CN104900758A - 一种准单晶硅片微缺陷的检测方法 - Google Patents
一种准单晶硅片微缺陷的检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104900758A CN104900758A CN201510272000.1A CN201510272000A CN104900758A CN 104900758 A CN104900758 A CN 104900758A CN 201510272000 A CN201510272000 A CN 201510272000A CN 104900758 A CN104900758 A CN 104900758A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- microdefect
- silicon chip
- polishing
- silicon
- sub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 75
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 60
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 47
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 21
- ZDVYABSQRRRIOJ-UHFFFAOYSA-N boron;iron Chemical compound [Fe]#B ZDVYABSQRRRIOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 98
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 39
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 29
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 20
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 20
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 14
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 6
- 238000002389 environmental scanning electron microscopy Methods 0.000 claims description 6
- 238000005088 metallography Methods 0.000 claims description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 5
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 claims description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 abstract 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 2
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000011712 cell development Effects 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明公开了一种准单晶硅片微缺陷的检测方法,包括如下步骤:(1)手动机械抛光:将待腐蚀的准单晶硅片进行手动机械抛光,并用去离子水冲洗;(2)化学腐蚀抛光:将机械抛光清洗后硅片进行化学腐蚀抛光,用去离子水进行冲淋;(3)微缺陷的择优腐蚀:将化学腐蚀抛光后硅片进行微缺陷的择优腐蚀,用去离子水进行冲淋,烘箱内干燥;(4)微缺陷观察方法:将腐蚀后硅片进行少数载流子寿命和铁-硼对面扫描;结合金相显微镜观察少数载流子寿命扫描颜色分布,对缺陷部位进行精确定位,按缺陷类型进行分类,定位将硅片切割成小片,做好标记;有益效果:本发明的测试方法快速准确,节能环保,无污染,实用性强。
Description
技术领域
本发明涉及光伏准单晶硅片生产及质量控制领域,尤其涉及一种准单晶硅片微缺陷的检测方法。
背景技术
随着光伏技术的不断更新,铸造准单晶技术作为一项新的技术兼顾了铸造多晶硅及直拉单晶硅技术的优点。能够在铸造多晶硅设备的基础上,通过坩埚底部铺设籽晶,采用定向凝固法生长准单晶,然后准单晶线切割成准单晶硅片。目前量产的高纯度、低缺陷的准单晶硅片制成的太阳能电池其效率平均高于铸造多晶硅电池1-2%,接近单晶硅电池,而成本远低于单晶硅电池,与铸造多晶硅电池接近,因此成为未来太阳能电池发展的方向。
目前影响铸造准单晶片性能的除了原料纯度外,硅片微缺陷由于其结构缺陷引起的“悬挂键”成为金属杂质的沉积中心,同时微缺陷本身也可以作为太阳能电池的“深中心”,降低少数载流子寿命。目前对于准单晶硅片性能的研究还不成熟,尤其是准单晶硅片缺陷的类型、成因及对太阳能电池光电转换效率的影响尚无定论,因此无论是准单晶硅片的实际生产,还是质量控制过程中都需要清楚微缺陷的成因、缺陷位置,并通过工艺改进来消除微缺陷的影响。而且以往对于(100)晶向单晶硅片的缺陷腐蚀大多采用氧化铬和氢氟酸、重铬酸钾和氢氟酸等污染性很强的溶液作为腐蚀液。本发明就是基于上述背景,采用过硫酸铵溶液和氢氟酸作为腐蚀液,具体反应式为:
Si+2S2O8 2-+2H2O=SiO2+4SO4 2-+4H+
SiO2+4HF=SiF4↑+2H2O
