CN104950979A

CN104950979A - 温度相关的电流限制

Info

Publication number: CN104950979A
Application number: CN201510138600.9A
Authority: CN
Inventors: R.伊林; A.迈尔
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2014-03-28
Filing date: 2015-03-27
Publication date: 2015-09-30
Anticipated expiration: 2035-03-27
Also published as: US10120398B2; US20150277456A1; DE102015104592A1; CN104950979B

Abstract

本发明为温度相关的电流限制。在一个实例中，一种方法包括：通过温度传感器确定控制流向负载的电流量的器件的温度；以及基于所述器件的温度确定阈值电流。所述方法还包括：响应于确定流向负载的电流量大于阈值电流，调节流向负载的电流量。

Description

温度相关的电流限制

技术领域

本公开内容涉及用于限制电流的技术，并且特别涉及用于根据温度来限制电流的技术。

背景技术

电流限制技术可以被用作针对例如电力晶体管之类的电力供应器件的保护性功能，以便在过载（例如短路）的情况下保护所述器件免受损坏。通常来说，当由器件提供的电流超出阈值电流时会发生过载。在某些实例中，可能希望选择尽可能低的阈值电流，以便减少检测过载所需的时间。在某些实例中，可能希望选择尽可能高的阈值电流，以便允许电力供应器件驱动更大的负载。

发明内容

总体来说，本公开内容涉及用于根据控制提供给负载的电流量的器件的温度来限制提供给负载的电流量的技术。所述技术可以通过一个或更多器件或者系统来实施。举例来说，一种系统可以包括可被用来控制提供给负载的电流量的半导体器件，以及可以被集成到所述半导体器件中或者可以被定位在所述半导体器件附近的温度传感器。所述系统还可以包括被配置成基于由温度传感器测量的温度来确定阈值电流的一个或更多组件，以及被配置成确定由半导体器件提供的电流量的一个或更多组件。响应于确定提供给负载的电流大于阈值电流，所述半导体器件可以调节流向负载的电流量。因此，取代使用恒定阈值电流，本公开内容的技术可以允许所述系统使用至少基于所述半导体器件的温度而确定的动态阈值电流。

在一个实例中，一种方法包括：通过温度传感器确定控制流向负载的电流量的器件的温度；基于所述器件的温度确定阈值电流；以及响应于确定流向负载的电流量大于阈值电流，调节流向负载的电流量。

在另一个实例中，一种系统包括：被配置成控制流向负载的电流量的器件；被配置成确定所述器件温度的温度模块；被配置成基于所述器件的温度确定阈值电流的阈值电流模块；以及被配置成响应于确定流向负载的电流量大于阈值电流而调节流向负载的电流量的电流控制模块。

在另一个实例中，一种系统包括：用于控制流向负载的电流量的装置；用于确定所述用于控制的装置的温度的装置；用于根据所述用于控制的装置的温度确定阈值电流的装置；以及用于响应于确定流向负载的电流量大于阈值电流而调节流向负载的电流量的装置。

在附图和后面的描述中阐述了本公开内容的一个或更多实例的细节。通过所述描述和附图并且通过权利要求，其他特征、目的和优点将会显而易见。

附图说明

图1是根据本公开内容的一种或更多种技术的用于限制提供给负载的电流量的示例性系统的概念图。

图2是根据本公开内容的一种或更多种技术的可以限制提供给负载的电流量的示例性系统的方框图。

图3是根据本公开内容的一种或更多种技术的可以限制提供给负载的电流量的另一种示例性系统的方框图。

图4是根据本公开内容的一种或更多种技术的可以限制提供给负载的电流量的另一种示例性系统的方框图。

图5是根据本公开内容的一种或更多种技术的可以限制提供给负载的电流量的另一种示例性系统的方框图。

图6是示出了根据本公开内容的一种或更多种技术的限制提供给负载的电流量的示例性系统的示例性信号的图。

图7A-7B是示出了根据本公开内容的一种或更多种技术的限制提供给负载的电流量的示例性系统的示例性信号的图。

图8是示出了根据本公开内容的一种或更多种技术的限制提供给负载的电流量的示例性系统的示例性操作的流程图。

具体实施方式

总体来说，本公开内容是针对用于根据控制提供给负载的电流量的器件的温度来限制提供给负载的电流量的技术。所述技术可以通过一个或更多器件或者系统来实施。举例来说，一种系统可以包括可被用来控制提供给负载的电流量的半导体器件，以及可以被集成到所述半导体器件中或者可以被定位在所述半导体器件附近的温度传感器。所述系统还可以包括被配置成基于由温度传感器测量的温度来确定阈值电流的一个或更多组件，以及被配置成确定由半导体器件提供的电流量的一个或更多组件。响应于确定提供给负载的电流大于阈值电流，所述半导体器件可以调节流向负载的电流量。因此，取代使用恒定阈值电流，本公开内容的技术可以允许所述系统使用至少基于所述半导体器件的温度而确定的动态阈值电流。

电流限制可以被用作针对例如电力晶体管之类的器件的保护性功能，以便在过载（例如短路）的情况下保护所述器件免受损坏。作为半导体器件的小型化程度不断提高（即R_onx面积的减小）以及短路周期期间的响应时间的改进的结果，短路脉冲可能变得较以往更短。通常来说，可以通过电流（I）和电感（L）来确定去激活期间的电力损耗或有功分量（energy component）。举例来说，可以根据下面的等式（1）确定去激活期间的能量：

。

负载电路中的电感性组件可以是特定于应用的。因此，不同于电流，对所述电感性组件进行调节可能更加困难。在某些实例中，可能希望选择尽可能低的阈值电流，以便减少检测过载所需的时间。举例来说，为了以更多的短路周期数目的形式改进器件的短路鲁棒性，可能希望选择尽可能低的阈值电流。通过这种方式，器件在去激活期间可以吸收更少的能量，并且从而在失效之前能够承受数目更多的短路周期。

在某些实例中，可能希望选择尽可能高的阈值电流，以便允许电力供应器件驱动更大的负载。举例来说，为了允许单一器件驱动多个负载（并且减少对于附加器件的需要），可能希望选择尽可能高的阈值电流。相应地，所述电流数值可以是最大可切换负载与短路周期数目之间的折衷结果。

