CN104987675A - 一种用于形成可挠式透明导电膜的导电材料 - Google Patents

Abstract

本发明是有关于一种具有聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物(PEDOT：PSS)的导电材料，并借由此导电材料形成可挠式透明导电膜。此外，本发明可根据此可挠式透明导电膜制作各种发光二极管的可挠式透明显示结构。

Description

一种用于形成可挠式透明导电膜的导电材料

本发明是申请号201210158474.X，发明名称为“可挠式透明导电膜及其形成发光二极管的可挠式透明显示结构与方法”的发明专利申请的分案申请，母案的申请日为2012年5月21日

技术领域

本发明是关于一种透明导电膜，特别是关于一种可挠式透明导电膜及其形成发光二极管的可挠式透明显示结构与方法。

背景技术

以聚3,4-乙二氧基噻吩(PEDT)与聚苯乙烯磺酸(PSS)形成的分散液称为聚3,4-伸乙二氧基噻吩(PEDOT)，聚苯乙烯磺酸的作用保持聚3,4-乙二氧基噻吩在溶液中的可溶性与稳定性。此外，聚3,4-乙二氧基噻吩(PEDT)在聚苯乙烯磺酸(PSS)的存在下得以聚合，在聚合过程中同时掺杂氧化而成聚3,4-伸乙二氧基噻吩，此导致形成了带电聚合物，该聚合物能传导电洞。

在已知的LED架构中，用于导电性透明聚合物层的材料为聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物(PEDOT：PSS)，然而，聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物(PEDOT：PSS)本身的透明度并非最佳，甚至呈现暗蓝色度，其本身亦相当缺乏耐磨损等机械性质，故其必须在硬质基材上涂布，通常采用I TO为其基材以支持其机械性质。对于当前产业而言，此些先前技术所能应用的范围已经不足以应付目前生活上所需，尤其对于可挠性的需求更是重要。虽然先前技术以聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚乙烯与聚氯乙烯等合适的透明与可挠性合成树脂当作可挠性基材，然而，由于目前仍多采用I TO等硬性材质当成电极基材，故此等可挠性基材并无法达成真正地可挠特性。此外，对于透明特性的应用亦为一大重点,如前所述聚3,4-伸乙二氧基噻吩本身虽有良好的导电特性，但其本身的透明度却是不足，且兼之具有阻值飘移的特性造成不稳定，其无法取代I TO而进一步应用在产业上，但是I TO却又缺乏可挠性。因此，如何形成发光二极管的透明可挠式显示结构仍为当前产业亟需发展的重要目标。

由此可见,上述现有的透明导电膜在产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。因此如何能创设一种新的可挠式透明导电膜及其形成发光二极管的可挠式透明显示结构与方法，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的透明导电膜存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的可挠式透明导电膜及其形成发光二极管的可挠式透明显示结构与方法，能够改进一般现有的透明导电膜，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的透明导电膜存在的缺陷，而提供一种新的可挠式透明导电膜及其形成发光二极管的可挠式透明显示结构与方法，所要解决的技术问题是使其提供一种聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物(PEDOT：PSS)/石墨结构/硅氧化物的导电材料以形成可挠式透明导电膜，其中,上述的石墨结构用以降低导电阻值、稳定阻抗、增加环境稳定度(如抗温、抗湿)，且硅氧化物用以增加导电材料的附着力以避免因挠曲或摩擦所造成的导电膜表面材料的破坏而使得电阻飘移。因此，借由本发明的导电材料所形成的可挠式透明导电膜，不但可挠曲、透明度更为清晰、导电度高、阻值低而稳定，其更具有耐磨损、高附着力的机械特性，非常适于实用。

本发明的另一目的在于，克服现有的透明导电膜存在的缺陷，而提供一种新的可挠式透明导电膜及其形成发光二极管的可挠式透明显示结构与方法，所要解决的技术问题是使其借由导电材料形成透明导电层，并借此形成发光二极管的可挠式透明显示结构,其具备可挠、高透明、抗磨损、高传导、阻值稳定等特质，故其可广泛地应用在发光二极管的商业与工业中以达成产业亟需发展的重要目标。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种导电材料，其中该导电材料包含：一聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物；一石墨结构；与一硅氧化物。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的导电材料，其中所述的聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物占该导电材料的30％-70％，且该石墨结构占该导电材料的15％-35％，该硅氧化物占该导电材料的15％-35％。

前述的导电材料，其中所述的聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物较佳范围为50％-60％，且该石墨结构的较佳范围为20％-25％，该硅氧化物的较佳范围为20％-25％。

