CN104870931A - 利用反射太赫兹辐射计算材料属性 - Google Patents

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Abstract

用于解译太赫兹辐射的系统包括配置为输出太赫兹辐射的脉冲的太赫兹发射器以及配置为从太赫兹发射器接收辐射脉冲的至少一部分的太赫兹接收器。太赫兹接收器配置为基于由太赫兹接收器接收的辐射输出信号。

Description

利用反射太赫兹辐射计算材料属性
1.技术领域
本发明通常涉及用于使用太赫兹辐射计算材料属性的系统和方法。
2.背景技术
反射时域太赫兹(“TD-THz”)发射器可以将脉冲的太赫兹(“THz”)束投射到待测量的电介质材料(有时称为样本)中。所述材料可以是纸、涂料涂覆的纸、塑料片、无纺材料(纤维、布)、挤压绝缘体、泡沫、粘合剂以及类似材料。
然而，THZ辐射的反射将基于样本的位置受到影响的事实会使对这些待测量的电介质材料的材料属性的测量变得复杂。如果不能确定样本的位置，那么材料属性的测量将受到不利影响。
发明内容
用于解译太赫兹辐射的系统包括配置为输出太赫兹辐射的脉冲的太赫兹发射器以及配置为从太赫兹发射器接收辐射脉冲的至少一部分的太赫兹接收器。太赫兹接收器配置为基于由太赫兹接收器接收的辐射输出信号。
系统还包括向来自太赫兹接收器的太赫兹辐射的脉冲提供光学干涉的第一光学界面。第一光学界面将把第一光学界面反射的太赫兹辐射脉冲的部分反射至太赫兹接收器。系统还包括向太赫兹辐射脉冲提供光学干涉的第二光学界面。第二光学界面将把第二光学界面反射的太赫兹辐射脉冲的部分反射至太赫兹接收器。在第一光学界面与第二光学界面之间限定间距。间距被配置为接收要由太赫兹辐射脉冲的至少一部分辐射的样本。样本将把第一样本反射的太赫兹辐射脉冲的部分反射至太赫兹接收器以及将把第二样本反射的太赫兹辐射脉冲的部分反射至太赫兹接收器。
通常，太赫兹发射器和太赫兹接收器在壳体中基本上设置为彼此邻近。处理器可以与太赫兹接收器通信并且配置为从太赫兹接收器接收信号。于是，处理过程被配置为基于信号确定样本的卡标厚度、密度、折射率或者质量。系统还可以包括机架，其中壳体耦接至机架，该机架配置为跨越样本移动壳体。
第一光学界面可以安装至壳体，或者可以位于太赫兹发射器与样本之间。第二光学界面可以安装至机架或者可以仅仅与第一光学界面相对地安装。
系统还可以包括与处理器通信的位置传感器。位置传感器被配置为确定第一光学界面与第二界面之间的空间的距离并且将距离信号输出至处理器。位置传感器可以是温度传感器或者可以是涡流传感器。
在参照附加于本说明书并且构成本说明书的一部分的附图和权利要求阅读下列描述之后，本发明另外的目的、特性和优点对本领域技术人员而言将变得更加显而易见。
附图说明
图1图示了基于传统时域的太赫兹系统的框图；
图2图示了在一幅片材之上的安装在机架上的图1的系统；
图3图示了被测试材料的横截面，其中没有第二光学界面(有时称为外部参考结构)；
图4是被测试材料的横截面，其中具有第二光学界面；
图5图示了具有在被测试材料上方和下方的横跨机架宽度的光学界面的系统；
图6图示了具有并入壳体的第一光学界面和在被测试材料下方横跨机架宽度的第二光学界面的系统；
图7图示了并入系统壳体的第一光学界面和在被测试材料下方安装在同步运动机架上的第二光学界面；
图8图示了一种系统，其具有在被测试材料上方和下方的横跨机架宽度的光学界面，和安装在第一光学界面或者机架框架上的距离传感器，用以测量第一光学界面与第二光学界面之间的距离；
图9图示了具有在被测试材料上方和下方的横跨机架宽度的光学界面的使用安装在壳体中的位置传感器的系统；
图10图示了具有并入系统壳体的第一光学界面和距离传感器以及在被测试材料下方横跨机架宽度的第二光学界面的系统；
图11图示了具有并入壳体的第一光学界面和位置传感器以及在被测试材料下方安装在同步运动机架上的第二光学界面的系统；
图12图示了利用安装在第一光学界面或者机架上的温度传感器的系统；以及
图13图示了具有第一端口和第二端口的系统。
