CN104901000B - 一种耦合馈电可重构天线及制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种耦合馈电可重构天线及制造方法，该耦合馈电可重构天线包括馈源、地板、介质板、低通滤波器、低频辐射单元、射频开关、第一耦合片、第一高频辐射单元、第二耦合片、第二高频辐射单元；介质板的第一侧面设置有第一耦合片，馈电点连接馈源，介质板的第一侧面对应的第二侧面设置有与第一耦合片对称的第二耦合片，第一耦合片和第二耦合片等效为耦合馈电电容；低频辐射单元设置在介质板或手机壳体上，低频辐射单元的第二触点与馈电点之间串联低通滤波器，低通滤波器与馈电点之间的介质板上开设有过孔。实施本发明实施例，提高天线系统辐射效率和增益，最终提升天线系统的工作性能。

Description

一种耦合馈电可重构天线及制造方法

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，具体涉及一种耦合馈电可重构天线及制造方法。

背景技术

在天线设计中，耦合技术是指天线的部分贴片在经过馈电系统激励的同时，对周围不接触但有一定距离的金属贴片进行电能传导，使得这部分贴片不经过直接馈电便可辐射电磁波。馈电是指被控制装置向控制点送电。耦合馈电是指在通信等领域内的不接触但有一定的小的距离的两个电路元件或电路网络之间通过耦合的方式进行电能量的传导，使得其中的一个元件不与电能量传导系统有直接接触的情况下获得能量。可重构技术是指通过使用射频开关或可调电容等元器件，改变天线结构或尺寸，进而改变天线电流分布，使天线具有可切换的工作状态或模式，实现对多个频段的覆盖，在手机天线中，主要应用在频率可重构天线。

随着微电子技术和通信技术的高速发展，4G手机的到来引领整个移动行业蓬勃发展，如何在手机上设计出能够覆盖低频704-960MHz和高频1710～2690MHz的天线是一个很大的挑战。随着4G手机大量的上市，现有的天线设计方案一般采用直接馈电的方案，通过射频开关(RF swith)切换第一接地端或切换匹配电路来同时改变高低频段谐振频率，从而覆盖整个频段(低频704-960MHz和高频1710～2690MHz)，由于该方案同时改变天线系统的高低频段的谐振频率，高频天线单元和低频天线单元之间的互偶作用会影响高低频天线单元的辐射效率和增益，从而减小了高低频天线单元的工作频带，影响天线系统的工作性能。

发明内容

本发明实施例提供了一种耦合馈电可重构手机天线及制造方法，通过耦合馈电电容传到能量产生高频段谐振频率，通过低通滤波器降低高低频天线单元之间的互偶作用，避免调整低频时对高频的影响，避免调整高频时对低频的影响，从而提高天线系统辐射效率和增益，最终提升天线系统的工作性能。

本发明实施例第一方面耦合馈电可重构天线，包括：

馈源、地板、介质板、低通滤波器、低频辐射单元、射频开关、低频电路元件、第一耦合片、第一高频辐射单元、第二耦合片、第二高频辐射单元；

所述地板上设置有第一接地端、第二接地端；所述地板上还铺设有介质板，所述介质板的第一侧面设置有馈电点和所述第一耦合片，所述馈电点连接所述馈源，所述介质板的第一侧面对应的第二侧面设置有与所述第一耦合片对称的所述第二耦合片，所述第一耦合片和所述第二耦合片等效为耦合馈电电容；所述低频辐射单元设置在所述介质板或手机壳体上，所述低频辐射单元的第一触点与所述第一接地端之间串联所述射频开关和低频电路元件，所述低频辐射单元的第二触点与所述馈电点之间串联所述低通滤波器，所述低通滤波器与所述馈电点之间的介质板上开设有过孔，所述第二耦合片通过所述过孔连接所述馈电点；所述第一耦合片通过第一金属片连接所述第一高频辐射单元，所述第一高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上，所述第一耦合片连接所述第二接地端；所述第二耦合片通过第二金属片连接所述第二高频辐射单元，所述第二高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上；

其中，第一低频IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述低频辐射单元、所述低通滤波器、所述射频开关、所述低频电路元件以及所述过孔；高频耦合馈电IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述过孔、所述第一耦合片、所述第二耦合片、所述第一高频辐射单元以及所述第二高频辐射单元。

