CN104956588A - 用于包络跟踪的动态净空 - Google Patents
用于包络跟踪的动态净空 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104956588A CN104956588A CN201480005884.8A CN201480005884A CN104956588A CN 104956588 A CN104956588 A CN 104956588A CN 201480005884 A CN201480005884 A CN 201480005884A CN 104956588 A CN104956588 A CN 104956588A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- voltage
- headroom
- supply power
- amplifier
- power voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 19
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N spiromesifen Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(C(O1)=O)=C(OC(=O)CC(C)(C)C)C11CCCC1 GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0216—Continuous control
- H03F1/0222—Continuous control by using a signal derived from the input signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0216—Continuous control
- H03F1/0222—Continuous control by using a signal derived from the input signal
- H03F1/0227—Continuous control by using a signal derived from the input signal using supply converters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/102—A non-specified detector of a signal envelope being used in an amplifying circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
用于动态地生成包络跟踪系统的净空电压的技术。在一方面,当来自功率放大器(PA)的信号指示PA净空不充足时,初始净空电压被更新。初始净空电压可以被更新为包括初始电压加上亏量电压加上一余量的操作净空电压。以此方式,操作净空电压可以被动态地选择为使功耗最小化同时仍然确保PA是线性的。在又一方面,描述了使用计数器的净空电压生成器的具体示例性实施例。
Description
相关申请的交叉引用
本国际申请要求于2013年1月28日提交的题为“DYNAMIC HEADROOMFOR ENVELOPE TRACKING(用于包络跟踪的动态净空)”的美国非临时申请S/N.13/752,287的权益,其通过援引全部明确纳入于此。
背景技术
领域
本公开涉及用于功率放大器的包络跟踪。
背景技术
包络跟踪是一种用于提高功率放大器的效率的技术。在包络跟踪(ET)系统中,功率放大器的供电电压被动态地调整以使有足够净空操作的功率放大器维持线性度,而同时最小化DC功耗。功率放大器的供电电压通常使用跟踪功率放大器输出的包络的单独的线性放大器来生成。在某些现有技术的实现中,线性放大器本身耦合到由升压转换器生成的放大器供电电压,该升压转换器能够生成用于线性放大器的、超过该系统原本可用的最大供电电压(例如,电池电压)的经提升的供电电压。以此方式,在必要时,功率放大器输出可以达到并且甚至超过电池电压。
放大器供电电压通常被设置成高于峰值所要求的功率放大器输出加上某一附加净空电压。在某些现有技术的实现中,这一净空电压是被预先编程且不随着时间被更新的静态值。然而,由于偏好的净空电压可能跨不同的操作情景(例如,跨不同的工艺、温度、负载条件等)而极大地变化,净空电压的单个静态值可能不在所有情形中是最优的。此外,被选择过低的净空电压可能不合期望地导致升压转换器中的启动失败,这可能牺牲系统的线性度。
期望提供用于根据特定操作情景来动态确定ET系统的最优净空电压以及进一步用于阻止ET系统中的升压转换器的启动失败的技术。
附图简述
图1解说包络跟踪(ET)系统的现有技术的实现。
图2解说ET系统的实现,其中Ven和Vtarget(V目标)是按照所示的特定方式来生成的。
图3解说ET系统的替换实现。
图4解说了根据本公开的ET系统的示例性实施例。
图5解说了可以通过动态净空生成块来实现的方法的示例性实施例。
图6和7解说了根据以上描述的本公开的技术的示例性操作情景。
图8解说了根据本公开的ET系统的示例性实施例,其中示出了动态净空生成块的具体示例性实施例。
图9解说根据本公开的方法的示例性实施例。
详细描述
以下参照附图更全面地描述本公开的各个方面。然而,本公开可用许多不同形式来实施并且不应解释为被限定于本公开通篇给出的任何具体结构或功能。相反,提供这些方面是为了使得本公开将是透彻和完整的,并且其将向本领域技术人员完全传达本公开的范围。基于本文中的教导,本领域技术人员应领会,本公开的范围旨在覆盖本文中所披露的本公开的任何方面,不论其是与本公开的任何其他方面相独立地实现还是组合地实现的。例如,可以使用本文所阐述的任何数目的方面来实现装置或实践方法。另外,本公开的范围旨在覆盖使用作为本文中所阐述的本公开的各种方面的补充或者另外的其他结构、功能性、或者结构及功能性来实践的此类装置或方法。应当理解,本文中所披露的本公开的任何方面可由权利要求的一个或多个元素来实施。