图1是示出了根据本公开内容的一种或更多种技术的用于限制提供给负载的电流量的示例性系统2的概念图。如图1中所示，系统2包括器件4和负载14。

在某些实例中，系统2包括可以被配置成控制提供给负载14的电流量的器件4。在某些实例中，器件4包括温度模块6、阈值电流模块8、电流控制模块10和电力供应装置12。

在某些实例中，器件4可以包括可被配置成确定温度的温度模块6。举例来说，温度模块6可以被配置成确定电力供应装置12的温度。在某些实例中，温度模块6可以被配置成向器件4的一个或更多其他组件（比如阈值电流模块8）提供所确定的温度。在某些实例中，温度模块6可以包括一个或更多温度传感器。可以被包括在温度模块6中的温度传感器的实例包括而不限于双极型晶体管、二极管、热敏电阻器、热电偶等等。在某些实例中，温度模块6可以包括正温度系数（PTC）温度传感器。换句话说，在某些实例中，与较低温度下相比，温度模块6的特性在更高温度下可以具有更高的数值。在某些实例中，温度模块6可以包括负温度系数（NTC）温度传感器。换句话说，在某些实例中，与较低温度下相比，温度模块6的特性在更高温度下可以具有较低的数值。

在某些实例中，器件4可以包括阈值电流模块8，其可以被配置成至少部分地基于温度数值来确定阈值电流。举例来说，阈值电流模块8可以至少部分地基于接收自温度模块6的电力供应装置12的温度来确定阈值电流。阈值电流模块8的实例可以包括而不限于一个或更多处理器，其中包括一个或更多微处理器、数字信号处理器（DSP）、专用集成电路（ASIC）、现场可编程门阵列（FPGA）或者任何其他等效的集成或分立逻辑电路，以及此类组件的任何组合。在某些实例中，阈值电流模块8可以被配置成向器件4的一个或更多其他组件（比如电流控制模块10）提供所确定的阈值电流。

在某些实例中，器件4可以包括电流控制模块10，其可以被配置成控制提供给负载14的电流量。在某些实例中，电流控制模块10可以被配置成确定由器件4提供给负载14的电流量。举例来说，电流控制模块10可以被配置成确定由电力供应装置12提供的电流量。在某些实例中，电流控制模块10可以被配置成至少基于接收自阈值电流模块8的阈值电流来控制提供给负载14的电流量。举例来说，响应于确定提供给负载14的电流量大于阈值电流，电流控制模块10可以被配置成调节提供给负载14的电流量。电流控制模块10的实例可以包括而不限于一个或更多处理器，其中包括一个或更多微处理器、数字信号处理器（DSP）、专用集成电路（ASIC）、现场可编程门阵列（FPGA）或者任何其他等效的集成或分立逻辑电路，以及此类组件的任何组合。

在某些实例中，器件4可以包括电力供应装置12，其可以被配置成向负载14提供电力。在某些实例中，电力供应装置12可以被配置成从另一个器件接收电力，把所接收到的电力的至少一部分提供给负载14。举例来说，电力供应装置12可以包括被配置成控制提供给负载14的电流量的开关。电力供应装置12的实例可以包括而不限于半导体（例如电力晶体管）、开关模式电力供应装置、调节电力供应装置或者能够向负载提供电力的任何其他器件。

在某些实例中，系统2可以包括负载14，其可以被配置成从器件4接收电力。在某些实例中，负载14可以包括一个或更多发光器件（例如一个或更多电灯泡、一个或更多发光二极管（LED）、一个或更多激光二极管等等）、一个或更多电池、一个或更多计算器件、一个或更多电阻性器件、一个或更多电容性器件、一个或更多电感性器件、使用电力的任何其他器件或者其任何组合。

根据本公开内容的一种或更多种技术，器件4可以至少部分地基于温度数值来限制提供给负载14的电流量。在第一时间处，器件4可以开始向负载14提供电力。举例来说，电力供应装置12可以使得电流开始流向负载14。在开始从器件4接收电力后，负载14可以变为通电并且吸取涌入电流量。在某些实例中，比如在负载14包括一个或更多发光器件的情况下，所述涌入电流量可能大于负载14在稳定状态下所吸取的电流量。

温度模块6可以确定器件4的一个或更多组件的温度。举例来说，温度模块6的一个或更多温度传感器可以确定电力供应装置12的温度。温度模块6可以将所确定的电力供应装置12的温度提供到阈值电流模块8。

阈值电流模块8可以至少基于所接收到的电力供应装置12的温度来确定阈值电流。在某些实例中，阈值电流模块8可以利用NTC确定阈值电流。举例来说，阈值电流模块8可以在电力供应装置12的温度处于高数值时确定针对阈值电流的第一数值，并且在电力供应装置12的温度处于较低数值时确定针对阈值电流的较低的第二数值。在某些实例中，阈值电流模块8可以至少基于电力供应装置12的温度和偏移量温度来确定阈值电流。举例来说，阈值电流模块8可以将阈值电流确定为是恒定的，直到电力供应装置12的温度超出偏移量温度为止。阈值电流模块8可以将所确定的阈值电流输出到电流控制模块10。

电流控制模块10可以接收阈值电流，并且确定阈值电流是否大于提供给负载14的电流量。在某些实例中，电流控制模块10可以通过激活感测电阻器来确定提供给负载14的电流量，所述感测电阻器上的电压降对应于由电力供应装置12提供的电流量。响应于确定提供给负载14的电流量大于阈值电流，电流控制模块10可以调节提供给负载14的电流量。在某些实例中，电流控制模块10可以通过将流向负载14的电流量限制到阈值电流来调节提供给负载14的电流量。在某些实例中，电流控制模块10可以通过去激活负载14（即使得器件4向负载14提供近似零的电流）来调节提供给负载14的电流量。在某些实例中，电流控制模块10可以通过向电力供应装置12发送信号来调节提供给负载14的电流量，所述信号使得电力供应装置12调节流向负载14的电流量。通过这种方式，电流控制模块10可以至少部分地基于电力供应装置12的温度来限制提供给器件14的电流量。同样通过这种方式，电流控制模块10可以改进器件4的短路鲁棒性。

图2是示出了根据本公开内容的一种或更多种技术的可以限制提供给负载的电流量的示例性系统的细节的方框图。如图2的实例中所示，其可以包括器件4A和负载14。如图2的实例中所示的器件4A可以包括温度模块6A、阈值电流模块8A、电流控制模块10A和电力供应装置12。

温度模块6A可以被配置成实施类似于图1的温度模块6的操作。举例来说，温度模块6A可以被配置成确定器件4A的一个或更多组件的温度。如图2中所示，温度模块6A可以包括温度传感器18A和电流源20A。

