CN104923466A

CN104923466A - 一种石墨烯薄膜器件及其制备方法

Info

Publication number: CN104923466A
Application number: CN201410097876.2A
Authority: CN
Inventors: 刘建影; 方雯; 洪宇平
Original assignee: Huawei Technologies Co Ltd; University of Shanghai for Science and Technology
Current assignee: Huawei Technologies Co Ltd; University of Shanghai for Science and Technology
Priority date: 2014-03-17
Filing date: 2014-03-17
Publication date: 2015-09-23

Abstract

本发明实施例提供了一种石墨烯薄膜器件，包括目标部件和附着在目标部件表面的石墨烯薄膜，石墨烯薄膜的厚度为0.34nm～4nm。该石墨烯薄膜器件具有优良的散热效果，能够满足大功率散热需求，满足高密度封装。本发明实施例还提供了该石墨烯薄膜器件的制备方法，通过将液相剥离法与半导体制备工艺有机结合，在目标部件表面制得石墨烯薄膜，制备过程操作简单，且不经历高温工艺，便于生产大尺寸薄膜，适合量产，制备得到的石墨烯薄膜厚度可控、形状可控，石墨烯薄膜能与目标部件表面紧密结合，解决了现有技术中界面散热材料散热效果不佳、尤其是不能满足高密度系统封装的大功率器件散热需求的问题，为高功率电子器件散热提供了良好基础。

Description

一种石墨烯薄膜器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及石墨烯制造、应用技术领域，特别是涉及一种石墨烯薄膜器件及其制备方法。

背景技术

目前，在微电子封装中广泛使用的界面散热材料包括散热垫、导热油脂、散热带、导热胶、焊接剂、相变材料等，但是由于它们较低的热传导率(一般在2-6W/mK)、有限的几何形状(尤其是较大厚度)、热稳定性差等缺点，其散热效果不佳，不能在满足表面温度较高的大功率芯片散热需求的同时满足高密度系统封装的需要。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种石墨烯薄膜器件及其制备方法，用以解决现有技术中界面散热材料散热效果不佳、尤其是不能满足高密度系统封装的大功率器件散热需求的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种石墨烯薄膜器件，包括目标部件和附着在所述目标部件表面的石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的厚度为0.34nm～4nm。

优选地，所述石墨烯薄膜具有预定图形或预定图案。

优选地，所述目标部件为芯片、或电极、或屏幕、或晶体管部件。

本发明实施例第一方面提供的石墨烯薄膜器件，石墨烯薄膜厚度小，并与目标部件表面紧密结合，因此该石墨烯薄膜器件具有优良的散热效果，能够满足大功率散热需求，满足高密度封装需要。

第二方面，本发明实施例提供了一种石墨烯薄膜器件的制备方法，包括以下步骤：

将原始石墨加入到阳离子表面活性剂溶液中，得到混合液，将所得混合液在80w～8000w功率下超声10分钟～5小时，使得其中的所述原始石墨部分剥离，得到石墨烯和原始石墨的混合分散液，将所述混合分散液静置，待所述混合分散液分层后，取上层70～90％的溶液进行离心处理；

离心处理完毕后，再取离心处理后的上层70～90％的溶液在80w～8000w功率下进行再次超声处理10分钟～2小时；使得其中的所述原始石墨剥离，得到石墨烯分散液；将所述石墨烯分散液进行真空干燥，至所述石墨烯分散液出现浑浊，得到石墨烯浑浊液；

取目标部件，将所得石墨烯浑浊液涂覆在所述目标部件表面，经过干燥后，即得到石墨烯薄膜器件，所述石墨烯薄膜器件包括目标部件和附着在所述目标部件表面的石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的厚度为0.34nm～4nm。

在本发明实施方式中，在所述再次超声处理完毕后，进一步包括，将所述再次超声处理后得到的混合液依次重复进行1～5次如下操作：将所述再次超声处理后得到的混合液静置，待所述混合液分层后，取上层70～90％的溶液进行离心处理；离心处理完毕后，再取离心处理后的上层70～90％的溶液在80w～8000w功率下进行超声处理10分钟～2小时。