并以金相显微镜及硅片少数载流子寿命、铁-硼对含量分布测试来进行缺陷精确定位,利用扫描电镜来研究准单晶片的微观缺陷类型、分布,进而探讨微缺陷的成因,来指导生产进行工艺改进,进一步提高准单晶硅太阳能电池光电转换效率的目的。
目前,缺乏一种快速准确的准单晶硅片微缺陷的测试方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种快速准确的准单晶硅片微缺陷的测试方法。
为了实现上述目的,本发明通过如下技术方案实现:本发明提供了一种准单晶硅片微缺陷的检测方法,包括如下步骤:
(1)手动机械抛光:将待腐蚀的准单晶硅片进行手动机械抛光,并用去离子水冲洗;
(2)化学腐蚀抛光:将机械抛光清洗后硅片进行化学腐蚀抛光,用去离子水进行冲淋;
(3)微缺陷的择优腐蚀:将化学腐蚀抛光后硅片进行微缺陷的择优腐蚀,用去离子水进行冲淋,烘箱内干燥;
(4)微缺陷观察方法:将腐蚀后硅片进行少数载流子寿命和铁-硼对面扫描;结合金相显微镜观察少数载流子寿命扫描颜色分布,对缺陷部位进行精确定位,并根据定位将硅片切割成多个小片,做好标记;将标记好的小片用扫描电子显微镜进行微区分析,确定缺陷类型及分布。
进一步地,在步骤(1)中,根据硅片表面切割线痕及机械划伤程度,所述待腐蚀的准单晶硅片的厚度为2-3mm,所述抛光液为超细碳化硅的水悬浮液或纳米二氧化硅浆料加入体积百分比为1%的双氧水的溶液,所述抛光盘的转速30-40r/min。
进一步地,在步骤(2)中,机械抛光后,清洗干净硅片采用腐蚀液对硅片进行化学腐蚀,所述腐蚀液为硝酸和氢氟酸混合液;所述氢氟酸中的氢氟酸的含量为≥40%,所述抛光腐所述硝酸中的硝酸的含量为65.0-68.0%,所述硝酸和氢氟酸的体积比为4:1-3:1,腐蚀时间为1-3min,用去离子水进行冲淋2-3次,所述硅片表面呈镜面。
更进一步地,在步骤(3)中,所述缺陷腐蚀液为氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的混合溶液,所述氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的体积比为2:1;所述氢氟酸水溶液中的氢氟酸的含量为≥40%,所述过硫酸铵水溶液中的固液比为0.55-0.6g/ml;腐蚀温度为80-90℃,腐蚀时间为1-1.5h;腐蚀完全以后,去离子水进行冲淋2-3次,每次2-3min,然后放置在温度100℃烘箱内,烘干时间为8-12min至干燥。
进一步地,在步骤(4)中,缺陷类型为晶界、位错、小角度亚晶粒晶界、堆垛层错、滑移或籽晶边界诱导缺陷。
进一步地,在步骤(4)中,具体包括如下子步骤:
子步骤1:对经过步骤(3)中微缺陷腐蚀并经清洗、干燥后的硅片进行少数载流子寿命、铁-硼对面扫描;利用测试仪定位探头将少数载流子寿命及铁-硼对含量异常区域分别进行定位,并做好标记;
子步骤2:对子步骤(1)中做好标记的硅片在金相显微镜下观察,先确定缺陷类型,然后准确定位缺陷部位;
子步骤3:按照子步骤(2)标记部位对硅片进行切分,分成不同小片;
子步骤4:利用扫描电镜将子步骤(3)切分好的硅片进行微区分析,确定微缺陷类型、缺陷分布;
子步骤5:综合分析子步骤(4)结果,结合子步骤1微缺陷区域在硅片中的分布及定位,共同研究确定硅片微缺陷的成因。
有益效果:本发明的测试方法快速准确,节能环保,无污染,实用性强。通过该方法表征准单晶硅片微缺陷类型、分布,进而探讨微缺陷的成因,利用该方法来优化准单晶硅片铸造工艺,最终提高准单晶太阳能电池转换效率。有助于优化准单晶制造工艺,生产出高质量准单晶硅片。
相对于现有技术,本发明具有如下优点:
(1)本发明与单晶硅片缺陷测试相比,准单晶硅片缺陷腐蚀采用了通常用作金属及半导体材料表面处理剂的过硫酸铵溶液与氢氟酸的混合液的方式,代替了具有高污染性的铬酸和氢氟酸腐蚀液或重铬酸钾和氢氟酸腐蚀液。
使用无镉腐蚀剂作为腐蚀液,相较于铬酸、重铬酸钾溶液,更加环保,准确度跟传统铬酸、重铬酸钾溶液几乎一致,速度上比前者慢些,但是工业中完全可以接受,1h左右。不像其他高锰酸钾等强氧化剂需要10几小时,对于位错等相关缺陷无效果。
(2)本发明采用少数载流子寿命及铁硼对分布测试对腐蚀后准单晶硅片低寿命区及铁硼对高含量区进行定位,再利用金相显微镜进行低寿命区及铁硼对高含量区微缺陷初步判定,最终按缺陷定位,将硅片线切割成小片,利用扫描电镜对微缺陷类型及分布进行测试,根据上述测试结果来指导生产工艺的改进,最终得到高光电转换效率的准单晶电池。准单晶微缺陷中籽晶诱导缺陷为首次提出和讨论。
(3)本发明适合光伏晶体硅片缺陷测试,具有抛光速率快,手动控制,操作方便,无须自动加压装置,适合对硅片表面要求不是很苛刻,仅作为化学腐蚀抛光前的辅助性抛光方法,去掉硅片表面大的划痕、切割线痕及凹坑等。
附图说明
图1是本发明缺陷类型为堆垛层错的示意图;
图2是本发明缺陷类型为滑移的示意图;
图3是本发明缺陷类型为位错及位错排的示意图;
图4是本发明缺陷类型为小角度晶界的示意图;
图5是本发明缺陷类型为籽晶边界诱导缺陷示意图。
具体实施方式
为了使该领域技术人员进一步了解本发明方案,并使本发明的目的、特征和优点更易理解,下面将通过具体实施例对本发明做进一步的具体描述,但不能理解为是对本发明保护范围的限定。
实施例1
以某一大型光伏晶体硅材料企业生产的铸造准单晶硅片为样品,本发明提供了一种准单晶硅片微缺陷的检测方法,包括如下步骤:
(1)手动机械抛光:将待腐蚀的准单晶硅片进行手动机械抛光,并用去离子水冲洗;根据硅片表面切割线痕及机械划伤程度,所述待腐蚀的准单晶硅片的厚度为2mm,所述抛光液为超细碳化硅的水悬浮液或纳米二氧化硅浆料加入体积百分比为1%的双氧水的溶液,所述抛光盘的转速30r/min。
(2)化学腐蚀抛光:将机械抛光清洗后硅片进行化学腐蚀抛光,用去离子水进行冲淋;机械抛光后,清洗干净硅片采用腐蚀液对硅片进行化学腐蚀,所述腐蚀液为硝酸和氢氟酸混合液;所述氢氟酸中的氢氟酸的含量为≥40%,所述抛光腐所述硝酸中的硝酸的含量为65.0%,所述硝酸和氢氟酸的体积比为4:1,腐蚀时间为1min,用去离子水进行冲淋2次,所述硅片表面呈镜面。
