CN104951136A - 触控基板及其制作方法以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种触控基板及其制作方法以及显示装置,该触控基板包括:第一基底;触控电极,设置在第一基底之上;第二基底,设置在触控电极之上,其中,触控电极包括第一电极层和第二电极层,第二电极设置在第一电极层之上,第一电极层的宽度与第二电极层的宽度不同。通过本发明的技术方案,能够使得第二电极层与第一基底之间存在空隙的区域对应的触控电极不易被观察到,在保证触控电极具有足够传输信号能力的前提下,减少了被观察到的触控电极的线宽,降低了触控电极的可视性,实现对触控电极的消影。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种触控基板、一种显示装置和一种触控基板制作方法。
背景技术
近年来在touch(触控)领域,特别是在OGS(One Glass Solution,在保护玻璃上直接形成触控电极的一种技术,使得一块玻璃同时起到保护玻璃和触控电极的双重作用)领域,由于触控电极的图案在肉眼下可以被看见,特别是在待机状态下,仅有外界光线入射到触控基板中,使得触控电极容易被观察到,极大地影响了touch产品的显示效果。
如何实现降低触控电极的可视化程度,也即对触控电极进行消影,是亟待解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,降低触控电极的可视化程度。
为此目的,本发明提出了一种触控基板,包括:
第一基底;
触控电极,设置在所述第一基底之上;
第二基底,设置在所述触控电极之上,
其中,所述触控电极包括第一电极层和第二电极层,所述第二电极设置在所述第一电极层之上,所述第一电极层的宽度与所述第二电极层的宽度不同。
优选地,所述第二电极层的宽度大于所述第一电极层的宽度。
优选地,所述第一电极层的厚度为130nm至140nm的奇数倍。
优选地,所述第一电极层的材料为非晶透明金属氧化物,所述第二电极层的材料为多晶透明金属氧化物。
优选地,所述第一电极层的宽度大于所述第二电极层的宽度。
优选地,所述第一电极层的厚度为130nm至140nm的奇数倍。
优选地,所述第二电极层的材料为非晶透明金属氧化物,所述第一电极层的材料为多晶透明金属氧化物。
优选地,所述第一电极层的中心与所述第二电极层的中心位于同一竖直线上。
本发明还提出了一种显示装置,包括上述任一项所述的触控基板。
本发明还提出了一种触控基板制作方法,包括:
在第一基底上形成第一电极层;
在第一电极层上形成第二电极层,
其中,所述第一电极层的材料为非晶透明金属氧化物,所述第二电极层的材料为多晶透明金属氧化物,
或所述第二电极层的材料为非晶透明金属氧化物,所述第一电极层的材料为多晶透明金属氧化物;
通过多晶透明金属氧化物蚀刻液蚀刻所述第一电极层和所述第二电极层,以形成预设图形;
通过非晶透明金属氧化物蚀刻液蚀刻所述第一电极层或所述第二电极层,以使所述第一电极层的宽度小于所述第二电极层的宽度,或使所述第二电极层的宽度小于所述第一电极层的宽度;
在所述第二电极层之上设置第二基底。
通过上述技术方案,能够使得第二电极层与第一基底之间存在空隙的区域对应的触控电极不易被观察到,在保证触控电极具有足够传输信号能力的前提下,减少了被观察到的触控电极的线宽,降低了触控电极的可视性,实现对触控电极的消影。
附图说明
通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点,附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制,在附图中:
图1示出了根据本发明一个实施例的触控基板的结构示意图;
图2示出了图1虚线处的光线传播示意图;
图3示出了根据本发明又一个实施例的触控基板的结构示意图;
图4示出了图3虚线处的光线传播示意图;
图5示出了根据本发明一个实施例的触控基板制作方法的示意流程图;
图6至图11示出了根据本发明一个实施例的触控基板制作方法的具体示意流程图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点,下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是,本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施,因此,本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
根据本发明一个实施例的触控基板,包括:
第一基底1;
触控电极,设置在第一基底1之上;
第二基底3,设置在触控电极之上,
其中,触控电极包括第一电极层21和第二电极层22,第二电极22设置在第一电极层21之上,第一电极层21的宽度与第二电极层22的宽度不同。
本实施例主要包括两种情况,其一是第二电极层22的宽度大于第一电极层21的宽度,其二是第一电极层21的宽度大于第二电极层22的宽度。以下主要根据第一种情况描述本实施例的效果。