结合本发明第一方面，在本发明第一方面的第一种可能的实现方式中，

所述地板上还设置有第三接地端，所述第三接地端连接所述低频辐射单元；

其中，第二低频IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述过孔、所述低通滤波器、所述低频辐射单元、所述第三接地端。

结合本发明第一方面的第一种可能的实现方式，在本发明第一方面的第二种可能的实现方式中，其中：

所述第二低频IFA天线单元还包括所述射频开关和所述低频电路元件；所述低频电路元件与所述第二低频IFA天线单元的第二低频谐振频率关联。

结合本发明第一方面，或者，本发明第一方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第一方面的第二种可能的实现方式，在本发明第一方面的第三种可能的实现方式中，其中：

所述低频电路元件与所述第一低频IFA天线单元的第一低频谐振频率关联；

所述第二接地端的位置或所述第一高频辐射单元的形状和位置或所述第二高频辐射单元的形状和位置与所述高频耦合馈电IFA天线单元的高频谐振频率关联。

结合本发明第一方面，或者，本发明第一方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第一方面的第二种可能的实现方式，在本发明第一方面的第四种可能的实现方式中，其中：

所述低通滤波器的谐振频率为1.0GHz至1.2GHz；或者，

所述耦合馈电电容的电容量为0.1pF至0.5pF；或者，

所述低频电路元件包括分布式或集总式的电感或电容。

结合本发明第一方面，或者，本发明第一方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第一方面的第二种可能的实现方式，在本发明第一方面的第五种可能的实现方式中，其中：

所述介质板的厚度大于等于0.7毫米且小于等于1.2毫米。

结合本发明第一方面，或者，本发明第一方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第一方面的第二种可能的实现方式，在本发明第一方面的第六种可能的实现方式中，其中：

所述射频开关为射频同轴开关，所述射频同轴开关包括铁氧体开关、PIN管开关、BJT开关、MOSFET开关或MEMS微机械电路开关中的任一种。

结合本发明第一方面，或者，本发明第一方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第一方面的第二种可能的实现方式，在本发明第一方面的第七种可能的实现方式中，其中：

所述第一耦合片和所述第二耦合片包括银、铜、金、锌、铁等导电率大于预设阈值的金属片。

结合本发明第一方面，或者，本发明第一方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第一方面的第二种可能的实现方式，在本发明第一方面的第八种可能的实现方式中，其中：

所述第一接地端、所述第二接地端、所述第三接地端与所述馈电点的中心距离均大于或等于2mm。

本发明第二方面公开一种耦合馈电可重构天线制造方法，所述方法包括：

将介质板铺设在地板上；

将第一耦合片设置在介质板的第一侧面，将第二耦合片设置在所述介质板的第一侧面对应的第二侧面，所述第一耦合片和所述第二耦合片对称设置且等效为耦合馈电电容；

将低频辐射单元设置在所述介质板上或手机壳体上，将所述低频辐射单元的第一触点与所述地板上的第一接地端之间串联射频开关和低频电路元件；

将所述低频辐射单元的第二触点和所述介质板的馈电点之间串联低通滤波器；

将所述低通滤波器和所述馈电点之间开设过孔，将所述第二耦合片通过所述过孔连接馈电点；

将第一耦合片连接所述地板上的第二接地端，将第一耦合片通过第一金属片连接所述第一高频辐射单元，将所述第一高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上；

将所述第二耦合片通过第二金属片连接所述第二高频辐射单元，将所述第二高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上。

结合本发明第二方面，在本发明第二方面的第一种可能的实现方式中，所述方法还包括：

将所述低频辐射单元连接所述地板上的第三接地端；

其中，第二低频IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述过孔、所述低通滤波器、所述低频辐射单元、所述第三接地端。

结合本发明第二方面的第一种可能的实现方式，在本发明第二方面的第二种可能的实现方式中，其中：

所述第二低频IFA天线单元还包括所述射频开关和所述低频电路元件；

所述低频电路元件与所述第二低频IFA天线单元的第二低频谐振频率关联。

结合本发明第二方面，或者，本发明第二方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第二方面的第二种可能的实现方式，在本发明第二方面的第三种可能的实现方式中，其中：

