结合具有伸缩结构的L型主轴，充分清理燃烧室的内壁，同时通过打磨棒清理燃烧室内壁，相比使用刮刀减少对燃烧室内壁的损伤，延长燃烧室的使用寿命；
3)通过在第一喷淋装置和第二喷淋装置中设置水幕板，增加水流路径，以使水流充分接触气体，吸附气体中的固体颗粒以及水流可以去除的有害气体成分；
4)通过在第二沉降池和第一喷淋装置之间设置管道，由于第二沉降池中的液体较第一沉淀池中的杂质少，可以带第二沉降池沉降一段时间后，打开水泵，使第二沉降池中的液体流入第一喷淋装置中，进行重复利用；
5)在第一沉降池的第二排气口处设有可拆卸的过滤装置，可以防止从第一沉降池流出的气体进入第二沉降池和连接两者的管道中，避免了管道堵塞，也提高了第二沉降池中液体的洁净程度，避免从第二沉降池抽出的液体堵塞第一喷淋装置中的圆形通孔。
本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
图1为本发明的适用于半导体制造工艺的废气处理装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。
图1示出了根据本发明的一种实现形式，一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置，包括：
燃烧室1，其为中空的圆锥形筒体，所述燃烧室1的上部设有第一进气口，其与第一进气管连通，其下部设有第一排气口，其中，所述燃烧室1的内径自上至下逐步增大，所述第一进气口处设有回火防止器7；
第一沉降池2，其位于所述燃烧室1的下方，所述第一沉降池2上方有第一开口，其侧壁靠近所述第一开口的上部设有第二排气口，其侧壁靠近所述第一沉降池2底部的部位设有第一排水口；
第一喷淋装置3，其连接所述第一排气口与所述第一开口，所述第一喷淋装置3为中空的长方体，其四个内壁上依次自上而下设有朝下的水幕板，所述第一喷淋装置3的上部设有一连接控制阀的入水孔。
所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，还包括内壁打磨装置4，其包括：
主轴41，其竖直设置在所述燃烧室1内，所述主轴41呈L型，包括纵轴和横轴；
电机42，其连接所述纵轴的一端并驱动所述主轴41在所述燃烧室1自转；
打磨棒43，其呈圆柱状，所述打磨棒43与所述横轴的一端可拆卸连接，所述打磨棒43倾斜设置在所述燃烧室1内，与所述燃烧室1的内壁平行，以使其与所述燃烧室1的内壁贴合。
所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述纵轴沿其轴向方向上设有竹节伸缩结构。
所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述横轴沿其轴向方向上设有竹节伸缩结构。
所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述打磨棒43包括柔性填充层和磨砂层，所述柔性填充层是采用橡胶制成的内径为4-6cm的圆柱体，所述磨砂层包覆在所述柔性填充层的圆周面上，其采用厚度为2-4mm的海绵砂纸制成。
所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，还包括：
第二沉降池5，其侧壁的上部设有第二进气口，所述第二进气口通过一导管与所述第二排气口连通，所述第二沉降池的上部设有第二开口，所述第二沉降池的侧壁靠近所述第二沉降池底部的部位设有第二排水口；
第二喷淋装置6，其一端与所述第二开口连通，另一端与大气连通，所述第二喷淋装置6的结构与形状和所述第一喷淋装置3相同。
所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述第二沉降池5的上部设有贯通所述第二沉降池5的引水管，其通过水泵8和导管连接所述第一喷淋装置3的入水孔，所述引水管延伸到所述第二沉降池5内的长度为所述沉降池高度的1/4-1/3。
所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述第一沉降池2的第二排气口处设有可拆卸的过滤装置21。
所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，所述水幕板与所述第一喷淋装置3的内壁呈45°，且所述水幕板未与所述内壁相连的一端与所述第一喷淋装置3的中心线在一个平面上。
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用。它完全可以被适用于各种适合本发明的领域。对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改。因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
Claims (9)
1.一种适用于半导体制造工艺的废气处理装置，其特征在于，包括：
燃烧室，其为中空的圆锥形筒体，所述燃烧室的上部设有第一进气口，其与第一进气管连通，其下部设有第一排气口，其中，所述燃烧室的内径自上至下逐步增大，所述第一进气口处设有回火防止器；
第一沉降池，其位于所述燃烧室的下方，所述第一沉降池上方有第一开口，其侧壁靠近所述第一开口的上部设有第二排气口，其侧壁靠近所述第一沉降池底部的部位设有第一排水口；
第一喷淋装置，其连接所述第一排气口与所述第一开口，所述第一喷淋装置为中空的长方体，其四个内壁上依次自上而下设有朝下的水幕板，所述第一喷淋装置的上部设有一连接控制阀的入水孔。
2.如权利要求1所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，其特征在于，还包括内壁打磨装置，其包括：
主轴，其竖直设置在所述燃烧室内，所述主轴呈L型，包括纵轴和横轴；
电机，其连接所述纵轴的一端并驱动所述主轴在所述燃烧室自转；
打磨棒，其呈圆柱状，所述打磨棒与所述横轴的一端可拆卸连接，所述打磨棒倾斜设置在所述燃烧室内，与所述燃烧室的内壁平行，以使其与所述燃烧室的内壁贴合。
3.如权利要求2所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，其特征在于，所述纵轴沿其轴向方向上设有竹节伸缩结构。
4.如权利要求3所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，其特征在于，所述横轴沿其轴向方向上设有竹节伸缩结构。