其中，阳离子表面活性剂溶液用来提高石墨烯在水溶液中的分散，防止团聚现象。在本发明实施方式中，所述阳离子表面活性剂溶液为胆酸钠溶液。

在本发明实施方式中，所述胆酸钠溶液的浓度为0.1～2.0mg/mL，所述原始石墨在所述胆酸钠溶液中的浓度为0.1～1.0mg/mL。

在本发明实施方式中，所述离心处理的转速为10000～20000r/min；所述离心处理的时间为5～15分钟。

在本发明实施方式中，所述真空干燥的温度为10℃～30℃，所述真空干燥的压力为0～100Kpa，所述真空干燥的时间为0.5～3小时。

在本发明一实施方式中，在所述涂覆操作之前，先在所述目标部件表面放置掩模板，未被所述掩膜板掩盖的部分为预设图形或预设图案区域，将所述石墨烯浑浊液涂覆在所述预设图形或预设图案区域内，所述涂覆操作后得到具有预定图形或预定图案的石墨烯薄膜器件，所述石墨烯薄膜附着在所述预设图形或预设图案区域内。

在本发明另一实施方式中，在所述涂覆操作之前，先在所述目标部件表面通过光刻形成预设图形或预设图案区域，将所述石墨烯浑浊液涂覆在所述预设图形或预设图案区域内，所述涂覆操作后得到具有预定图形或预定图案的石墨烯薄膜器件，所述石墨烯薄膜附着在所述预设图形或预设图案区域内。

在本发明实施方式中，所述涂覆为旋涂、或刮涂、或浸渍涂覆。

在本发明实施方式中，所述旋涂的转速控制在200～500r/min。

在本发明实施方式中，所述目标部件为芯片、或电极、或屏幕、或晶体管部件。

本发明实施例第二方面提供的石墨烯薄膜器件的制备方法，将液相剥离法与半导体制备工艺有机结合，在目标部件表面制得石墨烯薄膜，制备过程操作简单，且不经历高温工艺，便于生产大尺寸薄膜，适合量产，制备得到的石墨烯薄膜厚度可控、形状可控，石墨烯薄膜能与目标部件表面紧密结合，解决了现有技术中界面散热材料散热效果不佳、尤其是不能满足高密度系统封装的大功率器件散热需求的问题，为高功率电子器件散热提供了良好基础。

本发明实施例第三方面提供了一种通信设备，包括本发明实施例第一方面提供的所述的石墨烯薄膜器件，以及供电电路，所述供电电路与所述目标器件电连接，用于为所述目标器件供电。

综上，本发明实施例第一方面提供的石墨烯薄膜器件，石墨烯薄膜厚度小，与目标部件表面结合紧密，因此该石墨烯薄膜器件具有优良的散热效果，能够满足大功率散热需求，满足高密度封装需要。本发明实施例第二方面提供的石墨烯薄膜器件的制备方法，将液相剥离法与半导体制备工艺有机结合，在目标部件表面制得石墨烯薄膜，制备过程操作简单，且不经历高温工艺，便于生产大尺寸薄膜，适合量产，制备得到的石墨烯薄膜厚度可控、形状可控，石墨烯薄膜能与目标部件表面紧密结合，解决了现有技术中界面散热材料散热效果不佳、尤其是不能满足高密度系统封装的大功率器件散热需求的问题，为高功率电子器件散热提供了良好基础。

本发明实施例的优点将会在下面的说明书中部分阐明，一部分根据说明书是显而易见的，或者可以通过本发明实施例的实施而获知。

附图说明

图1为实施例一附着有石墨烯薄膜的芯片与未附着石墨烯薄膜的芯片的散热测试结果图。

具体实施方式

以下所述是本发明实施例的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明实施例原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明实施例的保护范围。