下面结合附图阐述的详细描述旨在作为对本发明的示例性方面的描述,而非旨在代表可在其中实践本发明的仅有示例性方面。贯穿本描述使用的术语“示例性”意指“用作示例、实例或解说”,并且不应当一定要解释成优于或胜过其他示例性方面。本详细描述包括具体细节以用于提供对本发明的示例性方面的透彻理解。对于本领域技术人员将显而易见的是,没有这些具体细节也可实践本发明的示例性方面。在一些实例中,公知的结构和器件以框图形式示出以免湮没本文中给出的示例性方面的新颖性。在本说明书以及权利要求书中,术语“模块”和“块”可以可互换地使用以表示被配置成执行所描述操作的实体。
注意,在本说明书和权利要求书中,信号或电压的“高”或“低”指示可以指这样的信号或电压处于逻辑“高”或“低”状态,这可以(但不一定)与信号或电压的“真”(例如,=1)或“假”(例如,=0)状态相对应。将领会,本领域普通技术人员可容易地修改本文描述的逻辑惯例,例如用“高”替换“低”和/或用“低”替换“高”,以导出具有与本文所描述的功能基本上等效的功能的电路系统。此类替换示例性实施例被构想为落在本公开的范围之内。
图1解说包络跟踪(ET)系统100的现有技术的实现。注意,图1仅是为解说目的而示出的,而不旨在将本公开的范围限定于ET系统的任何特定实现。例如,下文描述的技术可容易地应用于纳入未示出的替换或附加模块的系统,诸如将Vbatt(V电池)耦合到Vamp(V放大器)以同时生成用于功率放大器的步进下降供电电压的降压转换器。
在图1中,功率放大器(PA)130接收输入电压IN(输入)并生成经放大的输出电压OUT(输出)。也被表示为“跟踪供电电压”的电压Vamp被提供给PA 130作为供电电压。Vamp至少部分地由放大器140生成,放大器140可以是线性放大器。放大器140由电压VDD_amp供电,其也被表示为“放大器供电电压”。在ET系统的某些实现中,为了生成Vamp,放大器140可以对跟踪PA输出电压OUT的包络的电压Env进行放大。
提供给PA 130的跟踪供电电压Vamp可以被维持在足以确保PA 130的线性操作的电平,即提供有足够的“净空”,而同时降低不必要的DC功耗。注意,如上所述,在某些实现中,可并发提供降压转换器(未示出)以对PA 130供电,例如在Vamp处耦合到PA 130以提高PA 130的功率驱动能力。
在某些操作情景中,为了维持PA的足够净空,将Vamp驱动到超过Vbatt(也被称为“升压供电电压”)的电平的电平可能是有必要的,Vbatt是该系统原来可用的最大供电电压,例如来自该系统的电池的供电电压。为了允许放大器140生成高于Vbatt的输出Vamp,可提供升压转换器110以生成VDD_Amp。升压转换器110可以根据图1中未示出但本领域已知的操作原理来将VDD_Amp提升到比Vbatt更高的电平,例如使用被交替地配置成对电感器充电和放电以生成经提升的输出电压的多个开关。
为了提高ET系统的效率,升压转换器110可仅在必要时被打开或启用,例如在确定VDD_Amp需要升高到Vbatt以上以维持PA 130的足够净空时。由此,升压转换器110可以接收“启用”信号电压Ven作为输入以指示VDD_Amp何时应当被提升到高于VBatt的电平。也可向升压转换器110提供在升压转换器110被启用时VDD_Amp应当被提升到的目标电压Vtarget。将领会,在不必提供高于Vbatt的VDD_Amp时,升压转换器110可被关闭或禁用,或以其他方式按将Vbatt直接耦合到VDD_Amp的“旁路”模式来提供。
图2解说ET系统200的实现,其中Ven和Vtarget是用所示的特定方式来生成的。注意,图2仅是为解说目的而示出的,而不旨在将本公开的范围限定于用于生成Ven和/或Vtarget的任何特定技术。
在图2中,PA 130的具体实现130.1生成电压HR_reach(HR_抵达)(也被称为“净空抵达信号”)以指示PA 130.1的电压净空何时不足以(或接近不足以)维持PA线性度。例如,只要PA 130.1中的一个或多个晶体管(未示出)变为饱和,HR_reach可以被断言为高。例如,在示例性实施例中,可提供电压放大器以感测跨PA 130.1的晶体管的漏极和源极的压降,并且所感测的压降可以由电压比较器与预定阈值电压作比较。如果跨晶体管的压降低于或等于预定阈值电压,则HR_reach可以被断言为高。在此情形中,预定阈值电压可以与对应的晶体管被预期饱和的值相对应。
在图2中,HR_reach直接耦合到升压转换器110作为Ven。以此方式,只要HR_reach指示PA 130.1的电压净空不足,就也能启用升压转换器110。注意到在替换实现中,可提供锁存器或其他存储器元件以在将HR_reach供应给升压转换器110之前处理HR_reach,以鉴于HR_reach的值中的潜在瞬时翻转而保持Ven的值达例如预定时间量。
图2中进一步示出耦合到Vamp的峰值检测器230用于生成与例如在预定时间区间上检测到的Vamp的峰值相对应的电压Vpd。还提供净空生成块220以生成预定“净空电压”Vhd。在所示的实现中,使用加法器210将Vhd添加到Vpd以生成升压目标电压Vtarget或210a。将领会,在升压转换器110被启用时可以将放大器供电电压VDD_Amp驱动到目标电压Vtarget。
注意,图2仅是为解说目的而示出的,而不旨在将本公开的范围限定于其中Ven和Vtarget必定如图所示地生成的ET系统。例如,在某些实现中,Vtarget可以如图2中所示的来生成,而Ven可以使用本领域公知的其他技术(图2中未示出)来生成;类似地,Ven可以按照如图所示的来生成,而Vtarget使用其他技术来生成。这样的替换实现被构想为落在本公开的范围之内。