所述低频电路元件与所述第一低频IFA天线单元的第一低频谐振频率关联；

所述第二接地端的位置或所述第一高频辐射单元的形状和位置或所述第二高频辐射单元的形状和位置与所述高频耦合馈电IFA天线单元的高频谐振频率关联。

结合本发明第二方面，或者，本发明第二方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第二方面的第二种可能的实现方式，在本发明第二方面的第四种可能的实现方式中，其中：

所述低通滤波器的谐振频率为1.0GHz至1.2GHz；或者，

所述耦合馈电电容的电容量为0.1pF至0.5pF；或者，

所述低频电路元件包括分布式或集总式的电感或电容。

结合本发明第二方面，或者，本发明第二方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第二方面的第二种可能的实现方式，在本发明第二方面的第五种可能的实现方式中，其中：

所述介质板的厚度大于等于0.7毫米且小于等于1.2毫米。

结合本发明第二方面，或者，本发明第二方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第二方面的第二种可能的实现方式，在本发明第二方面的第六种可能的实现方式中，其中：

所述射频开关为射频同轴开关，所述射频同轴开关包括铁氧体开关、PIN管开关、BJT开关、MOSFET开关或MEMS微机械电路开关中的任一种。

结合本发明第二方面，或者，本发明第二方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第二方面的第二种可能的实现方式，在本发明第二方面的第七种可能的实现方式中，其中：

所述第一耦合片和所述第二耦合片包括银、铜、金、锌、铁等导电率大于预设阈值的金属片。

结合本发明第二方面，或者，本发明第二方面的第一种可能的实现方式，或者，本发明第二方面的第二种可能的实现方式，在本发明第二方面的第八种可能的实现方式中，其中：

所述第一接地端、所述第二接地端、所述第三接地端与所述馈电点的中心距离均大于或等于2mm。

本发明实施例中，通过在介质板两侧对称设置第一耦合片和第二耦合片构成高频天线单元的耦合馈电电容，该耦合馈电电容通过耦合馈电将能量传导至第一高频辐射单元，促使第一高频辐射单元产生第一高频谐振频率，从而第一高频谐振频率和第二高频辐射单元产生的第二高频谐振频率覆盖多个高频段；通过在低频天线单元中的低频辐射单元和馈源之间串联低通滤波器，由于低通滤波器通低频阻高频的特性能够有效降低高频天线单元与低频天线单元之间的互偶作用，因此该低通滤波器能够避免调整低频时对高频的影响，以及避免调整高频时对低频的影响，从而提高天线系统辐射效率和增益，最终提升天线系统的工作性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例公开的一种耦合馈电可重构天线的第一侧面结构图；

图2是本发明实施例公开的一种耦合馈电可重构天线的第二侧面的结构图；

图3是本发明实施例公开的另一种耦合馈电可重构天线的第一侧面结构图；

图4是本发明实施例公开的另一种耦合馈电可重构天线的第二侧面结构图；

图5是本发明实施例公开的一种耦合馈电可重构天线制造方法的流程图；

图6是本发明实施例公开的另一种耦合馈电可重构天线制造方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明公开了一种耦合馈电可重构天线及制造方法，通过耦合馈电电容传到能量产生高频段谐振频率，通过低通滤波器降低高低频天线单元之间的互偶作用，避免调整低频时对高频的影响，避免调整高频时对低频的影响，从而提高天线系统辐射效率和增益，最终提升天线系统的工作性能。以下分别进行详细说明。

请参见图1和图2，图1是本发明实施例公开的一种耦合馈电可重构天线的第一侧面结构图，图2是本发明实施例公开的一种耦合馈电可重构天线的第二侧面的结构图。如图1和图2所示，该耦合馈电可重构天线可以包括馈源101、地板102、介质板103、低通滤波器104、低频辐射单元105、射频开关106、低频电路元件107、第一耦合片108、第一高频辐射单元109、第二耦合片110、第二高频辐射单元111，其中：