(3)微缺陷的择优腐蚀:将化学腐蚀抛光后硅片进行微缺陷的择优腐蚀,用去离子水进行冲淋,烘箱内干燥;所述缺陷腐蚀液为氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的混合溶液,所述氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的体积比为2:1;所述氢氟酸水溶液中的氢氟酸的含量为≥40%,所述过硫酸铵水溶液中的固液比为0.55g/ml;腐蚀温度为80℃,腐蚀时间为1h;腐蚀完全以后,去离子水进行冲淋2次,每次2min,然后放置在温度100℃烘箱内,烘干时间为8min至干燥。
(4)微缺陷观察方法:将腐蚀后硅片进行少数载流子寿命和铁-硼对面扫描;结合金相显微镜观察少数载流子寿命扫描颜色分布,对缺陷部位进行精确定位,并根据定位将硅片切割成多个小片,做好标记;将标记好的小片用扫描电子显微镜进行微区分析,确定缺陷类型及分布。
缺陷类型为晶界、位错、小角度亚晶粒晶界、堆垛层错、滑移或籽晶边界诱导缺陷。缺陷类型如图1至图5所示。
图1是本发明缺陷类型为堆垛层错的示意图;堆垛层错(stacking fault)是晶体结构层正常的周期性重复堆垛顺序在某二层间出现了错误,从而导致的沿该层间平面(称为层错面)两侧附近原子的错误排布。堆垛层错台阶起源于小角度晶界,由于固液界面处过冷度过大造成小角晶界附近位错排产生滑移,致使原晶格中原子正常排序产生错误排列。
图2是本发明缺陷类型为滑移的示意图;滑移是指在切应力的作用下,晶体的一部分沿一定晶面和晶向,相对于另一部分发生相对移动的一种运动状态。滑移通常是温度在750℃以上时,硅材料由脆性材料变为塑性材料,由于准单晶硅生长设备中热场的不合理性及氩气流的不稳定性,工艺参数设定的不合理性等因素都会造成温度梯度过大,从而引起硅在热应力作用下产生滑移,形成塑性变形。
图3是本发明缺陷类型为位错及位错排的示意图;位错及位错排为晶体材料的一种内部微观缺陷,即原子的局部不规则排列,分为刃型位错和螺旋位错。位错由于多以线性缺陷为主,即位错排。硅晶体在生长过程中由于热应力作用,部分晶体在一定的晶面上沿一定的晶体方向产生滑移,晶体移动部位与未移动部位的边界就是位错。准单晶硅片位错形成机理:一、籽晶的热冲击,会在晶体中引入原生位错。这种位错一旦产生,会从晶体的头部向尾部延伸;二、在晶体生长过程中,由于铸造炉内热场不稳定,造成温度梯度过大,工艺参数不合理,会对晶体硅产生热冲击,从而引起热应力,因而引起位错的产生。三、硅片在切片过程中会对硅片表面造成机械损伤层因而也会引入位错。
图4是本发明缺陷类型为小角度晶界的示意图;小角度晶界为相邻亚晶粒之间的位相差小于10°,这种亚晶粒间的晶界称为小角度晶界,也称为亚晶界,一般小于2°,可分为倾斜晶界、扭转晶界、重合晶界等。小角度晶界可以看作是由一系列位错所组成,一般由晶体生长过程中热场不合理性,或生长后期温度梯度过大造成热应力大而形成位错及位错排,位错排堆积就形成亚晶界。
图5是本发明缺陷类型为籽晶边界诱导缺陷示意图。晶边界诱导缺陷起源于铸造准单晶硅材料起始长晶籽晶交界处,其成因是由于各籽晶存在间隙,籽晶处熔化-结晶温度控制不好,导致籽晶间隙处顶部先结晶,从而底部热量难以释放,有“熔硅”包藏,造成后结晶,因而结晶潜热会对先结晶部分造成热冲击及热应力作用,因而也是微缺陷形成的原动力。
具体包括如下子步骤:
子步骤1:对经过步骤(3)中微缺陷腐蚀并经清洗、干燥后的硅片进行少数载流子寿命、铁-硼对面扫描;利用测试仪定位探头将少数载流子寿命及铁-硼对含量异常区域分别进行定位,并做好标记;
子步骤2:对子步骤(1)中做好标记的硅片在金相显微镜下观察,先确定缺陷类型,然后准确定位缺陷部位;
子步骤3:按照子步骤(2)标记部位对硅片进行切分,分成不同小片;
子步骤4:利用扫描电镜将子步骤(3)切分好的硅片进行微区分析,确定微缺陷类型、缺陷分布;
子步骤5:综合分析子步骤(4)结果,结合子步骤1微缺陷区域在硅片中的分布及定位,共同研究确定硅片微缺陷的成因。
本发明的测试方法快速准确,节能环保,无污染,实用性强。通过该方法表征准单晶硅片微缺陷类型、分布,进而探讨微缺陷的成因,利用该方法来优化准单晶硅片铸造工艺,最终提高准单晶太阳能电池转换效率。有助于优化准单晶制造工艺,生产出高质量准单晶硅片。
相对于现有技术,本发明具有如下优点:
(1)本发明与单晶硅片缺陷测试相比,准单晶硅片缺陷腐蚀采用了通常用作金属及半导体材料表面处理剂的过硫酸铵溶液与氢氟酸的混合液的方式,代替了具有高污染性的铬酸和氢氟酸腐蚀液或重铬酸钾和氢氟酸腐蚀液。
使用无镉腐蚀剂作为腐蚀液,相较于铬酸、重铬酸钾溶液,更加环保,准确度跟传统铬酸、重铬酸钾溶液几乎一致,速度上比前者慢些,但是工业中完全可以接受,1h左右。不像其他高锰酸钾等强氧化剂需要10几小时,对于位错等相关缺陷无效果。
(2)本发明采用少数载流子寿命及铁硼对分布测试对腐蚀后准单晶硅片低寿命区及铁硼对高含量区进行定位,再利用金相显微镜进行低寿命区及铁硼对高含量区微缺陷初步判定,最终按缺陷定位,将硅片线切割成小片,利用扫描电镜对微缺陷类型及分布进行测试,根据上述测试结果来指导生产工艺的改进,最终得到高光电转换效率的准单晶电池。准单晶微缺陷中籽晶诱导缺陷为首次提出和讨论。
(3)本发明适合光伏晶体硅片缺陷测试,具有抛光速率快,手动控制,操作方便,无须自动加压装置,适合对硅片表面要求不是很苛刻,仅作为化学腐蚀抛光前的辅助性抛光方法,去掉硅片表面大的划痕、切割线痕及凹坑等。
实施例2
实施例2与实施例1的区别在于:本发明提供了一种准单晶硅片微缺陷的检测方法,包括如下步骤:
在步骤(1)中,手动机械抛光:将待腐蚀的准单晶硅片进行手动机械抛光,并用去离子水冲洗;根据硅片表面切割线痕及机械划伤程度,所述待腐蚀的准单晶硅片的厚度为3mm,所述抛光液为超细碳化硅的水悬浮液或纳米二氧化硅浆料加入体积百分比为1%的双氧水的溶液,所述抛光盘的转速36r/min。