具体实施方式
参照图1，示出了用于解译太赫兹辐射的系统10。作为其主要组件，该系统包括具有包括在其内的太赫兹发射器14和太赫兹接收器16的壳体12。系统10还包括太赫兹控制单元18(诸如光学激光源)和计算机系统20。光学激光源18可以通过脐带管13和15耦接至太赫兹接收器16和/或太赫兹发射器14。脐带管13和15可以是0-100米长。当TD-THz传感器安装于在幅材之上扫描的运动控制机架上时，可以将柔性光纤/电的脐带管13和15放在柔性电缆托盘(“蛇形物”)中。脐带管13和15将激光源18光学地耦接至太赫兹接收器16和/或太赫兹发射器14。
计算机系统20可以直接或者间接地耦接至太赫兹接收器16，以接收来自太赫兹接收器16的信号。然后，计算机系统20可以解译来自太赫兹接收器16的信号以解译由太赫兹接收器16接收的辐射。系统10还可以包括各种独立的传感器22和24。这些传感器22和24可以包括定位传感器和/或温度传感器。
系统10还可以包括控制材料生产的反馈控制单元26，并且还可以包括用于控制机架的运动控制28，所述机架将跨越样本或者被测试材料30移动壳体12以便可以进行测量。尽管样本30可以是任何类型的样本，但是通常是具有多个层的样本，诸如纸或者其它类型的网状(webbing)材料。
壳体12还可以包括束分离装置32，诸如分束立方体。束分离装置32将来自太赫兹发射器14的太赫兹辐射34引导朝向样本30。以类似的方式，束分离装置32将来自样本的、最初从太赫兹发射器14发射的辐射36引导至太赫兹接收器16。另外，透镜38可以用于聚焦通常通过第一端口40发送至样本30或者从样本30发送的太赫兹辐射。
参照图2，示出了系统210的更详细说明。在该实施例中，除了将数字“2”放置在这些元件的前面以外，相同的参考数字用于指代相同的元件。将不再次给出这些元件的描述。在该实施例中，机架250位于样本230上方。在这里，壳体212安装至机架250，使得壳体如箭头252所指示地沿样本30的长度移动。
太赫兹接收器216和/或太赫兹发射器214可以是单静态(monostatic)配置或者共线配置。在该配置中，投射到被测材料30的脉冲的THz束和来自被测材料30内的界面(以及来自一个或者多个外部参考结构界面(如果存在的话))的反射遵循相同路径。由于该配置消除视差效应并且最大化来自样本的反射功率，因此通常优选该配置。当被测材料相对于THz传感器上下移动时，该共线配置尤其重要。作为可选方案，可以使用投射-接收(pitch-catch)布置，尤其对于不上下移动的非常薄的材料。
太赫兹接收器216和/或太赫兹发射器214被示出为具有聚焦和收集探测被测材料230的THz束的物镜。物镜可以是透镜238、曲面反射镜或者组合。物镜可以具有固定焦距，可以是可互换的，或者可以是变焦距透镜。可以使用单个元件，或者可以使用多个元件。一些配置可以不需要物镜。
围绕太赫兹接收器216和/或太赫兹发射器214的虚线是保护传感器免受因素(湿气、灰尘)和机械影响的标称壳体212。传感器可以，或者可以不，封装在这种壳体中。
太赫兹接收器216和/或太赫兹发射器214被示出有安装在远程的可自由定位的头中的发射器和接收器天线，用柔性光纤/电脐带管将该远程的可自由定位的头连接至控制单元。由于可以通过将激光器、电源、光学延迟扫描仪、计算机和/或其它电子设备放置在TD-THz控制单元中，将传感器头制作得尽可能小且耐震(rugged)，因此这是优选实施例。可以远离扫描区安全地安装控制单元。其可以放置在环境受控的机柜中。
可以采用替代的太赫兹接收器216和/或太赫兹发射器214。如可行时，可以使TD-THz控制单元中的系统中的一些或者全部微型化并完全放置在TD-THz传感器头中。这种一体化配置可以不必采用光纤器件。太赫兹发射器和接收器可以在独立的底座上或者机械地共同定位。太赫兹接收器216和/或太赫兹发射器214可以共享相同的激光器、电子器件、和/或与发射器和/或接收器共同定位(以一体化方式)的其它支撑子系统；或者，激光器、电子器件和/或其它支撑子系统可以远离发射器和/或接收器设置(通过电和/或光纤线缆连接)。