前述的导电材料，其中所述的石墨结构更包含一石墨烯。

前述的导电材料，其中所述的导电材料可用以形成一种可挠式透明导电膜。

前述的导电材料，其中所述的可挠式透明导电膜的形成方法包含：进行一涂布程序以涂布该导电材料在一可挠式透明基材表面上；与进行一固化程序以形成该可挠式透明导电膜在该可挠式透明基材的表面上。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种发光二极管显示结构,其中该发光二极管显示结构包含：至少一透明基材；在空间方向上相互正交的至少一第一透明导电区与至少一第二透明导电区，并在空间中形成至少一空间交点；与至少一发光二极管，该至少一发光二极管分别与该至少一第一透明导电区以及该至少一第二透明导电区电性耦合。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的至少一透明基材的材质更包含一聚对苯二甲酸乙二酯。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的至少一第一透明导电区与该至少一第二透明导电区借由一导电材料所形成，该导电材料更包含一聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物、一石墨结构与一硅氧化物。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物占该导电材料的30％-70％，且该石墨结构占该导电材料的15％-35％，以及该硅氧化物占该导电材料的15％-35％。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物的较佳范围为50％-60％，该石墨结构的较佳范围为20％-25％，及该硅氧化物的较佳范围为20％-25％。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的石墨结构更包含一石墨烯。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的发光二极管显示结构更包含：至少一透明基材具有一第一透明基材与一第二透明基材；与一容置空间位于该第一透明基材的一第一表面与该第二透明基材的一第二表面之间，且该至少一第一透明导电区与该至少一第二透明导电区分别位于该容置空间中相互面对的该第一表面与该第二表面上，其中，该空间交点位于该容置空间中，且该至少一发光二极管位于该空间交点位置上。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的容置空间填充一透明绝缘层在其中。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的发光二极管显示结构更包含：该至少一透明基材具有一第一透明基材与一第二透明基材，且该至少一第一透明导电区位于该第一透明基材的一第一表面上，其中，该第一表面与该第一透明基材的一第三表面位置相对；一容置空间形成于该第二透明基材的一第二表面与该第一透明基材的该第三表面之间，其中，该空间交点位于该容置空间中；至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区同位于该容置空间中的该第二表面上；该至少一发光二极管位于该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区的间隙的该第二透明基材的该第二表面上，其中，该至少一发光二极管的两电极分别与该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区电性耦合；与至少一信道，该至少一信道依序贯通该至少一第一透明导电区与该第一透明基材并与该至少一第三透明导电区位置相对，以便在该至少一第一透明导电区与该至少一第三透明导电区借由该至少一通道电性耦合。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区以相邻间隔的方式交错排列，且该至少一第三透明导电区与该至少一发光二极管数量一致。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的容置空间更包含一透明绝缘层，且该至少一通道亦贯通该透明绝缘层。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的通道中更包含一导电填充物。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的发光二极管显示结构更包含：该至少一第一透明导电区位于该至少一透明基材的一第一表面上，其中，该第一表面与该至少一透明基材的一第二表面位置相对；至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区同位于该至少一透明基材的该第二表面上；该至少一发光二极管位于该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区的间隙的该至少一透明基材的该第二表面上，其中，该至少一发光二极管的两电极分别与该至少一第三透明导电区以及该至少一第二透明导电区电性耦合；与至少一信道，该至少一信道依序贯通该至少一第一透明导电区、该透明基材与该至少一第三透明导电区，以便在该至少一第一透明导电区与该至少一第三透明导电区借由该至少一通道电性耦合。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区以相邻间隔的方式交错排列，且该至少一第三透明导电区与该至少一发光二极管数量一致。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的通道中更包含一导电填充物。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的发光二极管显示结构更包含：该至少一第一透明导电区位于该至少一透明基材的一第一表面上，且该至少一第二透明导电区位于该至少一透明基材的一第二表面上,其中，该第一表面与该第二表面位置相对；该至少一发光二极管位于该至少一第二透明导电区上，且该至少一发光二极管的一电极与该至少一第二透明导电区电性耦合；与至少一信道，该至少一信道依序贯通该至少一第一透明导电区与该透明基材，且位于该至少一第二透明导电区位置旁，以便在该至少一发光二极管的另一电极借由该至少一通道与该至少一第一透明导电区电性耦合。