在某些实例中，温度模块6A可以包括温度传感器18A，其可以被配置成测量温度。举例来说，温度传感器18A可以被配置成测量电力供应装置12的温度。正如前面所讨论的那样，温度模块6A可以具有NTC或PTC。因此，温度传感器18A可以具有NTC或PTC。在某些实例中，温度传感器18A可以是半导体器件，比如双极型晶体管、电阻器（即多晶硅电阻器、扩散电阻器、金属电阻器或热敏电阻器）或者二极管。同样如前面所讨论的那样，温度传感器18A上的电压降可以对应于所测量的温度。

在某些实例中，温度模块6A可以包括电流源20A，其可以被配置成输出电流。在某些实例中，电流源20A可以是恒流源，其可以输出恒定电流（I_Const）。在某些实例中，电流源20A可以是温度独立恒流源，其可以输出恒定电流（I_Const）而不管电流源20A的温度如何。在某些实例中，电流源20A可以被配置成利用恒定电流来偏置温度传感器18A。

阈值电流模块8A可以被配置成实施类似于图1的阈值电流模块8A的操作。举例来说，阈值电流模块8A可以被配置成至少基于接收自温度模块6A的温度来确定阈值电流。如图2中所示，阈值电流模块8A可以包括放大器22A、电阻器24A、晶体管26A、第一电流镜27A和第二电流镜31A。

在某些实例中，阈值电流模块8A可以包括放大器22A、电阻器24A和晶体管26A，其可以被配置成将温度传感器18A上的电压降转换成电流。在某些实例中，晶体管26A可以是p型晶体管（例如PMOS晶体管）。在某些实例中，晶体管26A可以是n型晶体管（例如NMOS晶体管）。在某些实例中，放大器22A、电阻器24A和晶体管26A可以向器件4A的一个或更多其他组件（比如第一电流镜27A）提供电流。

在某些实例中，阈值电流模块8A可以包括第一电流镜27A，其可以被配置成接收第一电流并且输出对应于第一电流的第二电流。在某些实例中，第一电流镜27A可以包括晶体管28A和晶体管30A。在某些实例中，晶体管28A和晶体管30A可以是n型晶体管（例如NMOS晶体管）。在某些实例中，晶体管28A和晶体管30A可以是p型晶体管（例如PMOS晶体管）。在某些实例中，第一电流镜27A可以被配置成向器件4A的一个或更多其他组件（比如第二电流镜31A）输出第二电流（其对应于第一电流）。

在某些实例中，阈值电流模块8A可以包括第二电流镜31A，其可以被配置成接收第一电流并且输出对应于第一电流的第二电流。在某些实例中，第二电流镜31A可以包括晶体管32和晶体管34。在某些实例中，晶体管32和晶体管34可以是n型晶体管（例如NMOS晶体管）。在某些实例中，晶体管32和晶体管34可以是p型晶体管（例如PMOS晶体管）。在某些实例中，第二电流镜31A可以被配置成向器件4A的一个或更多其他组件（比如电流控制模块10的电阻器38）输出第二电流（其对应于第一电流）。

电流控制模块10A可以被配置成实施类似于图1的电流控制模块10的操作。举例来说，控制电流模块10A可以被配置成控制提供给负载14的电流量。如图2中所示，电流控制模块10A可以包括电流源36、电阻器38、控制器40A、驱动器42、输入端44、晶体管46和电阻器48。

在某些实例中，电流控制模块10A可以包括电流源36，其可以被配置成输出电流。在某些实例中，电流源36可以是参考电流源，其可以输出参考电流（I_Ref）。在某些实例中，电流源36可以被配置成向器件4A的一个或更多其他组件（比如电阻器38）输出参考电流。

在某些实例中，电流控制模块10A可以包括电阻器38，其可以被配置成基于一个或更多电流生成电压降。举例来说，电阻器38可以被配置成生成对应于接收自阈值电流模块8A的阈值电流（即I_Temp）和接收自电流源36的参考电流（即I_Ref）的电压降。

在某些实例中，电流控制模块10A可以包括控制器40A，其可以被配置成基于第一电压和第二电压确定一个信号。在某些实例中，第一电压可以是电阻器38上的电压，并且第二电压可以是电阻器48上的电压。在某些实例中，控制器40A可以被配置成把所确定的信号输出到驱动器42。在某些实例中，控制器40A可以是比较器。举例来说，在第二电压大于第一电压的情况下（也就是说在由电力供应装置12提供的电流小于阈值电流的情况下），控制器40A可以被配置成向驱动器42输出信号，其使得驱动器42在没有改变的情况下继续驱动电力供应装置12。或者，在这样的实例中，在第一电压大于第二电压的情况下（也就是说在阈值电流大于由电力供应装置12提供的电流的情况下），控制器40A可以被配置成向驱动器42输出信号，其使得驱动器42去激活电力供应装置12。

在某些实例中，控制器40A可以是调节器（regulator）。举例来说，在第二电压大于第一电压的情况下（也就是说在由电力供应装置12提供的电流小于阈值电流的情况下），控制器40A可以被配置成向驱动器42输出信号，其使得驱动器42在没有改变的情况下继续驱动电力供应装置12。或者，在这样的实例中，在第一电压大于第二电压的情况下（也就是说在阈值电流大于由电力供应装置12提供的电流的情况下），控制器40A可以被配置成向驱动器42输出信号，其使得驱动器42减少由电力供应装置12提供的电流量。

在某些实例中，电流控制模块10A可以包括驱动器42，其可以被配置成操作器件4A的一个或更多组件。举例来说，驱动器42可以被配置成向电力供应装置12输出信号，其使得电力供应装置12向负载14提供电力。在某些实例中，驱动器42可以被配置成向晶体管46输出信号，其使得晶体管46“开启”。

在某些实例中，电流控制模块10A可以包括输入端44，其可以被配置成接收信号。在某些实例中，在输入端44处接收到的信号可以是“使能”信号，其可以被配置成使得驱动器42激活/去激活电力供应装置12和/或晶体管46。

在某些实例中，电流控制模块10A可以包括晶体管46，其可以被配置成开关电流。举例来说，在“开启”状态下，晶体管46可以被配置成允许电流流过电阻器48。在某些实例中，由晶体管46开关的电流可以对应于由电力供应装置12提供给负载14的电流。

在某些实例中，电流控制模块10A可以包括电阻器48，其可以被配置成基于一个或更多电流生成电压降。举例来说，电阻器48可以被配置成生成对应于由电力供应装置12提供给负载14的电流的电压降。换句话说，电阻器48可以是感测电阻器。