图3解说ET系统的替换实现300。注意,除非另外指明,否则图2和3中的类似标记元件可与执行类似功能性的元件相对应。注意到,图3中的升压转换器310仅仅出于解说目的来示出,并且将领会,也可通过按照对本领域普通技术人员来说显而易见的方式修改信令约定来在ET系统300中使用图1中的升压转换器110。此类替换示例性实施例被构想为落在本公开的范围之内。
在图3中,如在ET系统200中,升压转换器110的Vtarget被生成为加法器210的输出210a。电压Vok在比较器330的输出处生成,比较器330将处于其正(+)输入端的VDD_Amp与处于其负(-)输入端的加法器210的输出210a作比较。将领会,Vok为高指示电流放大器供电电压VDD_Amp超过Vtarget;在此情形中,升压转换器310不需要被启用,因为在PA中存在充裕的净空。
注意到,当升压转换器310被启用时,VDD_Amp可具有等于Vtarget的DC值,而在VDD_Amp中可能存在AC分量,并且因此Vok可能随着时间在高值和低值之间交替地翻转。相应地,Ven可因而被生成为Vok的逆的经滤波和/或经锁存版本。具体地,在某些示例性实施例中,可提供逻辑电路系统(未示出)以使用例如反相器(未示出)以及用于周期性地锁存Vok的潜在交替翻转的值的锁存器来从Vok中导出Ven。
根据ET系统300,当检测到的峰值(Vpd)与净空Vhd的总和超过VDD_Amp时,Vok将为低(例如,Ven将为高)并且升压转换器310将被启用。根据以上的描述,将领会仅当检测到的Vamp的峰值电平Vpd在VDD_Amp的压降Vhd之内时(即当Vpd>VDD_Amp-Vhd)Vok将为低。在本说明书和权利要求书中,Vok的状态为低也被表示为与指示放大器供电电压低于净空电压与跟踪供电电压的峰值的总和的信号相对应。
注意,图3和相关示例性实施例仅出于解说目的来示出,而并不意图将本公开的范围限定于所示出的任何特定示例性实施例。本领域普通技术人员可以鉴于本公开而容易地得到替换、等效的逻辑信令方案。例如,比较器330可以代替地被配置成通过切换耦合到正(+)和负(-)输入端的信号电压来生成Vok’(即Vok的逻辑逆),并且升压转换器310在该情形中可以被替换地被配置成直接处理Ven而非Vok。此类替换示例性实施例被构想为落在本公开的范围之内。
此外,将领会,尽管图3(以及本说明书的任何其他附图)中示出的组件可以一般地处理模拟输入和/或输出电压,但此类模拟组件中的任一者可以纳入一个或多个数模转换器(DAC)和/或模数转换器(ADC)以允许对信号进行内部数字处理。例如,净空生成块可纳入DAC(未示出)。
在某些现有技术的实现中,图2和3两者中的净空生成块220可被配置成生成Vhd作为固定预定电压。在这一情形中,Vhd的固定值可以根据设计来选择以近似所要求的净空的“最优”值Vhd_opt,例如,允许PA 130的无失真操作而同时使DC功耗最小化的净空电压的值。然而在正常操作期间,将领会,此类最优值Vhd_opt可能跨不同的操作情景而极大地改变,例如,跨不同的工艺、温度和负载条件。例如,在一实例中,Vhd_opt的范围可以取决于例如PA 130的工作温度从150mV到400mV。
将领会,如果Vhd的固定设置高于给定情景的最优净空Vhd_opt,例如,Vhd>Vhd_opt并且因此Vhd过高估计了Vhd_opt,则放大器140的供电电压VDD_Amp可能被过度推升。在这一情形中,尽管PA 130无失真地工作,但不必要地浪费了功率。另一方面,如果Vhd低于给定情景的最优净空Vhd_opt,例如,Vhd<Vhd_opt并且因此Vhd过低估计了Vhd_opt,则失真可能被不合期望地引入到放大器130的输出中。
对于图3中示出的具体ET系统300,将领会,与Vhd<Vhd_opt相关联的进一步问题在于在某些情形中升压转换器310可能无法完全启动。具体地,为了维持足够的净空,升压转换器310应当在Vamp超过(VDD_Amp–Vhd_opt)时被启用;然而,给定Vhd<Vhd_opt,升压转换器310事实上将在Vamp超过(VDD_Amp–Vhd)时才会被启用,这将是比(VDD_Amp–Vhd_opt)更高的电平。换言之,升压转换器310在其中Vhd<Vhd_opt的那些情形中会被过晚启用,或者可能根本未被启用,因而不利地影响PA 130的线性度。
可能期望提供用于设置净空电压Vhd以优化使线性度最大化以及使功耗最小化之间的折衷并且进一步用于使升压启动失败的概率最小化的技术。
图4解说了根据本公开的ET系统400的示例性实施例。在图4中,动态净空生成块420从PA 130.1接收电压HR_reach,并且生成净空电压Vhd*以由加法器410添加到Vpd。在示例性实施例中,Vhd*随着时间从初始净空电压Vhd_init(Vhd_初始)被更新为更紧密地逼近给定操作情景的Vhd_opt的一个或多个后续值。净空生成块420可以被理解为生成随着时间至少改变一次的“动态”净空电压。
尤其,图5解说了可以通过动态净空生成块420来实现的方法500的示例性实施例。注意,方法500是仅处于解说目的来示出的,并且不意味着限制将本公开的范围限于所示的任何特定方法,或者将动态净空生成块420仅限于实现方法500的那些示例性实施例。
在图5中,在框510,Vhd*被设置为初始值Vhd_init。在示例性实施例中,Vhd_init可以被选择为与固定预定值(例如400mV)相对应。注意,Vhd_init可以一般地被选择为与所要求的Vhd的初始最佳估计相对应。
在框520,检查HR_reach是否为高。这可以指示例如PA 130中的一个或多个晶体管(未示出)饱和,如先前上文所述的。如果HR_reach为高,则该方法可行进至框530。如果否,则方法可以重复框520。
在框530,响应于检测到HR_reach为高,如下来计算也被称为“亏量电压”的电压Vhd_def(等式1):
Vhd_def=VDD_Amp–(Vpd+Vhd_init).