前述的发光二极管显示结构，其中所述的第二表面上位于该至少一信道的位置上具有至少一透明绝缘层，且该至少一通道亦贯通该至少一透明绝缘层。

本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种发光二极管显示结构的形成方法，其中该发光二极管显示结构的形成方法包含：在至少一透明基材的特定表面上形成一第一透明导电层与一第二透明导电层；分别对该第一透明导电层与该第二透明导电层分别进行一光刻程序以转成特定图案并分别形成该至少一第一透明导电区与该至少一第二透明导电区，并在空间方向上正交该至少一第一透明导电区与该至少一第二透明导电区以便在空间中形成至少一空间交点；与形成至少一发光二极管，并使该至少一发光二极管分别与该至少一第一透明导电区与该至少一第二透明导电区电性耦合。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的第一透明基材与第二透明基材的材质更包含一聚对苯二甲酸乙二酯。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的第一透明导电层与该第二透明导电层借由一导电材料所形成，该导电材料更包含一聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物、一石墨结构与一硅氧化物。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物占该导电材料的30％-70％，且该石墨结构占该导电材料的15％-35％，该硅氧化物占该导电材料的15％-35％。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物较佳范围为50％-60％，且该石墨结构的较佳范围为20％-25％，该硅氧化物的较佳范围为20％-25％。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的石墨结构更包含一石墨烯。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的发光二极管显示结构的形成方法更包含：该至少一透明基材具有一第一透明基材与一第二透明基材；分别形成一第一透明导电层与一第二透明导电层在该第一透明基材与该第二透明基材的表面上；分别对该第一透明导电层与该第二透明导电层进行光刻程序以转成特定图案并分别形成该至少一第一透明导电区与该至少一第二透明导电区在该第一透明基材与该第二透明基材上；进行一植入程序以形成该至少一发光二极管在该第一透明基材的该至少一第一透明导电区上；与进行一对位贴合程序以贴合该第一透明基材与该第二透明基材并形成一容置空间在其中，并使该至少一空间交点位于该容置空间中，以便在该至少一发光二极管对位于该空间交点上。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的发光二极管显示结构的形成方法更包含一绝缘程序以填充一透明绝缘层在该容置空间中。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的发光二极管显示结构的形成方法更包含一定位步骤以便在该至少一第二透明导电区位于该至少一发光二极管的相对位置上形成至少一凹孔以容置该至少一发光二极管。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的发光二极管显示结构的形成方法更包含：该至少一透明基材具有一第一透明基材与一第二透明基材；分别形成一第一透明导电层与一第二透明导电层在该第一透明基材与该第二透明基材的表面上；分别对该第一透明导电层与该第二透明导电层进行光刻程序以转成特定图案在并分别形成该至少一第一透明导电区在该第一透明基材上及形成该至少一第二透明导电区与至少一第三透明导电区在该第二透明基材上；进行一植入程序以形成该至少一发光二极管在该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区上的间隙的该第二透明基材的表面上,其中,该至少一发光二极管的两电极分别与该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区电性耦合；进行一信道程序以依序贯通该至少一第一透明导电区与该第一透明基材并形成至少一通道，且该至少一信道位置与该至少一第三透明导电区位置相对,以便在该至少一第一透明导电区与该至少一第三透明导电区借由该至少一通道电性耦合；与进行一对位贴合程序以便在贴合该第一透明基材与该第二透明基材的该至少一发光二极管并形成一容置空间，其中，该至少一空间交点形成于该容置空间中，且该至少一通道对位于该至少一空间交点上。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的发光二极管显示结构的形成方法更包含一绝缘程序以填充一透明绝缘层在该容置空间中。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区以相邻间隔的方式交错排列，该至少一第三透明导电区与该至少一发光二极管数量一致。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的发光二极管显示结构的形成方法更包含一电性导通程序以填充一导电物在该通道中。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的发光二极管显示结构的形成方法更包含：分别形成该第一透明导电层与该第二透明导电层在该至少一透明基材的一第一表面与一第二表面上，其中，该第一表面与该第二表面为位置相对的两表面；分别对该第一透明导电层与该第二透明导电层进行光刻程序以转成特定图案并分别形成该至少一第一透明导电区在该至少一透明基材的该第一表面以及形成该至少一第二透明导电区与至少一第三透明导电区在该至少一透明基材的该第二表面上；进行一信道程序以依序贯通该至少一第一透明导电区、该至少一透明基材与该至少一第三透明导电区并形成至少一通道，以便在该至少一第一透明导电区与该至少一第三透明导电区借由该至少一通道电性耦合；与进行一植入程序以形成至少一发光二极管在该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区上的间隙的该至少一透明基材的该第二表面上，其中，该至少一发光二极管分别与该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区电性耦合。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区以相邻间隔的方式交错排列，该至少一第三透明导电区与该至少一发光二极管数量一致。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的发光二极管显示结构的形成方法更包含一电性导通程序以填充一导电物在该至少一通道中。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的植入程序与该信道程序的执行顺序可依需求变换。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的发光二极管显示结构的形成方法更包含：分别形成该第一透明导电层与该第二透明导电层在该至少一透明基材的一第一表面与一第二表面上，其中，该第一表面与该第二表面为位置相对的两表面；分别对该第一透明导电层与该第二透明导电层进行光刻程序以转成特定图案并分别形成至少一第一透明导电区在该至少一透明基材的该第一表面以及形成至少一第二透明导电区在该至少一透明基材的该第二表面上；进行一信道程序以依序导通该至少一第一透明导电区与该至少一透明基材并形成至少一通道在该至少一第二透明导电区旁的位置上；与进行一植入程序以形成至少一发光二极管在该至少一第二透明导电区上，并使该至少一发光二极管的一电极与该至少一第二透明导电区电性耦合，且使该至少一发光二极管的另一电极借由该至少一通道与该至少一第一透明导电区电性耦合。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的发光二极管显示结构的形成方法更包含一电性导通程序以填充一导电物在该至少一通道中。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的植入程序与该信道程序的执行顺序可依需求变换。

前述的发光二极管显示结构的形成方法，其中所述的信道程序进行前，可先进行一绝缘程序以形成至少一透明介电层在该至少一第二透明导电区之间的该透明基材的该第二表面上，其中，该至少一通道依序贯通该至少一第一透明导电区、该透明基材与该透明介电层。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知,本发明的主要技术内容如下：提供一种导电材料，该导电材料包含一聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物；一石墨结构；与一硅氧化物。其中上述的聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物占该导电材料的30％-70％，且该石墨结构占该导电材料的15％-35％，该硅氧化物占该导电材料的15％-35％，且聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物较佳范围为50％-60％，且该石墨结构的较佳范围为20％-25％，该硅氧化物的较佳范围为20％-25％，其中上述的石墨结构更包含一石墨烯。根据本发明上述的导电材料可用以形成一种可挠式透明导电膜，该可挠式透明导电膜的形成方法包含进行一涂布程序以涂布该导电材料在一可挠式透明基材表面上；与进行一固化程序以形成该可挠式透明导电膜在该可挠式透明基材的表面上。根据本发明上述的目的，本发明提供一种发光二极管显示结构，该发光二极管显示结构包含至少一透明基材；至少一第一透明导电区与至少一第二透明导电区，且该至少一第一透明导电区与该至少一第二透明导电区在空间方向上形成正交,并在空间中形成至少一空间交点；与至少一发光二极管，该至少一发光二极管的电极分别与该第一透明导电区以及该至少一第二透明导电区电性耦合，其中上述的至少一透明基材的材质更包含一聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。上述的至少一第一透明导电区与该至少一第二透明导电区由一导电材料形成，该导电材料更包含一PEDOT：PSS、一石墨结构与一硅氧化物，且PEDOT：PSS占该导电材料的30％-70％，该石墨结构占该导电材料的15％-35％，及该硅氧化物占该导电材料的15％-35％，上述的PEDOT：PSS的较佳范围为50％-60％，且该石墨结构的较佳范围为20％-25％，以及该硅氧化物的较佳范围为20％-25％，上述的石墨结构更包含一石墨烯。根据上述的发光二极管显示结构，更包含至少一透明基材具有一第一透明基材与一第二透明基材；与一容置空间位于该第一透明基材的一第一表面与该第二透明基材的一第二表面之间，且该至少一第一透明导电区与该至少一第二透明导电区分别位于该容置空间中相互面对的该第一透明基材的该第一表面与该第二透明基材的该第二表面上，其中，该空间交点位于该容置空间中，且该至少一发光二极管位于该空间交点位置上，上述的容置空间更包含一透明绝缘层填充于其中。