所述地板102上设置有第一接地端、第二接地端；所述地板102上还铺设有介质板103，所述介质板103的第一侧面设置有馈电点和所述第一耦合片108，所述馈电点连接所述馈源101，所述介质板103的第一侧面对应的第二侧面设置有与所述第一耦合片108对称的所述第二耦合片110，所述第一耦合片108和所述第二耦合片110等效为耦合馈电电容；所述低频辐射单元105设置在所述介质板103或手机壳体上，所述低频辐射单元105的第一触点与所述第一接地端之间串联所述射频开关106和所述低频电路元件107，所述低频辐射单元105的第二触点与所述馈电点之间串联所述低通滤波器104，所述低通滤波器104与所述馈电点之间的介质板103上开设有过孔，所述第二耦合片110通过所述过孔连接所述馈电点；所述第一耦合片108通过第一金属片连接所述第一高频辐射单元109，所述第一高频辐射单元109设置在所述介质板103或所述手机壳体上，所述第一耦合片108连接所述第二接地端；所述第二耦合片110通过第二金属片连接所述第二高频辐射单元111，所述第二高频辐射单元111设置在所述介质板103或所述手机壳体上；

其中，第一低频IFA天线单元包括所述馈源101、所述馈电点、所述低频辐射单元105、所述低通滤波器104、所述射频开关106、所述低频电路元件107以及所述过孔；高频耦合馈电IFA天线单元包括所述馈源101、所述馈电点、所述过孔、所述第一耦合片108、所述第二耦合片110、所述第一高频辐射单元109以及所述第二高频辐射单元111。

可选的，上述地板102例如可以是铜皮、铜块、钢板等用于辐射电磁波的金属底板，上述介质板103例如可以是FR4介质板等介质基板。

可选的，上述低频辐射单元105和地板102上的第一接地端之间串联的射频开关106和低频电路元件107的电连接先后关系不做限定，即低频辐射单元105可以先串联射频开关106，射频开关106再串联低频电路元件107，低频电路元件107连接第一接地端，也可以是低频辐射单元105先串联低频电路元件107，低频电路元件107串联射频开关106，射频开关106连接第一接地端。

可选的，上述低通滤波器104和馈电点之间开设的过孔用于将馈电点馈入的辐射能量传导至介质板103的第二侧面的第二耦合片110上。

本发明实施例中，图1和图2所示的耦合馈电可重构天线的工作原理是：正常情况下，天线辐射电磁波时，馈源101通过馈电点向第一低频IFA天线单元和高频耦合馈电IFA天线单元馈入射频能量，第一低频IFA天线单元为一可重构低频天线单元，该低频天线单元的低频谐振频率可以通过射频开关106切换不同的低频电路元件107的值来改变(如通过射频开关106切换电感值，或者，通过射频开关106切换电容值，等)，从而促使上述第一低频IFA天线单元能够覆盖多个低频频段，本实施例中，第一低频IFA天线单元能够覆盖低频频段(704-960MHz)；高频辐射单元中的第二高频辐射单元111接收到射频能量后发生谐振产生第二高频谐振频率，同时，耦合馈电等效电容中的第一耦合片108将辐射能量传导至第一高频辐射单元109，促使第一高频辐射单元109发生协整产生第一高频谐振频率，本发明实施例中，第一高频谐振频率和第二高频谐振频率能够覆盖整个4G高频频段(1710～2690MHz)。

在图1和图2所描述的耦合馈电可重构天线中，通过在介质板两侧对称设置第一耦合片和第二耦合片构成高频天线单元的耦合馈电电容，该耦合馈电电容通过耦合馈电将能量传导至第一高频辐射单元，促使第一高频辐射单元产生第一高频谐振频率，从而第一高频谐振频率和第二高频辐射单元产生的第二高频谐振频率覆盖多个高频段；通过在低频天线单元中的低频辐射单元和馈源之间串联低通滤波器，由于低通滤波器通低频阻高频的特性能够有效降低高频天线单元与低频天线单元之间的互偶作用，因此该低通滤波器能够避免调整低频时对高频的影响，以及避免调整高频时对低频的影响，从而提高天线系统辐射效率和增益，最终提升天线系统的工作性能。

请参见图3和图4，图3是本发明实施例公开的另一种耦合馈电可重构天线的第一侧面结构图，图4是本发明实施例公开的另一种耦合馈电可重构天线的第二侧面结构图，与图1和图2所示的耦合馈电可重构天线相比，图3和图4所示的耦合馈电可重构天线还可以包括地板102上设置的第三接地端以及该第三接地端与低频辐射单元105之间的馈线，其中：