具体地,从放大器140的当前供电电压VDD_Amp减去检测到的峰值电压Vph和初始净空电压Vhd_init之和。由于这一减去是与检测到HR_reach为高并发地执行,将领会,当PA 130的一个或多个晶体管达到饱和时Vhd_def提供了对净空电压中的亏量(或余量)的测量。在示例性实施例中,等式1在检测到HR_reach为高之后立即被计算,以使得Vpd的值可以准确地(例如以最小的延迟)反应导致HR_reach被断言为高的Vamp中的对应值。
在框540,Vhd*如下来更新(等式2):
Vhd*=Vhd_init+Vhd_def+Vmargin;
其中也被称为“电压余量”的Vmargin(V余量)是固定预定正余量,例如,50mV。
注意到,根据等式1,如果Vhd_def是正量,即,VDD_Amp>(Vpd+Vhd_init),则这可对应于其中Vhd_init<Vhd_opt即Vhd_init是对Vhd_opt的过低估计的情形。在此情形中,根据等式2,Vhd*可以通过将Vhd_def(正量)与Vhd_init相加再加上余量Vmargin来增大。另一方面,如果Vhd_def是负量,即,VDD_Amp<(Vpd+Vhd_init),则这可对应于其中Vhd_init>Vhd_opt即Vhd_init是对Vhd_opt的过高估计的情形。在此情形中,根据等式2,Vhd*可以通过将Vhd_def(负量)与Vhd_init相加再加上余量Vmargin来减小。
注意到在某些情形中,在执行框520处的检测时,Vhd_init>Vhd_opt将导致HR_reach为低,并且因而在这些情形中方法500可能无法前进至框530、540。
根据上述操作,将领会,Vhd*在与HR_reach被检测为高相对应的时间被更新,并且Vhd*可相应地被更新为与在HR_reach被检测为高时所要求的净空相对应的值。
在一示例性实施例中,在框540更新Vhd*之后,不需要执行对Vhd*的进一步更新,并且ET系统400可用Vhd*经更新的值工作。在替换示例性实施例(未示出)中,可以在框540之后进一步执行对Vhd*的附加更新。例如,在框540之后的固定时间间隔之后,和/或在HR_reach从高转换为低时,根据替换示例性实施例的方法可以返回至框520以等待HR_reach被检测为高的下一时刻。以此方式,Vhd*在必要时可以被更新多次。此类替换示例性实施例被构想为落在本公开的范围之内。
返回到图4,将看到,动态净空生成块420将初始地输出与Vhd_init相对应的Vhd*值,例如,当方法500在执行框510、520或530时。然后,响应于检测到HR_reach为高,Vhd*可以根据上述的等式1和2来更新,并且Vhd*的经更新的值可以随后被断言,例如,在方法500到达框540之后。
如图4中所示,Vhd*在生成Vtarget和Ven两者时被使用。具体地,Vhd*可以由加法器410被添加到Vpd以直接生成410a或Vtarget,410a或Vtarget被提供给升压转换器310以设置VDD_Amp的目标电平。此外,电压410a或Vtarge被提供给比较器330的负(-)端以生成Vok,Vok可以被升压转换器310用来(例如在锁存和逻辑逆之后)导出启用电压Ven。
图6和7解说了根据以上描述的本公开的技术的示例性操作情景。注意,图6和7的操作情景仅出于解说目的而示出,且并不意图以任何方式来限定本公开的范围。
在图6中,示出了在时间t0之前ET系统400的初始状态,其中Vhd*初始地被设置为Vhd_init。在示例性实施例中,Vhd_init可以是例如400mV。在时间t0之前,Vhd_init向PA 130.1提供足够净空,并且相应的HR_reach将为低。加法器410的输出410a将对应于(Vpd+Vhd_init),并且比较器330的正(+)和(负)端之差为VDD_Amp–(Vpd+Vhd_init)。注意,在t0之前,VDD_Amp–(Vpd+Vhd_init)被预期为正,并且因而比较器330的输出Vok被预期为高,而升压转换器310被关闭或处于旁路模式。进一步在图6中示出的是响应于例如如上所述地检测到PA 130.1具有不充足净空而HR_reach在时间t0从低转换为高。
图7解说了t0之后ET系统400的状态,例如,Vhd*已经如上所述地参考以上的框540根据等式2被更新之后。在图7中,经更新的Vhd*等于Vhd_init+Vhd_def+Vmargin。加法器410的输出410a将因而对应于(Vpd+Vhd_init+Vhd_def+Vmargin)或VDD_Amp+Vmargin。根据定义Vhd_def的等式1,比较器330的正(+)和负(-)端之差简化为–Vmargin。当Vmargin被设置为正值且–Vmargin因而为负时,比较器330的输出被预期为低。在此情形中,升压转换器310所导出的Ven将为高,从而导致升压转换器310被启用,并且VDD_Amp被相应地驱动至与Vhd_init+Vhd_def+Vmargin+Vpd相对应的目标电压Vtarget。
如图7所解说的,在经更新的Vhd*中提供加法项Vmargin有利地确保了升压转换器310的及时启动,因为(当HR_reach为高时)高于VDD_Amp–Vpd的所要求净空的Vmargin的存在将使得比较器330的输出Vok从高翻转为低(并且相应地Ven从低翻转为高)。
图8解说了根据本公开的ET系统400的示例性实施例400.1,其中示出了动态净空生成块420的一具体示例性实施例420.1。注意,图8仅出于解说目的来示出,且并不意图将本公开的范围限定于所示出的动态净空生成块的任何特定示例性实施例。
在图8中,动态净空生成块420.1包括AND(与)门820和由时钟信号CLK驱动的计数器810。计数器810可包括例如被初始化为与Vhd_init相对应的值的N位寄存器(未示出)。当AND门820的输出EN为低时,计数器810被禁用,并且计数器输出Vhd*恒定为Vhd_init。在检测到AND门820的输出EN为高之际,计数器810被启用,并且从而开始在CLK的每一上升沿(或替换地下降沿)上递增其N位寄存器值。当EN为低时,计数器810被禁用,并且从而停止递增其寄存器内容。在示例性实施例中,数模转换器(DAC)815可以在计数器810的输出处被提供以将计数器810的数字输出转换成模拟信号。
ET系统400.1中的动态净空生成块420.1的实时操作可以被描述如下。在初始状态中,HR_reach为低且Vok为高。这对应于其中PA 130.1正以充足净空来操作并且VDD_Amp高于Vpd+Vhd*的状态。AND门820的输出EN因而为低,并且因而计数器810被禁用,其中Vhd*等于Vhd_init的初始值。
在第二状态中,HR_reach被检测为高,从而指示PA 130.1不具有充足净空。当HR_reach和Vok两者均为高时,AND门820的输出EN也为高,并且计数器810被相应地启用。当EN为高时,计数器810在CLK的每一上升沿上连续地递增其寄存器值。递增持续直到EN转换为低,此时计数器810被禁用。注意到,EN可以响应于例如Vok从高转换为低而转换为低,并且这可进而由例如由于Vhd*的持续递增导致Vhd*+Vpd或电压410a最终超过VDD_Amp达某一余量而导致。注意,一旦计数器810被禁用,则计数器810中的N位寄存器的当时存在的值被保留,并且之后被维持作为经更新的净空电压Vhd*。
图9解说根据本公开的方法900的示例性实施例。注意,图9仅出于解说目的来示出,而并不旨在将本公开的范围限定于所示出的方法的任何特定示例性实施例。
在图9中,在框910,使用放大器来生成跟踪供电电压以向功率放大器供电,该功率放大器被配置成放大输入电压以生成输出电压。
在框920,生成用于放大器的放大器供电电压,其中放大器供电电压可被配置成高于升压供电电压。
在框930,响应于净空电压与跟踪供电电压的峰值之和高于放大器供电电压,放大器供电电压被配置成高于升压供电电压。