该发光二极管显示结构更包含该至少一透明基材具有一第一透明基材与一第二透明基材，且该至少一第一透明导电区位于该第一透明基材的一第一表面上，其中，该第一表面与该第一透明基材的一第三表面位置相对；一容置空间形成于该第二透明基材的一第二表面与该第一透明基材的该第三表面之间，其中，该空间交点位于该容置空间中；至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区同位于该容置空间中的该第二透明基材的该第二表面上；该至少一发光二极管位于该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区的间隙的该第二透明基材的该第二表面上，其中，该至少一发光二极管(LED)的两电极分别与该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区电性耦合；与至少一信道，该至少一信道依序贯通该至少一第一透明导电区与该第一透明基材并与该至少一第三透明导电区位置相对，以便在该至少一第一透明导电区与该至少一第三透明导电区借由该至少一通道电性耦合，上述的至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区以相邻间隔的方式交错排列，且该至少一第三透明导电区与该至少一发光二极管数量一致，其中上述的容置空间更包含一透明绝缘层，且该至少一通道亦贯通该透明绝缘层,其中上述的通道中更包含一导电填充物。该发光二极管显示结构更包含该至少一第一透明导电区位于该至少一透明基材的一第一表面上，其中，该第一表面与该至少一透明基材的一第二表面位置相对；至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区同位于该至少一透明基材的该第二表面上；该至少一发光二极管位于该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区的间隙的该至少一透明基材的该第二表面上，其中，该至少一发光二极管的两电极分别与该至少一第三透明导电区以及该至少一第二透明导电区电性耦合；与至少一信道，该至少一信道依序贯通该至少一第一透明导电区、该透明基材与该至少一第三透明导电区，以便在该至少一第一透明导电区与该至少一第三透明导电区借由该至少一通道电性耦合，上述的至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区以相邻间隔的方式交错排列，且该至少一第三透明导电区与该至少一发光二极管数量一致，其中上述的通道中更包含一导电填充物。该发光二极管显示结构更包含该至少一第一透明导电区位于该至少一透明基材的一第一表面上，且该至少一第二透明导电区位于该至少一透明基材的一第二表面上，其中，该第一表面与该第二表面位置相对；该至少一发光二极管位于该至少一第二透明导电区上，且该至少一发光二极管的一电极与该至少一第二透明导电区电性耦合；与至少一信道，该至少一信道依序贯通该至少一第一透明导电区与该透明基材，且位于该至少一第二透明导电区位置旁，以便在该至少一发光二极管的另一电极借由该至少一通道与该至少一第一透明导电区电性耦合，其中上述的第二表面上位于该至少一信道的位置上具有至少一透明绝缘层，且该至少一通道亦贯通该至少一透明绝缘层。

