CN104993508B - 一种h桥串联型statcom直流侧供电系统 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，包括分别连接在三相线的每一线上的Link模块串，每个Link模块串均包括依次连接的Link模块和电感Ls，3个电感与Link模块非连接的一端均连接在一起，本发明还公开了一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的相关参数的计算，本发明解决了现有技术中存在的H桥串联型STATCOM的H桥单元取能影响输出电压和电流波形质量的问题。

Description

一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统

技术领域

本发明属于无功补偿技术领域，具体涉及一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统。

背景技术

随着H桥串联型STATCOM所接入的电网电压不断提高，H桥单元的低成本、高可靠性供电电源成为设计H桥串联型STATCOM的H桥单元的一个很大挑战。利用开关电源从H桥直流电容上直接获取能量可以降低开关电源的电压绝缘要求，从而降低取能电源的体积和成本。

现有H桥串联型STATCOM的H桥单元取能技术主要分为：低压交流取能和高压直流取能。低压交流取能技术采用高绝缘电压的变压器从低压侧向H桥单元高压侧输送能量，但是，高绝缘电压的变压器体积大、价格高，当要求的绝缘电压大于30kV时，体积和价格都超出常规工程可承受的范围；高压直流取能技术采用DC/DC开关电源从H桥直流电容中获取能量，但是，单个H桥供电的取能电源供电方式在H桥发生故障导致直流电压变化时，会影响取能电源的正常取能，因此，不易实现H桥单元的冗余运行；通过数量为N的多个DC/DC开关电源使N个H桥单元的直流电容向一个H桥单元供电，可实现H桥单元的N-1冗余运行，但是，多个DC/DC开关电源向单个H桥供电时需要考虑多个DC/DC开关电源之间的输入能量分配问题，若设计不当，会影响H桥单元的直流电容电压之间的一致性，进而影响输出电压和电流波形质量。

发明内容

本发明的目的是提供一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，解决了现有技术中存在的H桥串联型STATCOM的H桥单元取能影响输出电压和电流波形质量的问题。

本发明所采用的技术方案是，一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，包括分别连接在三相线的每一线上的Link模块串，每个Link模块串均包括依次连接的Link模块和电感Ls，3个电感与Link模块非连接的一端均连接在一起。

本发明的特点还在于，

Link模块的具体结构为：包括CMC模块，CMC模块由若干依次的HB模块组成，每个HB模块对应连接一个直流侧取能电源模块，每个直流侧取能电源模块还与HB模块旁的风扇连接，HB模块内部是由IGBT管A、IGBT管B、IGBT管C、IGBT管D连接组成，IGBT管A和IGBT管C的共集电极，IGBT管B和IGBT管D共发射极，IGBT管C的集电极和IGBT管D的发射极之间连接有直流侧电容C，IGBT管A的发射极和IGBT管B的集电极连接，IGBT管C的发射极和IGBT管D的集电极连接后同时连接至下一级HB模块的IGBT管A的发射极和IGBT管B的集电极之间。

HB模块的数量N、直流侧电容C的容值C，具体计算步骤如下:

步骤1、首先根据H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的系统线电压U_ad和负载最大无功功率Q_Lmax，确定H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的额定电流I_S，额定电流I_S的选取依照公式为：

步骤2、根据步骤1得到的额定电流I_S，然后确定H桥串联型STATCOM直流侧供电系统中连接的电感L_S的电感值L_S，具体公式如下：

式(2)中，f为电网频率，f＝50Hz，

同时根据本系统中的确定的额定电流I_S的值选取IGBT管的型号，IGBT管型号满足以下条件：IGBT管的电流I_IGBT大于额定电流I_S，IGBT管的电压V_IGBT取值为1200V、1700V、3300V，表达式为：

I_IGBT＞I_s (3)

V_IGBT∈{1200，1700，3300} (4)

步骤3、根据步骤2确定的IGBT管的型号，确定HB模块的数量N、直流侧电容C的容值C，具体公式如下：

直流侧取能电源模块的具体结构为：包括三级依次连接的固定占空比DC/DC模块，每级固定占空比DC/DC模块的正输出端均连接二极管D1后连接至结点B，每级固定占空比DC/DC模块的负输出端均连接至结点C，结点B和结点C连接至直流母线上，结点B和结点C之间的直流母线上还连接有电容C2，电容C2的两端连接至传统DC/DC模块。

