CN104962919B - 一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法 - Google Patents
一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104962919B CN104962919B CN201510472684.XA CN201510472684A CN104962919B CN 104962919 B CN104962919 B CN 104962919B CN 201510472684 A CN201510472684 A CN 201510472684A CN 104962919 B CN104962919 B CN 104962919B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silver wire
- etching liquid
- nano silver
- etching
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 66
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 61
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims abstract description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical group [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N butane-1,1-diol Chemical compound CCCC(O)O CDQSJQSWAWPGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- -1 diphenylamine sulfonic acid sodium salt Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 claims description 2
- RQAKESSLMFZVMC-UHFFFAOYSA-N n-ethenylacetamide Chemical class CC(=O)NC=C RQAKESSLMFZVMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZQXSMRAEXCEDJD-UHFFFAOYSA-N n-ethenylformamide Chemical class C=CNC=O ZQXSMRAEXCEDJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N pentane-1,1-diol Chemical compound CCCCC(O)O UWJJYHHHVWZFEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000136 polysorbate Polymers 0.000 claims description 2
- ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N propane-1,1-diol Chemical class CCC(O)O ULWHHBHJGPPBCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 abstract 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- UXAMZEYKWGPDBI-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCCCCCCCC)Br(C)(C)C Chemical class C(CCCCCCCCCCCCCCC)Br(C)(C)C UXAMZEYKWGPDBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001447 ferric ion Inorganic materials 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 2
- 241000370738 Chlorion Species 0.000 description 1
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229910001448 ferrous ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明公开了一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法，该刻蚀液包括硝酸1～30份、氨水1～30份、去离子水60～95份、保护剂0.1～5份，表面活性剂0.001～2份。采用根据本发明制备的刻蚀液可以有效的降低纳米银线的直径，利用刻蚀液在银线表面反应的各向同性从而得到粒径较短的纳米银线。
Description
技术领域
本发明涉及一种刻蚀液，特别是涉及到一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法。
背景技术
目前，银纳米线因为其独特的光、电物理性能，而被用在各种传感器上，比如被广泛应用于许多测量仪器和湿度控制系统的湿度传感器。且银纳米线具有优异的导电性能、较强的吸附能力、良好的生物相容性等其他材料无法比拟的特殊性质，而被用来制备透明导电薄膜，替代传统的氧化铟锡(ITO)透明电极材料。
在制备含有银纳米线的透明导电薄膜时要求薄膜的透过率大于90％，雾度小于1％，而影响透过率和雾度的关键因素就在于导电薄膜中银纳米线的长径比。银纳米线的直径在20～40nm之间时才会有效的改善透过率和雾度。
目前银纳米线长径比主要通过改变反应条件和参数调节，其直径普遍在100nm以上，且银纳米线的直径控制在40nm以下仅通过反应参数控制调节将会非常困难。
发明内容
本发明是为避免上述现有技术的不足之处，提供一种减小银纳米线的直径，提高其长径比的方法。
本发明解决技术问题，采用如下技术方案：
本发明银纳米线的刻蚀液，其特点在于：所述刻蚀液的PH值为1～5之间，所述刻蚀液包含以下质量份的各原料：