如图1所示,由于第二电极层22的宽度大于第一电极层21的宽度,所以在第一基底1和第二电极层22之间存在未设置第一电极层21的空隙。
从第二基底3之外入射的光线,经过第二基底3射入第二电极层22,如图2所示,其中第一部分光从第二电极层22的下表面射出,经过空隙到达第一基底1,并被第一基底1反射回第二电极层22下表面的第一位置。
当第二部分光入射到第一位置时,由于第二部分光和第一部分光为同一光源发出的光,会与第一部分光发生干涉,导致从第一位置射出的光线在空间中重新分布,从而使得第一位置不易被观察到。
并且在第一部分光与第二部分光的光程差等于光源发出光的半波长的奇数倍时,第一部分光和第二部分光会发生干涉相消,使得第一位置没有光线反射出。图2中的光路情况是假设第二基底3和第二电极层22的折射率相近,实际上即使两者折射率差异较大,仍能够保证第一部分光和第二部分光在第二电极层22的下表面处发生干涉,只是发生干涉的位置会发生相应改变。
体现在整个触控电极上则是:第二电极层22与第一基底1之间存在空隙的区域对应的触控电极不易被观察到,而且由于第二电极22较宽,仍能保证触控电极具有足够的传输信号能力,从而在保证触控电极传输信号能力的前提下,减少被观察到的触控电极的线宽,降低了触控电极的可视性,实现了对触控电极的消影。
如图1所示,优选地,第二电极层的宽度大于第一电极层的宽度。
本实施例中第二电极层22的宽度大于第一电极层21的宽度,而第二电极层22位于第一电极层21之上,因此在第二电极层22和第一基底1之间存在未设置第一电极层的空隙,而根据上述分析,通过该空隙和与该空隙对应的第二电极层,能够减少空隙处对应的第二电极22的可视性,减少用户观察到的触控电极反射的自然光。
优选地,第一电极层21的厚度为130nm至140nm的奇数倍。
人眼对可见光中的绿光最敏感,绿光的波长范围是520nm至560nm,当外界光线垂直或近似垂直入射触控基板时,第一部分光和第二部分光的光程差近似等于两倍空隙的高度,也就是两倍第一电极层21的厚度,即260nm至280nm的奇数倍,也就是绿光波长的半奇数倍,从而使得入射光线中的绿光发生干涉相消,进而减少从空隙处射出的绿光量,良好地降低触控电极的可视性。
优选地,第一电极层的材料为非晶透明金属氧化物,第二电极层的材料为多晶透明金属氧化物。
透明金属氧化物可以是ITO、IGZO等材料。以ITO为例,非晶ITO的蚀刻液无法蚀刻多晶ITO,因此可以在形成两层电极层的图形之后,通过非晶ITO的蚀刻液来蚀刻两层电极层,从而使得第一电极层21的外侧被蚀刻掉,而第二电极层22的宽度不变,最终使得第二电极层22的宽度大于第一电极层21的宽度。
如图3所示,优选地,第一电极层21的宽度大于第二电极层22的宽度。
本实施例与上述实施例相似,区别在于第一电极层21和第二基底3之间存在空隙,
从第二基底3之外入射的光线,经过第二基底3射入空隙,如图2所示,其中第一部分光从第二基底3的下表面射出,经过空隙到达第一电极层21,并通过第一电极层21达到第一基底,被第一基底1反射回第一电极层21的上表面的第二位置。
当第二部分光入射到第二位置时,由于第二部分光和第一部分光为同一光源发出的光,会与第一部分光发生干涉,导致从第一位置射出的光线在空间中重新分布,从而使得第二位置不易被观察到。图4中的光路情况是假设第二基底3和第一电极层21的折射率相近,实际上即使两者折射率差异较大,仍能够保证第一部分光和第二部分光在第一电极层21的上表面处发生干涉,只是发生干涉的位置会发生相应改变。
最终使得第一电极层21与第二基底3之间存在空隙的区域对应的触控电极不易被观察到,减少被观察到的触控电极的线宽,降低了触控电极的可视性,实现了对触控电极的消影。
优选地,第一电极层的厚度为130nm至140nm的奇数倍。
人眼对可见光中的绿光最敏感,绿光的波长范围是520nm至560nm,当外界光线垂直或近似垂直入射触控基板时,第一部分光和第二部分光的光程差近似等于两倍第一电极层21的厚度,即260nm至280nm的奇数倍,也就是绿光波长的半奇数倍,从而使得入射光线中的绿光发生干涉相消,进而减少从空隙处射出的绿光量,良好地降低触控电极的可视性。
优选地,第二电极层22的材料为非晶透明金属氧化物,第一电极层21的材料为多晶透明金属氧化物。
通过非晶ITO的蚀刻液来蚀刻两层电极层,可以使得第二电极层22的外侧被蚀刻掉,而第一电极层21宽度不变,最终使得第一电极层21的宽度大于第二电极层22的宽度。
优选地,第一电极层的中心与第二电极层的中心位于同一竖直线上。
可以保证较宽的电极层在较窄的电极层两侧分别延伸区域的宽度相同,以保证从未设置触控电极的区域到设置了第一电极层21和第二电极层22的区域,都会经过上述空隙对应的区域,从而在视觉上起到缓冲作用,不会使得触控电极的反光变化过于突兀,以良好地降低触控电极的可视性。
本发明还提出了一种显示装置,包括上述任一项的触控基板。
需要说明的是,本实施例中的显示装置可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
如图5所示,根据本发明一个实施例的触控基板制作方法,包括:
S1,在第一基底1上形成第一电极层21,如图6所示;