直流侧取能电源模块的设计功率P_K的具体计算如下:

步骤a、根据步骤2中确定的IGBT管型号，确定IGBT管的参数：E_on，E_off，E_d，V_ce，f_sw，I_nom，V_f和工作状态d，然后依据确定的IGBT管的参数和工作状态d计算IGBT管总损耗P_IGBT和HB模块的总损耗P_H，具体如下：

IGBT管的开关损耗为：

P_sw＝f_sw×(E_on+E_off)×I_s/I_nom (7)

IGBT管的导通损耗为：

P_conG＝V_ce×I_s×d (8)

IGBT管内部反并联二极管的开关损耗为：

P_d＝f_sw×E_d×I_s/I_nom (9)

IGBT管内部反并联二极管的导通损耗为：

P_cond＝V_f×I_s×(1-d) (10)

IGBT管的总损耗P_IGBT为：

P_IGBT＝P_sw+P_conG+P_d+P_cond (11)

HB模块的混合损耗为：

P_h＝4×(P_sw+P_d) (12)

HB模块的总损耗为：

P_H＝4×(P_sw+P_conG+P_d+P_cond) (13)

步骤b、根据HB模块的总损耗P_H和所述风扇的能效比计算HB模块旁的风扇的实际功耗P_F，具体如下：

步骤c、根据HB模块的总损耗P_H和风扇的实际功耗P_F，以及系统中其它损耗P_other，计算直流侧取能电源模块的设计功率P_K，具体如下：

P_K＝P_F+P_other (15)

步骤d、根据直流侧取能电源模块的设计功率P_K和HB模块的混合损耗P_h，判断直流侧取能电源模块的电压调整能力是否满足要求，具体如下：

如果P_K>＝P_h,则说明直流侧取能电源模块满足电压调整的要求，P_K保持不变；

如果P_K<P_h,则说明直流侧取能电源模块不能满足电压调整的要求，此时令P_K＝P_h，使直流侧取能电源模块满足电压调整的要求。

步骤a中IGBT管的工作状态d＝0.8。

步骤b中风扇的能效比

步骤c中系统的其它损耗P_other＝20W～50W。

每级固定占空比DC/DC模块的具体结构为：包括依次连接的变压器T和mos管，变压器T的次级线圈两端分别连接二极管D2、D3后连接至结点D，变压器T的次级线圈两端之间与结点D之间还连接有电容C3，电容C3的正电压端连接至所述二极管D1，电容C3的负电压端均连接至结点C，直流侧取能电源模块内的第二级固定占空比DC/DC模块的输入端与和直流侧取能电源模块对应连接的HB模块的直流侧电容C的两端连接，直流侧取能电源模块内的第一个级固定占空比DC/DC模块的输入端与所述直流侧取能电源模块对应连接的HB模块的上一级HB模块的直流侧电容C的两端连接，直流侧取能电源模块内的第三级固定占空比DC/DC模块的输入端与直流侧取能电源模块对应连接的HB模块的下一级HB模块的直流侧电容C的两端连接。

直流侧取能电源模块内部参数具体取值如下：

第一级固定占空比DC/DC模块的输出电压U1_dc＝200V、功率P1_dc＝P_K、变压器变比

二极管D1的电压U_D＝250V、电流中间直流母线电容C2的电压U_C2＝U1_dc、容量C_C2＝470uF，

传统DC/DC模块6输出电压U2_dc＝15V、功率变压器变比

本发明的有益效果是，本发明一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，采用具有维持H桥单元电容电压平衡功能的直流侧取能电源，实现了从三个相连的H桥单元中电容电压最高的H桥单元向H桥单元控制电路供电的目的，H桥取能电源仅与自身及相连的三个H桥的直流电容相连接，并且仅从电容电压最高的H桥单元取能，降低了取能电源对电压绝缘要求，同时H桥单元不再需要其他方式的电容平衡控制措施，可降低取能电源对绝缘电压的要求，替代了传统的通过高绝缘电压变压器+开关电源的供电方式，解决了H桥串联型STATCOM在实现H桥单元的N+2冗余时因高绝缘电压变压器不易设计所出现的H桥单元不易供电问题。

附图说明

图1是本发明一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的结构示意图；

图2是本发明一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统中的link模块的结构示意图；

图3是本发明一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统中直流侧取能电源模块的结构示意图；

图4是本发明一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统中固定占空比DC/DC模块的结构示意图。