其中所用硝酸的质量分数为65％，所用氨水的质量分数为25％～28％。
优选的，构成所述刻蚀液的原料还包括无机盐0.1～5份。所述无机盐优选为氯化铁。
优选的，所述保护剂为N-乙烯基酰胺类聚合物、乙二醇、丙二醇、丙三醇、戊二醇或丁二醇中的至少一种。
优选的，所述N-乙烯基酰胺类聚合物为N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯基乙酰胺或聚维酮。
优选的，所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、四丁基氯化铵、二苯胺磺酸钠或吐温3。
本发明银纳米线的刻蚀方法是：将银纳米线浸泡在上述刻蚀液中，以25～80℃的温度刻蚀至直径或长径比满足所需。
本发明刻蚀液的反应机理为：利用硝酸和氨水配置一定pH值的缓冲溶液，同时将刻蚀液中加入银线保护剂和表面活性剂。在缓冲溶液对银线进行各向同性的化学反应时，因为其含有的银线保护剂和表面活性剂同时保护银纳米线，降低反应速度，利用缓冲溶液对银纳米线的各项同性的同步刻蚀速度达到细化银纳米线直径的作用。
本发明的有益效果体现在：
1、本发明提供了一种关于银纳米线表面改性的方法，相比较于传统的单纯通过制备方法的改变提高银纳米线的性质，本方法提供了一个新的角度去改善银纳米线的表面形状。
2、本发明操作简单，且使用的溶剂均为无污染环保型材料。
附图说明
图1为本发明实施例1中银纳米线刻蚀前后的扫描电子显微镜图的，其中a为刻蚀前的长度图，b为刻蚀前的直径图，c为刻蚀后的长度图，d为刻蚀后的直径图；
图2为本发明实施例2中银纳米线刻蚀后的扫描电子显微镜图的直径图。
图3为本发明实施例3中银纳米线刻蚀后的扫描电子显微镜图的直径图。
图4为本发明实施例4中银纳米线刻蚀后的扫描电子显微镜图的直径图。
具体实施方式
下面将给出实施例和附图来对本发明的技术方案做清晰的阐述说明。
实施例1
本实施例银纳米线的刻蚀液按如下步骤配制：先取40mL去离子水、5mL质量分数为65％的浓硝酸和2mL质量分数为25％～28％的氨水混合摇匀，测得其pH值为1，再向其中加入0.5g的保护剂聚乙烯吡咯烷酮并使其溶解，最后加入50mg表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵，即获得刻蚀液。
使用时，将银纳米线浸泡在刻蚀液中，以40℃的温度刻蚀6小时，然后离心分离，观察其刻蚀前后形貌变化。
图1为本实施例中银纳米线刻蚀前后的扫描电子显微镜图对比，其中a为刻蚀前的长度图，b为刻蚀前的直径图，c为刻蚀后的长度图，d为刻蚀后的直径图；
可以看出所用银纳米线在刻蚀前的长度和直径主要集中在30-34μm、90-105nm；而在刻蚀后的长度和直径主要集中在20-27μm、36-52nm。经过刻蚀，银纳米线的长度基本没有变化，而直径有非常明显的变小。因此可知，本实施例的刻蚀液可以有效的减小银纳米线的直径，提高其长径比。
实施例2
本实施例银纳米线的刻蚀液按如下步骤配制：先取60ml去离子水、5ml质量分数为65％的浓硝酸和4ml质量分数为25％～28％的氨水混合摇匀，测得其pH值为1，再向其中加入0.5g的保护剂聚乙烯吡咯烷酮并使其溶解，最后加入80mg表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵，即获得刻蚀液。
将与实施例1相同的银纳米线浸泡在刻蚀液中，以40℃的温度刻蚀6小时，然后离心分离，观察其刻蚀前后形貌变化。
图2为本实施例银纳米线在刻蚀后的SEM图，可以看出其直径主要集中在60-80nm，长度基本没有变化；因此可知，本实施例的刻蚀液可以有效的减小银纳米线的直径，提高其长径比。
实施例3
本实施例按施例1相同的条件配制刻蚀液，区别仅在于：在加入表面活性剂后，再加入0.5g氯化铁。
将与实施例1相同的银纳米线浸泡在本实施例配制的刻蚀液中，以40℃的温度刻蚀3小时，然后离心分离，观察其刻蚀前后形貌变化。图3为本实施例银纳米线在刻蚀后的SEM图，可以看出其直径主要集中在50-60nm。
氯化铁中的三价铁离子在银纳米线表面的氧化腐蚀，使得银纳米线的直径变的更细，同时三价铁离子被还原所形成的二价铁离子能够与吸附在银纳米线结构表面的氧反应，保护银纳米线不被腐蚀。银纳米线被硝酸氧化生成硝酸银，在银纳米线的表面形成较低的过饱和度银离子，氯化铁中的氯离子可以和银纳米线表面的饱和度银离子反应降低银离子的含量，有利于刻蚀的进行。
实施例4
为对比刻蚀液的pH值对刻蚀效果的影响，作如下测试：
按实施例1相同的条件配制刻蚀液，区别仅在于所用氨水的量为(6.5ml、8ml，所得刻蚀液的pH分别为4、9。
分别将与实施例1相同的银纳米线浸泡在两种刻蚀液中，以40℃的温度刻蚀6小时，然后离心分离，观察其刻蚀前后形貌变化。
图4为本实施例银纳米线在pH＝4的刻蚀液中刻蚀后的SEM图，可以看出其直径主要集中在70nm左右，由此可知调节pH值可以改变直径的大小。
而本实施例银纳米线在pH＝9的刻蚀液中刻蚀后，其直径基本没有变化，证明碱性条件的刻蚀液不能实现银纳米线的刻蚀。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (5)
1.一种银纳米线的刻蚀液，其特征在于：所述刻蚀液的PH值为1～5之间，所述刻蚀液包含以下质量份的各原料：
其中所用硝酸的质量分数为65％，所用氨水的质量分数为25％～28％；
所述保护剂为N-乙烯基酰胺类聚合物、乙二醇、丙二醇、丙三醇、戊二醇或丁二醇中的至少一种；
所述表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵、四丁基氯化铵、二苯胺磺酸钠或吐温3。
2.根据权利要求1所述的银纳米线的刻蚀液，其特征在于：构成所述刻蚀液的原料还包括无机盐0.1～5份。
3.根据权利要求2所述的银纳米线的刻蚀液，其特征在于：所述无机盐为氯化铁。
4.根据权利要求1所述的银纳米线的刻蚀液，其特征在于：所述N-乙烯基酰胺类聚合物为N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯基乙酰胺或聚维酮。