代替使用由飞秒激光器生成的单个脉冲，太赫兹接收器216和/或太赫兹发射器214可以根据由宽带源触发的互相关噪声脉冲的原理工作。可以采用生成THz EM的任何方法。
太赫兹接收器216可以在频域操作而不是时域。如果太赫兹接收器216在频域中操作，那么发射器也可以在频域中操作。太赫兹发射器214和接收器216必须具有足够宽的带宽以实现测量样本的层厚度的期望分辨率。太赫兹发射器214可以是脉冲的或者不是脉冲的，只要太赫兹发射器214具有足够带宽即可。太赫兹发射器214发出宽带太赫兹束，其从样本的一个或者多个层界面以及任何外部参考结构界面反射。频域太赫兹接收器214根据频率幅度和/或相位记录反射。然后，可以通过使用数学变换(诸如傅里叶变换)将所记录的频域数据变换成时域。变换成时域的该数据现在将以与在时域中原生地收集的数据相同或者类似的方式表示样本内的界面和外部参考界面的飞行时间(time-of-flight)；以及可以以与原生的时域数据相同的方式使用补偿方法计算样本230的材料属性。替代地，可以直接根据频域幅度和/或相位对材料属性进行计算。与以一个或者多个特定飞行时间分隔的反射界面相对应的时域中的两个或更多个峰由以频域中的一个或者多个特定频率间距间隔的损耗峰和/或发射峰表示。这些频域间距可以用于根据所述补偿方案中的一个或者多个使用已知外部参考界面间距计算相同的材料属性。替代的频域方法包括频率调制连续波方法(FMCW)。
参照图3和4，这些图图示了当太赫兹辐射束与样本30接触时，太赫兹辐射束会发生什么。太赫兹辐射束34被样本30的每个层的每个表面反射。然后，太赫兹辐射的这些反射部分被发送回图1的太赫兹接收器16。图4图示了具有第一光学界面42和第二光学界面44的系统。第一光学界面42可以是部分透射的，而第二光学界面44可以是完全反射的，诸如反射镜。在该情况下，辐射34不仅被样本30的每个层反射，而且被第一光学界面42和第二光学界面44反射。太赫兹束34的这些反射部分形成反射的太赫兹辐射36，该反射的太赫兹辐射36被发送回图1的太赫兹接收器16。
样本30将具有至少2个反射界面(顶部外表面和底部外表面)，并且可以，或者可以不，具有一个或者多个内部界面。光学界面42和44可以用于产生放置在被测量材料上方和/或下方的一个或者多个附加外部界面。来自样本30的反射脉冲中的一个或者多个以及来自光学界面42和44的反射脉冲中的一个或者多个的相对定时可以用于计算样本30的属性，诸如卡标厚度、密度、折射率和质量。使用一个或者多个校准系数乘以界面脉冲时间的适当的和和/或差的线性组合计算这些值。如先前陈述的，太赫兹接收器16可以是静态的或者其可以移动。这些光学界面42和44可以是静态的，并且可以(或者可以不)连接至壳体12，和/或结构可以与壳体12一起移动。太赫兹接收器16、样本30以及光学界面42和44几何地配置为使得光学界面42和44以及样本界面中的每一个将引起以TD-THz波形记录的反射脉冲。这些被测量材料反射脉冲中的一个或者多个与光学界面42和44的一个或者多个的相对定时可以用于计算被测量材料的材料属性，诸如卡标厚度、密度、折射率和质量。
使用一个或者多个校准系数乘以界面脉冲时间的适当的和和/或差的线性组合计算这些值。光学界面42和44构造为在光学界面42与光学界面44之间具有已知或者可测量(即，限定)的距离。所有外部界面之间的间隔必须在收集一个或者多个TD-THz波形的时间尺度上是可测量的。
已知或者测量了光学界面42与光学界面44之间的一个或者多个固定距离。这些已知界面间隔距离与TD-THz反射脉冲时间导出值结合使用，以计算某些材料属性，该材料属性从单独的TD-THz测量(例如，密度)或者在没有外部界面中的某些的情况下将是模糊不清的。外部界面之间的限定距离还可以用于适应：1)TD-THz脉冲的绝对定时的偏移(例如，由于光纤拉伸)；2)被测量材料的折射率变化；3)被测量材料的密度变化；4)以及其它影响。