下面分多个实施例对本发明实施例进行进一步的说明。本发明实施例不限定于以下的具体实施例。在不变主权利的范围内，可以适当的进行变更实施。

本发明实施例提供了一种石墨烯薄膜器件及其制备方法，用以解决现有技术中界面散热材料散热效果不佳、尤其是不能满足高密度系统封装的大功率器件散热需求的问题。

所述石墨烯薄膜在一定角度内是柔性的，由于石墨烯本身是柔性材料，当多层累加制备成薄膜其柔性会受到限制，所以说在一定弯曲角度下是呈现柔性的，柔性异形变的材料当应用在器件表面时可以和器件表面完全贴合，使得热量传递更为有效。

在本发明实施方式中，所述石墨烯薄膜具有预定图形或预定图案。

在本发明实施方式中，所述目标部件为芯片、或电极、或屏幕、或晶体管部件。但本发明的目标部件不仅限于此。即本发明实施例的石墨烯薄膜器件可以是将石墨烯薄膜应用于不同尺寸的高功率密度芯片的热点散热、较大面积触摸屏涂层、透明电极、高频石墨烯晶体管等目标部件表面，从而起到强化导热或者导电的作用。石墨烯薄膜可以作成电极等导电材料，极大改善芯片的高频性能和处理速度。

本发明实施例第一方面提供的石墨烯薄膜器件，石墨烯薄膜厚度小，与目标部件表面结合紧密，因此该石墨烯薄膜器件具有优良的散热效果，能够满足大功率散热需求，满足高密度封装需要。

将原始石墨加入到阳离子表面活性剂溶液中，得到混合液，将所得混合液在80w～8000w功率下超声处理10分钟～5小时，使得其中的所述原始石墨部分剥离，得到石墨烯和原始石墨的混合分散液；

将所述混合分散液静置，待所述混合分散液分层后，取上层70～90％的溶液进行离心处理；离心处理完毕后，再取离心处理后的上层70～90％的溶液在80w～8000w功率下进行再次超声处理10分钟～2小时，使得其中的所述原始石墨剥离，得到石墨烯分散液；将所述石墨烯分散液进行真空干燥，至所述石墨烯分散液出现浑浊，得到石墨烯浑浊液；

重复多次超声处理可以使得原始石墨更彻底地剥离成石墨烯。

所述胆酸钠溶液的浓度以及原始石墨的加入量可根据实际需要设定，在本实施方式中，所述胆酸钠溶液的浓度为0.1～2.0mg/mL，所述原始石墨在所述胆酸钠溶液中的浓度为0.1～1.0mg/mL。

其中，超声的功率可根据实际待超声的体系具体设定。

所述离心为常规操作，其操作参数可根据实际需要设定，能实现离心分离即可。在本实施方式中，所述离心处理的转速为10000～20000r/min，所述离心处理的时间为5～15分钟。

在本实施方式中，所述真空干燥的温度为10～30℃，所述真空干燥的压力为0～100Kpa。

由于在实际应用中，需要进行散热的热点并不是都为目标部件的整个表面，而是在某个特定的区域内，因此，要实现在特定区域内设置石墨烯薄膜，需要将特定区域外的部分进行保护。

在本发明的一实施方式中，在所述涂覆操作之前，先在所述目标部件表面放置掩模板，未被所述掩膜板掩盖的部分为预设图形或预设图案区域，将所述石墨烯浑浊液涂覆在所述预设图形或预设图案区域内，所述涂覆操作后得到具有预定图形或预定图案的石墨烯薄膜器件，所述石墨烯薄膜附着在所述预设图形或预设图案区域内。

在本发明的另一实施方式中，在所述涂覆操作之前，先在所述目标部件表面通过光刻形成预设图形或预设图案区域，将所述石墨烯浑浊液涂覆在所述预设图形或预设图案区域内，所述涂覆操作后得到具有预定图形或预定图案的石墨烯薄膜器件，所述石墨烯薄膜附着在所述预设图形或预设图案区域内。

在本实施方式中，所述涂覆为旋涂、或刮涂、或浸渍涂覆。

本发明实施例中，石墨烯薄膜的厚度可以通过旋涂的转速和重复的次数在一定范围里可控。所述旋涂的重复次数不做特殊限定，可根据实际需要的厚度设定。在本实施方式中，所述旋涂的转速控制在200～500r/min。