图中，1.Link模块，2.CMC模块，3.直流侧取能电源模块，4.固定占空比DC/DC模块，5.直流母线，6.传统DC/DC模块，7.HB模块，8.Link模块串，9.风扇，10.mos管。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。

本发明一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，结构如图1所示，包括分别连接在三相线的每一线上的Link模块串8，每个Link模块串8均包括依次连接的Link模块1和电感Ls，3个电感Ls与Link模块1非连接的一端均连接在一起。

如图2所示，Link模块1的具体结构为：包括CMC模块2，所述CMC模块2由若干依次的HB模块7组成，每个HB模块7对应连接一个直流侧取能电源模块3，每个直流侧取能电源模块3还与HB模块7旁的风扇9连接，所述HB模块7内部是由相同的4个IGBT管A、IGBT管B、IGBT管C、IGBT管D连接组成，IGBT管A和IGBT管C的共集电极，IGBT管B和IGBT管D共发射极，IGBT管C的集电极和IGBT管D的发射极之间连接有直流侧电容C，IGBT管A的发射极和IGBT管B的集电极连接，IGBT管C的发射极和IGBT管D的集电极连接后同时连接至下一级HB模块的IGBT管A的发射极和IGBT管B的集电极之间。

如图3所示，直流侧取能电源模块3的具体结构为：包括三级依次连接的固定占空比DC/DC模块4，每级固定占空比DC/DC模块4的正输出端均连接二极管D1后连接至结点B，每级固定占空比DC/DC模块4的负输出端均连接至结点C，结点B和结点C连接至直流母线5上，结点B和结点C之间的直流母线5上还连接有电容C2，电容C2的两端连接至传统DC/DC模块6。

如图4所示，每级固定占空比DC/DC模块4的具体结构为：包括依次连接的变压器T和mos管10，变压器T的次级线圈两端分别连接二极管D2、D3后连接至结点D，变压器T的次级线圈两端之间与所述结点D之间还连接有电容C3，电容C3的正电压端连接至所述二极管D1，电容C3的负电压端均连接至结点C，直流侧取能电源模块3内的第二级固定占空比DC/DC模块4的输入端与和直流侧取能电源模块3对应连接的HB模块7的直流侧电容C的两端连接，直流侧取能电源模块3内的第一个级固定占空比DC/DC模块4的输入端与直流侧取能电源模块3对应连接的HB模块7的上一级HB模块7的直流侧电容C的两端连接，直流侧取能电源模块3内的第三级固定占空比DC/DC模块4的输入端与所述直流侧取能电源模块3对应连接的HB模块7的下一级HB模块7的直流侧电容C的两端连接。

一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的相关参数计算具体如下：

步骤1、首先根据H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的系统线电压U_ab和负载最大无功功率Q_Lmax，确定H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的额定电流I_S，额定电流I_S的选取依照公式为：

步骤2、根据步骤1得到的额定电流I_S，然后确定H桥串联型STATCOM直流侧供电系统中连接的电感L_S的电感值L_S，具体公式如下：

式(2)中，f为电网频率，f＝50Hz，

同时根据本系统中的确定的额定电流I_S的值选取IGBT管的型号，IGBT管型号满足以下条件：IGBT管的电流I_IGBT大于额定电流I_S，IGBT管的电压V_IGBT取值为1200V、1700V、3300V，表达式为：

I_IGBT＞I_s (3)

V_IGBT∈{1200，1700，3300} (4)

步骤3、根据步骤2确定的IGBT管的型号，确定HB模块7的数量N、直流侧电容C的容值C，具体公式如下：

步骤4：根据步骤2中确定的IGBT管型号，确定IGBT管的参数：E_on，E_off，E_d，V_ce，f_sw，I_nom，V_f和工作状态d，IGBT管的工作状态d＝0.8，然后依据确定的IGBT管的参数和工作状态d计算IGBT管总损耗P_IGBT和HB模块7的总损耗P_H，具体如下：

IGBT管的开关损耗为：

P_sw＝f_sw×(E_on+E_off)×I_s/I_nom (7)

IGBT管的导通损耗为：

P_conG＝V_ce×I_s×d (8)

IGBT管内部反并联二极管的开关损耗为：

P_d＝f_sw×E_d×I_s/I_nom (9)