电力供应装置12可以被配置成实施类似于图1的电流控制模块10的操作。举例来说，电力供应装置12可以被配置成向负载14提供电力。在某些实例中，由电力供应装置12提供的电力量可以基于接收自驱动器42的信号。在某些实例中，电力供应装置12可以包括一个或更多电力耗散器件，比如一个或更多半导体器件。举例来说，电力供应装置12可以包括一个或更多电力晶体管、一个或更多金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、一个或更多半导体闸流管、一个或更多绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以及/或者其组合。可以被包括在电力供应装置12中的一些示例性MOSFET包括而不限于一个或更多双扩散金属氧化物半导体（DMOS）MOSFET、一个或更多P衬底（PMOS）MOSFET、一个或更多沟槽型（UMOS）MOSFET以及一个或更多超结深沟槽MOSFET（例如一个或更多CoolMOS^TM MOSFET）。

根据本公开内容的一种或更多种技术，器件4A可以至少部分地基于温度数值来限制提供给负载14的电流量。在第一时间处，响应于通过输入端44接收到信号，驱动器42可以向电力供应装置12输出信号，其使得电力供应装置12向负载14提供电流。在开始从电力供应装置12接收电力时，负载14可以变为通电并且吸取涌入电流量。在某些实例中，比如在负载14包括一个或更多发光器件的情况下，所述涌入电流量可能大于负载14在稳定状态下所吸取的电流量。此外，作为向负载14提供电力的结果，电力供应装置12的温度可能开始升高。

这一温度升高可以由温度模块6A的温度传感器18A测量。举例来说，温度传感器18A可以将电力供应装置12的温度转换成电压信号。正如前面所讨论的那样，温度传感器18A可以具有PTC或NTC。在图2的实例中，温度传感器18A可以具有NTC。同样正如前面所讨论的那样，可以利用由电流源20A生成的恒定电流（I_Const）来偏置温度传感器18A。在任何情况下，温度模块6A可以将所述电压信号输出到阈值电流模块8A。

阈值模块8A可以至少部分地基于接收自温度模块6A的电压信号确定阈值电流。举例来说，正如前面所讨论的那样，放大器22A、电阻器24A和晶体管26A可以将所述电压信号转换成电流。在某些实例中，所述电流可以是阈值电流。在某些实例中，阈值电流模块8A可以对所述电流实施另外的操作，以便确定阈值电流。在这样的实例中，由放大器22A、电阻器24A和晶体管26A确定的电流可以被视为中间阈值电流。在某些实例中，所述阈值电流模块可以包括一个或更多电流镜，其被配置成对中间阈值电流进行镜像以便确定阈值电流。举例来说，第一电流镜27A可以对中间阈值电流进行镜像，并且向第二电流镜31A提供第二中间阈值电流。第二电流镜31A可以对第二中间阈值电流进行镜像，以便确定阈值电流。在任何情况下，阈值电流模块8A都可以将阈值电流（I_Temp）输出到电流控制模块10A。

电流控制模块10A可以从阈值电流模块8A接收阈值电流，并且基于阈值电流调节流向负载14的电流量。举例来说，电流控制模块10A的控制器40A可以确定流向负载14的电流量是否大于阈值电流。在某些实例中，如果电阻器48上的电压大于电阻器38上的电压，则控制器40A可以确定流向负载14的电流量大于阈值电流。响应于确定流向负载14的电流量大于阈值电流，控制器40A可以向驱动器42输出信号，其使得驱动器42调节由电力供应装置12提供给负载14的电流量。在某些实例中，控制器40A可以向驱动器42输出所述信号，从而使得驱动器42去激活电力供应装置12。通过这种方式，当流向负载14的电流量大于阈值电流时，控制器40A可以“解扣（trip）”。在某些实例中，控制器40A可以向驱动器42输出所述信号，从而使得驱动器42把由电力供应装置12提供的电力量减小到阈值电流以下。通过这种方式，当流向负载14的电流量大于阈值电流时，控制器40A可以进行“调节”。

图3是示出了根据本公开内容的一种或更多种技术的可以限制提供给负载的电流量的另一种示例性系统的细节的方框图。如图3的实例中所示，其可以包括器件4B和负载14。如图3的实例中所示的器件4B可以包括温度模块6B、阈值电流模块8B、电流控制模块10A和电力供应装置12。

温度模块6B可以被配置成实施类似于图1的温度模块6的操作。举例来说，温度模块6B可以被配置成确定器件4B的一个或更多组件的温度。

阈值电流模块8B可以被配置成实施类似于图1的阈值电流模块8和/或图2的阈值电流模块8A的操作。举例来说，阈值电流模块8B可以被配置成至少基于接收自温度模块6B的温度来确定阈值电流。在某些实例中，阈值电流模块8B可以被配置成至少部分地基于接收自温度模块6B的温度和第二温度来确定阈值电流。如图3中的实例中所示，阈值电流模块8B可以包括放大器22B、电阻器24B、晶体管26B、第一电流镜27B、第三电流镜51和电流源56。放大器22B、电阻器24B、晶体管26B和第一电流镜27B的特征和功能类似于前面参照图2描述的放大器22A、电阻器24A、晶体管26A和第一电流镜27A的功能。

在某些实例中，阈值电流模块8B可以包括电流源56，其可以被配置成输出电流（I_Start）。在某些实例中，电流源56可以被配置成基于第二温度输出所述电流，从而使得如果电力供应装置12的温度低于第二温度，则不调节流向负载14的电流量。在某些实例中，第二温度可以被固定在预定数值。在某些实例中，所述预定数值可以基于负载14的一项或更多项特性。在某些实例中，第二温度可以是周围环境温度，其可以由第二温度模块的温度传感器测量。在某些情况下，所述周围环境温度可以是器件4B所处的周围环境温度。换句话说，所述周围环境温度可以是周围环境芯片温度。

在某些实例中，阈值电流模块8B可以包括第三电流镜51，其可以被配置成接收第一电流并且输出对应于第一电流的第二电流。在某些实例中，第三电流镜51可以包括晶体管52和晶体管54。在某些实例中，晶体管52和晶体管54可以是n型晶体管（例如NMOS晶体管）。在某些实例中，晶体管52和晶体管54可以是p型晶体管（例如PMOS晶体管）。在某些实例中，第三电流镜51可以被配置成向器件4B的一个或更多其他组件（比如电流控制模块10A的电阻器38）输出第二电流（其对应于第一电流）。