在本实施方式中，所述目标部件为芯片、或电极、或屏幕、或晶体管部件。在其他实施例方式中，所述目标部件可以为其他发热部件，如用于LED散热。

下面以芯片为应用目标部件为例，阐述本发明实施例的有益效果。应该理解地，应用到其他目标部件的制备过程与应用于芯片的制备过程相同。

实施例一

一种石墨烯薄膜器件的制备方法，包括以下步骤：

(1)将原始石墨加入到浓度为0.1mg/mL胆酸钠溶液中，得到混合液，原始石墨在胆酸钠溶液中的浓度为1mg/mL；将所得混合液在8000W功率下超声10分钟，得到混合分散液，将混合分散液静置，待混合分散液分层后，取上层90％的溶液进行离心，离心的转速为10000r/min，离心的时间为15分钟；

(2)将上述离心后的溶液，取上层80％的溶液在8000W功率下进行再次超声10分钟，得到石墨烯分散液；将石墨烯分散液在30℃，1Kpa压力下进行真空干燥约3小时，至所述石墨烯分散液出现浑浊，得到石墨烯浑浊液；

(3)取目标芯片，将上述所得石墨烯浑浊液旋涂在目标芯片表面，旋涂的转速控制在300r/min，旋涂重复操作3次，经过干燥后，得到石墨烯薄膜器件，即附着有石墨烯薄膜的芯片，所得石墨烯薄膜的厚度为0.34～4nm。

实施例二

一种石墨烯薄膜器件的制备方法，包括以下步骤：

(1)将原始石墨加入到浓度为2mg/mL胆酸钠溶液中，得到混合液，原始石墨在胆酸钠溶液中的浓度为0.1mg/mL；将所得混合液在5000W功率下超声60分钟，得到混合分散液，将混合分散液静置，待混合分散液分层后，取上层90％的溶液进行离心，离心的转速为20000r/min，离心的时间为5分钟；

(2)将上述离心后的溶液，取上层80％的溶液在5000W功率下进行再次超声30分钟，得到石墨烯分散液；将石墨烯分散液在10℃，100Kpa压力下进行真空干燥约1小时，至所述石墨烯分散液出现浑浊，得到石墨烯浑浊液；

(3)取目标芯片，在目标芯片表面放置预先设计好的掩模板，未被掩膜板掩盖的部分为预设图形或预设图案区域，将上述所得石墨烯浑浊液旋涂在目标芯片表面的预设图形或预设图案区域内，旋涂的转速控制在100r/min，旋涂重复操作5次，经过干燥后，得到具有预定图形或预定图案的石墨烯薄膜器件，即预设图形或预设图案区域内附着有石墨烯薄膜的芯片，所得石墨烯薄膜的厚度为0.34～4nm。

实施例三

一种石墨烯薄膜器件的制备方法，包括以下步骤：

(1)将原始石墨加入到浓度为1mg/mL胆酸钠溶液中，得到混合液，原始石墨在胆酸钠溶液中的浓度为0.5mg/mL；将所得混合液在3000W功率下超声2小时，得到混合分散液，将混合分散液静置，待混合分散液分层后，取上层80％的溶液进行离心，离心的转速为20000r/min，离心的时间为5分钟；

(2)将上述离心后的溶液，取上层80％的溶液在3000W功率下进行再次超声0.6小时，得到石墨烯分散液；将石墨烯分散液在20℃，50Kpa压力下进行真空干燥约2小时，至所述石墨烯分散液出现浑浊，得到石墨烯浑浊液；

(3)取目标芯片，通过光刻的方式在目标芯片表面形成预设图形或预设图案区域，将上述所得石墨烯浑浊液旋涂在目标芯片表面的预设图形或预设图案区域内，旋涂的转速在200r/min，旋涂重复操作3次，经过干燥后，得到具有预定图形或预定图案的石墨烯薄膜器件，即预设图形或预设图案区域内附着有石墨烯薄膜的芯片，所得石墨烯薄膜的厚度为0.34～4nm。

实施例四

一种石墨烯薄膜器件的制备方法，包括以下步骤：

(1)将原始石墨加入到浓度为0.5mg/mL胆酸钠溶液中，得到混合液，原始石墨在胆酸钠溶液中的浓度为0.8mg/mL；将所得混合液在1000W功率下超声2小时，得到混合分散液；

(2)将混合分散液静置，待混合分散液分层后，取上层80％的溶液进行离心处理，离心处理的转速为15000r/min，离心处理的时间为10分钟；将离心处理后的溶液，取上层90％的溶液在1000W功率下进行再次超声处理1小时；

(3)重复上述步骤(2)1次，使得原始石墨充分剥离，得到石墨烯分散液；将石墨烯分散液在30℃，1Kpa压力下进行真空干燥约0.5小时，至所述石墨烯分散液出现浑浊，得到石墨烯浑浊液；

(4)取目标芯片，将上述所得石墨烯浑浊液旋涂在目标芯片表面，旋涂的转速控制在100r/min，旋涂重复操作3次，经过干燥后，得到石墨烯薄膜器件，即附着有石墨烯薄膜的芯片，所得石墨烯薄膜的厚度为0.34～4nm。

实施例五

一种石墨烯薄膜器件的制备方法，包括以下步骤：

(1)将原始石墨加入到浓度为1.5mg/mL胆酸钠溶液中，得到混合液，原始石墨在胆酸钠溶液中的浓度为0.6mg/mL；将所得混合液在500W功率下超声3小时，得到混合分散液；

(2)将混合分散液静置，待混合分散液分层后，取上层90％的溶液进行离心处理，离心处理的转速为10000r/min，离心处理的时间为15分钟；将离心处理后的溶液，取上层80％的溶液在500W功率下进行再次超声处理1.5小时；

(3)重复上述步骤(2)3次，使得原始石墨充分剥离，得到石墨烯分散液；将石墨烯分散液在10℃，100Kpa压力下进行真空干燥约1小时，至所述石墨烯分散液出现浑浊，得到石墨烯浑浊液；

(4)取目标芯片，将上述所得石墨烯浑浊液旋涂在目标芯片表面，旋涂的转速在300r/min，旋涂重复操作2次，经过干燥后，得到石墨烯薄膜器件，即附着有石墨烯薄膜的芯片，所得石墨烯薄膜的厚度为0.34～4nm。

实施例六

一种石墨烯薄膜器件的制备方法，包括以下步骤：

(1)将原始石墨加入到浓度为1.2mg/mL胆酸钠溶液中，得到混合液，原始石墨在胆酸钠溶液中的浓度为0.4mg/mL；将所得混合液在80W功率下超声5小时，得到混合分散液；

(2)将混合分散液静置，待混合分散液分层后，取上层70％的溶液进行离心处理，离心处理的转速为12000r/min，离心处理的时间为10分钟；将离心处理后的溶液，取上层80％的溶液在80W功率下进行再次超声处理2小时；

(3)重复上述步骤(2)5次，使得原始石墨充分剥离，得到石墨烯分散液；将石墨烯分散液在20℃，10Kpa压力下进行真空干燥约1小时，至所述石墨烯分散液出现浑浊，得到石墨烯浑浊液；

(4)取目标芯片，将上述所得石墨烯浑浊液旋涂在目标芯片表面，旋涂的转速在300r/min，旋涂重复操作3次，经过干燥后，得到石墨烯薄膜器件，即附着有石墨烯薄膜的芯片，所得石墨烯薄膜的厚度为0.34～4nm。

效果实施例为有力支持本发明实施例的有益效果，提供效果实施例如下，用以评测本发明实施例提供的产品的性能。

将实施例一～三制备的表面附着有石墨烯薄膜的目标芯片，进行正常工作测试，测试所用的芯片尺寸为23mm*23mm，热点大小为390μm*400μm，石墨烯薄膜覆盖在芯片中心热点上方，大小约10mm*10mm，散热测试为室温无风的自然散热状态，相同散热测试条件，不同的热耗功率下，实施例一附着有石墨烯薄膜的芯片与未附着石墨烯薄膜的芯片的散热测试结果，如图1所示，其中，1为本发明实施例一的附着有石墨烯薄膜的芯片的测试结果，2为未附着石墨烯薄膜的芯片的测试结果。

结果显示：本发明实施例一的附着有石墨烯薄膜的芯片具有优良的散热效果，在相同热耗功率下，相比未附着石墨烯薄膜的芯片，温度比对比例低3～10℃，

因此芯片局部形成的热点能迅速消除，从而提高芯片工作效率和寿命，增强了整个电子器件以及系统的稳定性。这是由于高温会使芯片读取、交换数据等工作效率降低，以及加剧芯片内部不同材料间热膨胀系数的不匹配性，产生热应力损坏芯片内部结构，而石墨烯薄膜具有极高的导热能力，可使芯片工作发出的热量迅速排出。

Claims

1.一种石墨烯薄膜器件，其特征在于，包括目标部件和附着在所述目标部件表面的石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的厚度为0.34nm～4nm。

2.如权利要求1所述的石墨烯薄膜器件，其特征在于，所述石墨烯薄膜具有预定图形或预定图案。

3.如权利要求1所述的石墨烯薄膜器件，其特征在于，所述目标部件为芯片、或电极、或屏幕、或晶体管部件。

4.一种石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将所述混合分散液静置，待所述混合分散液分层后，取上层70～90%的溶液进行离心处理；离心处理完毕后，再取离心处理后的上层70～90%的溶液在80w～8000w功率下进行再次超声处理10分钟～2小时，使得其中的所述原始石墨剥离，得到石墨烯分散液；将所述石墨烯分散液进行真空干燥，至所述石墨烯分散液出现浑浊，得到石墨烯浑浊液；

5.如权利要求4所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，在所述再次超声处理完毕后，进一步包括，将所述再次超声处理后得到的混合液依次重复进行1～5次如下操作：将所述再次超声处理后得到的混合液静置，待所述混合液分层后，取上层70～90%的溶液进行离心处理；离心处理完毕后，再取离心处理后的上层70～90%的溶液在80w～8000w功率下进行超声处理10分钟～2小时。

6.如权利要求4或5所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述阳离子表面活性剂溶液为胆酸钠溶液。

7.如权利要求4-6中任一项所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述胆酸钠溶液的浓度为0.1～2.0mg/mL。

8.如权利要求4-7中任一项所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述原始石墨在所述胆酸钠溶液中的浓度为0.1～1.0mg/mL。

9.如权利要求4-8中任一项所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述离心处理的离心转速为10000～20000r/min。

10.如权利要求4-9中任一项所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述离心处理的时间为5～15分钟。

11.如权利要求4-10中任一项所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述真空干燥的温度为10℃～30℃。

12.如权利要求4-11中任一项所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述真空干燥的压力为0～100Kpa。

13.如权利要求4-12中任一项所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，在所述涂覆操作之前，先在所述目标部件表面放置掩模板，未被所述掩膜板掩盖的部分为预设图形或预设图案区域，将所述石墨烯浑浊液涂覆在所述预设图形或预设图案区域内，所述涂覆操作后得到具有预定图形或预定图案的石墨烯薄膜器件，所述石墨烯薄膜附着在所述预设图形或预设图案区域内。

14.如权利要求4-12中任一项所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，在所述涂覆操作之前，先在所述目标部件表面通过光刻形成预设图形或预设图案区域，将所述石墨烯浑浊液涂覆在所述预设图形或预设图案区域内，所述涂覆操作后得到具有预定图形或预定图案的石墨烯薄膜器件，所述石墨烯薄膜附着在所述预设图形或预设图案区域内。

15.如权利要求4-14中任一项所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述涂覆为旋涂、或刮涂、或浸渍涂覆。

16.如权利要求4-15中任一项所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述旋涂的转速在200～500r/min。

17.如权利要求4-16中任一项所述的石墨烯薄膜器件的制备方法，其特征在于，所述目标部件为芯片、或电极、或屏幕、或晶体管部件。

18.一种通信设备，包括如权1-3中任一项所述的石墨烯薄膜器件，以及供电电路，所述供电电路与所述目标器件电连接，用于为所述目标器件供电。