在步骤(2)中,化学腐蚀抛光:将机械抛光清洗后硅片进行化学腐蚀抛光,用去离子水进行冲淋;机械抛光后,清洗干净硅片采用腐蚀液对硅片进行化学腐蚀,所述腐蚀液为硝酸和氢氟酸混合液;所述氢氟酸中的氢氟酸的含量为60%,所述抛光腐所述硝酸中的硝酸的含量为65.0%,所述硝酸和氢氟酸的体积比为24:7,腐蚀时间为2min,用去离子水进行冲淋2次,所述硅片表面呈镜面。
在步骤(3)中,微缺陷的择优腐蚀:将化学腐蚀抛光后硅片进行微缺陷的择优腐蚀,用去离子水进行冲淋,烘箱内干燥;所述缺陷腐蚀液为氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的混合溶液,所述氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的体积比为2:1;所述氢氟酸水溶液中的氢氟酸的含量为60%,所述过硫酸铵水溶液中的固液比为0.57/ml;腐蚀温度为85℃,腐蚀时间为1.3h;腐蚀完全以后,去离子水进行冲淋2次,每次2.6min,然后放置在温度100℃烘箱内,烘干时间为9min至干燥。
实施例3
实施例3与实施例2的区别在于:本发明提供了一种准单晶硅片微缺陷的检测方法,包括如下步骤:
在步骤(1)中,手动机械抛光:将待腐蚀的准单晶硅片进行手动机械抛光,并用去离子水冲洗;根据硅片表面切割线痕及机械划伤程度,所述待腐蚀的准单晶硅片的厚度为3mm,所述抛光液为超细碳化硅的水悬浮液或纳米二氧化硅浆料加入体积百分比为1%的双氧水的溶液,所述抛光盘的转速40r/min。
在步骤(2)中,化学腐蚀抛光:将机械抛光清洗后硅片进行化学腐蚀抛光,用去离子水进行冲淋;机械抛光后,清洗干净硅片采用腐蚀液对硅片进行化学腐蚀,所述腐蚀液为硝酸和氢氟酸混合液;所述氢氟酸中的氢氟酸的含量为80%,所述抛光腐所述硝酸中的硝酸的含量为68.0%,所述硝酸和氢氟酸的体积比为3:1,腐蚀时间为3min,用去离子水进行冲淋3次,所述硅片表面呈镜面。
在步骤(3)中,微缺陷的择优腐蚀:将化学腐蚀抛光后硅片进行微缺陷的择优腐蚀,用去离子水进行冲淋,烘箱内干燥;所述缺陷腐蚀液为氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的混合溶液,所述氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的体积比为2:1;所述氢氟酸水溶液中的氢氟酸的含量为80%,所述过硫酸铵水溶液中的固液比为0.6g/ml;腐蚀温度为0℃,腐蚀时间为1.5h;腐蚀完全以后,去离子水进行冲淋3次,每次3min,然后放置在温度100℃烘箱内,烘干时间为12min至干燥。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,本发明要求保护范围由所附的权利要求书、说明书及其等效物界定。
Claims (6)
1.一种准单晶硅片微缺陷的检测方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)手动机械抛光:将待腐蚀的准单晶硅片进行手动机械抛光,并用去离子水冲洗;
(2)化学腐蚀抛光:将机械抛光清洗后硅片进行化学腐蚀抛光,用去离子水进行冲淋;
(3)微缺陷的择优腐蚀:将化学腐蚀抛光后硅片进行微缺陷的择优腐蚀,用去离子水进行冲淋,烘箱内干燥;
(4)微缺陷观察方法:将腐蚀后硅片进行少数载流子寿命和铁-硼对面扫描;结合金相显微镜观察少数载流子寿命扫描颜色分布,对缺陷部位进行精确定位,并根据定位将硅片切割成多个小片,做好标记;将标记好的小片用扫描电子显微镜进行微区分析,确定缺陷类型及分布。
2.根据权利要求1所述的准单晶硅片微缺陷的检测方法,其特征在于:在步骤(1)中,根据硅片表面切割线痕及机械划伤程度,所述待腐蚀的准单晶硅片的厚度为2-3mm,所述抛光液为超细碳化硅的水悬浮液或纳米二氧化硅浆料加入体积百分比为1%的双氧水的溶液,所述抛光盘的转速30-40r/min。
3.根据权利要求1所述的准单晶硅片微缺陷的检测方法,其特征在于:在步骤(2)中,机械抛光后,清洗干净硅片采用腐蚀液对硅片进行化学腐蚀,所述腐蚀液为硝酸和氢氟酸混合液;所述氢氟酸中的氢氟酸的含量为≥40%,所述抛光腐所述硝酸中的硝酸的含量为65.0-68.0%,所述硝酸和氢氟酸的体积比为4:1-3:1,腐蚀时间为1-3min,用去离子水进行冲淋2-3次,所述硅片表面呈镜面。
4.根据权利要求1所述的微缺陷的择优腐蚀,其特征在于:在步骤(3)中,所述缺陷腐蚀液为氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的混合溶液,所述氢氟酸水溶液和过硫酸铵水溶液的体积比为2:1;所述氢氟酸水溶液中的氢氟酸的含量为≥40%,所述过硫酸铵水溶液中的固液比为0.55-0.6g/ml;腐蚀温度为80-90℃,腐蚀时间为1-1.5h;腐蚀完全以后,去离子水进行冲淋2-3次,每次2-3min,然后放置在温度100℃烘箱内,烘干时间为8-12min至干燥。
5.根据权利要求1所述的微缺陷观察方法,其特征在于:在步骤(4)中,缺陷类型为晶界、位错、小角度亚晶粒晶界、堆垛层错、滑移或籽晶边界诱导缺陷。
6.根据权利要求1所述的微缺陷观察方法,其特征在于:在步骤(4)中,具体包括如下子步骤:
子步骤1:对经过步骤(3)中微缺陷腐蚀并经清洗、干燥后的硅片进行少数载流子寿命、铁-硼对面扫描;利用测试仪定位探头将少数载流子寿命及铁-硼对含量异常区域分别进行定位,并做好标记;
子步骤2:对子步骤(1)中做好标记的硅片在金相显微镜下观察,先确定缺陷类型,然后准确定位缺陷部位;
子步骤3:按照子步骤(2)标记部位对硅片进行切分,分成不同小片;
子步骤4:利用扫描电镜将子步骤(3)切分好的硅片进行微区分析,确定微缺陷类型、缺陷分布;
