CN104935277B - 硅基低漏电流固支梁栅mos管乙类推挽功率放大器 - Google Patents

硅基低漏电流固支梁栅mos管乙类推挽功率放大器 Download PDF

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Abstract

本发明的硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器，由三个固支梁栅NMOS管，一个固支梁栅PMOS管，恒流源和LC回路构成。三个固支梁栅NMOS区别仅在于它们的固支梁栅的形状不同，第一固支梁栅NMOS管(1)的固支梁栅为宽梁，第二固支梁栅NMOS管和第三固支梁栅NMOS管的固支梁栅为窄梁。该功率放大器的固支梁栅MOS管是制作在Si衬底上，其栅极是依靠锚区的支撑悬浮在栅氧化层上方的，形成固支梁结构。当固支梁栅MOS管关断，固支梁处于悬浮状态，也就没有栅极漏电流，从而降低了电路的功耗，该交叉耦合的固支梁栅MOS管能够提供负阻给LC回路，从而补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。

Description

硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器
技术领域
本发明提出了硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器，属于微电子机械系统的技术领域。
背景技术
随着电子技术的发展，人们在某些电子系统中需要输出较大的功率，例如在家用音响系统往往需要把声频信号的功率提高到几瓦到几十瓦。在一般的多级放大电路中，除了有电压放大电路，也需要一个向负载提供功率的放大电路。功率放大电路分为甲类，乙类等。甲类放大电路中，电源持续不断的给负载输送功率，信号越大，输送给负载的功率越多，即使在理想状态下，甲类功放的效率最高也只能达到50％，其中静态电流是造成甲类功放效率不高的主要因素。而乙类功率放大器把静态工作点向下移动，使信号等于零时电源输出功率也等于零，这样电源供给功率以及管耗都随着输出功率的大小而变，提高了效率。随着集成电路的发展，芯片的规模变得很大，人们对于芯片的功耗越来越重视。太高的功耗会对芯片的散热材料提出更高的要求，还会使芯片的性能受到影响。所以对于功率放大器的低功耗的设计在集成电路的设计中显得越来越重要。
本发明即是基于Si工艺设计了一种具有极低的栅极漏电流的固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器，采用可动栅极的结构，可以有效的减少栅极漏电流从而降低该乙类推挽功率放大器的功耗。
发明内容
技术问题:传统的乙类推挽功率放大器在输入交流信号时，N型MOS管和P型MOS管轮流导通成推挽式电路，传统MOS管由于栅极氧化层很薄，栅极和衬底之间场强很大，会有一定的栅极漏电流。在集成电路中，由于存在这样的漏电流会增加乙类推挽功率放大器的工作功耗。在本发明中可以使栅极漏电流得到有效的降低，同时该乙类功率放大器输出端LC回路并联了具有负阻特性的交叉耦合的固支梁栅MOS对管，能够补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高本发明的乙类推挽功率放大器输出端LC回路的品质因素。
技术方案：本发明的一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器由第一固支梁栅NMOS管、第二固支梁栅NMOS管、第三固支梁栅NMOS管、固支梁栅PMOS管、恒流源和LC回路构成，该功率放大器中的固支梁栅MOS管制作在P型Si衬底上，其输入引线都是利用多晶硅制作，固支梁栅MOS管的栅极依靠锚区的支撑悬浮在栅氧化层上方，形成固支梁栅，固支梁栅由Al制作,固支梁栅的锚区制作在栅氧化层上，固支梁栅下方设计有下拉电极板，第一固支梁栅NMOS管的下拉电极板通过高频扼流圈与电源-V2相连，固支梁栅PMOS管的下拉电极板通过高频扼流圈与电源+V2相连，第二固支梁栅NMOS管和第三固支梁栅NMOS管的下拉电极板接地，第一固支梁栅NMOS管的漏极通过高频扼流圈接+V1，固支梁栅PMOS管的漏极通过高频扼流