电流控制模块10A可以被配置成实施类似于图1的电流控制模块10和/或图2的电流控制模块10A的操作。举例来说，控制电流模块10A可以被配置成控制提供给负载14的电流量。

电力供应装置12可以被配置成实施类似于图1-2的电力供应装置12的操作。举例来说，电力供应装置12可以被配置成向负载14提供电力（例如基于接收自电流控制模块10A的驱动器42的信号）。

根据本公开内容的一种或更多种技术，器件4B可以至少部分地基于温度数值来限制提供给负载14的电流量。在第一时间处，响应于通过输入端44接收到信号，驱动器42可以向电力供应装置12输出信号，其使得电力供应装置12向负载14提供电流。在开始从电力供应装置12接收电力时，负载14可以变为通电并且吸取涌入电流量。在某些实例中，比如在负载14包括一个或更多发光器件的情况下，所述涌入电流量可能大于负载14在稳定状态下所吸取的电流量。此外，作为向负载14提供电力的结果，电力供应装置12的温度可能开始升高。

这一温度升高可以由温度模块6B的温度传感器18B测量。举例来说，温度传感器18B可以将电力供应装置12的温度转换成电压信号。正如前面所讨论的那样，温度传感器18B可以具有PTC或NTC。在图3的实例中，温度传感器18B可以具有NTC。同样正如前面所讨论的那样，可以利用由电流源20B生成的恒定电流（I_Const）来偏置温度传感器18B。在任何情况下，温度模块6B可以将所述电压信号输出到阈值电流模块8B。

阈值模块8B可以至少部分地基于接收自温度模块6B的电压信号确定阈值电流。举例来说，正如前面所讨论的那样，放大器22B、电阻器24B和晶体管26B可以将所述电压信号转换成电流。在某些实例中，所述电流可以是阈值电流。在某些实例中，阈值电流模块8B可以对所述电流实施另外的操作，以便确定阈值电流。在这样的实例中，由放大器22B、电阻器24B和晶体管26B确定的电流可以被视为中间阈值电流。在某些实例中，所述阈值电流模块可以包括一个或更多电流镜，其被配置成对中间阈值电流进行镜像以便确定阈值电流。举例来说，第一电流镜27B可以对中间阈值电流进行镜像，并且向第三电流镜51提供第二中间阈值电流。

第三电流镜51可以对其输入电流进行镜像，以便确定阈值电流。在某些实例中，第三电流镜的输入电流可以是由第一电流镜27B输出的第二中间电流与由电流源56提供的电流（即I_Start）之和。正如前面所讨论的那样，由电流源56提供的电流可以基于第二温度。通过这种方式，第三电流镜51的输出电流（即阈值电流）可以基于电力供应装置12的温度和第二温度。在任何情况下，阈值电流模块8B可以向电流控制模块10A输出阈值电流（I_Temp）。

电流控制模块10A可以接收来自阈值电流模块8B的阈值电流，并且基于阈值电流调节流向负载14的电流量。正如前面所讨论的那样，电流源36输出参考电流I_Ref。在某些实例中，比如图3的实例，阈值电流可以是负的，从而使得可以根据下面的等式2确定流过电阻器38的电流。前面参照图2提供了电流控制模块10A的操作的进一步细节。

图4是根据本公开内容的一种或更多种技术的可以限制提供给负载的电流量的另一种示例性系统的方框图。如图4的实例中所示，其可以包括器件4C和负载14。如图4的实例中所示的器件4C可以包括温度模块6B、阈值电流模块8B、电流控制模块10B和电力供应装置12。前面参照图1-3讨论了温度模块6B、阈值电流模块8B和电力供应装置12的特征和功能。

电流控制模块10B可以被配置成实施类似于图1的电流控制模块10和/或图2-3的电流控制模块10A的操作。举例来说，控制电流模块10B可以被配置成控制提供给负载14的电流量。如图4中所示，电流控制模块10B可以包括控制器40B、驱动器42、输入端44、晶体管46和电阻器48。前面参照图1-3讨论了驱动器42、输入端44、晶体管46和电阻器48的特征和功能。

在某些实例中，电流控制模块10B可以包括控制器40B，其可以被配置成基于第一电压和第二电压确定一个信号。如图4中所示，控制器40B可以包括电流源50、电流源52、晶体管54、晶体管56和反相器58。

在某些实例中，控制器40B可以包括电流源50，其可以被配置成输出第一偏置电流（I_Bias）。在某些实例中，控制器40B可以包括电流源52，其可以被配置成输出第二偏置电流（I_Bias）。在某些实例中，由电流源50输出的第一偏置电流可以等效于由电流源52输出的第二电流。在某些实例中，由电流源50输出的第一偏置电流可以不等效于由电流源52输出的第二电流。

在某些实例中，控制器40B可以包括晶体管54，其可以被配置成控制电流。举例来说，在“开启”状态下，晶体管54可以被配置成允许电流流向电阻器48与晶体管46之间的节点。在某些实例中，控制器40B可以包括晶体管56，其可以被配置成控制电流。举例来说，在“开启”状态下，晶体管56可以被配置成允许电流流向电阻器48与电力供应装置12之间的节点。在某些实例中，比如如果晶体管54和晶体管56是双极结型晶体管（BJT），则晶体管56可以具有大于晶体管54的发射极面积。作为一个实例，晶体管56可以具有是晶体管54的发射极面积的2倍、4倍、6倍、8倍的发射极面积。作为另一个实例，晶体管56可以包括多个晶体管，其具有是晶体管54的发射极面积的2倍、4倍、6倍、8倍的组合的发射极面积。通过这种方式，晶体管54和晶体管56可以生成固有偏移量，其可以被称作ΔV_be。在某些实例中，比如如果晶体管54和晶体管56是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），则晶体管56的宽度对长度比值（W/L）可以大于晶体管54的W/L比值。通过这种方式，晶体管54和晶体管56可以生成固有偏移量，其可以被称作ΔV_gs。

根据本公开内容的一种或更多种技术，器件4C可以至少部分地基于温度数值来限制提供给负载14的电流量。在第一时间处，响应于通过输入端44接收到信号，驱动器42可以向电力供应装置12输出信号，其使得电力供应装置12向负载14提供电流。在开始从电力供应装置12接收电力时，负载14可以变为通电并且吸取涌入电流量。在某些实例中，比如在负载14包括一个或更多发光器件的情况下，所述涌入电流量可能大于负载14在稳定状态下所吸取的电流量。此外，作为向负载14提供电力的结果，电力供应装置12的温度可能开始升高。