根据本发明上述的目的，本发明提供一种发光二极管显示结构的形成方法，该发光二极管显示结构的形成方法包含于至少一透明基材的特定表面上形成一第一透明导电层与一第二透明导电层；分别对该第一透明导电层与该第二透明导电层分别进行一光刻程序以转成特定图案并分别形成至少一第一透明导电区与至少一第二透明导电区，并在空间方向上正交至少一第一透明导电区与至少一第二透明导电区以便于空间中形成至少一空间交点；与形成至少一发光二极管，并使至少一发光二极管分别与至少一第一透明导电区与至少一第二透明导电区电性耦合，上述的第一透明基材与第二透明基材的材质更包含一聚对苯二甲酸乙二酯，上述的第一透明导电层与第二透明导电层由一导电材料所形成，导电材料更包含一聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物、一石墨结构与一硅氧化物，上述的聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物占该导电材料的30％-70％，且石墨结构占导电材料的15％-35％，硅氧化物占导电材料的15％-35％，聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物较佳范围为50％-60％，且石墨结构的较佳范围为20％-25％，硅氧化物的较佳范围为20％-25％，上述的石墨结构更包含一石墨烯。该发光二极管显示结构的形成方法更包含该至少一透明基材具有一第一透明基材与一第二透明基材；分别形成一第一透明导电层与一第二透明导电层在该第一透明基材与该第二透明基材的表面上；分别对该第一透明导电层与该第二透明导电层进行光刻程序以转成特定图案并分别形成该至少一第一透明导电区与该至少一第二透明导电区在该第一透明基材与该第二透明基材上；进行一植入程序以形成该至少一发光二极管在该第一透明基材的该至少一第一透明导电区上；与进行一对位贴合程序以贴合该第一透明基材与该第二透明基材并形成一容置空间在其中，并使该至少一空间交点位于该容置空间中，以便在该至少一发光二极管对位于该空间交点上。此形成方法更包含一绝缘程序以填充一透明绝缘层在该容置空间中，与一定位步骤以便在该至少一第二透明导电区位于该至少一发光二极管的相对位置上形成至少一凹孔以容置该至少一发光二极管。该发光二极管显示结构的形成方法更包含该至少一透明基材具有一第一透明基材与一第二透明基材；分别形成一第一透明导电层与一第二透明导电层在该第一透明基材与该第二透明基材的表面上；分别对该第一透明导电层与该第二透明导电层进行光刻程序以转成特定图案并分别形成该至少一第一透明导电区在该第一透明基材上以及形成该至少一第二透明导电区与至少一第三透明导电区在该第二透明基材上；进行一植入程序以形成该至少一发光二极管在该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区上的间隙的该第二透明基材的表面上，其中，该至少一发光二极管的两电极分别与该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区电性耦合；进行一信道程序以依序贯通该至少一第一透明导电区与该第一透明基材并形成至少一通道，且该至少一信道位置与该至少一第三透明导电区位置相对，以便在该至少一第一透明导电区与该至少一第三透明导电区借由该至少一通道电性耦合；与进行一对位贴合程序以便在贴合该第一透明基材与该第二透明基材的该至少一发光二极管并形成一容置空间，其中，该至少一空间交点形成于该容置空间中，且该至少一通道对位于该至少一空间交点上。该发光二极管显示结构的形成方法更包含一绝缘程序以填充一透明绝缘层在该容置空间中，其中上述的至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区以相邻间隔的方式交错排列，且该至少一第三透明导电区与该至少一发光二极管数量一致，此形成方法更包含一电性导通程序以填充一导电物在该通道中。更包含分别形成第一透明导电层与第二透明导电层在至少一透明基材的一第一表面与一第二表面上，其中，第一表面与第二表面为位置相对的两表面；分别对第一透明导电层与第二透明导电层进行光刻程序以转成特定图案并分别形成该至少一第一透明导电区在该至少一透明基材的该第一表面以及形成该至少一第二透明导电区与至少一第三透明导电区在该至少一透明基材的该第二表面上；进行一信道程序以依序贯通该至少一第一透明导电区、该至少一透明基材与该至少一第三透明导电区并形成至少一通道，以便在该至少一第一透明导电区与该至少一第三透明导电区借由该至少一通道电性耦合；与进行一植入程序以形成至少一发光二极管在该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区上的间隙的该至少一透明基材的该第二表面上，其中，该至少一发光二极管分别与该至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区电性耦合。上述的至少一第三透明导电区与该至少一第二透明导电区以相邻间隔的方式交错排列，且该至少一第三透明导电区与该至少一发光二极管数量一致。该发光二极管显示结构的形成方法更包含一电性导通程序以填充一导电物在该至少一通道中。上述的植入程序与该信道程序的执行顺序可依需求变换。该发光二极管显示结构的形成方法更包含分别形成该第一透明导电层与该第二透明导电层在该至少一透明基材的一第一表面与一第二表面上，其中，该第一表面与该第二表面为位置相对的两表面；分别对该第一透明导电层与该第二透明导电层进行光刻程序以转成特定图案并分别形成至少一第一透明导电区在该至少一透明基材的该第一表面以及形成至少一第二透明导电区在该至少一透明基材的该第二表面上；进行一信道程序以依序导通该至少一第一透明导电区与该至少一透明基材并形成至少一通道在该至少一第二透明导电区旁的位置上；与进行一植入程序以形成至少一发光二极管在该至少一第二透明导电区上，并使该至少一发光二极管的一电极与该至少一第二透明导电区电性耦合，且使该至少一发光二极管的另一电极借由该至少一通道与该至少一第一透明导电区电性耦合。此形成方法更包含一电性导通程序以填充一导电物在该至少一通道中。其中上述的植入程序与该信道程序的执行顺序可依需求变换，上述的信道程序进行前，可先进行一绝缘程序以形成至少一透明介电层在该至少一第二透明导电区之间的该透明基材的该第二表面上，其中，该至少一通道依序贯通该至少一第一透明导电区、该透明基材与该透明介电层。

借由上述技术方案，本发明可挠式透明导电膜及其形成发光二极管的可挠式透明显示结构与方法至少具有下列优点及有益效果：

提供一种聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物(PEDOT：PSS)/石墨结构/硅氧化物的导电材料以形成可挠式透明导电膜,其中,上述的石墨结构用以降低导电阻值、稳定阻抗、增加环境稳定度(如抗温、抗湿)，且硅氧化物用以增加导电材料的附着力以避免因挠曲或摩擦所造成的导电膜表面材料的破坏而使得电阻飘移。因此，借由本发明的导电材料所形成的可挠式透明导电膜，不但可挠曲、透明度更为清晰、导电度高、阻值低而稳定，其更具有耐磨损、高附着力的机械特性。

借由导电材料形成透明导电层，并借此形成发光二极管的可挠式透明显示结构，其具备可挠、高透明、抗磨损、高传导、阻值稳定等特质，故其可广泛地应用于发光二极管的商业与工业中以达成产业亟需发展的重要目标。

本发明所研发的导电材料所形成的发光二极管显示结构即具备可挠、透明等特质,其可广泛地应用在发光二极管的商业与工业中，例如，智能型显示窗即为一例，当需要广告显示时，本发明的发光二极管显示结构即可以最小空间遂行广告显示效果，当关闭时，则为透明窗口。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。