圈接-V1，第一固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管的固支梁栅通过引线连在一起作为该乙类推挽功率放大器的输入端vi，第一固支梁栅NMOS管的源极与固支梁栅PMOS管的源极连在一起作为输出端vo，输出端通过一个隔直流电容与LC回路、交叉耦合的第二固支梁栅MOS管和第三固支梁栅MOS管相连，LC回路一端与第三固支梁栅NMOS管的漏极相连，第三固支梁栅NMOS管的漏极通过引线和锚区与第二固支梁栅NMOS管的固支梁栅连在一起并通过高频扼流圈与+V3相连，LC回路的另一端与第二固支梁栅NMOS管的漏极相连，第二固支梁栅NMOS管的漏极通过引线和锚区与第三固支梁栅NMOS管的固支梁栅连接一起并通过高频扼流圈与+V3相连，第二固支梁栅NMOS管的源极与第三固支梁栅NMOS管的源极连在一起并与恒流源相连，恒流源的另一端接地，第一固支梁栅NMOS管的固支梁栅为宽梁，第二固支梁栅NMOS管和第三固支梁栅NMOS管的固支梁栅为窄梁。
所用的固支梁栅MOS的栅极并不是直接紧贴在氧化层上方，而是依靠锚区的支撑悬浮在氧化层上，形成固支梁结构，设计第一固支梁栅NMOS管和第二固支梁栅PMOS管的阈值电压VT的绝对值相等并且│VT│<│VA│，同时设计第一固支梁栅NMOS管和第二固支梁栅PMOS管的固支梁下拉电压的绝对值为Vpullin,│VA-V2│<Vpullin<│VA+V2│,VA是输入信号vi的幅值,设计第一固支梁栅NMOS管的固支梁栅为宽梁，第二固支梁栅NMOS管和第三固支梁栅NMOS管的固支梁栅为窄梁，该乙类推挽功率放大器工作时，将交流信号通过锚区加载到第一固支梁栅MOS管和固支梁栅PMOS管的固支梁开关之间，当输入信号处于正半周期时，第一固支梁栅MOS管的固支梁与其下拉电极板之间电压为│VA+V2│，大于固支梁下拉电压为Vpullin，所以第一固支梁栅MOS管的固支梁下拉与第一固支梁栅MOS管的栅氧化层贴紧，此时加载在栅极上的电压VA大于阈值电压VT，第一固支梁栅MOS管导通，而固支梁栅PMOS管的固支梁与其下拉电极板之间电压为│VA-V2│，小于固支梁下拉电压为Vpullin，所以固支梁栅PMOS管的固支梁是悬浮在栅氧化层上方，栅极氧化层中的场强比较小，因此固支梁栅PMOS管关断，当输入信号处于负半周期时情况则相反，这样就使该乙类推挽功率放大器中的第一固支梁栅MOS管和固支梁栅PMOS管随着输入信号的变化处于交替导通与关断，第一固支梁栅MOS管和固支梁栅PMOS管的关断意味着其固支梁栅MOS管的固支梁是悬浮在栅氧化层上方，栅极氧化层中的场强比较小，大大降低了栅极漏电流，从而降低了电路的功耗，该乙类功率放大器输出端接LC回路和交叉耦合的固支梁栅MOS对管，交叉耦合的固支梁栅MOS对管由第二固支梁栅MOS管和第三固支梁栅MOS管组成，设计第二固支梁栅MOS管和第三固支梁栅MOS管的阈值电压VT相等，同时设计第二固支梁栅MOS管和第三固支梁栅MOS管的阈值电压VT与它的固支梁下拉电压Vpullin相等，当第二固支梁栅MOS管和第三固支梁栅MOS管的固支梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压VT的绝对值，所以固支梁被下拉到栅氧化层上，所以第二固支梁栅MOS管和第三固支梁栅MOS管导通，当第二固支梁栅MOS管和第三固支梁栅MOS管的固支梁和下拉电极板之间的电压小于阈值电压VT，固支梁是悬浮在栅氧化层上方，处于截止，该交叉耦合的固支梁栅MOS管对管在稳定工作时，第二固支梁栅MOS管和第三固支梁栅MOS管交替导通与关断，当固支梁栅MOS管关断，固支梁处于悬浮状态，也就没有栅极漏电流，从而降低了电路的功耗，该交叉耦合的第二固支梁栅MOS管和第三固支梁栅MOS管能够提供负阻给LC回路，从而补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高该乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。
硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器的制备方法包括以下几个步骤：
1)准备P型Si衬底；
2)初始氧化，生长SiO2层，作为掺杂的屏蔽层；
3)光刻SiO2层，刻出N阱注入孔；
4)N阱注入，在氮气环境下退火；退火完成后，在高温下进行杂质再分布，形成N阱；
5)去除硅表面的全部氧化层；
6)底氧生长。通过热氧化在平整的硅表面生长一层均匀的氧化层，作为缓冲层。
7)沉积氮化硅，然后光刻和刻蚀氮化硅层，保留有源区的氮化硅，场区的氮化硅去除；
8)场氧化。对硅片进行高温热氧化，在场区生长了所需的厚氧化层；
9)去除氮化硅和底氧层，采用干法刻蚀技术将硅片表面的的氮化硅和底氧全部去除。
10)在硅片上涂覆一层光刻胶，光刻和刻蚀光刻胶，去除需要制作固支梁下拉电极板位置的光刻胶。然后淀积一层Al，去除光刻胶以及光刻胶上的Al，形成下拉电极板；
11)进行栅氧化。栅氧化，形成一层高质量的氧化层。
12)离子注入，调整PMOS的阈值电压；
13)离子注入，调整NMOS的阈值电压；
14)利用CVD技术沉积多晶硅，光刻栅图形和多晶硅引线图形，通过干法刻蚀技术刻蚀多晶硅，保留输入引线和固支梁的锚区位置的多晶硅。
15)通过旋涂方式形成PMGI牺牲层，然后光刻牺牲层，仅保留固支梁栅下方的牺牲层；
16)蒸发生长Al；
17)涂覆光刻胶，保留固支梁栅上方的光刻胶；
18)反刻Al，形成固支梁栅；
19)涂覆光刻胶，光刻并刻蚀出硼的注入孔，注入硼，形成PMOS管的有源区；
20)涂覆光刻胶，光刻并刻蚀出磷的注入孔，注入磷，形成NMOS管的有源区；
21)制作通孔和引线；
22)释放PMGI牺牲层，形成悬浮的固支梁栅；
有益效果：本发明的硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器工作时固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管交替导通与关断。固支梁栅MOS管关断时固支梁栅是悬浮的，栅极氧化层中的场强比较小，因此该固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器的栅极漏电流大大减小。该乙类推挽放大器输出端的LC回路并联了具有负阻特性的交叉耦合的固支梁栅MOS对管，能够提供负阻给LC回路，从而补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高本发明的乙类推挽功率放大器输出端LC回路的品质因素，该交叉耦合的固支梁栅MOS对管工作时两个固支梁栅MOS管也是交替导通与关断，当固支梁栅MOS管关断时，固支梁栅是悬浮的，栅极氧化层中的场强比较小，栅极漏电流也大大减小。从而使得本发明中的硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器的功耗得到有效的降低。
附图说明
图1为本发明硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器的俯视图。
图2为图1硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器的P-P’向的剖面图。
图3为图1硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器的A-A’向的剖面图。
图4为图1硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器的B-B’向的剖面图。
图5为硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器原理图和备注表格。
图中包括：第一固支梁栅NMOS管1，固支梁栅PMOS管2，P型Si衬底3，输入引线4，栅氧化层5，固支梁栅6，锚区7，下拉电极板8，通孔9，金属引线10，NMOS管有源区漏极11，NMOS管有源区源极12，N阱13，恒流源14，第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16，PMOS管有源区源极17，PMOS管有源区漏极18。
具体实施方式
本发明的硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器由第一固支梁栅NMOS管1，第二固支梁栅NMOS管15，第二固支梁栅NMOS管16和固支梁栅PMOS管2构成，固支梁栅MOS管是制作在P型Si衬底3制作，其输入引线4是利用多晶硅制作。本发明中的NMOS和PMOS的栅极是悬浮在栅氧化层5的上方，形成固支梁栅6，固支梁栅6由Al制作。固支梁栅6的两个锚区7制作在栅氧化层5上。锚区材料为多晶硅。固支梁下方设有下拉电极板8，下拉电极板8被二氧化硅层包裹，第一固支梁栅的NMOS的下拉电极接电源-V2，固支梁栅的PMOS的下拉电极接电源+V2，第一固支梁栅的NMOS的漏极接电源+V1,固支梁栅的PMOS的漏极接电源-V1,第一固支梁栅的NMOS的栅极和固支梁栅的PMOS的栅极接在一起作为输入端，第一固支梁栅的NMOS的源极和固支梁栅的PMOS的源极接在一起作为输出端。
该乙类功率放大器输出端接LC回路和交叉耦合的固支梁栅MOS对管，交叉耦合的固支梁栅MOS对管由固支梁栅NMOS组成，第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16都是制作在Si衬底上，其输入引线是利用多晶硅制作,其栅极不是附在氧化层上的多晶硅而是一个悬浮在氧化层的上方的固支梁，交流信号加载在固支梁上，固支梁由Al制作。固支梁下方设有下拉电极板，下拉电极由氧化硅材料覆盖，第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16的下拉电极接地，两个固支梁栅NMOS管形成交叉耦合结构，LC回路接在两个固支梁栅NMOS管的漏极之间。
设计第一固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管的阈值电压VT的绝对值相等并且│VT│<│VA│，同时设计第一固支梁栅MOS管和固支梁栅PMOS管的固支梁下拉电压的绝对值为Vpullin,│VA-V2│<Vpullin<│VA+V2│,VA是Vi的幅值。该乙类推挽功率放大器工作时，将交流信号通过锚区加载到第一固支梁栅MOS管和固支梁栅PMOS管的固支梁开关之间，当输入信号处于正半周期时，第一固支梁栅MOS管的固支梁与其下拉电极板之间电压为│VA+V2│，大于固支梁下拉电压为Vpullin，所以第一固支梁栅MOS管的固支梁下拉与第一固支梁栅MOS管的栅氧化层贴紧，此时加载在栅极上的电压VA大于阈值电压VT，第一固支梁栅MOS管导通，而固支梁栅PMOS管的固支梁与其下拉电极板之间电压为│VA-V2│，小于固支梁下拉电压为Vpullin，所以固支梁栅PMOS管的固支梁是悬浮在栅氧化层上方，栅极氧化层中的场强比较小，因此固支梁栅PMOS管关断，当输入信号处于负半周期时情况则相反，这样就使该乙类推挽功率放大器中的第一固支梁栅MOS管和固支梁栅PMOS管随着输入信号的变化处于交替导通与关断，第一固支梁栅MOS管和固支梁栅PMOS管的关断意味着其固支梁栅MOS管的固支梁是悬浮在栅氧化层上方，栅极氧化层中的场强比较小，大大降低了栅极漏电流，从而降低了电路的功耗。
该乙类功率放大器输出端接LC回路和交叉耦合的固支梁栅MOS对管，交叉耦合的固支梁栅MOS对管由第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16组成，设计第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16的阈值电压相等，同时设计第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16的阈值电压与它的固支梁下拉电压相等，当第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16的固支梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压的绝对值，所以固支梁被下拉到栅氧化层上，所以第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16导通，当第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16的固支梁和下拉电极板之间的电压小于阈值电压，固支梁是悬浮在栅氧化层上方，处于截止，该交叉耦合的固支梁栅MOS管对管在稳定工作时，第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16交替导通与关断，当固支梁栅MOS管关断，固支梁处于悬浮状态，也就没有栅极漏电流，从而降低了电路的功耗。该交叉耦合的第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16能够提供负阻给LC回路，从而补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。
硅基固支梁栅MOS管高品质因素乙类推挽功率放大器的制备方法包括以下几个步骤：
1)准备P型Si衬底3；
2)初始氧化，生长SiO2层，作为掺杂的屏蔽层；
3)光刻SiO2层，刻出N阱9注入孔；
4)N阱9注入，在氮气环境下退火；退火完成后，在高温下进行杂质再分布，形成N阱9；
5)去除硅表面的全部氧化层；
6)底氧生长。通过热氧化在平整的硅表面生长一层均匀的氧化层，作为缓冲层。
7)沉积氮化硅，然后光刻和刻蚀氮化硅层，保留有源区的氮化硅，场区的氮化硅去除；
8)场氧化。对硅片进行高温热氧化，在场区生长了所需的厚氧化层；
9)去除氮化硅和底氧层，采用干法刻蚀技术将硅片表面的的氮化硅和底氧全部去除。
10)在硅片上涂覆一层光刻胶，光刻和刻蚀光刻胶，去除需要制作下拉电极板8位置的光刻胶。然后淀积一层Al，去除光刻胶以及光刻胶上的Al，形成下拉电极板；
11)进行栅氧化。形成一层高质量的氧化层；
12)离子注入，调整PMOS的阈值电压；
13)离子注入，调整NMOS的阈值电压；
14)利用CVD技术沉积多晶硅，光刻栅图形和多晶硅引线图形，通过干法刻蚀技术刻蚀多晶硅，保留输入引线4和固支梁栅6的锚区7位置的多晶硅。
15)通过旋涂方式形成PMGI牺牲层，然后光刻牺牲层，仅保留固支梁栅6下方的牺牲层；
16)蒸发生长Al；
17)涂覆光刻胶，保留固支梁栅6上方的光刻胶；
18)反刻Al，形成固支梁栅6；
19)涂覆光刻胶，光刻并刻蚀出硼的注入孔，注入硼，形成PMOS管的有源区10；
20)涂覆光刻胶，光刻并刻蚀出磷的注入孔，注入磷，形成NMOS管的有源区11；
21)制作通孔12和引线13；
22)释放PMGI牺牲层，形成悬浮的固支梁栅6；
本发明与现有技术的区别在于：
本发明中硅基固支梁栅MOS管高品质因素乙类推挽功率放大器与传统的乙类推挽功率放大器最大的区别在于所用的固支梁栅MOSFET的栅极并不是直接紧贴在氧化层上方，而是依靠锚区的支撑悬浮在氧化层上，形成固支梁结构。本发明中的乙类推挽功率放大器由第一固支梁栅NMOS管1,固支梁栅PMOS管2，第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16，LC回路构成。设计第一固支梁栅NMOS管和固支梁栅PMOS管的阈值电压VT的绝对值相等并且│VT│<│VA│，同时设计第一固支梁栅MOS管和固支梁栅PMOS管的固支梁下拉电压的绝对值为Vpullin,│VA-V2│<Vpullin<│VA+V2│,VA是Vi的幅值。该乙类推挽功率放大器工作时，将交流信号通过锚区加载到第一固支梁栅MOS管和固支梁栅PMOS管的固支梁开关之间，当输入信号处于正半周期时，第一固支梁栅MOS管的固支梁与其下拉电极板之间电压为│VA+V2│，大于固支梁下拉电压为Vpullin，所以第一固支梁栅MOS管的固支梁下拉与第一固支梁栅MOS管的栅氧化层贴紧，此时加载在栅极上的电压VA大于阈值电压VT，第一固支梁栅MOS管导通，而固支梁栅PMOS管的固支梁与其下拉电极板之间电压为│VA-V2│，小于固支梁下拉电压为Vpullin，所以固支梁栅PMOS管的固支梁是悬浮在栅氧化层上方，栅极氧化层中的场强比较小，因此固支梁栅PMOS管关断，当输入信号处于负半周期时情况则相反，这样就使该乙类推挽功率放大器中的第一固支梁栅MOS管和固支梁栅PMOS管随着输入信号的变化处于交替导通与关断，第一固支梁栅MOS管和固支梁栅PMOS管的关断意味着其固支梁栅MOS管的固支梁是悬浮在栅氧化层上方，大大降低了栅极漏电流，从而降低了电路的功耗。
该乙类功率放大器输出端接LC回路和交叉耦合的固支梁栅MOS对管，交叉耦合的固支梁栅MOS对管由第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16组成，设计第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16的阈值电压相等，同时设计第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16的阈值电压与它的固支梁下拉电压相等，当第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16的固支梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压的绝对值，所以固支梁被下拉到栅氧化层上，所以第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16导通，当第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16的固支梁和下拉电极板之间的电压小于阈值电压，固支梁是悬浮在栅氧化层上方，处于截止，该交叉耦合的固支梁栅MOS管对管在稳定工作时，第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16交替导通与关断，当固支梁栅MOS管关断，固支梁处于悬浮状态，也就没有栅极漏电流，从而降低了电路的功耗。该交叉耦合的第二固支梁栅NMOS管15，第三固支梁栅NMOS管16能够提供负阻给LC回路，从而补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高本发明的乙类推挽功放输出端LC回路的品质因素。
满足以上条件的结构即视为本发明的硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器。

Claims (1)

1.一种硅基低漏电流固支梁栅MOS管乙类推挽功率放大器，其特征是该放大器由第一固支梁栅NMOS管(1)、第二固支梁栅NMOS管(15)、第三固支梁栅NMOS管(16)、固支梁栅PMOS管(2)、恒流源(14)和LC回路构成，该功率放大器中的固支梁栅MOS管制作在P型Si衬底(3)上，其输入引线(4)都是利用多晶硅制作，固支梁栅MOS管的栅极依靠锚区(7)的支撑悬浮在栅氧化层(5)上方，形成固支梁栅(6)，固支梁栅(6)由Al制作,固支梁栅(6)的锚区(7)制作在栅氧化层(5)上，固支梁栅(6)下方设计有下拉电极板(8)，第一固支梁栅NMOS管(1)的下拉电极板(8)通过高频扼流圈与电源-V2相连，固支梁栅PMOS管(2)的下拉电极板(8)通过高频扼流圈与电源+V2相连，第二固支梁栅NMOS管(15)和第三固支梁栅NMOS管(16)的下拉电极板(8)接地，第一固支梁栅NMOS管(1)的漏极(11)通过高频扼流圈接+V1，固支梁栅PMOS管(2)的漏极(18)通过高频扼流圈接-V1，第一固支梁栅NMOS管(1)和固支梁栅PMOS管(2)的固支梁栅(6)通过引线(4)连在一起作为该乙类推挽功率放大器的输入端vi，第一固支梁栅NMOS管(1)的源极与固支梁栅PMOS管(2)的源极连在一起作为输出端vo，输出端通过一个隔直流电容与LC回路、交叉耦合的第二固支梁栅MOS管(15)和第三固支梁栅MOS管(16)相连，LC回路一端与第三固支梁栅NMOS管(16)的漏极(11)相连，第三固支梁栅NMOS管(16)的漏极(11)通过引线(10)和锚区(7)与第二固支梁栅NMOS管(15)的固支梁栅(6)连在一起并通过高频扼流圈与+V3相连，LC回路的另一端与第二固支梁栅NMOS管(15)的漏极(11)相连，第二固支梁栅NMOS管(15)的漏极(11)通过引线(10)和锚区(7)与第三固支梁栅NMOS管(16)的固支梁栅(6)连接一起并通过高频扼流圈与+V3相连，第二固支梁栅NMOS管(15)的源极(12)与第三固支梁栅NMOS管(16)的源极(12)连在一起并与恒流源相连，恒流源的另一端接地，第一固支梁栅NMOS管(1)的固支梁栅(6)为宽梁，第二固支梁栅NMOS管(15)和第三固支梁栅NMOS管(16)的固支梁栅(6)为窄梁。
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