上述第三接地端通过馈线(如特性阻抗为50欧的同轴电缆，等)连接所述低频辐射单元105；第二低频IFA天线单元包括所述馈源101、所述馈电点、所述过孔、所述低通滤波器104、所述低频辐射单元105、所述第三接地端以及馈线。由于第三接地端能够影响第二低频IFA天线单元的等效电长度，因此，上述第三接地端的位置与第二低频IFA天线单元的第二低频谐振频率关联。

可选地，上述第二低频IFA天线单元还包括所述射频开关106和所述低频电路元件107；

其中，所述低频电路元件107与所述第二低频IFA天线单元的第二低频谐振频率关联。

作为一种可能的实施方式，图1和图2所示的第一低频IFA天线单元中，所述低频电路元件107与所述第一低频IFA天线单元的第一低频谐振频率关联。

作为一种可能的实施方式，图1至图4所示的高频耦合馈电IFA天线单元中，所述第二接地端的位置或所述第一高频辐射单元109的形状和位置或所述第二高频辐射单元111的形状和位置与所述高频耦合馈电IFA天线单元的高频谐振频率关联。

作为一种可能的实施方式，图1至图4所示的耦合馈电可重构天线中，

所述低通滤波器104的谐振频率为1.0GHz至1.2GHz；或者，

所述耦合馈电电容的电容量为0.1pF至0.5pF；或者，

所述低频电路元件107包括分布式或集总式的电感或电容。

作为一种可能的实施方式，图1至图4所示的耦合馈电可重构天线中，

所述介质板103的厚度大于等于0.7毫米且小于等于1.2毫米。

作为一种可能的实施方式，图1至图4所示的耦合馈电可重构天线中，

所述射频开关106为射频同轴开关，所述射频同轴开关包括铁氧体开关、PIN管开关、BJT开关、MOSFET开关或MEMS微机械电路开关中的任一种。

作为一种可能的实施方式，图1至图4所示的耦合馈电可重构天线中，

所述第一耦合片108和所述第二耦合片110包括银、铜、金、锌、铁等导电率大于预设阈值的金属片。

作为一种可能的实施方式，图1至图4所示的耦合馈电可重构天线中，

所述第一接地端、所述第二接地端、所述第三接地端与所述馈电点的中心距离均大于或等于2mm。

在图3和图4所示的耦合馈电可重构天线中，通过在介质板103两侧对称设置第一耦合片108和第二耦合片110构成高频天线单元的耦合馈电电容，该耦合馈电电容通过耦合馈电将能量传导至第一高频辐射单元109，促使第一高频辐射单元109产生第一高频谐振频率，从而第一高频谐振频率和第二高频辐射单元111产生的第二高频谐振频率覆盖多个高频段；通过在低频天线单元中的低频辐射单元105和馈源101之间串联低通滤波器104，由于低通滤波器104通低频阻高频的特性能够有效降低高频天线单元与低频天线单元之间的互偶作用，因此该低通滤波器104能够避免调整低频时对高频的影响，以及避免调整高频时对低频的影响，从而提高天线系统辐射效率和增益，最终提升天线系统的工作性能。

请参见图5，图5是本发明实施例公开的一种耦合馈电可重构天线制造方法的流程图。如图5所示，该耦合馈电可重构天线制造方法可以包括以下步骤。

步骤S501，将介质板铺设在地板上。

步骤S502，将第一耦合片设置在介质板的第一侧面，将第二耦合片设置在所述介质板的第一侧面对应的第二侧面，所述第一耦合片和所述第二耦合片对称设置且等效为耦合馈电电容。

步骤S503，将低频辐射单元设置在所述介质板上或手机壳体上，将所述低频辐射单元的第一触点与所述地板上的第一接地端之间串联射频开关和低频电路元件。

步骤S504，将所述低频辐射单元的第二触点和所述介质板的馈电点之间串联低通滤波器。

步骤S505，将所述低通滤波器和所述馈电点之间开设过孔，将所述第二耦合片通过所述过孔连接馈电点。

步骤S506，将第一耦合片连接所述地板上的第二接地端，将第一耦合片通过第一金属片连接所述第一高频辐射单元，将所述第一高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上。