在框940,响应于检测净空抵达电压(例如HR_reach),净空电压从初始值被更新。在示例性实施例中,HR_reach信号指示放大器是否正以不充足的净空来操作。
在本说明书中并且在权利要求书中,将理解,当一元件被称为“连接至”或“耦合至”另一元件时,该元件可以直接连接或耦合至该另一元件或者可存在居间元件。相反,当一元件被称为“直接连接至”或“直接耦合至”另一元件时,不存在居间元件。此外,当一元件被称为“电耦合”到另一元件时,其指示在此类元件之间存在低电阻路径,而当一元件被称为仅是“耦合”至另一元件时,在此类元件之间可能有也可能没有低电阻路径。
本领域技术人员应理解,信息和信号可使用各种不同技术和技艺中的任何一种来表示。例如,贯穿以上描述始终可能被述及的数据、指令、命令、信息、信号、位(比特)、码元、和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子、或其任何组合来表示。
本领域技术人员将可进一步领会,结合本文中公开的示例性方面描述的各种解说性逻辑块、模块、电路、和算法步骤可被实现为电子硬件、计算机软件、或两者的组合。为清楚地解说硬件与软件的这一可互换性,各种解说性组件、块、模块、电路、和步骤在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性,但此类实现决策不应被解读为致使脱离本发明的示例性方面的范围。
结合本文中公开的示例性方面描述的各种解说性逻辑块、模块、以及电路可用设计成执行本文中描述的功能的通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)或其他可编程逻辑器件、分立的门或晶体管逻辑、分立的硬件组件、或其任何组合来实现或执行。通用处理器可以是微处理器,但在替换方案中,该处理器可以是任何常规的处理器、控制器、微控制器、或状态机。处理器还可以被实现为计算设备的组合,例如DSP与微处理器的组合、多个微处理器、与DSP核心协同的一个或多个微处理器、或任何其它此类配置。
结合本文中所公开的示例性方面所描述的方法或算法的步骤可以直接在硬件中、在由处理器执行的软件模块中、或在这两者的组合中实施。软件模块可驻留在随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦式可编程ROM(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM、或本领域中所知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质被耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读和写信息。替换性地,存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在ASIC中。ASIC可驻留在用户终端中。在替换方案中,处理器和存储介质可作为分立组件驻留在用户终端中。
在一个或多个示例性方面,所描述的功能可在硬件、软件、固件或其任何组合中实现。如果在软件中实现,则各功能可以作为一条或多条指令或代码存储在计算机可读介质上或藉其进行传送。计算机可读介质包括计算机存储介质和通信介质两者,包括促成计算机程序从一地向另一地转移的任何介质。存储介质可以是能被计算机访问的任何可用介质。作为示例而非限定,这样的计算机可读介质可包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或其它光盘存储、磁盘存储或其它磁存储设备、或能用于携带或存储指令或数据结构形式的期望程序代码且能被计算机访问的任何其它介质。任何连接也被正当地称为计算机可读介质。例如,如果软件是使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(DSL)、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术从web网站、服务器、或其它远程源传送而来,则该同轴电缆、光纤电缆、双绞线、DSL、或诸如红外、无线电、以及微波之类的无线技术就被包括在介质的定义之中。如本文中所使用的盘(disk)和碟(disc)包括压缩碟(CD)、激光碟、光碟、数字多用碟(DVD)、软盘和蓝光碟,其中盘常常磁性地再现数据而碟用激光光学地再现数据。上述的组合应当也被包括在计算机可读介质的范围内。
提供了以上对所公开的示例性方面的描述是为了使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本发明。对这些示例性方面的各种修改对于本领域技术人员而言将是显而易见的,并且本文中定义的普适原理可被应用于其他示例性方面而不会脱离本发明的精神或范围。由此,本公开并非旨在被限定于本文中示出的示例性方面,而是应被授予与本文中公开的原理和新颖性特征一致的最广义的范围。
Claims (20)
1.一种装置,包括:
升压转换器,能被配置成生成用于放大器的放大器供电电压,所述放大器被配置成输出跟踪供电电压,所述跟踪供电电压被供应给功率放大器,所述功率放大器被配置成放大输入电压以生成输出电压,其中所述放大器供电电压能被配置成高于耦合到所述升压转换器的升压供电电压,并且所述升压转换器被配置成响应于净空电压与所述跟踪供电电压的峰值之和高于所述放大器供电电压而被启用;以及
动态净空生成块,被配置成生成所述净空电压,其中所述净空电压响应于检测到净空抵达信号而从初始净空电压被更新。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述功率放大器包括至少一个晶体管,所述净空抵达信号指示所述至少一个晶体管处于饱和。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,经更新的净空电压包括所述初始净空电压、亏量电压和电压余量之和。
4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述亏量电压包括所述放大器供电电压与所述跟踪供电电压的峰值和所述初始净空电压之和之间的差。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,经更新的净空电压包括电压余量与所述放大器供电电压和所述跟踪供电电压的峰值之差的和。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述升压转换器能被配置成将所述放大器供电电压驱动至目标电压,所述目标电压与所述净空电压和所述跟踪供电电压的峰值之和相对应。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述跟踪供电电压的峰值与所述跟踪供电电压在预定时间区间上的峰值相对应。
8.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述动态净空生成块包括:
计数器,所述计数器用对应于所述初始净空电压的值来初始化,所述计数器被配置成响应于检测到所述净空抵达信号以及指示所述放大器供电电压低于所述净空电压和所述跟踪供电电压的峰值之和的信号而被启用。
9.如权利要求8所述的装置,其特征在于,所述计数器被耦合到时钟,所述计数器被配置成在被启用时响应于所述时钟的上升沿来递增其值。
10.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述动态净空生成块被配置成响应于检测到所述净空抵达信号来更新所述净空电压一次。
11.一种方法,包括:
使用放大器来生成跟踪供电电压以向功率放大器供电,所述功率放大器被配置成放大输入电压以生成输出电压;
生成用于所述放大器的放大器供电电压,其中所述放大器供电电压能被配置成高于升压供电电压;
响应于净空电压与所述跟踪供电电压的峰值之和高于所述放大器供电电压,将所述放大器供电电压配置成高于所述升压供电电压;以及
响应于检测到净空抵达信号来从初始值更新所述净空电压。