这些光学界面42和44须具有下列中的任一个：1)高的几何稳定性，因此可以使用先前收集的存储的测量值；2)在短时间(单个TD-THz波形测量长度0.001至1s)和较长时间(几分钟、几小时或者几天)以足够的精度测量界面距离，或者由辅助传感器和校准方法(例如，对于温度的热电偶和校准方法)间接地测量或者确定界面距离。所要求的几何稳定性通常小于2微米。结构须构造为将颤噪(microphonic)振动和其它振动减小至所要求的容差内。在一些情况下，结构须在被测量的宽材料片上横跨若干米。在这种情况下，由于热膨胀或收缩，或者由于某个改变的外部应力，光学界面42和44结构可能在几分钟、几小时或者几天改变它的一个或者多个几何距离。
在图3中示出了被测试材料30的横截面图(没有外部参考结构)，其示出TD-THz反射脉冲的定时。该材料被示出为具有被标记为A、B、...、N的一个或者多个层(数量由N表示)的材料。有j＝N+1个界面。尽管顶部界面和底部界面通常具有空气边界，但是他们不是必需具有空气边界的。界面的反射被标记为1、2、...、j-1、j。在图的右侧示出了反射脉冲的序列和定时。图3示出了成一定角度的反射。该图示方法仅仅出于清楚目的。反射可以是法向的或者成角度的。
“N”个层中的每一个具有机械厚度“L”(其可能在每个位置变化)和有效折射率“η”。如果已知折射率η，那么可以通过下式由TD-THz波形导出层厚度：
L＝c*t/(2*n),
其中c是真空中的光速。
替代地，如果厚度L保持为已知值，那么可以导出层的有效折射率。
折射率取决于材料的化学和物理成分，并且例如可以与材料密度成比例。有效折射率通常不是恒定的。例如，它可以随密度而改变。图3的右侧说明：如果一个层的折射率增加，那么峰值之间的定时增加，即使机械厚度保持恒定也是如此。这在在仅根据来自定时峰值的TD-THz数据的被测试材料的厚度的计算中引起不明确性。如果不正确地假定折射率保持恒定，那么层的密度的增加将看起来(不正确地)像层的厚度增加那样。
材料的总体物理“卡标”厚度(caliper thickness)是一个关键的测量，一个或者多个层的变化的折射率使其不明确。如果在片材样本周围或者附近添加附加的“外部参考结构”(ERS)或者第一光学界面42和第二光学界面44，那么可以计算总体样本卡标厚度。在图4中示出了在具有外部参考结构的情况下被测试材料的示例横截面图()，其示出TD-THz反射脉冲的定时。ERS的上表面和下表面是已知或者测量的分离距离D。距离D是从设计知道的或者是在测量被测试材料之前测量的ERS的尺寸。本公开公开了在样本测量过程期间或者时间上非常靠近样本测量过程的点处确定ERS尺寸D的一个或者多个方法。通过引用将美国专利申请No.12/667,986的全部内容合并于此。
理想地，ERS的上表面发射THz束的大部分。ERS的底表面须是至少部分反射的，并且可以是反射镜。在空气中与上表面和下表面相对应的THz脉冲0和j+1的飞行时间是：
TERS＝2*D/C
于是，卡标厚度(其与被测试材料的内部层的折射率和/或密度或者材料成分无关)为：
L＝D-c*([t1–t0]+[tj+1-tj])/2
这等于是说，被测试材料的厚度等于ERS的间距减去ERS内部被测试材料上方和下方的空气的厚度的和。
那么，被测试材料的(所有N个层的)平均折射率是如下比率：
N平均＝(t1-tj)/(TERS-([t1–t0]+[tj+i-tj]))。
实现ERS测量的另一个方法是从来自THz束中样本的相同的两个反射的时间减去已知或者测量的“空”(即，THz束中没有样本)的ERS界面定时。以这种方式，用反射测量得到双通发射测量的等效时间延迟。该方法提供了“空的”ERS时间测量比标准发射测量更稳定的优势。尽管两个测量都需要没有样本存在的测量，但是ERS反射测量比纯粹发射测量更稳定，并且可以用此处公开的实施例进行重新测量或者校正或者校准。
参照图5，示出了系统510的另一个实施例。像之前一样，类似的参考数字用于指代类似的组件。在该实施例中，第一光学界面542位于样本530上方，而第二光学界面544位于样本530下方。