附图说明

图1所示为根据本发明的第一实施例形成一种可挠式透明导电膜及其方法；

图2A至图2C所示为根据本发明的第二实施例形成一种发光二极管显示结构及其方法；

图3A至图3C所示为根据本发明的第三实施例形成一种发光二极管显示结构及其方法；

图4A至图4C所示为根据本发明的第四实施例形成一种发光二极管显示结构及其方法；与

图5A至图5C所示为根据本发明的第五实施例形成一种发光二极管显示结构及其方法。

100：可挠式透明导电膜

200、300、400、500：发光二极管显示结构

105、215、315、415、515：导电材料

110、210、310：涂布程序

410A、510A：第一涂布程序

410B、510B：第二涂布程序

115、405、505：透明基材

405A、505A：第一表面

405B、505B：第二表面

120、220、320：固化程序

420A、520A：第一固化程序

420B、520B：第二固化程序

205A、305A：第一透明基材

205B、305B：第二透明基材

225A、325A、425A、525A：第一透明导电层

225B、325B、425B、525B：第二透明导电层

230、330、430、530：光刻程序

235A、335A、435A、535A：第一透明导电区

235B、335B、435B、535B：第二透明导电区

335C、435C：第三透明导电区

240、340、460、560：植入程序

245、345、465、565：发光二极管

250、350、550：绝缘程序

255、355、555：透明绝缘层

260、370：对位贴合程序

270、390、470、580：保护程序

275、395、475、585：透明保护层

360、440、540：信道程序

365、445、545：通道

380、450、570：电性导通程序

385、455、575：导电物

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的可挠式透明导电膜及其形成发光二极管的可挠式透明显示结构与方法其具体实施方式、结构、方法、步骤、特征及其功效，详细说明如后。

本发明在此所探讨的方向为发光二极管显示结构，为了能彻底地了解本发明，将在下列的描述中提出详尽的结构及其元件与方法步骤。显然地，本发明的施行并未限定在发光二极管的技艺者所熟习的特殊细节。另一方面，众所周知的结构及其元件并未描述在细节中，以避免造成本发明不必要的限制。此外，为提供更清楚的描述及使熟悉该项技艺者能理解本发明的发明内容，图示内各部分并没有依照其相对的尺寸而绘图，某些尺寸与其它相关尺度的比例会被突显而显得夸张，且不相关的细节部分亦未完全绘出，以求图示的简洁。本发明的较佳实施例会详细描述如下，然而除了这些详细描述的外，本发明还可以广泛地施行在其它的实施例中，且本发明范围不受限定，其以的后的专利范围为准。

根据本发明的一第一实施例，参阅图1所示，本发明提供一种可挠式透明导电膜100与形成方法，首先，提供一导电材料105，导电材料105包含一PEDOT：PSS、一石墨结构与一硅氧化物，上述的PEDOT：PSS即为聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物，其占导电材料105的30％-70％，其较佳范围为50％-60％；且上述的石墨结构更包含一石墨烯(Graphene)，石墨结构占导电材料105的15％-35％，较佳范围为20％-25％；而上述的硅氧化物占导电材料105的15％-35％，其较佳范围为20％-25％。接着，进行一涂布程序110以涂布导电材料105在一可挠式透明基材115表面，基材115更包含一对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephtha l ate；PET)。然后，进行一固化程序120以形成可挠式透明导电膜100在基材表面。

根据本发明的一第二实施例，参阅图2A图与图2B所示，本发明提供一种发光二极管显示结构200及其形成方法，首先提供一第一透明基材205A与一第二透明基材205B，第一透明基材205A与第二透明基材205B的材质更包含一聚对苯二甲酸乙二酯。然后，分别进行一涂布程序210以便在分别涂布一导电材料215在第一透明基材205A与第二透明基材205B的表面上，其中,导电材料215包含一PEDOT：PSS、一石墨结构与一硅氧化物。上述的PEDOT：PSS即为聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物，其占导电材料215的30％-70％，其较佳范围为50％-60％；且上述的石墨结构更包含一石墨烯，石墨结构占导电材料215的15％-35％，较佳范围为20％-25％；而上述的硅氧化物占导电材料215的15％-35％，其较佳范围为20％-25％。

接着，分别对第一透明基材205A与第二透明基材205B涂布的导电材料215进行一固化程序220，以分别形成一第一透明导电层225A与一第二透明导电层225B在第一透明基材205A与第二透明基材205B的表面上，其中，固化程序220更包含一烘烤步骤。之后，第一透明导电层225A与第二透明导电层225B分别进行一光刻程序230以便于将第一透明导电层225A与第二透明导电层225B转成特定图案并分别形成至少一第一透明导电区235A与至少一第二透明导电区235B在第一透明基材205A与第二透明基材205B上，其中，光刻工艺230更包含一刻蚀步骤。

然后，进行一植入程序240以形成至少一发光二极管245在第一透明基材205A的至少一第一透明导电区235A上。之后，进行一绝缘程序250以形成一透明绝缘层255在第二透明基材205B的至少一第二透明导电区235B上，其中，绝缘程序250更包含一定位步骤以便在至少一发光二极管245的相对位置上形成孔洞以容置至少一发光二极管245，且上述的透明绝缘层255为一光学绝缘胶(OCA)。

其后，进行一对位贴合程序260以便在贴合第一透明基材205A的至少一发光二极管(LED)245与第二透明基材205B的透明绝缘层255，其中，至少一第一透明导电区235A与至少一第二透明导电区235B在空间方向上形成正交，并在空间中形成至少一空间交点，至少一发光二极管(LED)245位于空间交点上，且至少一发光二极管(LED)245的两电极分别与至少一第一透明导电区235A与至少一第二透明导电区235B电性耦合，借此形成发光二极管显示结构200，如图2C所示。最后，进行一保护程序270以形成一透明保护层275在发光二极管显示结构200的整体表面上，其中，透明保护层275的材质更包含PU。

根据本发明的一第三实施例，参阅图3A与图3B所示，本发明提供一种发光二极管显示结构300及其形成方法，首先提供一第一透明基材305A与一第二透明基材305B，其中，第一透明基材305A与第二透明基材305B的材质更包含一聚对苯二甲酸乙二酯。然后，分别进行一涂布程序310以便在分别涂布一导电材料315在第一透明基材305A与第二透明基材305B的一表面上，其中，导电材料315包含一PEDOT：PSS、一石墨结构与一硅氧化物。上述的PEDOT：PSS即为聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物，其占导电材料315的30％-70％，其较佳范围为50％-60％；且上述的石墨结构更包含一石墨烯，石墨结构占导电材料315的15％-35％，较佳范围为20％-25％；而上述的硅氧化物占导电材料315的15％-35％，其较佳范围为20％-25％。

