CN104913805A - 一种提高离子注入机日常检点稳定性的方法 - Google Patents

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国子明
郭国超
王毅
张瑞朋
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Abstract

本发明提供的一种提高离子注入机日常检点稳定性的方法中，包括提供点检晶片，对所提供的点检晶片进行一定温度一定时间的退火处理，使用经过退火处理的点检晶片进行离子注入机的日常检点。本发明的方法能够使点检晶片自身缺陷得以修复，内在应力得以消除，具有更为稳定的前值和后值，因此，由于点检晶片本身原因造成的宕机时间可以明显降低。

Description

一种提高离子注入机日常检点稳定性的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种提高离子注入机日常检点稳定性的方法。 
背景技术
信息技术的不断革新促使集成电路制造行业蓬勃发展，在此领域，离子注入工艺对半导体器件的电性能起到重要作用，但由于离子注入机台价格昂贵，不必要的宕机大大降低机台使用效率，成为高生产成本的重要推手。 
离子注入会破坏单晶硅片的晶格结构，通过热波仪可以量测出这种损伤值，称之为热波（Thermal Wave）值。让一个注入后的单晶硅片在进入待测温机台工艺前后各量测一次，分别得到前值和后值。当前，离子注入机台通常的日常点检方法是直接使用裸晶片（bare wafer）对注入机台进行日常点检。 
这种点检方式一方面由于晶体本身缺陷及内在应力造成点检晶片前值不稳定，而前值超出所设范围的晶片即视为不合格无法使用从而造成晶片浪费，另一方面由于前值不稳定造成点检晶片经过离子注入工艺后的后值亦不稳定，而由此造成的机台点检不达标势必会增加宕机时间从而大大提高生产成本。因此寻找一种提高离子注入机日常检点稳定性的方法是十分必要的。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高离子注入机日常检点稳定性的方法，以解决现有的点检晶片利用率较低，点检晶片前值不稳定，点检机台结果不稳定从而造成较长时间宕机的问题。 
为解决上述技术问题，本发明提供一种制作点检晶片的方法，在850℃-950℃下对点检晶片进行退火处理，退火处理时间为10-60分钟。 
经过退火处理后的所述点检晶片，其热波范围为20-40。 
经过退火处理后的所述点检晶片，其氧化层范围为20-100。 
进一步地，在退火前，还对所述点检晶片使用HF、SC1及SC2溶液进行洗清。 
进一步地，所述点检晶片使用HF溶液清洗20-40分钟，使用SC1溶液与SC2 溶液洗清10-15分钟。 
本发明中使用上述方法得到的经过退火处理的点检晶片进行离子注入机的日常检点。 
本发明提供的一种提高离子注入机日常检点稳定性的方法中，包括提供点检晶片，对所提供的点检晶片进行一定温度一定时间的退火处理，使用经过退火处理的点检晶片进行离子注入机的日常检点。 
进一步地，在完成离子注入机台工艺后，在0-3小时内对所述点检晶片进行测量。 
进一步地，使用热波的面扫模式对所述点检晶片进行量测。 
与现有技术相比，本发明的方法对所用的点检晶片，在规定温度下进行了规定时间的退火处理，使点检晶片自身缺陷得以修复，内在应力得以消除，具有更为稳定的前值和后值，使得由于点检晶片本身原因造成的宕机时间可以明显降低。 
附图说明
图1、图3是现有方法使用的点检晶片的前值和后值的示意图； 
图2、图4是本发明使用的点检晶片的前值和后值的示意图。
具体实施方式
本发明提供一种制作点检晶片的方法，在850℃-950℃下进行退火处理，退火处理时间约为10-60分钟。经过上述退火处理后的所述点检晶片，其热波（Thermal Wave）范围为20-40；其氧化层范围为20-100。 
并且，在退火前，还需要对所述点检晶片使用HF+SC1+SC2（氢氟酸；氨水/双氧水/水溶液；盐酸/双氧水/水溶液）进行洗清。优选地，所述点检晶片需使用HF清洗20-40分钟，需使用SC1与SC2 洗清10-15分钟。 
本发明还提供一种提高离子注入机日常检点稳定性的方法中，使用上述退火处理后的晶片来进行日常检点。具体是在注入机台工艺完成后，在0-3小时内对该点检晶片进行测量。所述点检晶片的量测仍然选用与现用量测方式相同的热波的面扫模式。 
本发明的方法对所用的点检晶片，在规定温度下进行了规定时间的退火处理，使点检晶片自身缺陷得以修复，内在应力得以消除。 
比较图1中现有的点检晶片（裸晶片）和图2中本发明退火处理后的点检晶片，可知现有的点检晶片前值高且不稳定，而本发明中的点检晶片前值明显较低且稳定。 
比较图3中现有的点检晶片（裸晶片）和图4中本发明退火处理后的点检晶片，可知现有的点检晶片后值不稳定，而本发明中的点检晶片经过离子注入工艺后值稳定，因此，由于点检晶片本身原因造成的宕机时间可以明显降低。 
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。 

Claims (8)

1.一种制作点检晶片的方法，其特征在于，在850℃-950℃下对点检晶片进行退火处理，退火处理时间为10-60分钟。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，经过退火处理后的所述点检晶片，其热波范围为20-40。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，经过退火处理后的所述点检晶片，其氧化层范围为20-100。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在退火前，还对所述点检晶片使用HF、SC1及SC2溶液进行洗清。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述点检晶片使用HF溶液清洗20-40分钟，使用SC1溶液与SC2 溶液洗清10-15分钟。
6.一种提高离子注入机日常检点稳定性的方法，其特征在于，使用权利要求1-5中任意一项方法得到的经过退火处理的点检晶片进行离子注入机的日常检点。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在完成离子注入机台工艺后，在0-3小时内对所述点检晶片进行测量。
8.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，使用热波的面扫模式对所述点检晶片进行量测。
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