IGBT管内部反并联二极管的导通损耗为：

P_cond＝V_f×I_s×(1-d) (10)

IGBT管的总损耗P_IGBT为：

P_IGBT＝P_sw+P_conG+P_d+P_cond (11)

HB模块的混合损耗为：

P_h＝4×(P_sw+P_d) (12)

HB模块的总损耗为：

P_H＝4×(P_sw+P_conG+P_d+P_cond) (13)

步骤5：根据HB模块7的总损耗P_H和所述风扇9的能效比风扇9的能效比计算HB模块7旁的风扇9的实际功耗P_F，具体如下：

步骤6：根据HB模块7的总损耗P_H和风扇9的实际功耗P_F，以及系统中其它损耗P_other，系统的其它损耗P_other＝20W～50W，计算直流侧取能电源模块的设计功率P_K，具体如下：

P_K＝P_F+P_other (15)

步骤7：根据直流侧取能电源模块的设计功率P_K和HB模块7的混合损耗P_h，判断直流侧取能电源模块的电压调整能力是否满足要求，具体如下：

如果P_K>＝P_h,则说明直流侧取能电源模块满足电压调整的要求，P_K保持不变；

如果P_K<P_h,则说明直流侧取能电源模块不能满足电压调整的要求，此时令P_K＝P_h，使直流侧取能电源模块满足电压调整的要求；

步骤8：根据步骤7中确定的直流侧取能电源模块的设计功率P_K，确定直流侧取能电源模块的内部参数，具体如下：

第一级固定占空比DC/DC模块4的输出电压U1_dc＝200V、功率P1_dc＝P_K、变压器变比

二极管D1的电压U_D＝250V、电流中间直流母线电容C2的电压U_C2＝U1_dc、容量U_C2＝470uF，

传统DC/DC模块6输出电压U2_dc＝15V、功率P2_dc＝P_K、变压器变比

步骤9：当步骤8完成后，即实现了H桥串联型STATCOM直流侧供电。

本发明克服了传统利用多个H桥直流电容向一个H桥供电的H桥单元设计方法的缺点，利用固定占空比控制方式的DC/DC开关电源，使电源输入电压与输入H桥电压成比例，并通过二极管电路，使取能电源仅从电容电压最高的H桥单元取能，从而使电压最高的电容总处于向H桥取能电源供电状态，理想情况下，可以将H桥单元的电容电压之间的差异调整为零，即实现H桥电容电压的自动平衡。

实施例

一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的相关参数计算具体如下：

步骤1、首先根据H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的系统线电压U_ab＝10kV和负载最大无功功率Q_Lmax＝10MVar，确定H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的额定电流I_S，额定电流I_S的选取依照公式为：

步骤2、根据步骤1得到的额定电流I_S，然后确定H桥串联型STATCOM直流侧供电系统中连接的电感L_S的电感值L_S，具体公式如下：

式(2)中，f为电网频率，f＝50Hz，

同时根据本系统中的确定的额定电流I_S的值选取IGBT管的型号，IGBT管型号满足以下条件：IGBT管的电流I_IGBT大于额定电流I_S，IGBT管的电压V_IGBT取值为1200V、1700V、3300V，表达式为：

I_IGBT＞I_s (3)

V_IGBT∈{1200，1700，3300} (4)

所以，选取：V_IGBT＝1700V，I_IGBT＝600A，确定IGBT型号：SEMiX854GB176HDs；

步骤3、根据步骤2确定的IGBT管的型号，确定HB模块7的数量N、直流侧电容C的容值C，具体公式如下：

步骤4：根据步骤2中确定的IGBT管型号，确定IGBT管的参数：E_on＝0.3J，E_off＝0.25J，E_d＝0.17J，V_ce＝1.3V，f_sw＝500Hz，I_nom＝288A，V_f＝1.5V和工作状态，IGBT管的工作状态d＝0.8，然后依据确定的IGBT管的参数和工作状态d计算IGBT管总损耗P_IGBT和HB模块7的损耗P_H，具体如下：

IGBT管的开关损耗为：

P_sw＝f_sw×)E_on+E_off)×I_s/I_nom＝30W (7)

IGBT管的导通损耗为：

P_conG＝V_ce×I_s×d＝299W (8)

IGBT管内部反并联二极管的开关损耗为：

P_d＝f_sw×E_d×I_s/I_nom＝9W (9)