子步骤5:综合分析子步骤(4)结果,结合子步骤1微缺陷区域在硅片中的分布及定位,共同研究确定硅片微缺陷的成因。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510272000.1A CN104900758B (zh) | 2015-05-25 | 2015-05-25 | 一种准单晶硅片微缺陷的检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510272000.1A CN104900758B (zh) | 2015-05-25 | 2015-05-25 | 一种准单晶硅片微缺陷的检测方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104900758A true CN104900758A (zh) | 2015-09-09 |
CN104900758B CN104900758B (zh) | 2017-03-15 |
Family
ID=54033294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510272000.1A Expired - Fee Related CN104900758B (zh) | 2015-05-25 | 2015-05-25 | 一种准单晶硅片微缺陷的检测方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104900758B (zh) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105300999A (zh) * | 2015-10-19 | 2016-02-03 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种mems用硅单晶的缺陷检验方法 |
CN105568364A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-05-11 | 佛山市业丰赛尔陶瓷科技有限公司 | 提高铸造单晶硅铸锭成品率和/或转换效率的方法 |
CN105717137A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-06-29 | 中国建筑材料科学研究总院 | 石英玻璃微缺陷检测方法 |
CN107316822A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-11-03 | 张兆民 | 硅晶体缺陷检测方法 |
CN108169228A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-06-15 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法 |
CN108918535A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-11-30 | 陕钢集团汉中钢铁有限责任公司 | 一种检测钢中夹杂物成分的方法 |
CN109270082A (zh) * | 2018-08-09 | 2019-01-25 | 宁夏中晶半导体材料有限公司 | 一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法 |
CN109360793A (zh) * | 2018-09-13 | 2019-02-19 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 半导体晶圆基片上硅晶体缺陷的快速检测方法 |
CN110018279A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-07-16 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片缺陷的检测方法及装置 |
CN110849875A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-02-28 | 新余学院 | 一种分析铸造多晶硅微观结构的方法 |
CN111090029A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-05-01 | 江苏英锐半导体有限公司 | 一种双极ic中集电极发射极漏电的三极管检测方法 |
CN111238910A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-06-05 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种碳化硅晶体的位错识别方法 |
CN111624460A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-09-04 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法 |
CN111739827A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-10-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 半导体片材组件的制备方法及装置 |
CN111965205A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-11-20 | 中国航发北京航空材料研究院 | 镍基粉末高温合金原位试样微区观察sem+ebsd的制样方法 |