12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,检测到所述净空抵达信号包括检测到所述功率放大器的至少一个晶体管处于饱和。
13.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述升压供电电压是电池电压。
14.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述更新包括:
用所述初始值来初始化计数器;
响应于检测到所述净空抵达信号以及指示所述放大器供电电压低于所述跟踪电压和所述跟踪供电电压的峰值之和的信号,在时钟信号的每一上升沿上递增所述计数器;
当所述净空抵达信号为假或者当所述放大器供电电压不低于所述跟踪电压和所述跟踪供电电压的峰值之和时禁用所述计数器。
15.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述更新包括响应于检测到净空抵达信号来更新所述净空电压一次。
16.一种设备,包括:
用于使用放大器来生成跟踪供电电压以向功率放大器供电的装置,所述功率放大器被配置成放大输入电压以生成输出电压;
用于生成所述放大器的放大器供电电压的装置,其中所述放大器供电电压能被配置成高于升压供电电压;
用于响应于净空电压与所述跟踪供电电压的峰值之和高于所述放大器供电电压,将所述放大器供电电压配置成高于所述升压供电电压的装置;以及
用于响应于检测到净空抵达信号来从初始值更新所述净空电压的装置。
17.如权利要求16所述的设备,其特征在于,所述净空抵达信号包括指示所述功率放大器的至少一个晶体管处于饱和的信号。
18.如权利要求16所述的设备,其特征在于,所述升压供电电压是电池电压。
19.如权利要求16所述的设备,其特征在于,所述用于更新的装置包括:
计数器,所述计数器用所述初始值来初始化,所述计数器被配置成响应于检测到所述净空抵达信号以及指示所述放大器供电电压低于所述净空电压和所述跟踪供电电压的峰值之和的信号来被启用。
20.如权利要求16所述的设备,其特征在于,所述用于更新的装置包括用于响应于检测到净空抵达信号来更新所述净空电压一次的装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/752,287 US8866547B2 (en) | 2013-01-28 | 2013-01-28 | Dynamic headroom for envelope tracking |
US13/752,287 | 2013-01-28 | ||
PCT/US2014/012393 WO2014116608A2 (en) | 2013-01-28 | 2014-01-21 | Dynamic headroom for envelope tracking |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104956588A true CN104956588A (zh) | 2015-09-30 |
CN104956588B CN104956588B (zh) | 2017-10-31 |
Family
ID=51205563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480005884.8A Active CN104956588B (zh) | 2013-01-28 | 2014-01-21 | 用于包络跟踪的动态净空 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8866547B2 (zh) |
EP (1) | EP2949041B1 (zh) |
JP (1) | JP2016504892A (zh) |
KR (1) | KR20150110711A (zh) |
CN (1) | CN104956588B (zh) |
WO (1) | WO2014116608A2 (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8866547B2 (en) | 2013-01-28 | 2014-10-21 | Qualcomm Incorporated | Dynamic headroom for envelope tracking |
US9729964B2 (en) | 2014-06-26 | 2017-08-08 | Apple Inc. | Audio apparatus having dynamic ground break resistance |
US9584012B2 (en) * | 2015-02-14 | 2017-02-28 | Skyworks Solutions, Inc. | Quick-start high-voltage boost |
US9838058B2 (en) * | 2015-02-15 | 2017-12-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Power amplification system with variable supply voltage |
US9602057B1 (en) * | 2015-09-18 | 2017-03-21 | Samsung Electronics Co., Ltd | Apparatus for and method of a supply modulator for a power amplifier |
US10148227B2 (en) * | 2017-02-17 | 2018-12-04 | Qorvo Us, Inc. | RF power amplifier dynamic supply boosting circuit |
US10326405B2 (en) * | 2017-05-18 | 2019-06-18 | Qualcomm Incorporated | Class-H switching amplifier circuit having supply voltage proportional to an audio signal |
US11218116B2 (en) | 2019-10-03 | 2022-01-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Fast ramping power amplifier boost converter |
US11159159B1 (en) * | 2020-09-09 | 2021-10-26 | Applied Materials, Inc. | Electroplating controller with power based head-room control |
US11750164B2 (en) | 2020-11-17 | 2023-09-05 | Harman International Industries, Incorporated | Controlled rail-voltage decay for boost power supply output protection |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101051821A (zh) * | 2007-03-23 | 2007-10-10 | 清华大学 | 一种小输出电阻、大输出幅度的电压跟随器 |