参照图6，示出了系统610的另一个实施例。该实施例不同于图5的实施例之处在于第一光学界面642位于壳体612内。参照图7，系统710的实施例类似于图6中公开的实施例。然而，第二光学界面744位于机架750上，使得当壳体712沿着机架移动时第二光学界面744与第一光学界面742直接相对。基本上，第二光学界面744具有与壳体712的移动同步的移动，使得第二光学界面744可以将太赫兹辐射反射回到太赫兹接收器716。
参照图8，示出了系统810的另一个实施例。该实施例类似于图5中的实施例510。然而，系统810不同之处在于：系统810利用安装在第一光学界面842上的位置传感器846和848。位置传感器846和848可以是涡流传感器。
该实施例的一个方面是并入位置传感器846和848以测量或者校准界面842与界面844之间的距离，以适应任何几何结构的较长期变化。被测量的许多材料通常被连续地制造，并且因此将一直存在于这些外部反射界面之间的一些位置中。因此，用于直接测量界面842与界面844之间的绝对距离的任何附加的分离传感器(一个或者多个)需能够在被测量材料存在时这样做。即，理想地，辅助传感器的位移测量不能受样本存在的影响。通常，测量电场(TD-THz、光学的、电容的、微波等等)的传感器受电介质材料存在的影响。磁传感器(诸如涡流传感器)基本上不受被测量材料电介质厚度或者成分的变化或者测量路径中电介质材料的存在的影响。涡流传感器具有所需的位移测量容差。也可以使用具有类似的对被测量材料不敏感的任何分离传感器或者位移传感器(一个或者多个)。
另一个方法是使用THz脉冲或者附加的分离传感器或者位移传感器测量故意不与外部反射界面之间的样本空间相互作用的界面表面之间的距离。该方法的示例将使用双端口THz传感器测量结构界面相对于传感器位置的间隔，或者使用另一类型的一个或者多个传感器(例如，激光传感器、超声传感器、电容传感器)，该另一个类型的一个或者多个传感器以不与样本相互作用的方法测量到参考结构界面的距离。该测量可以是对于被测量材料附近表面或者界面结构的某个其它表面。外部界面可以，或者可以不，在传感器与被测量材料之间。
在另一个方面中，太赫兹接收器816可以用于测量光学界面842与光学界面844的间隔。可以在不存在样本的位置处进行光学界面842和光学界面844的THz测量(即，样本的“左边”和“右边”，称为“离片”)。还可以引导THz束以测量通过不与被测量样本830相互作用的路径的、到光学界面842和844中的一个或者多个的距离。
参照图9，图9的系统910类似于图8的系统810；然而，位置传感器946位于系统910的壳体912内，并且仅仅使用一个位置传感器。像之前一样，传感器946可以是涡流传感器以确定第一光学界面942与第二光学界面948之间的距离。
参照图10，示出了系统1010的另一个实施例。在该实施例中，壳体1012包括位置传感器1048和第一光学界面1042两者。
参照图11，该实施例类似于图10所示实施例，然而，在该实施例中，第二光学界面安装在机架1150上，使得当机架移动壳体1112时第二光学界面1146与第一光学界面1144直接相对。参照图12，实施例1210公开了与图8所示类似的实施例；然而，在该实施例中，利用温度传感器1256和1258。
温度
参照图13，系统1310包括具有束引导装置1362的第二端口1360，该束引导装置1362通过束分离装置将来自太赫兹发射器的太赫兹辐射引导穿过第二端口1360到第一光学界面1342。该实施例允许第一光学界面1342放置在多种位置处。该实施例允许第一光学界面1342是完全反射的，诸如反射镜。可以由端口1360放置透镜1361以将辐射聚焦至第一光学界面1342。
如本领域技术人员将容易理解的，上面的描述意图作为本发明原理实施方式的示例说明。该描述并不意图限制本发明的范围或者应用，本发明能够容易地进行修改、变型和变化而不背离如下列权利要求所限定的本发明的精神。

Claims (18)

1.一种用于解译太赫兹辐射的系统，所述系统包括：
太赫兹发射器，配置为通过第一端口输出太赫兹辐射的脉冲；