温度模块6B的温度传感器18B可以向阈值电流模块8B输出对应于电力供应装置12的温度的信号。阈值电流模块8B可以接收所述信号，基于所述信号确定阈值电流（即I_Temp），并且向电流控制模块10B输出所确定的阈值电流。

电流控制模块10B可以接收来自阈值电流模块8B的阈值电流，并且基于阈值电流调节流向负载14的电流量。举例来说，可以从由电流源50输出的电流（例如I_Bias）中减去电流I_Temp，从而可以把流过晶体管54的电流减小I_Temp的量。其结果是，晶体管54的集电极电流被减小，从而又可以导致晶体管54上的电压降减小。此外，所述晶体管对（晶体管54和晶体管56）的固有偏移量（例如ΔV_be）也可以被减小，从而使得随着I_Temp的数值增大，控制器40B限制或解扣流向负载14的电流的电流水平减小。换句话说，随着I_Temp的数值增大，在流过负载14的更低电流下激活电流检测。

图5是示出根据本公开内容的一种或更多种技术的可以限制提供给负载的电流量的另一种示例性系统的细节的方框图。如图5的实例中所示，可以包括器件4D和负载14。如图5的实例中所示的器件4D可以包括温度模块6D、阈值电流模块8D、电流控制模块10A和电力供应装置12。

温度模块6D可以被配置成实施类似于图1的温度模块6的操作。举例来说，温度模块6D可以被配置成确定器件4D的一个或更多组件的温度。如图5的实例中所示，温度模块6D包括温度传感器64，其可以被配置成测量电力供应装置12的温度。正如前面所讨论的那样，温度模块6D可以具有NTC或PTC。因此，温度传感器64可以具有NTC或PTC。在某些实例中，温度传感器64上的电压降可以对应于电力供应装置12的温度。

阈值电流模块8D可以被配置成实施类似于图1的阈值电流模块8的操作。举例来说，阈值电流模块8D可以被配置成至少基于接收自温度模块6D的温度来确定阈值电流。如图5中所示，阈值电流模块8D可以包括电压源60、放大器62和晶体管66。

阈值电流模块8D可以包括电压源60，其可以被配置成输出电压信号。在某些实例中，电压源60可以是带隙电压参考，其可以被配置成输出独立于操作温度的恒定电压水平。电压源60可以被配置成向器件4D的一个或更多其他组件（比如放大器62）输出电压信号。

阈值电流模块8D可以包括放大器62，其连同晶体管66可以被配置成根据两个输入信号来确定电流。举例来说，放大器62和晶体管66可以根据接收自电压源60的电压和接收自温度模块6D的电压信号来调节电流。

电流控制模块10A可以被配置成实施类似于图1-3的电流控制模块10A的操作。举例来说，控制电流模块10A可以被配置成控制提供给负载14的电流量。

电力供应装置12可以被配置成实施类似于图1-4的电力供应装置12的操作。举例来说，电力供应装置12可以被配置成向负载14提供电力（例如基于接收自电流控制模块10A的驱动器42的信号）。

根据本公开内容的一种或更多种技术，器件4D可以至少部分地基于温度数值来限制提供给负载14的电流量。在第一时间处，响应于通过输入端44接收到信号，驱动器42可以向电力供应装置12输出信号，其使得电力供应装置12向负载14提供电流。在开始从电力供应装置12接收电力时，负载14可以变为通电并且吸取涌入电流量。在某些实例中，比如在负载14包括一个或更多发光器件的情况下，所述涌入电流量可能大于负载14在稳定状态下所吸取的电流量。此外，作为向负载14提供电力的结果，电力供应装置12的温度可能开始升高。

温度模块6D的温度传感器64可以向阈值电流模块8D输出对应于电力供应装置12的温度的信号。阈值电流模块8D可以接收所述信号，基于所述信号确定阈值电流（即I_Temp），并且将所确定的阈值电流输出到电流控制模块10A。

电流控制模块10A可以接收来自阈值电流模块8D的阈值电流，并且基于所述阈值电流调节流向负载14的电流量。前面参照图1-4提供了电流控制模块10A的操作的进一步细节。

图6是示出了根据本公开内容的一种或更多种技术的限制提供给负载的电流量的示例性系统的示例性信号的图。如图6中所示，图500可以包括代表温度的水平轴，曲线501示出了第一电流信号，曲线504示出了第二电流信号，并且曲线506示出了第三电流信号。在某些实例中，第一电流信号可以代表并非温度的函数的阈值电流。在某些实例中，第二电流信号可以是基于温度确定的阈值电流，比如由图1的阈值电流模块8、图2的阈值电流模块8A、图3-4的阈值电流模块8B和/或图5的阈值电流模块8D确定的阈值电流。在某些实例中，第三电流信号可以是由电力供应装置提供给负载的电流量，比如由图1-5的器件4的电力供应装置12提供给负载14的电流量。

图7A-7B是示出了根据本公开内容的一种或更多种技术的限制提供给负载的电流量的示例性系统的示例性信号的图。如图7A中所示，图600可以包括代表温度的水平轴，曲线604示出了第一电流信号，并且曲线606示出了第二电流信号。在某些实例中，第一电流信号可以是基于温度确定的阈值电流，比如由图1的阈值电流模块8、图2的阈值电流模块8A、图3-4的阈值电流模块8B和/或图5的阈值电流模块8D确定的阈值电流。在某些实例中，第二电流信号可以是基于温度确定的阈值电流，比如由图1的阈值电流模块8、图2的阈值电流模块8A、图3-4的阈值电流模块8B和/或图5的阈值电流模块8D确定的阈值电流。如第一电流信号所示，在某些实例中，所述阈值电流可以被确定为温度的连续函数。举例来说，第二电流信号可以通过阈值电流模块8的模拟实现方式来确定。如第二电流信号所示，在某些实例中，所述阈值电流可以被确定为温度的阶梯函数。举例来说，第二电流信号可以通过阈值电流模块8的数字实现方式来确定。

图8是示出了根据本公开内容的一种或更多种技术的限制提供给负载的电流量的示例性系统的示例性操作的流程图。仅仅是出于说明的目的，下面在如图1中所示的器件4、分别如图2-5中所示的器件4A-4D的情境中描述所述示例性操作。