5.如权利要求4所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，其特征在于，所述打磨棒包括柔性填充层和磨砂层，所述柔性填充层是采用橡胶制成的内径为4-6cm的圆柱体，所述磨砂层包覆在所述柔性填充层的圆周面上，其采用厚度为2-4mm的海绵砂纸制成。
6.如权利要求5所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，其特征在于，还包括：
第二沉降池，其侧壁的上部设有第二进气口，所述第二进气口通过一导管与所述第二排气口连通，所述第二沉降池的上部设有第二开口，所述第二沉降池的侧壁靠近所述第二沉降池底部的部位设有第二排水口；
第二喷淋装置，其一端与所述第二开口连通，另一端与大气连通，所述第二喷淋装置的结构与形状和所述第一喷淋装置相同。
7.如权利要求6所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，其特征在于，所述第二沉降池的上部设有贯通所述第二沉降池的引水管，其通过水泵和导管连接所述第一喷淋装置的入水孔，所述引水管延伸到所述第二沉降池内的长度为所述沉降池高度的1/4-1/3。
8.如权利要求7所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，其特征在于，所述第一沉降池的第二排气口处设有可拆卸的过滤装置。
9.如权利要求1所述的适用于半导体制造工艺的废气处理装置，其特征在于，所述水幕板与所述第一喷淋装置的内壁呈45°，且所述水幕板未与所述内壁相连的一端与所述第一喷淋装置的中心线在一个平面上。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Zhu Xinjie Inventor before: Huang Zhiqiang |
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170711 Address after: 530500 the Guangxi Zhuang Autonomous Region Longhu Shanglin County, Nanning city Longhu District Road No. 29 Applicant after: Zhu Xinjie Address before: 530500 the Guangxi Zhuang Autonomous Region Longhu Shanglin County, Nanning city Longhu District Road No. 29 Applicant before: Huang Zhiqiang |
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| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Mo Yingying Inventor before: Zhu Xinjie |
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170825 Address after: Six villa Longxiang village 530500 the Guangxi Zhuang Autonomous Region Shanglin County of Nanning City, Tang Hong Xiang Applicant after: Mo Yingying Address before: 530500 the Guangxi Zhuang Autonomous Region Longhu Shanglin County, Nanning city Longhu District Road No. 29 Applicant before: Zhu Xinjie |
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| CB03 | Change of inventor or designer information | ||
| CB03 | Change of inventor or designer information |
Inventor after: Liu Zonghe Inventor after: Tong Huaizhi Inventor after: Zou Youbiao Inventor after: Xu Yubao Inventor after: Liao Hang Inventor before: Mo Yingying |
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170911 Address after: 230000, No. 503 Pu Pu Road, Bai Yan Science Park, hi tech Zone, Anhui, Hefei Applicant after: Anhui core Microelectronics Co., Ltd. Address before: Six villa Longxiang village 530500 the Guangxi Zhuang Autonomous Region Shanglin County of Nanning City, Tang Hong Xiang Applicant before: Mo Yingying |
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 230000, No. 503 Pu Pu Road, Bai Yan Science Park, hi tech Zone, Anhui, Hefei Patentee after: Wick Microelectronics Co., Ltd. Address before: 230000, No. 503 Pu Pu Road, Bai Yan Science Park, hi tech Zone, Anhui, Hefei Patentee before: Anhui core Microelectronics Co., Ltd. |