接着，分别对第一透明基材305A与第二透明基材305B涂布的导电材料315进行一固化程序320，以分别形成一第一透明导电层325A与一第二透明导电层325B在第一透明基材305A与第二透明基材305B的表面上，其中，固化程序320更包含一烘烤步骤。之后，第一透明导电层325A与第二透明导电层325B分别进行一光刻程序330以便在将第一透明导电层325A与第二透明导电层325B转成特定图案并分别形成至少一第一透明导电区335A在第一透明基材305A，与形成至少一第二透明导电区335B与至少一第三透明导电区335C在第二透明基材305B上，其中，光刻工艺330更包含一刻蚀步骤，且上述的至少一第三透明导电区335C与至少一第二透明导电区335B以相邻间隔的方式交错排列，如图2C所示。

然后，进行一植入程序340以形成至少一发光二极管345在至少一第三透明导电区335C与至少一第二透明导电区335B上间隙的第二透明基材305B的表面上，其中，至少一发光二极管345的两电极分别与至少一第三透明导电区335C与至少一第二透明导电区335B电性耦合。之后，进行一绝缘程序350以形成一透明绝缘层355在第一透明基材305A的另一表面上，其中，透明绝缘层355为一光学绝缘胶。其次，进行一信道程序360以依序贯通至少一第一透明导电区335A、第一透明基材305A与透明绝缘层355并形成一信道365，其中，信道365的位置需与至少一第三透明导电区335C位置相对。

之后，进行一对位贴合程序370以便在贴合第一透明基材305A的透明绝缘层355与第二透明基材305B的至少一发光二极管345，其中，第一透明导电区335A与第二透明导电区335B在空间方向上形成正交，且第一透明导电区335A与第三透明导电区335C在空间中形成至少一空间交点，该信道365的位置位于该至少一空间交点上。接着，进行一电性导通程序380以导通第一透明导电区335A与第三透明导电区335C，其中，电性导通程序380更包含一填充步骤以填充导电物385在通道365中，且导电物可为银胶。最后，进行一保护程序390以形成一透明保护层395在整体表面上，并借此形成发光二极管显示结构300，其中，透明保护层395的材质更包含PU。

根据本发明的一第四实施例，参阅图4A与图4B所示，本发明提供一种发光二极管显示结构400及其形成方法，首先提供一透明基材405，其中，透明基材405的材质更包含一聚对苯二甲酸乙二酯。然后，对透明基材405的一第一表面405A进行一第一涂布程序410A以便在涂布一导电材料415在透明基材405的第一表面405A上。接着，对透明基材405的第一表面405A上的导电材料415进行一第一固化程序420A，以形成一第一透明导电层425A在透明基材405的第一表面405A上。随后，进行一第二涂布程序410B以便在涂布导电材料415在透明基材405的一第二表面405B上，其中,第一表面405A与第二表面405B为位置相对的两表面。接着，对透明基材405的一第二表面405B上的导电材料415进行一第二固化程序420B，以形成一第二透明导电层425B在透明基材405的第二表面405B上，其中，第一固化程序420A与第二固化程序420B更包含一烘烤步骤。

上述的导电材料415包含一PEDOT：PSS、一石墨结构与一硅氧化物，上述的PEDOT：PSS即为聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物，其占导电材料415的30％-70％，其较佳范围为50％-60％；且上述的石墨结构更包含一石墨烯，石墨结构占导电材料415的15％-35％，较佳范围为20％-25％；而上述的硅氧化物占导电材料415的15％-35％，其较佳范围为20％-25％。

之后，对第一透明导电层425A与第二透明导电层425B分别进行一光刻程序430以便在分别将第一透明导电层425A与第二透明导电层425B转成特定图案，并形成至少一第一透明导电区435A在透明基材405的第一表面405A上以及至少一第二透明导电区435B与至少一第三透明导电区435C在透明基材405的第二表面405B上，其中，光刻工艺430更包含一刻蚀步骤，且上述的至少一第三透明导电区435C与至少一第二透明导电区435B以相邻间隔的方式交错排列，而第一透明导电区435A与第二透明导电区435B在空间方向上形成正交，且第一透明导电区435A与第三透明导电区435C在空间中形成至少一空间交点，如图4C所示。

然后,进行一信道程序440以依序贯通至少一第一透明导电区435A、透明基材405与至少一第三透明导电区435C并形成一通道445在至少一空间交点的位置上，接着，进行一电性导通程序450以导通至少一第一透明导电区435A与至少一第三透明导电区435C，其中，电性导通程序450更包含一填充步骤以填充导电物455在通道445中，且导电物可为银胶。

其次，进行一植入程序460以形成至少一发光二极管465在至少一第三透明导电区435C与至少一第二透明导电区435B上间隙的透明基材405B的第二表面405B上，其中，至少一发光二极管465的两电极分别与至少一第三透明导电区435C与至少一第二透明导电区435B电性耦合，其中，植入程序460与信道程序440的执行程序可依需求变换。最后，进行一保护程序470以形成一透明保护层475在整体表面上，并借此形成发光二极管显示结构400，其中，透明保护层475的材质更包含PU。