IGBT管内部反并联二极管的导通损耗为：

P_cond＝V_f×I_s×(1-d)＝87W (10)

IGBT管的总损耗P_IGBT为：

P_IGBT＝P_sw+P_conG+P_d+P_cond (11)

HB模块的混合损耗为：

P_h＝4×(P_sw+P_d)＝312W (12)

HB模块的总损耗为：

P_H＝4×(P_sw+P_conG+P_d+P_cond)＝3400W (13)

步骤5：根据HB模块7的总损耗P_H和所述风扇9的能效比风扇9的能效比计算HB模块7旁的风扇9的实际功耗P_F，具体如下：

步骤6：根据HB模块7的总损耗P_H和风扇9的实际功耗P_F，以及系统中其它损耗P_other，系统的其它损耗P_other＝40W，计算直流侧取能电源模块的设计功率P_K，具体如下：

P_K＝P_F+P_other＝1400W (15)

步骤7：根据直流侧取能电源模块的设计功率P_K和HB模块7的混合损耗P_h，判断直流侧取能电源模块的电压调整能力是否满足要求，具体如下：

此时，P_K＝1400W，P_h＝312W，因此P_K>＝P_h,则说明直流侧取能电源模块满足电压调整的要求，P_K保持1400W不变；

步骤8：根据步骤7中确定的直流侧取能电源模块的设计功率P_K，确定直流侧取能电源模块的内部参数，具体如下：

第一级固定占空比DC/DC模块4的输出电压U1_dc＝200V、功率P1_dc＝P_K＝1400W、变压器变比

二极管D1的电压U_D＝250V、电流中间直流母线电容C2的电压U_C2＝U1_dc＝200V、容量C_C2＝470uF，

传统DC/DC模块6输出电压U2_dc＝15V、功率P2_dc＝P_K＝1400W、变压器变比

步骤9：当步骤8完成后，即实现了H桥串联型STATCOM直流侧供电。

Claims (8)

1.一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，其特征在于，包括分别连接在三相线的每一线上的Link模块串(8)，每个Link模块串(8)均包括依次连接的Link模块(1)和电感(Ls)，所述3个电感(Ls)与Link模块(1)非连接的一端均连接在一起；

所述Link模块(1)的具体结构为：包括CMC模块(2)，所述CMC模块(2)由若干依次连接的HB模块(7)组成，每个HB模块(7)对应连接一个直流侧取能电源模块(3)，每个直流侧取能电源模块(3)还与HB模块(7)旁的风扇(9)连接，所述HB模块(7)内部是由相同的4个IGBT管A、IGBT管B、IGBT管C、IGBT管D连接组成，IGBT管A和IGBT管C共集电极，IGBT管B和IGBT管D共发射极，所述IGBT管C的集电极和IGBT管D的发射极之间连接有直流侧电容C，IGBT管A的发射极和IGBT管B的集电极连接，IGBT管C的发射极和IGBT管D的集电极连接后同时连接至下一级HB模块(7)的IGBT管A的发射极和IGBT管B的集电极之间；

所述直流侧取能电源模块(3)的具体结构为：包括三级依次连接的固定占空比DC/DC模块(4)，每级固定占空比DC/DC模块(4)的正输出端均连接二极管D1后连接至结点B，每级固定占空比DC/DC模块(4)的负输出端均连接至结点C，结点B和结点C连接至直流母线(5)上，结点B和结点C之间的直流母线(5)上还连接有电容C2，电容C2的两端连接至传统DC/DC模块(6)。

2.根据权利要求1所述的一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统， 其特征在于，所述HB模块(7)的数量N、直流侧电容C的容值C，具体计算步骤如下:

步骤1、首先根据H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的系统线电压U_ab和负载最大无功功率Q_Lmax，确定H桥串联型STATCOM直流侧供电系统的额定电流I_S，额定电流I_S的选取依照公式为：

步骤2、根据所述步骤1得到的额定电流I_S，然后确定H桥串联型STATCOM直流侧供电系统中连接的电感(L_S)的电感值L_S，具体公式如下：

式(2)中，f为电网频率，f＝50Hz，

同时根据本系统中的确定的额定电流I_S的值选取IGBT管的型号，IGBT管型号满足以下条件：IGBT管的电流I_IGBT大于额定电流I_S，IGBT管的电压V_IGBT取值为1200V、1700V、3300V，表达式为：