CN112082992A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-12-15 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种磷化铟晶片的位错测定方法 |
CN113145553A (zh) * | 2021-02-07 | 2021-07-23 | 福建新峰二维材料科技有限公司 | 一种铸造单晶硅片的分类方法 |
CN115274487A (zh) * | 2022-09-27 | 2022-11-01 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 用于晶圆表面微损伤的检测方法和检测系统 |
CN117340689A (zh) * | 2023-11-03 | 2024-01-05 | 湖南普照信息材料有限公司 | 一种玻璃基板的抛光方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4238275A (en) * | 1978-12-29 | 1980-12-09 | International Business Machines Corporation | Pyrocatechol-amine-water solution for the determination of defects |
US4528061A (en) * | 1982-04-16 | 1985-07-09 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Process for manufacturing boron-doped gallium arsenide single crystal |
JP2004281509A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 標準シリコンウェーハ |
CN1796968A (zh) * | 2004-12-27 | 2006-07-05 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法 |
CN101957324A (zh) * | 2009-07-16 | 2011-01-26 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种检测锗硅外延缺陷的方法 |
CN102607916A (zh) * | 2012-03-12 | 2012-07-25 | 苏州协鑫工业应用研究院有限公司 | 一种硅片金相试样的制备方法 |
CN103236406A (zh) * | 2013-04-15 | 2013-08-07 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 一种检测多晶硅片位错密度的方法 |
CN103403875A (zh) * | 2010-09-03 | 2013-11-20 | 肖特太阳能股份公司 | 用于太阳能电池发射体的湿化学反向蚀刻的方法 |
CN104155302A (zh) * | 2014-07-03 | 2014-11-19 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 检测硅晶体缺陷的方法 |
-
2015
- 2015-05-25 CN CN201510272000.1A patent/CN104900758B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4238275A (en) * | 1978-12-29 | 1980-12-09 | International Business Machines Corporation | Pyrocatechol-amine-water solution for the determination of defects |
US4528061A (en) * | 1982-04-16 | 1985-07-09 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Process for manufacturing boron-doped gallium arsenide single crystal |
JP2004281509A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 標準シリコンウェーハ |
CN1796968A (zh) * | 2004-12-27 | 2006-07-05 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法 |
CN101957324A (zh) * | 2009-07-16 | 2011-01-26 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 一种检测锗硅外延缺陷的方法 |
CN103403875A (zh) * | 2010-09-03 | 2013-11-20 | 肖特太阳能股份公司 | 用于太阳能电池发射体的湿化学反向蚀刻的方法 |
CN102607916A (zh) * | 2012-03-12 | 2012-07-25 | 苏州协鑫工业应用研究院有限公司 | 一种硅片金相试样的制备方法 |
CN103236406A (zh) * | 2013-04-15 | 2013-08-07 | 阿特斯(中国)投资有限公司 | 一种检测多晶硅片位错密度的方法 |