根据本发明的一第五实施例，参阅图5A与图5B所示，本发明提供一种发光二极管显示结构500及其形成方法，首先提供一透明基材505，其中，透明基材505的材质更包含一聚对苯二甲酸乙二酯。然后，对透明基材505的一第一表面505A进行一第一涂布程序510A以便在涂布一导电材料515在透明基材505的第一表面505A上。接着，对透明基材505的第一表面505A上的导电材料515进行一第一固化程序520A，以形成一第一透明导电层525A在透明基材505的第一表面505A上。随后，进行一第二涂布程序510B以便在涂布导电材料515在透明基材505的一第二表面505B上，其中,第一表面505A与第二表面505B为位置相对的两表面。接着，对透明基材505的一第二表面505B上的导电材料515进行一第二固化程序520B，以形成一第二透明导电层525B在透明基材505的第二表面505B上，其中，第一固化程序520A与第二固化程序520B更包含一烘烤步骤。

上述的导电材料515包含一PEDOT：PSS、一石墨结构与一硅氧化物，上述的PEDOT：PSS即为聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物，其占导电材料515的30％-70％，其较佳范围为50％-60％；且上述的石墨结构更包含一石墨烯，石墨结构占导电材料515的15％-35％，较佳范围为20％-25％；而上述的硅氧化物占导电材料515的15％-35％，其较佳范围为20％-25％。

之后，对第一透明导电层525A与第二透明导电层525B分别进行一光刻程序530以便在分别将第一透明导电层525A与第二透明导电层525B转成特定图案，并形成至少一第一透明导电区535A在透明基材505的第一表面505A上与至少一第二透明导电区535B在透明基材505的第二表面505B上，其中，光刻工艺530更包含一刻蚀步骤，且第一透明导电区535A与第二透明导电区535B在空间方向上形成正交，并在空间中形成至少一空间交点，如图5C所示。

进行一信道程序540以依序贯通至少一第一透明导电区535A、透明基材505并形成至少一通道545在该至少一第二透明导电区535B旁的位置上。此外，依工艺需求，进行信道程序540可前先进行一绝缘程序550以形成至少一透明绝缘层555在至少一第二透明导电区535B之间的透明基材505的第二表面505B上，且透明绝缘层555的材质可为光学绝缘胶(OCA)。若发光二极管显示结构500具有至少一透明介电层555，则信道程序540依序贯通至少一第一透明导电区535A、透明基材505与透明介电层555并形成通道545。其次，进行一植入程序560以形成至少一发光二极管565在至少一第二透明导电区535B上，其中，植入程序560与信道程序540的执行程序可依需求变换。

接着，进行一电性导通程序570以导通至少一第一透明导电区535A与至少一发光二极管565的一电极，其中，电性导通程序570更包含一填充步骤以填充导电物575在通道545中，且导电物可视工艺选取，若具有透明介电层555则可选取银胶，若不具有透明介电层555则可选取刚性导体，如铜导线、导针等。借此，至少一发光二极管565的两电极分别与至少一第二透明导电区435B与至少一通道545的导电物575电性呕合，如图5C所示。最后，进行一保护程序580以形成一透明保护层585在整体表面上，并借此形成发光二极管显示结构500，其中，透明保护层585的材质更包含PU。

根据本发明上述的实施例,第一导电区与第二导电区具有线性结构，其彼此在空间方向上相交成直角，且因此形成了可独立驱动的矩形LED的矩阵架构。该等直角LED架构构成了显示器的像素或像元。若将第一导电区与第二导电区的电极连接至电源，则发光像素在该等电极的交叉处或其旁的位置形成，以此方式即可以简单方式来形成显示器并加以控制显示的变化，本案所描述的像素结构并不局限在一特殊形状。基本上，所有像素形状皆可能，因而导致产生一分割显示器(例如)以展示图符或简单图形。此外，根据发明的应用，除了被动式矩阵结构外，亦可使用主动式矩阵结构。

再者，由于传统使用的PEDOT：PSS原料具有对在环境稳定度不佳、阻值飘移、透明度不足、易磨损、附着性差等等缺憾，因此，本发明所研发的导电材料能达成透明度高、耐磨损、低而稳定的阻值的特别功效，尤其以本发明所研发的导电材料所形成的透明导电层更是具有挠曲度高的优异特性。故以本发明所研发的导电材料所形成的发光二极管显示结构即具备可挠、透明等特质，其可广泛地应用在发光二极管的商业与工业中，例如，智能型显示窗即为一例，当需要广告显示时，本发明的发光二极管显示结构即可以最小空间遂行广告显示效果，当关闭时，则为透明窗口。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的方法及技术内容作出些许的更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属在本发明技术方案的范围内。

Claims (7)

1.一种导电材料，其特征在于该导电材料包含：

一聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物；

一石墨结构；与

一硅氧化物。

2.如权利要求1所述的导电材料，其特征在于其中所述的聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物占该导电材料的30％-70％，且该石墨结构占该导电材料的15％-35％，该硅氧化物占该导电材料的15％-35％。

3.如权利要求2所述的导电材料，其特征在于其中所述的聚3,4-乙二氧基噻吩与聚苯乙烯磺酸混合物范围为50％-60％，且该石墨结构的范围为20％-25％，该硅氧化物的范围为20％-25％。

4.如权利要求1所述的导电材料，其特征在于其中所述的石墨结构更包含一石墨烯。

5.如权利要求1所述的导电材料，其特征在于其中所述的导电材料可用以形成一种可挠式透明导电膜。

6.如权利要求5所述的导电材料，其特征在于其中所述的可挠式透明导电膜的形成方法包含：

进行一涂布程序以涂布该导电材料在一可挠式透明基材表面上；与

进行一固化程序以形成该可挠式透明导电膜在该可挠式透明基材的表面上。

7.如权利要求5所述的导电材料，其特征在于其中所述的可挠式透明导电膜形成发光二极管的可挠式透明显示结构。