5.一种银纳米线的刻蚀方法，其特征在于：将银纳米线浸泡在权利要求1～4任意一项所述的刻蚀液中，以25～80℃的温度刻蚀至直径或长径比满足所需。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510472684.XA CN104962919B (zh) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510472684.XA CN104962919B (zh) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104962919A CN104962919A (zh) | 2015-10-07 |
| CN104962919B true CN104962919B (zh) | 2017-09-22 |
Family
ID=54216999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510472684.XA Active CN104962919B (zh) | 2015-07-31 | 2015-07-31 | 一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104962919B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108048842A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-05-18 | 天津宝兴威科技股份有限公司 | 一种银纳米线导电膜的刻蚀液及其使用方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1502722A (zh) * | 2002-11-26 | 2004-06-09 | 关东化学株式会社 | 以银为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物 |
| CN103907216A (zh) * | 2011-10-27 | 2014-07-02 | 默克专利股份有限公司 | 对包含银纳米线的基质的选择性蚀刻 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010242124A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
-
2015
- 2015-07-31 CN CN201510472684.XA patent/CN104962919B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1502722A (zh) * | 2002-11-26 | 2004-06-09 | 关东化学株式会社 | 以银为主成分的金属薄膜的蚀刻液组合物 |
| CN103907216A (zh) * | 2011-10-27 | 2014-07-02 | 默克专利股份有限公司 | 对包含银纳米线的基质的选择性蚀刻 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104962919A (zh) | 2015-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Amiri et al. | Porous nitrogen-doped MXene-based electrodes for capacitive deionization | |
| CN103466603B (zh) | 石墨烯分散液以及石墨烯薄膜的制备方法 | |
| Arvas et al. | One-step synthesized N-doped graphene-based electrode materials for supercapacitor applications | |
| He et al. | Morphology engineering of ZnO nanostructures for high performance supercapacitors: enhanced electrochemistry of ZnO nanocones compared to ZnO nanowires | |
| Fatima et al. | Nb-doped MXene with enhanced energy storage capacity and stability | |
| Sun et al. | Simultaneous detection of dopamine, uric acid, and ascorbic acid using SnO 2 nanoparticles/multi-walled carbon nanotubes/carbon paste electrode | |
| Canevari et al. | Synthesis and characterization of α-nickel (II) hydroxide particles on organic-inorganic matrix and its application in a sensitive electrochemical sensor for vitamin D determination | |
| Zhang et al. | Ag-doped hollow ZIFs-derived nanoporous carbon for efficient hybrid capacitive deionization | |
| CN103639421A (zh) | 一种高电导率的石墨烯/银纳米复合材料的制备方法 | |
| CN108453267B (zh) | 一种表面粗糙化纳米银线的制备方法 | |
| Roy et al. | Europium doped magnetic graphene oxide-MWCNT nanohybrid for estimation and removal of arsenate and arsenite from real water samples | |
| Zhou et al. | Controllable synthesis of barnyardgrass-like CuO/Cu 2 O heterostructure nanowires for highly sensitive non-enzymatic glucose sensors | |
| Wang et al. | Special nanostructure control of ethanol sensing characteristics based on Au@ In 2 O 3 sensor with good selectivity and rapid response | |