CN104155302A (zh) * | 2014-07-03 | 2014-11-19 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 检测硅晶体缺陷的方法 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105300999A (zh) * | 2015-10-19 | 2016-02-03 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种mems用硅单晶的缺陷检验方法 |
CN105300999B (zh) * | 2015-10-19 | 2018-03-06 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种mems用硅单晶的缺陷检验方法 |
CN105568364A (zh) * | 2015-12-30 | 2016-05-11 | 佛山市业丰赛尔陶瓷科技有限公司 | 提高铸造单晶硅铸锭成品率和/或转换效率的方法 |
CN105717137A (zh) * | 2016-01-27 | 2016-06-29 | 中国建筑材料科学研究总院 | 石英玻璃微缺陷检测方法 |
CN107316822A (zh) * | 2017-06-26 | 2017-11-03 | 张兆民 | 硅晶体缺陷检测方法 |
CN108169228A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-06-15 | 中国工程物理研究院电子工程研究所 | 一种准确辨别碳化硅单晶位错类型的方法 |
CN108918535A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-11-30 | 陕钢集团汉中钢铁有限责任公司 | 一种检测钢中夹杂物成分的方法 |
CN109270082B (zh) * | 2018-08-09 | 2021-05-11 | 宁夏中晶半导体材料有限公司 | 一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法 |
CN109270082A (zh) * | 2018-08-09 | 2019-01-25 | 宁夏中晶半导体材料有限公司 | 一种利用腐蚀方法及微观检测确定单晶硅晶线的方法 |
CN109360793A (zh) * | 2018-09-13 | 2019-02-19 | 胜科纳米(苏州)有限公司 | 半导体晶圆基片上硅晶体缺陷的快速检测方法 |
CN110018279A (zh) * | 2019-04-26 | 2019-07-16 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片缺陷的检测方法及装置 |
CN110849875A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-02-28 | 新余学院 | 一种分析铸造多晶硅微观结构的方法 |
CN111090029A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-05-01 | 江苏英锐半导体有限公司 | 一种双极ic中集电极发射极漏电的三极管检测方法 |
CN111238910A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-06-05 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种碳化硅晶体的位错识别方法 |
CN111624460A (zh) * | 2020-06-28 | 2020-09-04 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法 |
CN111624460B (zh) * | 2020-06-28 | 2022-10-21 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种单晶硅缺陷分布区域的检测方法 |
CN112082992A (zh) * | 2020-07-22 | 2020-12-15 | 威科赛乐微电子股份有限公司 | 一种磷化铟晶片的位错测定方法 |
CN111965205A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-11-20 | 中国航发北京航空材料研究院 | 镍基粉末高温合金原位试样微区观察sem+ebsd的制样方法 |
CN111965205B (zh) * | 2020-07-31 | 2024-01-12 | 中国航发北京航空材料研究院 | 镍基粉末高温合金原位试样微区观察sem+ebsd的制样方法 |
CN111739827B (zh) * | 2020-08-10 | 2021-01-05 | 浙江晶科能源有限公司 | 半导体片材组件的制备方法及装置 |
US11043608B1 (en) | 2020-08-10 | 2021-06-22 | Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. | Method and apparatus for manufacturing semiconductor sheet assembly |
CN111739827A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-10-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 半导体片材组件的制备方法及装置 |
CN113145553A (zh) * | 2021-02-07 | 2021-07-23 | 福建新峰二维材料科技有限公司 | 一种铸造单晶硅片的分类方法 |
CN115274487A (zh) * | 2022-09-27 | 2022-11-01 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 用于晶圆表面微损伤的检测方法和检测系统 |