步骤S507，将所述第二耦合片通过第二金属片连接所述第二高频辐射单元，将所述第二高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上。

其中，第一低频IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述低频辐射单元、所述低通滤波器、所述射频开关、所述低频电路元件以及所述过孔；高频耦合馈电IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述过孔、所述第一耦合片、所述第二耦合片、所述第一高频辐射单元以及所述第二高频辐射单元。

可选的，上述地板例如可以是铜皮、铜块等用于反射电磁波的底板，上述介质板例如可以是FR4介质板等介电常数大于预设阈值的基板。

可选的，上述低频辐射单元和地板上的第一接地端之间串联的射频开关和低频电路元件的电连接先后关系不做限定，即低频辐射单元可以先串联射频开关，射频开关再串联低频电路元件，低频电路元件连接第一接地端，也可以是低频辐射单元先串联低频电路元件，低频电路元件串联射频开关，射频开关连接第一接地端。

可选的，上述低通滤波器和馈电点之间开设的过孔用于将馈电点馈入的辐射能量传导至介质板的第二侧面的第二耦合片上。

在图5所描述的耦合馈电可重构天线制造方法中，通过在介质板两侧对称设置第一耦合片和第二耦合片构成高频天线单元的耦合馈电电容，该耦合馈电电容通过耦合馈电将能量传导至第一高频辐射单元，促使第一高频辐射单元产生第一高频谐振频率，从而第一高频谐振频率和第二高频辐射单元产生的第二高频谐振频率覆盖多个高频段；通过在低频天线单元中的低频辐射单元和馈源之间串联低通滤波器，由于低通滤波器通低频阻高频的特性能够有效降低高频天线单元与低频天线单元之间的互偶作用，因此该低通滤波器能够避免调整低频时对高频的影响，以及避免调整高频时对低频的影响，从而提高天线系统辐射效率和增益，最终提升天线系统的工作性能。

请参见图6，图6是本发明实施例公开的另一种耦合馈电可重构天线制造方法的流程图。如图6所示，该耦合馈电可重构天线制造方法可以包括以下步骤。

步骤S601，将介质板铺设在地板上。

步骤S602，将第一耦合片设置在介质板的第一侧面，将第二耦合片设置在所述介质板的第一侧面对应的第二侧面，所述第一耦合片和所述第二耦合片对称设置且等效为耦合馈电电容。

步骤S603，将低频辐射单元设置在所述介质板上或手机壳体上，将所述低频辐射单元的第一触点与所述地板上的第一接地端之间串联射频开关和低频电路元件。

步骤S604，将所述低频辐射单元的第二触点和所述介质板的馈电点之间串联低通滤波器。

步骤S605，将所述低通滤波器和所述馈电点之间开设过孔，将所述第二耦合片通过所述过孔连接馈电点。

步骤S606，将第一耦合片连接所述地板上的第二接地端，将第一耦合片通过第一金属片连接所述第一高频辐射单元，将所述第一高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上。

步骤S607，将所述第二耦合片通过第二金属片连接所述第二高频辐射单元，将所述第二高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上。

步骤S608，将所述低频辐射单元连接所述地板上的第三接地端。

其中，第二低频IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述过孔、所述低通滤波器、所述低频辐射单元、所述第三接地端。

其中，第一低频IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述低频辐射单元、所述低通滤波器、所述射频开关、所述低频电路元件以及所述过孔；高频耦合馈电IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述过孔、所述第一耦合片、所述第二耦合片、所述第一高频辐射单元以及所述第二高频辐射单元。

可选的，上述低频辐射单元可以通过馈线(如特性阻抗为50欧的同轴电缆，等)连接所述地板上的第三接地端。由于第三接地端影响着第二低频IFA天线单元的等效电长度，因此，上述第三接地端的位置影响第二低频IFA天线单元的第二低频谐振频率。

可选的，上述第二低频IFA天线单元还包括所述射频开关和所述低频电路元件；

其中，所述低频电路元件与所述第二低频IFA天线单元的第二低频谐振频率关联。

作为一种可能的实施方式，所述低频电路元件与所述第一低频IFA天线单元的第一低频谐振频率关联。

作为一种可能的实施方式，所述第二接地端的位置或所述第一高频辐射单元的形状和位置或所述第二高频辐射单元的形状和位置与所述高频耦合馈电IFA天线单元的高频谐振频率关联。