根据本公开内容的一种或更多种技术，器件4的温度模块6可以确定控制流向负载（比如负载14）的电流量的器件（比如电力供应装置12）的温度（802）。正如前面所讨论的那样，温度模块6可以输出对应于所测量的温度的电压信号。举例来说，温度模块6A的温度传感器18A可以确定图2的电力供应装置12的温度，并且向阈值电流模块8A的放大器22A输出相应的电压信号。

阈值电流模块8可以基于所确定的所述器件的温度来确定阈值电流（804）。正如前面所讨论的那样，阈值电流模块8可以通过将接收自温度模块6的电压信号转换成电流信号（例如I_Temp）来确定阈值电流。举例来说，器件4A的阈值电流模块8A的放大器22A、电阻器24A和晶体管26A可以将接收自温度模块6A的电压信号转换成电流信号。在某些实例中，器件4可以包括被配置成对经过转换的电流信号进行镜像的一个或更多电流镜。举例来说，在图2的实例中，器件4A包括第一电流镜27A和第二电流镜31A。作为另一个实例，在图3的实例中，器件4B包括第一电流镜27B和第三电流镜51。

响应于确定流向负载的电流量大于阈值电流，电流控制模块10可以调节流向负载的电流量（806）。正如前面所讨论的那样，电流控制模块10的控制器40可以把对应于流向负载14的电流的第一电压（即电阻器48上的电压）与对应于阈值电流的第二电压（即电阻器38上的电压）进行比较，以便确定流向负载的电流量是否大于阈值电流。

实例1：一种方法，其包括：通过温度传感器确定控制流向负载的电流量的器件的温度；基于所述器件的温度确定阈值电流；以及响应于确定流向负载的电流量大于阈值电流，调节流向负载的电流量。

实例2：实例1的方法，其中，调节流向负载的电流量包括：将流向负载的电流量限制到阈值电流。

实例3：实例1-2的任何组合的方法，其中，调节流向负载的电流量包括：去激活负载。

实例4：实例1-3的任何组合的方法，其中，所述温度传感器是第一温度传感器，所述方法还包括：由第二温度传感器确定周围环境温度，其中确定阈值电流包括：基于所述器件的温度和周围环境温度确定阈值电流。

实例5：实例1-4的任何组合的方法，其中，确定所述器件的温度包括：利用恒定电流偏置半导体器件，从而使得在所述半导体器件上得到的电压降对应于所述器件的温度，其中所述半导体器件是双极型晶体管、电阻器或二极管，并且其中确定阈值电流包括：基于所得到的电压降确定中间阈值电流；以及通过一个或更多电流镜对中间阈值电流进行镜像以生成阈值电流。

实例6：实例1-5的任何组合的方法，其中，确定阈值电流包括：基于阈值电流和温度阈值确定阈值电流，从而使得如果所述器件的温度低于温度阈值，则不调节流向负载的电流量。

实例7：实例1-6的任何组合的方法，其中，基于阈值电流和温度阈值确定阈值电流包括：基于所述器件的温度确定中间阈值电流；以及从中间阈值电流中减去起始电流以确定阈值电流，其中所述起始电流基于温度阈值。

实例8：实例1-7的任何组合的方法，其中，在负载激活时，流向负载的电流量在第一时间处达到最大值，其中所述器件的温度在第二时间处达到最大值，并且其中第二时间晚于第一时间。

实例9：实例1-8的任何组合的方法，其中，所述器件是电力晶体管。

实例10：一种系统，其包括：被配置成控制流向负载的电流量的器件；被配置成确定所述器件温度的温度模块；被配置成基于所述器件的温度确定阈值电流的阈值电流模块；以及被配置成响应于确定流向负载的电流量大于阈值电流而调节流向负载的电流量的电流控制模块。

实例11：实例10的系统，其中，调节流向负载的电流量包括：将流向负载的电流量限制到阈值电流。

实例12：实例10-11的任何组合的系统，其中，所述电流控制模块被配置成至少通过以下步骤调节流向负载的电流量：去激活负载。

实例13：实例10-12的任何组合的系统，其中，所述温度模块是第一温度模块，所述系统还包括：被配置成确定周围环境温度的第二温度模块，其中所述阈值电流模块被配置成至少通过以下步骤确定阈值电流：基于所述器件的温度和周围环境温度确定阈值电流。

实例14：实例10-13的任何组合的系统，其中，所述温度模块包括：利用恒定电流偏置的半导体器件，从而使得在所述半导体器件上得到的电压降对应于所述器件的温度，其中所述半导体器件是双极型晶体管、电阻器或二极管，并且其中所述阈值电流模块被配置成至少通过以下步骤确定阈值电流：基于所得到的电压降确定中间阈值电流；以及通过所述阈值电流模块的一个或更多电流镜对中间阈值电流进行镜像以生成阈值电流。

实例15：实例10-14的任何组合的系统，其中，所述阈值电流模块被配置成至少通过以下步骤确定阈值电流：基于阈值电流和温度阈值确定阈值电流，从而使得如果所述器件的温度低于温度阈值，则所述电流控制模块不调节流向负载的电流量。

实例16：实例10-15的任何组合的系统，其中，所述阈值电流模块被配置成至少通过以下步骤确定阈值电流：基于所述器件的温度确定中间阈值电流；以及从中间阈值电流中减去起始电流以确定阈值电流，其中所述起始电流基于温度阈值。

实例17：实例10-16的任何组合的系统，其中，在负载激活时，流向负载的电流量在第一时间处达到最大值，其中所述器件的温度在第二时间处达到最大值，并且其中第二时间晚于第一时间。

实例18：实例10-17的任何组合的系统，其中，所述器件是电力晶体管。

实例19：一种系统，其包括：用于控制流向负载的电流量的装置；用于确定所述用于控制的装置的温度的装置；用于根据所述用于控制的装置的温度确定阈值电流的装置；以及用于响应于确定流向负载的电流量大于阈值电流而调节流向负载的电流量的装置。

实例20：实例19的系统，其中，所述用于调节的装置包括用于去激活负载的装置。

实例21：实例19的系统，其还包括用于实施实例1-9的方法的任何组合的装置。

在本公开内容中描述的技术可以至少部分地通过硬件、软件、固件或者其任何组合来实施。举例来说，所描述的技术的各个方面可以被实施在一个或更多处理器内，其中包括一个或更多微处理器、数字信号处理器（DSP）、专用集成电路（ASIC）、现场可编程门阵列（FPGA）或者任何其他等效的集成或分立逻辑电路，以及此类组件的任何组合。术语“处理器”或“处理电路”可以总体上指代单独的或者与其他逻辑电路相组合的任何前述逻辑电路，或者任何其他等效电路。包括硬件的控制单元也可以实施本公开内容的一种或更多种技术。