太赫兹接收器，配置为通过所述第一端口接收所述太赫兹辐射的脉冲的至少一部分，其中所述太赫兹接收器配置为基于由所述太赫兹接收器接收的辐射输出信号；
第一光学界面，向所述太赫兹辐射的脉冲提供光学干涉，其中所述第一光学界面将把第一光学界面反射的所述太赫兹辐射的脉冲的部分反射至所述太赫兹接收器；
第二光学界面，向所述太赫兹辐射的脉冲提供光学干涉，其中所述第二光学界面将把第二光学界面反射的所述太赫兹辐射的脉冲的部分反射至所述太赫兹接收器；
所述第一光学界面与所述第二光学界面之间限定的间距，所述间距被配置为接收要由所述太赫兹辐射的脉冲的至少一部分照射的样本；
其中所述样本将把所述太赫兹辐射的脉冲的第一被样本反射的部分反射至所述太赫兹接收器，以及将把所述太赫兹辐射的脉冲的第二被样本反射的部分反射至所述太赫兹接收器；
其中所述太赫兹发射器和太赫兹接收器设置为在壳体中基本上彼此邻近；以及
处理器，与所述太赫兹接收器通信并且配置为从所述太赫兹接收器接收所述信号，所述处理器被配置为基于所述信号确定所述样本的卡标厚度、密度、折射率或者质量。
2.根据权利要求1所述的系统，还包括机架，所述壳体耦接至所述机架，其中所述机架配置为跨越所述样本移动所述壳体。
3.根据权利要求2的所述系统，其中所述第一光学界面安装至所述壳体。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述第二光学界面安装至所述机架，其中所述第二光学界面随着所述壳体沿着所述机架移动而移动，其中所述第一光学界面和第二光学界面通常彼此相对。
5.根据权利要求1所述的系统，还包括与所述处理器通信的位置传感器，所述位置传感器配置为确定所述第一光学界面与所述第二光学界面之间的所述间距的距离，并将距离信号输出至所述处理器。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述位置传感器是涡流传感器。
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述涡流传感器安装至所述第一光学界面。
8.根据权利要求6所述的系统，其中所述涡流传感器安装至所述壳体。
9.根据权利要求5所述的系统，其中所述位置传感器是温度传感器，所述温度传感器配置为测量所述样本的温度。
10.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一光学界面位于所述太赫兹发射器与所述样本之间。
11.根据权利要求10所述的系统，其中所述第一光学界面耦接至所述壳体。
12.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一端口还包括透镜。
13.根据权利要求1所述的系统，其中所述样本包括至少一个层。
14.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一光学界面是透射的反射表面，以及所述第二光学界面是完全反射的光学界面。
15.根据权利要求1所述的系统，还包括：
第二端口，其中所述太赫兹发射器被配置为通过所述第二端口输出太赫兹辐射的脉冲；
所述太赫兹接收器被配置为通过所述第二端口接收所述太赫兹辐射的脉冲的至少一部分；以及
其中所述第一光学界面是完全反射的光学界面。
16.根据权利要求1所述的系统，还包括：
光源，被配置为输出光学脉冲；
其中所述光源与所述太赫兹发射器和所述太赫兹接收器光学连通；以及
其中使所述太赫兹发射器和所述太赫兹接收器同步以接收来自所述光源的光学脉冲，使得所述太赫兹接收器通过所述光学脉冲与所述太赫兹发射器同步。
17.根据权利要求16所述的系统，还包括束分离器，被配置为将由所述第一光学界面、第二光学界面或者样本反射的辐射引导至所述太赫兹接收器。
18.根据权利要求16所述的系统，其中所述光源通过光纤与所述太赫兹发射器或者所述太赫兹接收器光学连通。
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