作为一种可能的实施方式，所述低通滤波器的谐振频率为1.0GHz至1.2GHz；或者，

所述耦合馈电电容的电容量为0.1pF至0.5pF；或者，

所述低频电路元件包括分布式或集总式的电感或电容。

作为一种可能的实施方式，所述介质板的厚度大于等于0.7毫米且小于等于1.2毫米。

作为一种可能的实施方式，所述射频开关为射频同轴开关，所述射频同轴开关包括铁氧体开关、PIN管开关、BJT开关、MOSFET开关或MEMS微机械电路开关中的任一种。

作为一种可能的实施方式，所述第一耦合片和所述第二耦合片包括银、铜、金、锌、铁等导电率大于预设阈值的金属片。

作为一种可能的实施方式，所述第一接地端、所述第二接地端、所述第三接地端与所述馈电点的中心距离均大于或等于2mm。

在图6所描述的耦合馈电可重构天线制造方法中，通过在介质板两侧对称设置第一耦合片和第二耦合片构成高频天线单元的耦合馈电电容，该耦合馈电电容通过耦合馈电将能量传导至第一高频辐射单元，促使第一高频辐射单元产生第一高频谐振频率，从而第一高频谐振频率和第二高频辐射单元产生的第二高频谐振频率覆盖多个高频段；通过在低频天线单元中的低频辐射单元和馈源之间串联低通滤波器，由于低通滤波器通低频阻高频的特性能够有效降低高频天线单元与低频天线单元之间的互偶作用，因此该低通滤波器能够避免调整低频时对高频的影响，以及避免调整高频时对低频的影响，从而提高天线系统辐射效率和增益，最终提升天线系统的工作性能。

以上对本发明实施例所提供的通信电源电路及制造方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (8)

1.一种耦合馈电可重构天线，包括馈源、地板、介质板、低通滤波器、低频辐射单元、射频开关、低频电路元件、第一耦合片、第一高频辐射单元、第二耦合片、第二高频辐射单元，其特征在于，其中：

所述地板上设置有第一接地端、第二接地端；所述地板上还铺设有介质板，所述介质板的第一侧面设置有馈电点和所述第一耦合片，所述馈电点连接所述馈源，所述介质板的第一侧面对应的第二侧面设置有与所述第一耦合片对称的所述第二耦合片，所述第一耦合片和所述第二耦合片等效为耦合馈电电容；该耦合馈电电容通过耦合馈电将能量传导至第一高频辐射单元，促使第一高频辐射单元产生第一高频谐振频率，从而第一高频谐振频率和第二高频辐射单元产生的第二高频谐振频率覆盖多个高频段；

所述低频辐射单元设置在所述介质板或手机壳体上，所述低频辐射单元的第一触点与所述第一接地端之间串联所述射频开关和所述低频电路元件，所述低频辐射单元的第二触点与所述馈电点之间串联所述低通滤波器，所述低通滤波器与所述馈电点之间的介质板上开设有过孔，所述第二耦合片通过所述过孔连接所述馈电点；所述第一耦合片通过第一金属片连接所述第一高频辐射单元，所述第一高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上，所述第一耦合片连接所述第二接地端；所述第二耦合片通过第二金属片连接所述第二高频辐射单元，所述第二高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上；

其中，第一低频IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述低频辐射单元、所述低通滤波器、所述射频开关、所述低频电路元件以及所述过孔；高频耦合馈电IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述过孔、所述第一耦合片、所述第二耦合片、所述第一高频辐射单元以及所述第二高频辐射单元；所述低频电路元件包括分布式或集总式的电感或电容；

所述地板上还设置有第三接地端，所述第三接地端连接所述低频辐射单元；

其中，第二低频IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述过孔、所述低通滤波器、所述低频辐射单元、所述第三接地端；所述第二低频IFA天线单元还包括所述射频开关和所述低频电路元件；所述低频电路元件与所述第二低频IFA天线单元的第二低频谐振频率关联；