US20120081016A1 (en) * | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Intersil Americas Inc. | Led driver with adaptive dynamic headroom voltage control |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04119707A (ja) * | 1990-09-10 | 1992-04-21 | Uchu Tsushin Kiso Gijutsu Kenkyusho:Kk | 高効率増幅器 |
JPH05175771A (ja) * | 1991-07-05 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 線形増幅器 |
IL125022A (en) | 1998-06-21 | 2001-09-13 | Israel Bar David | Methods and apparatus for adaptive adjustment of feed-forward linearized amplifiers |
US6492867B2 (en) | 2000-03-10 | 2002-12-10 | Paragon Communications Ltd. | Method and apparatus for improving the efficiency of power amplifiers, operating under a large peak-to-average ratio |
US6437641B1 (en) | 2000-03-10 | 2002-08-20 | Paragon Communications Ltd. | Method and apparatus for improving the efficiency of power amplifiers, operating under a large peak-to-average ratio |
US6417736B1 (en) * | 2000-11-01 | 2002-07-09 | Lewyn Consulting, Inc. | Multiple-voltage supply power amplifier with dynamic headroom control |
IL150007A0 (en) | 2002-06-03 | 2002-12-01 | Paragon Comm Ltd | Efficient supply enhancement circuitry for power amplifiers |
IL150006A0 (en) | 2002-06-03 | 2002-12-01 | Paragon Comm Ltd | Apparatus for detecting the envelope of rf power signals |
US7026797B2 (en) * | 2003-03-21 | 2006-04-11 | Tropian, Inc. | Extremely high-speed switchmode DC-DC converters |
US6985039B2 (en) | 2003-04-25 | 2006-01-10 | Paragon Communications Ltd. | Method and apparatus for providing a stable power output of power amplifiers, operating under unstable supply voltage conditions |
EP1658671A1 (en) | 2003-06-16 | 2006-05-24 | Paragon Communications Ltd. | Method and apparatus for dynamically regulating the supply voltage of a power amplifier |
JP4012165B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2007-11-21 | 松下電器産業株式会社 | 送信機 |
US8521204B2 (en) * | 2004-09-30 | 2013-08-27 | Motorola Mobility Llc | Signal configuration based transmitter adjustment in wireless communication devices |
WO2006114792A1 (en) | 2005-04-27 | 2006-11-02 | Paragon Communications Ltd. | Transformer-capacitor enhancement circuitry for power amplifiers |
US7348847B2 (en) | 2005-04-28 | 2008-03-25 | Sige Semiconductor Inc. | Integrated implementation of a collector boost scheme and method therefor |
US8611835B2 (en) | 2005-05-20 | 2013-12-17 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for sensing the envelope of high level multi frequency band RF signals |
GB2440702B (en) | 2005-05-20 | 2009-07-08 | Paragon Comm Ltd | Method for implementation and parameter settings of a voltage enhancement circuit for amplifiers as an integrated circuit (IC) |
US7443244B2 (en) | 2005-07-14 | 2008-10-28 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for controlling a power amplifier supply voltage |
WO2007010543A1 (en) | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Paragon Communications Ltd. | A method and apparatus for increasing the efficiency of low power amplifiers |
WO2007034500A1 (en) | 2005-09-26 | 2007-03-29 | Paragon Communications Ltd. | Method and apparatus for improving the performance of mimo wireless systems |
WO2007060675A1 (en) | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Paragon Communications Ltd. | Method and apparatus for optimizing current consumption of amplifiers with power control |
US7728663B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-06-01 | Sige Semiconductor Inc. | Integrated implementation of a voltage boost follower and method therefor |