这样的硬件、软件和固件可以被实施在相同的器件内或者被实施在分开的器件内，以便支持在本公开内容中描述的各种技术。此外，任何所描述的单元、模块或组件可以被实施在一起，或者被单独实施为分立的但是可互操作的逻辑器件。将不同特征描绘成各模块或单元意图突出表明不同的功能方面，而不一定表明必须通过分开的硬件、固件或软件组件来实现这样的模块或单元。相反，与一个或更多模块或单元相关联的功能可以由分开的硬件、固件或软件组件实施，或者被集成在共同的或分开的硬件、固件或软件组件内。

在本公开内容中描述的技术还可以被具体实现或编码在包括利用指令编码的计算机可读存储介质的制造品中。被嵌入或编码在包括已编码的计算机可读存储介质的制造品中的指令可以使得一个或更多可编程处理器或其他处理器实施这里所描述的一种或更多种技术，这例如是在通过所述一个或更多处理器执行包括或编码在所述计算机可读存储介质中的指令时实现的。计算机可读存储介质可以包括随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、可编程只读存储器（PROM）、可擦写可编程只读存储器（EPROM）、电可擦写可编程只读存储器（EEPROM）、闪存、硬盘、紧致盘ROM（CD-ROM）、软盘、卡盒、磁性介质、光学介质或者其他计算机可读介质。在某些实例中，一项制造品可以包括一个或更多计算机可读存储介质。

在某些实例中，计算机可读存储介质可以包括非临时性介质。术语“非临时性”可以表明所述存储介质并非被具体实现在载波或传播信号中。在某些实例中，非临时性存储介质可以存储可能随着时间改变的数据（例如存储在RAM或高速缓存器中）。

已在本公开内容中描述了各个方面。这些和其他方面都在下面权利要求的范围内。

Claims

1.一种方法，其包括：

通过温度传感器确定控制流向负载的电流量的器件的温度；

基于所述器件的温度确定阈值电流；以及

响应于确定流向负载的电流量大于阈值电流，调节流向负载的电流量。

2.权利要求1的方法，其中，调节流向负载的电流量包括：

将流向负载的电流量限制到阈值电流。

3.权利要求1的方法，其中，调节流向负载的电流量包括：

去激活负载。

4.权利要求1的方法，其中，所述温度传感器是第一温度传感器，所述方法还包括：

由第二温度传感器确定周围环境温度，其中确定阈值电流包括：

基于所述器件的温度和周围环境温度确定阈值电流。

5.权利要求1的方法，其中，确定所述器件的温度包括：

利用恒定电流偏置半导体器件，从而使得在所述半导体器件上得到的电压降对应于所述器件的温度，其中所述半导体器件是双极型晶体管、电阻器或二极管，并且其中确定阈值电流包括：

基于所得到的电压降确定中间阈值电流；以及

通过一个或更多电流镜对中间阈值电流进行镜像以生成阈值电流。

6.权利要求1的方法，其中，确定阈值电流包括：

基于阈值电流和温度阈值确定阈值电流，从而使得如果所述器件的温度低于温度阈值，则不调节流向负载的电流量。

7.权利要求6的方法，其中，基于阈值电流和温度阈值确定阈值电流包括：

基于所述器件的温度确定中间阈值电流；以及

从中间阈值电流中减去起始电流以确定阈值电流，其中所述起始电流基于温度阈值。

8.权利要求1的方法，其中，在负载激活时，流向负载的电流量在第一时间处达到最大值，其中所述器件的温度在第二时间处达到最大值，并且其中第二时间晚于第一时间。

9.权利要求1的方法，其中，所述器件是从由以下各项构成的组当中选择的：电力晶体管、半导体闸流管、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以及金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

10.一种系统，其包括：

被配置成控制流向负载的电流量的器件；

被配置成确定所述器件温度的温度模块；

被配置成基于所述器件的温度确定阈值电流的阈值电流模块；以及

被配置成响应于确定流向负载的电流量大于阈值电流而调节流向负载的电流量的电流控制模块。

11.权利要求10的系统，其中，调节流向负载的电流量包括：

将流向负载的电流量限制到阈值电流。

12.权利要求10的系统，其中，所述电流控制模块被配置成至少通过以下步骤调节流向负载的电流量：

去激活负载。

13.权利要求10的系统，其中，所述温度模块是第一温度模块，所述系统还包括：

被配置成确定周围环境温度的第二温度模块，其中所述阈值电流模块被配置成至少通过以下步骤确定阈值电流：

基于所述器件的温度和周围环境温度确定阈值电流。

14.权利要求10的系统，其中，所述温度模块包括：

利用恒定电流偏置的半导体器件，从而使得在所述半导体器件上得到的电压降对应于所述器件的温度，其中所述半导体器件是双极型晶体管、电阻器或二极管，并且其中所述阈值电流模块被配置成至少通过以下步骤确定阈值电流：

基于所得到的电压降确定中间阈值电流；以及

通过所述阈值电流模块的一个或更多电流镜对中间阈值电流进行镜像以生成阈值电流。

15.权利要求10的系统，其中，所述阈值电流模块被配置成至少通过以下步骤确定阈值电流：

基于阈值电流和温度阈值确定阈值电流，从而使得如果所述器件的温度低于温度阈值，则所述电流控制模块不调节流向负载的电流量。

16.权利要求15的系统，其中，所述阈值电流模块被配置成至少通过以下步骤确定阈值电流：

基于所述器件的温度确定中间阈值电流；以及

17.权利要求10的系统，其中，在负载激活时，流向负载的电流量在第一时间处达到最大值，其中所述器件的温度在第二时间处达到最大值，并且其中第二时间晚于第一时间。

18.权利要求10的系统，其中，所述器件是从由以下各项构成的组当中选择的：电力晶体管、半导体闸流管、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以及金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。

19.一种系统，其包括：

用于控制流向负载的电流量的装置；

用于确定所述用于控制的装置的温度的装置；

用于根据所述用于控制的装置的温度确定阈值电流的装置；以及

用于响应于确定流向负载的电流量大于阈值电流而调节流向负载的电流量的装置。

20.权利要求19的系统，其中，所述用于调节的装置包括用于去激活负载的装置。