CN117340689A (zh) * | 2023-11-03 | 2024-01-05 | 湖南普照信息材料有限公司 | 一种玻璃基板的抛光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104900758B (zh) | 2017-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104900758A (zh) | 一种准单晶硅片微缺陷的检测方法 | |
Rakwal et al. | Slicing, cleaning and kerf analysis of germanium wafers machined by wire electrical discharge machining | |
Sopori et al. | Characterizing damage on Si wafer surfaces cut by slurry and diamond wire sawing | |
Seigneur et al. | Manufacturing metrology for c-Si photovoltaic module reliability and durability, Part I: Feedstock, crystallization and wafering | |
CN100571911C (zh) | 应用集成电路废弃硅片生产太阳能电池用硅片的制造方法 | |
JP2008085333A (ja) | 金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法 | |
CN101187065A (zh) | 使用金属污染及热处理识别单晶硅中的晶体缺陷区的方法 | |
Kohler et al. | On the origin and formation of large defect clusters in multicrystalline silicon solar cells | |
CN104966683A (zh) | 一种采用断面切割腐蚀技术检测硅晶片体内微缺陷的方法 | |
TWI510682B (zh) | 晶棒表面奈米化製程、晶圓製造方法及其晶圓 | |
Ganesh et al. | Growth and characterization of multicrystalline silicon ingots by directional solidification for solar cell applications | |
CN101957324B (zh) | 一种检测锗硅外延缺陷的方法 | |
Wang et al. | Improved fracture strength of multicrystalline silicon by germanium doping | |
Hu et al. | The characteristics of sub-grains in the mono-like silicon crystals grown with directional solidification method | |
Wei et al. | Research on silicon wafer surface phase under the Ultra-thin slicing process and its etching hindrance behavior during metal-assisted chemical etching | |
CN103236406B (zh) | 一种检测多晶硅片位错密度的方法 | |
CN114965468A (zh) | 一种区分4h-碳化硅表面的方法 | |
CN110849875A (zh) | 一种分析铸造多晶硅微观结构的方法 | |
Shen et al. | Effect of High Temperature Annealing on Crystal Structure and Electrical Properties of Multicrystalline Silicon by the Metallurgical Method | |
Fathi | Delineation of crystalline extended defects on multicrystalline silicon wafers | |
CN113145553A (zh) | 一种铸造单晶硅片的分类方法 | |
NIU et al. | Dislocation of Cz-sapphire substrate for GaN growth by chemical etching method | |
Huang et al. | Comparative Analysis of Defect Characteristics in Silicon Carbide Wafers of Different Grades. | |
You et al. | The dislocation distribution characteristics of a multi-crystalline silicon ingot and its impact on the cell efficiency | |
Pogue | Measurement and analysis of wire sawing induced residual stress in photovoltaic silicon wafers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170315 Termination date: 20180525 |