JP2008061231A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 送信回路及び通信機器 |
WO2008062412A1 (en) | 2006-11-21 | 2008-05-29 | Paragon Communications Ltd. | Method and apparatus for automatically controlling an xnn enhancement circuitry feeding a power amplifier |
US7679433B1 (en) * | 2007-02-02 | 2010-03-16 | National Semiconductor Corporation | Circuit and method for RF power amplifier power regulation and modulation envelope tracking |
US8019293B2 (en) * | 2007-03-09 | 2011-09-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Controller and method for using a DC-DC converter in a mobile handset |
US8000665B2 (en) * | 2008-10-28 | 2011-08-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Systems and methods for adjusting headroom of a power amplifier |
JPWO2010076845A1 (ja) * | 2009-01-05 | 2012-06-21 | パナソニック株式会社 | ポーラ変調装置及び通信機器 |
EP2280479B1 (en) | 2009-07-06 | 2012-02-08 | Nxp B.V. | Class H Amplifier |
WO2011007556A1 (ja) * | 2009-07-13 | 2011-01-20 | パナソニック株式会社 | ポーラ変調器 |
US8212620B2 (en) | 2009-08-28 | 2012-07-03 | Rockford Corporation | Boosted-rail amplifier |
US8698558B2 (en) * | 2011-06-23 | 2014-04-15 | Qualcomm Incorporated | Low-voltage power-efficient envelope tracker |
US8786373B2 (en) * | 2012-02-21 | 2014-07-22 | Calogero D. Presti | Adjustable bypass circuit for a supply voltage for an amplifier |
US8754707B2 (en) * | 2012-10-24 | 2014-06-17 | Qualcomm Incorporated | Boost converter control for envelope tracking |
US8866547B2 (en) | 2013-01-28 | 2014-10-21 | Qualcomm Incorporated | Dynamic headroom for envelope tracking |
-
2013
- 2013-01-28 US US13/752,287 patent/US8866547B2/en active Active
-
2014
- 2014-01-21 CN CN201480005884.8A patent/CN104956588B/zh active Active
- 2014-01-21 JP JP2015555218A patent/JP2016504892A/ja not_active Ceased
- 2014-01-21 KR KR1020157022731A patent/KR20150110711A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-01-21 EP EP14739596.6A patent/EP2949041B1/en active Active
- 2014-01-21 WO PCT/US2014/012393 patent/WO2014116608A2/en active Application Filing
- 2014-09-16 US US14/488,114 patent/US9537450B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101051821A (zh) * | 2007-03-23 | 2007-10-10 | 清华大学 | 一种小输出电阻、大输出幅度的电压跟随器 |
US20120081016A1 (en) * | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Intersil Americas Inc. | Led driver with adaptive dynamic headroom voltage control |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104956588B (zh) | 2017-10-31 |
US20150002235A1 (en) | 2015-01-01 |
EP2949041B1 (en) | 2016-07-20 |
WO2014116608A2 (en) | 2014-07-31 |
WO2014116608A3 (en) | 2014-12-04 |
KR20150110711A (ko) | 2015-10-02 |
US20140210559A1 (en) | 2014-07-31 |
EP2949041A2 (en) | 2015-12-02 |
US9537450B2 (en) | 2017-01-03 |
US8866547B2 (en) | 2014-10-21 |
JP2016504892A (ja) | 2016-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104956588A (zh) | 用于包络跟踪的动态净空 | |
CN104937837B (zh) | 逆电流防止 | |
US8754707B2 (en) | Boost converter control for envelope tracking | |
US9372492B2 (en) | Programmable frequency range for boost converter clocks | |
CN104756383B (zh) | 升压转换器控制 | |
JP2008538020A (ja) | コンピュータシステム内の電力の使用を制御するためのシステム及び方法 | |
CN202696543U (zh) | 自偏置电路 | |
CN105281587B (zh) | 用于反激变换器的同步整流 | |
US8750007B2 (en) | Power conversion | |
US20120212189A1 (en) | System and method for electronic device charging | |
JP2016505236A (ja) | 電源システム及びその制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |