CN104934498A - 用于太阳能电池正面接触层的沉积工艺 - Google Patents

用于太阳能电池正面接触层的沉积工艺 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种方法，方法包括：在太阳能电池衬底的缓冲层的一部分上方沉积酸。在缓冲层上方沉积正面接触材料，从而使正面接触材料不接合至其上具有酸的缓冲层的部分。因此，形成其间具有间隔的太阳能电池衬底的相邻的太阳能电池的正面接触层。本发明涉及用于太阳能电池正面接触层的沉积工艺。

Description

用于太阳能电池正面接触层的沉积工艺
技术领域
本发明涉及用于太阳能电池正面接触层的沉积工艺。
背景技术
本发明涉及薄膜光伏电池的制造。
太阳能电池是用于由太阳光通过光伏(PV)效应生成电流的电子器件。薄膜太阳能电池具有在衬底上沉积的一层或多层PV材料的薄膜。PV材料的膜厚度可以为纳米级或微米级。
用作太阳能电池中的吸收层的薄膜PV材料的实例包括铜铟镓硒化物(CIGS)和碲化镉。吸收层吸收光以将光转化成电流。太阳能电池也包括帮助捕获光和提取光电流且提供用于太阳能电池的电接触的正面接触层和背面接触层。正面接触层通常包括透明导电氧化物(TCO)层。TCO层将光传输至吸收层，并且在TCO层的平面中传导电流。在一些系统中，多个太阳能电池彼此相邻布置，每个太阳能电池的正面接触层将电流传导至下一个相邻的太阳能电池。每个太阳能电池均包括互连结构，该互连结构用于将电荷载流子从太阳能电池的正面接触层传递至相同电池板上的下一个相邻的太阳能电池的背面接触层。互连结构减小了用于收集光子的可用面积。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种方法，包括：在太阳能电池衬底的缓冲层的一部分上方沉积酸；以及在所述缓冲层上方沉积正面接触材料，从而使所述正面接触材料不与上方具有所述酸的所述缓冲层的部分接合，从而形成所述太阳能电池衬底的相邻的太阳能电池的正面接触层，在所述正面接触层之间具有间隔。
在上述方法中，其中，沉积所述酸的步骤包括：在所述缓冲层上印刷所述酸。
在上述方法中，其中，沉积所述酸的步骤包括：在所述缓冲层上印刷所述酸，其中，使用划切工具的印刷头实施所述印刷。
在上述方法中，其中，沉积所述酸的步骤包括：在所述缓冲层上印刷所述酸，其中，在所述太阳能电池衬底中机械地划切P2划线的同时，实施所述印刷，所述P2划线穿透所述太阳能电池衬底的所述缓冲层和吸收层。
在上述方法中，其中，所述间隔是所述太阳能电池衬底的P3线，并且在不用机械划切的情况下形成所述P3线。
在上述方法中，其中，使用掩模沉积所述酸。
在上述方法中，其中，沉积所述正面接触材料的步骤包括化学汽相沉积。
根据本发明的另一方面，还提供了一种方法，包括：在太阳能电池衬底上方形成背面接触层；在所述背面接触层上方形成吸收层；在所述吸收层上方形成缓冲层；在所述缓冲层的一部分上方沉积酸；以及在所述缓冲层上方沉积正面接触材料，从而使所述正面接触材料不与上方具有所述酸的所述缓冲层的部分接合，从而形成所述太阳能电池衬底的相邻的太阳能电池的正面接触层，所述正面接触层之间具有间隔。
在上述方法中，其中，沉积所述酸的步骤包括：使用划切工具的印刷头在所述缓冲层上印刷所述酸。
在上述方法中，其中，沉积所述酸的步骤包括：使用划切工具的印刷头在所述缓冲层上印刷所述酸，其中，在所述太阳能电池衬底中机械地划切P2划线的同时，实施所述印刷，所述P2划线穿透所述太阳能电池衬底的所述缓冲层和吸收层。
在上述方法中，其中，沉积所述酸的步骤包括：使用划切工具的印刷头在所述缓冲层上印刷所述酸，其中，在所述太阳能电池衬底中机械地划切P2划线的同时，实施所述印刷，所述P2划线穿透所述太阳能电池衬底的所述缓冲层和吸收层，其中，所述间隔是所述太阳能电池衬底的P3线，并且在不用机械划切的情况下形成所述P3线。
在上述方法中，其中，使用掩模沉积所述酸。
在上述方法中，其中，沉积所述正面接触材料的步骤包括金属有机化学汽相沉积。
在上述方法中，其中，所述酸包括HCl或H2SO4。
在上述方法中，其中，所述酸包括HCl或H2SO4，其中，所述缓冲层包括ZnO，并且所述酸是HCl的水溶液，HCl的浓度在从约0.2mol至约1.0mol的范围内。
在上述方法中，其中，所述酸包括HCl或H2SO4，其中，所述酸还包括用于控制所述酸的扩散的添加剂。
在上述方法中，其中，所述酸包括HCl或H2SO4，其中，所述酸还包括用于控制所述酸的扩散的添加剂，其中，所述添加剂包括氧化硅粒子。
根据本发明的又一方面，还提供了一种太阳能电池板，包括：太阳能电池衬底；背面接触层，位于所述太阳能电池衬底上方；吸收层，位于所述背面接触层上方；缓冲层，位于所述吸收层上方；以及正面接触材料，位于所述缓冲层上方，正面接触层具有至少一个分离区，其中，吸收层和所述缓冲层连续位于所述分离区下方，但是所述分离区中不存在所述正面接触材料，所述分离区将相邻的太阳能电池的所述正面接触层分隔开，所述分离区的宽度小于100微米。
在上述太阳能电池板中，其中，所述分离区的宽度为约70微米。
在上述太阳能电池板中，其中，所述分离区的宽度为约70微米，其中，在所述分离区的每侧上的所述正面接触材料的边缘均没有裂缝。
附图说明
当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可以更好地理解本发明的方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的论述，各个部件的尺寸可以任意地增大或缩小。
图1A是根据一些实施例的太阳能电池衬底的平面图。
图1B是根据一些实施例的图1A的太阳能电池衬底的截面图。
图2A是根据一些实施例的其上形成有酸线的图1B的太阳能电池衬底的平面图。
图2B是根据一些实施例的图2A的太阳能电池衬底的截面图。
图3A是根据一些实施例的其上形成有正面接触层的图2B的太阳能电池衬底的平面图。
图3B是根据一些实施例的图3A的太阳能电池衬底的截面图。
图4是根据一些实施例的方法的流程图。
图5A至图5C示出了根据一些实施例的用于实施图4的步骤410的方法的实例。
图6A是根据一些实施例的衬底的透明导电氧化物(TCO)材料的扫描电子显微镜图像。
图6B是一个区域中的图6A的衬底上的暴露的吸收材料的扫描电子显微镜图像，在该区域中，通过在该区域上沉积酸防止了TCO接合。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了部件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者之上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或结构之间的关系。
而且，为便于描述，在本文中可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对位置术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一个(另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且因此可以对本文中使用的空间相对位置描述符作同样地解释。
在本发明和附图中，除了另有相反的明确声明，否则相似的参考标号表示相似的部件。
本文中描述的一些实施例提供了形成P3线的方法，P3线将相同的太阳能电池板内的相邻的太阳能电池的正面接触层分隔开。该方法使用沉积步骤，而没有使用机械划切。在一些实施例中，通过选择性化学汽相沉积(CVD)形成正面接触层来形成P3线。
图3A和图3B示出了根据一些实施例的当形成正面接触层之后配置的太阳能电池板100。图3A和图3B中示出的太阳能电池板100的部分包括互连结构172，互连结构172在电池板100的两个相邻的太阳能电池之间提供串联连接。在图3A和图3B中，为了清楚的目的，相对于收集区170的宽度放大了互连结构172的宽度，但是收集区170实际上比互连结构172宽得多。
太阳能电池100包括太阳能电池衬底110、背面接触层120、吸收层130、缓冲层140和正面接触层150。
衬底110可以包括诸如玻璃的任何合适的衬底材料。在一些实施例中，衬底110包括诸如钠钙玻璃的玻璃衬底、或柔性金属箔或聚合物(例如，聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN))。其他实施例还包括其他衬底材料。
背面接触层120包括诸如金属的任何合适的背面接触材料。在一些实施例中，背面接触层120可以包括钼(Mo)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、镍(Ni)或铜(Cu)。其他实施例还包括其他背面接触材料。在一些实施例中，背面接触层120的厚度为从约50nm至约2μm。
在一些实施例中，吸收层130包括诸如p型半导体的任何合适的吸收材料。在一些实施例中，吸收层130可以包括黄铜矿基材料(例如，包含Cu(In,Ga)Se2(CIGS)、碲化镉(CdTe)、CulnSe2(CIS)、CuGaSe2(CGS)、Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS))或者非晶硅。其他实施例还包括其他吸收材料。在一些实施例中，吸收层130的厚度为从约0.3μm至约8μm。
缓冲层140包括诸如n型半导体的任何合适的缓冲材料。在一些实施例中，缓冲层140可以包括硫化镉(CdS)、硫化锌(ZnS)、硒化锌(ZnSe)、硫化铟(Ⅲ)(In2S3)、硒化铟(In2Se3)或Zn1-xMgxO(例如，ZnO)。其他实施例还包括其他缓冲材料。在一些实施例中，缓冲层140的厚度为从约1nm至约500nm。
在一些实施例中，正面接触层150包括约100nm以上的厚度恒定的退火的透明导电氧化物(TCO)层。本文中可互换地使用术语“正面接触”和“TCO层”；前一个术语指的是层150的功能，而后一个术语指的是其组成。在一些实施例中，TCO层150的电荷载流子密度可以为从约1×1017cm-3至约1×1018cm-3。用于退火的TCO层的TCO材料可以包括合适的正面接触材料，诸如金属氧化物和金属氧化物前体。在一些实施例中，TCO材料可以包括AZO、GZO、AGZO、BZO等，AZO：氧化铝掺杂的ZnO；GZO：镓掺杂的ZnO；AGZO：氧化铝和镓共掺杂的ZnO；BZO：硼掺杂的ZnO。在其他实施例中，TCO材料可以是氧化镉(CdO)、氧化铟(In2O3)、二氧化锡(SnO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、氧化镓铟(GaInO3)、CdSb2O3或氧化铟锡(ITO)。TCO材料也可以掺杂有合适的掺杂剂。
在一些实施例中，在掺杂的TCO层150中，SnO2可以掺杂有锑(Sb)、氟(F)、砷(As)、铌(Nb)或钽(Ta)。在一些实施例中，ZnO可以掺杂有铝(Al)、镓(Ga)、硼(B)、铟(In)、钇(Y)、钪(Sc)、氟(F)、钒(V)、硅(Si)、锗(Ge)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、镁(Mg)、砷(As)或氢(H)中的任何一个。在其他实施例中，SnO2可以掺杂有锑(Sb)、F、As、铌(Nb)或钽(Ta)。在其他实施例中，In2O3可以掺杂有锡(Sn)、Mo、Ta、钨(W)、Zr、F、Ge、Nb、Hf或Mg。在其他实施例中，CdO可以掺杂有In或Sn。在其他实施例中，GaInO3可以掺杂有Sn或Ge。在其他实施例中，CdSb2O3可以掺杂有Y。在其他实施例中，ITO可以掺杂有Sn。其他实施例还包括其他TCO材料和相应的掺杂剂。
在收集区170中提供了层120、130、140和150。太阳能电池100也包括互连结构172，互连结构172包括称为P1、P2和P3的三条线。P1划线延伸穿过背面接触层120并且填充有吸收层材料。P2划线延伸穿过缓冲层140和吸收层130，并且接触下一个相邻的太阳能电池的背面接触层120。P3划线延伸穿过正面接触层150，但是不延伸穿过缓冲层140或吸收层130。相邻的太阳能电池的P3线直接位于太阳能电池收集区170的左边。
P3线将相邻的太阳能电池的正面接触层150分隔开，从而使得每个正面接触层均可以将电流传输穿过P2划线到达下一个相邻的太阳能电池的背面接触层而不会使相邻的正面接触层之间发生短路。正面接触层150在每个太阳能电池中具有各自的P3线(分离区)，其中，吸收层130和缓冲层140连续位于P3分离区的下方，但是在分离区中不存在正面接触(TCO)材料。在图3A和图3B的结构中，在P3线下面的区域160中形成吸收层130和缓冲层140。这提供了额外的光子收集区，减少了互连结构172中的非收集“死区”。在区域160内的p-n结处生成的电荷载流子流动至相邻的收集区170(图3B中的右边)并且由相邻的电池的正面接触层收集。
在一些实施例中，P3分离区具有小于100微米的宽度W。在一些实施例中，P3分离区具有约70微米的宽度W。该宽度比通过机械划切获得的P3划线的相应宽度小约100微米。由于太阳能电池板可以包括约100个太阳能电池(每个均具有各自的P3线)，总计节约的P3线宽度为约100×100μm＝10000μm＝1cm。对于电池板宽度为55cm的、具有100个太阳能电池的太阳能电池板，这对应于使收集区的长度增大了1cm，或者使面积增大了55cm2。
而且，由于正面接触层150是通过没有任何材料去除步骤的沉积工艺形成的，因此在分离区的每侧上的TCO材料的边缘152均没有裂缝。诸如机械划切的TCO材料去除方法可以在TCO材料中引起裂缝，但是本文中描述的正面接触层150没有裂缝。
而且，由于不用担心在P3线形成期间形成裂缝，因此P3线可以位于更靠近P2划线的位置，而避免了邻近P3线的裂缝传播至P2线的边缘的风险。因此，可以实现互连结构172的宽度的额外减小。
图4是形成图3A至图3B的太阳能电池的方法的流程图。图1A至图3B示出了形成太阳能电池板100的步骤。
在步骤402中，在太阳能电池衬底110上方形成背面接触层120。可以通过PVD(例如，溅射)或者通过CVD或ALD或其他合适的技术在衬底上方沉积金属(诸如Mo、Cu或Ni)来沉积背面接触层。
在步骤404中，形成穿过背面接触层120的P1划线。例如，可以通过机械划切或者通过激光划切或其他合适的划切工艺形成划线。电池板100中的每个太阳能电池均具有各自的P1划线。
在步骤406中，在背面接触层120上方形成吸收层130。可以通过PVD(例如，溅射)、CVD、ALD、电沉积或其他合适的技术沉积吸收层130。例如，可以通过溅射包括铜、铟和镓的金属膜，然后将硒化工艺应用于金属膜来形成CIGS吸收层。
在步骤408中，在吸收层130上方形成缓冲层140。可以通过化学沉积(例如，化学浴沉积)、PVD、ALD或其他合适的技术来沉积缓冲层140。
在步骤410中，形成P2划线，并且在不划切P3线的情况下实施P3沉积。下面在图5A至图5C的描述中论述该步骤。图2A和图2B中示出了在该步骤结束时衬底的结构。
在步骤412中，在缓冲层140上方形成正面接触层150，缓冲层140位于吸收层130上方。该步骤包括在缓冲层140上方沉积正面接触材料(TCO)，从而使得正面接触材料不接合至其上具有酸142的缓冲层的部分，从而形成其间具有间隔的太阳能电池衬底的相邻的太阳能电池的正面接触层。
在一些实施例中，沉积正面接触材料的步骤包括化学汽相沉积(CVD)，诸如金属有机化学汽相沉积(MOCVD)。在其他实施例中，通过低压化学汽相沉积(LPCVD)或者通过等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)来沉积正面接触材料。
在缓冲层上方沉积正面接触材料(TCO)，从而使得正面接触材料不接合至其上具有酸142的缓冲层140的部分。从而在不需要任何机械划切的情况下，形成其间具有间隔的太阳能电池衬底的相邻的太阳能电池的正面接触层。
在一些实施例中，不实施P3材料去除步骤。在一些实施例中，在TCO沉积之后，酸溶液从P3线蒸发而不需要任何清洗步骤。在一些实施例中，其中，酸中包括添加剂(诸如氧化硅粒子)，在TCO沉积之后，硅酸可以保留在P3线中。从而，在一些实施例中，酸溶液142中的添加剂可以是挥发性的，而在其他实施例中，添加剂可以是透明且非导电的，并且可以允许添加剂在形成正面接触层之后保留在P3线中。透明、非导电材料将不干扰光子收集，在相邻的正面接触层150之间也不形成桥接。因此，在不干扰太阳能电池板性能或效率的情况下，允许透明、非导电添加剂在形成正面接触层之后保留在P3线中。
图5A示出了根据一些实施例的实施步骤410的方法410A。
方法410A包括依次实施的形成P2划线和P3沉积。
在步骤502中，可以通过机械划切或者通过激光划切或其他合适的划切工艺形成P2划线。图1A和图1B中示出了在该步骤结束时衬底的结构。
在步骤504中，在缓冲层140的一部分上方沉积酸142。在一些实施例中，沉积酸142的步骤包括使用划切工具的印刷头在缓冲层上印刷酸。印刷头是可以安装在划切工具的机械刀片后面的许多市场上可买到的器件之一。在该实例中，在P2划切步骤502之后依次地实施印刷步骤504。在其他实施例中，在印刷之后依次地实施P2划切步骤。
酸142可以是防止TCO沉积或接合在TCO材料和下面的吸收材料或缓冲材料之间的任何酸溶液，但是酸溶液不会蚀刻下面的吸收材料或缓冲材料。在一些实施例中，该酸溶液是挥发性液体，从而使得在TCO沉积之后，任何剩余的酸蒸发而不需要任何特定的清洗工艺。在一些实施例中，该酸包括HCl或H2SO4。例如，在一些实施例中，吸收层是CIGS，缓冲层140包括ZnO，且该酸是HCl的水溶液，HCl的浓度在从约0.2mol至约1.0mol的范围内。在其他实施例中，HCl溶液用于防止SnO TCO材料在ZnO缓冲层上的沉积。对于缓冲层材料和TCO材料的任何其他组合，可以选择适当的酸溶液。
在一些实施例中，酸142还包括用于例如通过控制溶液的表面张力控制酸的扩散的添加剂。例如，在一些实施例中，添加剂包括氧化硅粒子。添加剂防止酸142的线扩散和增大P3线的宽度W。
图5B示出了酸沉积工艺410B的变化例，其中，当在太阳能电池衬底中机械地划切P2划线时，实施印刷，其中，P2划线穿透太阳能电池衬底的缓冲层和吸收层。
在步骤512中，划切P2划线。
在步骤514中，通过在缓冲层上印刷而同时地沉积酸。酸溶液可以与以上以图5A为实例描述的酸溶液相同。划切工具配置为划切P2线，并且同时印刷酸溶液的线。由于沉积酸的步骤514与现有的P2划切工艺同时进行，因此节约了实施P3划切要花费的总工艺时间。对于具有约100条P3线的太阳能电池板(每个太阳能电池板的长度为约55cm)，这使得总工艺时间(用于制造太阳能电池板)降低约50秒。
图5C示出了用于形成P2划线和P3沉积的工艺的另一个实例。
在步骤522中，通过机械划切或者通过激光划切或其他合适的划切工艺形成P2划线。图1A和图1B中示出了在该步骤结束时衬底的结构。
在步骤524中，使用掩模(未示出)形成P3线。例如，可以将掩模放置在太阳能电池衬底上方，其中，掩模具有与P3线相对应的线的形式的开口。可以在整个掩模上方喷射酸142，但是酸142仅沉积在P3区中的缓冲层140上。在一些实施例中，单个喷嘴实施喷射且依次地沿着每条P3线的长度扫描。在其他实施例中，多个喷嘴布置成线，以沿着整条P3线喷射酸，所以可以沿着P3线的长度同时对每条单独的P3线进行喷射。在其他实施例中，提供了二维阵列的喷嘴，以同时喷射整个太阳能电池板。
在工艺410A、410B或410C的任何工艺结束时衬底的结构如图2A和图2B所示。
图6A和图6B是从衬底的两个部分采集的扫面电子显微镜图像。图6A示出了ZnO TCO层的晶体结构。图6B示出了暴露的吸收层材料的晶体结构。通过在图6B中示出的部分衬底上沉积HCl的水溶液，然后对整个衬底应用MOCVD气体来处理衬底。图6B中示出的区域具有代表吸收材料的较大的粗糙晶体，然而，TCO接合至缓冲层的区域(如图6A所示)具有较小、更多的三角形晶体。
本文中描述的选择性沉积工艺不仅可以用于P3线，而且可以用于任何后CVD工艺图案。该工艺也可以用于任何显示器或触控面板后CVD工艺图案。
使用本文中描述的方法，通过不需要机械划切的沉积步骤形成P3线，其中P3线将相同太阳能电池板内的相邻的太阳能电池的正面接触层分隔开。该方法消除了由机械划切技术引起的“切下(chipout)”过大的划线宽度。提供了较窄的P3线，增大了可用于收集光子的吸收区，并且减小了互连结构中的“死区”的大小。形成的正面接触层具有邻近P3线的边缘，因为没有使用机械划切形成P3线，所以邻近P3线的边缘没有裂缝。而且，在一些实施例中，P3线可以位于更靠近P2划线的位置处，从而减小了P1与P3的间隔，从而额外地减小了互连结构172的宽度并且额外地增加了用于收集光子的可利用面积。
在一些实施例中，一种方法包括：在太阳能电池衬底的缓冲层的一部分上方沉积酸；以及在缓冲层上方沉积正面接触材料，从而使正面接触材料不接合至其上具有酸的缓冲层的部分，从而形成其间具有间隔的太阳能电池衬底的相邻的太阳能电池的正面接触层。
在一些实施例中，一种方法包括：在太阳能电池衬底上方形成背面接触层；在背面接触层上方形成吸收层；在吸收层上方形成缓冲层；在缓冲层的一部分上方沉积酸；以及在缓冲层上方沉积正面接触材料，从而使正面接触材料不接合至其上具有酸的缓冲层的部分，从而形成其间具有间隔的太阳能电池衬底的相近的太阳能电池的正面接触层。
在一些实施例中，一种太阳能电池板包括：太阳能电池衬底；位于太阳能电池衬底上方的背面接触层；位于背面接触层上方的吸收层；位于吸收层上方的缓冲层；以及位于缓冲层上方的正面接触材料。正面接触层具有至少一个分离区，其中，吸收层和缓冲层连续位于分离区下方，但是分离区中不存在正面接触材料。分离区将相邻的太阳能电池的正面接触层分隔开。分离区的宽度小于100微米。
上面概述了若干实施例的特征，使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于与本文中所介绍的实施例实施相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，他们可以对本发明做出多种变化、替换以及改变。

Claims (10)

1.一种方法，包括：
在太阳能电池衬底的缓冲层的一部分上方沉积酸；以及
在所述缓冲层上方沉积正面接触材料，从而使所述正面接触材料不与上方具有所述酸的所述缓冲层的部分接合，从而形成所述太阳能电池衬底的相邻的太阳能电池的正面接触层，在所述正面接触层之间具有间隔。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述酸的步骤包括：在所述缓冲层上印刷所述酸。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，使用划切工具的印刷头实施所述印刷。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述太阳能电池衬底中机械地划切P2划线的同时，实施所述印刷，所述P2划线穿透所述太阳能电池衬底的所述缓冲层和吸收层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔是所述太阳能电池衬底的P3线，并且在不用机械划切的情况下形成所述P3线。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，使用掩模沉积所述酸。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述正面接触材料的步骤包括化学汽相沉积。
8.一种方法，包括：
在太阳能电池衬底上方形成背面接触层；
在所述背面接触层上方形成吸收层；
在所述吸收层上方形成缓冲层；
在所述缓冲层的一部分上方沉积酸；以及
在所述缓冲层上方沉积正面接触材料，从而使所述正面接触材料不与上方具有所述酸的所述缓冲层的部分接合，从而形成所述太阳能电池衬底的相邻的太阳能电池的正面接触层，所述正面接触层之间具有间隔。
9.一种太阳能电池板，包括：
太阳能电池衬底；
背面接触层，位于所述太阳能电池衬底上方；
吸收层，位于所述背面接触层上方；
缓冲层，位于所述吸收层上方；以及
正面接触材料，位于所述缓冲层上方，正面接触层具有至少一个分离区，其中，吸收层和所述缓冲层连续位于所述分离区下方，但是所述分离区中不存在所述正面接触材料，所述分离区将相邻的太阳能电池的所述正面接触层分隔开，所述分离区的宽度小于100微米。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池板，其中，所述分离区的宽度为约70微米。
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