S2,在第一电极层21上形成第二电极层22,如图7所示,
其中,第一电极层21的材料为非晶透明金属氧化物,第二电极层22的材料为多晶透明金属氧化物,
或第二电极层22的材料为非晶透明金属氧化物,第一电极层21的材料为多晶透明金属氧化物;
S3,通过多晶透明金属氧化物蚀刻液蚀刻第一电极层21和第二电极层22,以形成预设图形,如图8和图9所示,其中,可以先在第二电极层22之上形成与预设图形相对应的光刻胶4,多晶透明金属氧化物蚀刻液既可以蚀刻非晶透明金属氧化物,也可以蚀刻多晶透明金属氧化物,因此可以将第一电极层21和第二电极层22蚀刻为与光刻胶4相对应的预设图形;
S4,通过非晶透明金属氧化物蚀刻液蚀刻第一电极层21或第二电极层22,以使第一电极层21的宽度小于第二电极层22的宽度,如图10所示,在第二电极层22为多晶透明金属氧化物,第一电极层21为非晶透明金属氧化物时,由于非晶透明金属氧化物蚀刻液不会蚀刻多晶透明金属氧化物,因此第二电极层22的宽度不会发生变化,第一电极层21的宽度会变小;
或使第二电极层22的宽度小于第一电极层的宽度,如图11所示,在第二电极层22为非晶透明金属氧化物,第一电极层21为多晶透明金属氧化物时,由于非晶透明金属氧化物蚀刻液不会蚀刻多晶透明金属氧化物,因此第一电极层21的宽度不会发生变化,第二电极层22的宽度会变小;
S5,最后去除光刻胶4,并在第二电极层22之上设置第二基底3。
其中,上述流程所采用的形成工艺例如可包括:沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
通过上述技术方案,能够使得第二电极层与第一基底之间存在空隙的区域对应的触控电极不易被观察到,在保证触控电极具有足够传输信号能力的前提下,减少了被观察到的触控电极的线宽,降低了触控电极的可视性,实现对触控电极的消影。
需要指出的是,在附图中,为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”时,它可以直接在其他元件上,或者可以存在中间的层。另外,可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“下”时,它可以直接在其他元件下,或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外,还可以理解,当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时,它可以为两层或两个元件之间惟一的层,或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上,除非另有明确的限定。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种触控基板,其特征在于,包括:
第一基底;
触控电极,设置在所述第一基底之上;
第二基底,设置在所述触控电极之上,
其中,所述触控电极包括第一电极层和第二电极层,所述第二电极设置在所述第一电极层之上,所述第一电极层的宽度与所述第二电极层的宽度不同。
2.根据权利要求1所述的触控基板,其特征在于,所述第二电极层的宽度大于所述第一电极层的宽度。
3.根据权利要求2所述的触控基板,其特征在于,所述第一电极层的厚度为130nm至140nm的奇数倍。
4.根据权利要求2所述的触控基板,其特征在于,所述第一电极层的材料为非晶透明金属氧化物,所述第二电极层的材料为多晶透明金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的触控基板,其特征在于,所述第一电极层的宽度大于所述第二电极层的宽度。
6.根据权利要求5所述的触控基板,其特征在于,所述第一电极层的厚度为130nm至140nm的奇数倍。
7.根据权利要求5所述的触控基板,其特征在于,所述第二电极层的材料为非晶透明金属氧化物,所述第一电极层的材料为多晶透明金属氧化物。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的触控基板,其特征在于,所述第一电极层的中心与所述第二电极层的中心位于同一竖直线上。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至8中任一项所述的触控基板。
10.一种触控基板制作方法,其特征在于,包括:
在第一基底上形成第一电极层;
在第一电极层上形成第二电极层,
其中,所述第一电极层的材料为非晶透明金属氧化物,所述第二电极层的材料为多晶透明金属氧化物,
或所述第二电极层的材料为非晶透明金属氧化物,所述第一电极层的材料为多晶透明金属氧化物;
通过多晶透明金属氧化物蚀刻液蚀刻所述第一电极层和所述第二电极层,以形成预设图形;
通过非晶透明金属氧化物蚀刻液蚀刻所述第一电极层或所述第二电极层,以使所述第一电极层的宽度小于所述第二电极层的宽度,或使所述第二电极层的宽度小于所述第一电极层的宽度;
在所述第二电极层之上设置第二基底。
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