| Song et al. | Non-enzymatic glucose sensor based on Cu electrode modified with CuO nanoflowers | |
| CN106876670A (zh) | 一种柔性自支撑的金属氧化物/石墨烯纳米复合膜及其制备方法和应用 | |
| CN107449816A (zh) | 全固态离子选择性电极、制备方法和生物传感器 | |
| Wang et al. | Monodispersed hollow α-Fe2O3 ellipsoids via [C12mim][PF6]-assistant synthesis and their excellent n-butanol gas-sensing properties | |
| CN104962919B (zh) | 一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法 | |
| Chen et al. | Nanointerfaces of expanded graphite and Fe2O3 nanomaterials for electrochemical monitoring of multiple organic pollutants | |
| Wang et al. | 3D printing deep-trap hierarchical architecture-based non-contact sensor for multi-direction motion monitoring | |
| Zeplin et al. | One-pot green synthesis of graphene oxide/MnO2/polyaniline nanocomposites applied in aqueous and neutral supercapacitors and sensors | |
| CN104874813A (zh) | 一种超细超长银纳米线的制备方法 | |
| Rorabeck et al. | Salting-out aided dispersive extraction of Mn3O4 nanoparticles and carbon nanotubes for application in supercapacitors | |
| Chai et al. | A novel inorganic redox buffer of r-GO/Ag@ AgCl/TMMCl utilized as an effective ion-to-electron transducer for a solid contact calcium ion-selective electrode | |
| Bharali et al. | Several fundamental aspects of MXene: synthesis and their applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170615 Address after: 230088 A118, 602 Mount Huangshan Road, hi tech Zone, Anhui, Hefei Applicant after: HEFEI SILVER TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 230088 Anhui high tech Zone, Mount Huangshan, No. 602 Hefei Road, A105 Applicant before: Hefei Vigon Material Technologies Co., Ltd. |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20181009 Address after: 230088 A105, 602 Mount Huangshan Road, hi tech Zone, Hefei, Anhui. Patentee after: Hefei Vigon Material Technologies Co., Ltd. Address before: 230088 A118, 602 Mount Huangshan Road, hi tech Zone, Hefei, Anhui. Patentee before: HEFEI YINPAI TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200529 Address after: 230088 103, floor 1, OPP CommScope building, No.7, Mengyuan Road, hi tech Zone, Hefei City, Anhui Province Patentee after: HEFEI YINPAI TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 230088 A105, 602 Mount Huangshan Road, hi tech Zone, Anhui, Hefei Patentee before: HEFEI VIGON MATERIAL TECHNOLOGIES Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201202 Address after: Room 105, 602 Huangshan Road, hi tech Zone, Hefei City, Anhui Province Patentee after: HEFEI VIGON MATERIAL TECHNOLOGIES Co.,Ltd. Address before: 230088 103, floor 1, OPP CommScope building, No.7, Mengyuan Road, hi tech Zone, Hefei City, Anhui Province Patentee before: HEFEI YINPAI TECHNOLOGY Co.,Ltd. |