在所述第一低频IFA天线单元中，所述低频电路元件与所述第一低频IFA天线单元的第一低频谐振频率关联；

所述第二接地端的位置或所述第一高频辐射单元的形状和位置或所述第二高频辐射单元的形状和位置与所述高频耦合馈电IFA天线单元的高频谐振频率关联；

所述介质板的厚度大于等于0.7毫米且小于等于1.2毫米；所述第一接地端、所述第二接地端、所述第三接地端与所述馈电点的中心距离均大于或等于2mm。

2.如权利要求1所述的耦合馈电可重构天线，其特征在于，

所述低通滤波器的谐振频率为1.0GHz至1.2GHz；或者，所述耦合馈电电容的电容量为0.1pF至0.5pF。

3.如权利要求1所述的耦合馈电可重构天线，其特征在于，

所述射频开关为射频同轴开关，所述射频同轴开关包括铁氧体开关、PIN管开关、BJT开关、MOSFET开关或MEMS微机械电路开关中的任一种。

4.如权利要求1所述的耦合馈电可重构天线，其特征在于，

所述第一耦合片和所述第二耦合片包括银、铜、金、锌、铁等导电率大于预设阈值的金属片。

5.一种耦合馈电可重构天线制造方法，其特征在于，所述方法包括：

将介质板铺设在地板上；所述介质板的厚度大于等于0.7毫米且小于等于1.2毫米；

将第一耦合片设置在介质板的第一侧面，将第二耦合片设置在所述介质板的第一侧面对应的第二侧面，所述第一耦合片和所述第二耦合片对称设置且等效为耦合馈电电容；该耦合馈电电容通过耦合馈电将能量传导至第一高频辐射单元，促使第一高频辐射单元产生第一高频谐振频率，从而第一高频谐振频率和第二高频辐射单元产生的第二高频谐振频率覆盖多个高频段；

将低频辐射单元设置在所述介质板上或手机壳体上，将所述低频辐射单元的第一触点与所述地板上的第一接地端之间串联射频开关和低频电路元件；

将所述低频辐射单元的第二触点和所述介质板的馈电点之间串联低通滤波器；

将所述低通滤波器和所述馈电点之间开设过孔，将所述第二耦合片通过所述过孔连接馈电点；

将第一耦合片连接所述地板上的第二接地端，将第一耦合片通过第一金属片连接第一高频辐射单元，将所述第一高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上；

将所述第二耦合片通过第二金属片连接第二高频辐射单元，将所述第二高频辐射单元设置在所述介质板或所述手机壳体上；

其中，第一低频IFA天线单元包括馈源、所述馈电点、所述低频辐射单元、所述低通滤波器、所述射频开关、所述低频电路元件以及所述过孔；高频耦合馈电IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述过孔、所述第一耦合片、所述第二耦合片、所述第一高频辐射单元以及所述第二高频辐射单元；

所述方法还包括：

将所述低频辐射单元连接所述地板上的第三接地端；

其中，第二低频IFA天线单元包括所述馈源、所述馈电点、所述过孔、所述低通滤波器、所述低频辐射单元、所述第三接地端；所述第二低频IFA天线单元还包括所述射频开关和所述低频电路元件；所述低频电路元件与所述第二低频IFA天线单元的第二低频谐振频率关联；

所述第一低频IFA天线单元中，所述低频电路元件与所述第一低频IFA天线单元的第一低频谐振频率关联；

所述第二接地端的位置或所述第一高频辐射单元的形状和位置或所述第二高频辐射单元的形状和位置与所述高频耦合馈电IFA天线单元的高频谐振频率关联；所述第一接地端、所述第二接地端、所述第三接地端与所述馈电点的中心距离均大于或等于2mm。

6.如权利要求5所述的耦合馈电可重构天线制造方法，其特征在于，所述低通滤波器的谐振频率为1.0GHz至1.2GHz；或者，所述耦合馈电电容的电容量为0.1pF至0.5pF；或者，所述低频电路元件包括分布式或集总式的电感或电容。

7.如权利要求5所述的耦合馈电可重构天线制造方法，其特征在于，所述射频开关为射频同轴开关，所述射频同轴开关包括铁氧体开关、PIN管开关、BJT开关、MOSFET开关或MEMS微机械电路开关中的任一种。

8.如权利要求5所述的耦合馈电可重构天线制造方法，其特征在于，所述第一耦合片和所述第二耦合片包括银、铜、金、锌、铁等导电率大于预设阈值的金属片。