I_IGBT＞I_s (3)

V_IGBT∈{1200，1700，3300} (4)

步骤3、根据所述步骤2确定的IGBT管的型号，确定HB模块(7)的数量 N、直流侧电容C的容值C，具体公式如下：

。

3.根据权利要求2所述的一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，其特征在于，所述直流侧取能电源模块的设计功率P_K的具体计算如下:

步骤a、根据所述步骤2中确定的IGBT管型号，确定IGBT管的参数：E_on，E_off，E_d，V_ce，f_sw，I_nom，V_f和工作状态d，然后依据确定的IGBT管的参数和工作状态d计算IGBT管总损耗P_IGBT和HB模块(7)的总损耗P_H，具体如下：

IGBT管的开关损耗为：

P_sw＝f_sw×(E_on+E_off)×I_s/I_nom (7)

IGBT管的导通损耗为：

P_conG＝V_ce×I_s×d (8)

IGBT管内部反并联二极管的开关损耗为：

P_d＝f_sw×E_d×I_s/I_nom (9)

IGBT管内部反并联二极管的导通损耗为：

P_cond＝V_f×I_s×(1-d) (10)

IGBT管的总损耗P_IGBT为：

P_IGBT＝P_sw+P_conG+P_d+P_cond (11)

HB模块的混合损耗为：

P_h＝4×(P_sw+P_d) (12)

HB模块的总损耗为：

P_H＝4×(P_sw+P_conG+P_d+P_cond) (13)

步骤b、根据HB模块(7)的总损耗P_H和所述风扇(9)的能效比计算HB模块(7)旁的风扇(9)的实际功耗P_F，具体如下：

步骤c、根据HB模块(7)的总损耗P_H和风扇(9)的实际功耗P_F，以及系统中其它损耗P_other，计算直流侧取能电源模块的设计功率P_K，具体如下：

P_K＝P_F+P_other (15)

步骤d、根据直流侧取能电源模块的设计功率P_K和HB模块(7)的混合损耗P_h，判断直流侧取能电源模块的电压调整能力是否满足要求，具体如下：

如果P_K>＝P_h,则说明直流侧取能电源模块满足电压调整的要求，P_K保持 不变；

如果P_K<P_h,则说明直流侧取能电源模块不能满足电压调整的要求，此时令P_K＝P_h，使直流侧取能电源模块满足电压调整的要求。

4.根据权利要求3所述的一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，其特征在于，所述步骤a中IGBT管的工作状态d＝0.8。

5.根据权利要求3所述的一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，其特征在于，所述步骤b中风扇(9)的能效比

6.根据权利要求3所述的一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，其特征在于，所述步骤c中系统的其它损耗P_other＝20W～50W。

7.根据权利要求1所述的一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，其特征在于，所述每级固定占空比DC/DC模块(4)的具体结构为：包括依次连接的变压器(T)和mos管(10)，变压器(T)的次级线圈两端分别连接二极管D2、D3后连接至结点D，变压器(T)的次级线圈两端之间与所述结点D之间还连接有电容C3，电容C3的正电压端连接至所述二极管D1，电容C3的负电压端均连接至所述结点C，直流侧取能电源模块(3)内的第二级固定占空比DC/DC模块(4)的输入端与和直流侧取能电源模块(3)对应连接的HB模块(7)的直流侧电容C的两端连接，直流侧取能电源模块(3)内的第一个级固定占空比DC/DC模块(4)的输入端与所述直流侧取能电源模块(3)对应连接的HB模块(7)的上一级HB模块(7)的直流侧电容C的两端连接，所述直流侧取能电源模块(3)内的第三级固定占空比DC/DC模块(4)的输入端与所述直流侧取能电源模块(3)对应连接的 HB模块(7)的下一级HB模块(7)的直流侧电容C的两端连接。

8.根据权利要求3所述的一种H桥串联型STATCOM直流侧供电系统，其特征在于，所述直流侧取能电源模块(3)内部参数具体取值如下：

第一级固定占空比DC/DC模块(4)的输出电压U1_dc＝200V、功率P1_dc＝P_K、变压器变比

二极管D1的电压U_D＝250V、电流中间直流母线电容C2的电压U_C2＝U1_dc、容量C_C2＝470uF，

传统DC/DC模块(6)输出电压U2_dc＝15V、功率P2_dx＝P_K、变压器变比