CN104867900B - 一种芯片封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种芯片封装方法，该方法制备出来的芯片封装结构包括芯片主体、导热高分子封装材料层和热双金属片导电引脚。本发明的有益效果在于，使得芯片在发热的时候，芯片会在引脚的作用下远离PCB板。
Description
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域，尤其是指一种芯片封装方法。
背景技术
目前，芯片通常是贴合PCB板安装，芯片产生的热量主要通过上表面散出，因此发热的芯片会加热PCB板，导致PCB板的温度升高，进而缩短PCB板和PCB板表面的电子元件的寿命。
发明内容
本发明提供了一种新的芯片封装方法，使得芯片在发热的时候，会在引脚的作用下远离PCB板。
为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案。
一种芯片封装方法，该方法制备出来的芯片封装结构包括芯片主体、导热高分子封装材料层和热双金属片导电引脚，芯片封装方法包括以下热双金属片导电引脚和步骤：
热双金属片导电引脚的材质是热双金属片，热双金属片在常温下呈弯曲状，热双金属片的主动层呈弯曲状紧贴呈弯曲状的热双金属片的被动层，热双金属片的被动层连接芯片主体的导电位置；
步骤1、将热双金属片的主动层和热双金属片的被动层弯曲，并通过热处理退火，消除弯曲带来的内部应力；
步骤2、将热双金属片的主动层紧贴热双金属片的被动层；
步骤3、将热双金属片的被动层连接芯片主体的导电位置；
步骤4、灌注导热高分子封装材料，形成包裹芯片主体的导热高分子封装材料层。
更好地，上述热双金属片连接芯片主体导电位置的部位和热双金属片焊接在PCB板的部位只有单独的被动层，没有主动层。
更好地，上述热双金属片有呈圆弧形状的部位。
本发明的工作原理和有益效果在于：
本发明提供了一种芯片封装方法，在受热后由于主动层和被动层的热膨胀系数不同，热双金属片的主动层的伸长量大于被动层的伸长量，热双金属片的圆弧形状的部位会发生形变，推动热双金属片连接的芯片远离PCB板，达到了本发明的目的。氟硅橡胶层包裹热双金属片与芯片主体贴近的表面，起到绝缘的作用。热双金属片同时也可以起到散热的作用。
附图说明
图1为本发明的芯片封装结构的引脚部位的截面示意图。
附图说明：1、芯片主体；2、导热高分子封装材料层；3、主动层；4、被动层; 5、PCB板。
具体实施方法
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本发明作进一步的说明，实施方法提及的内容并非对本发明的限定。
参照图1所示，一种芯片封装方法，该方法制备出来的芯片封装结构包括芯片主体1、导热高分子封装材料层2和热双金属片导电引脚，芯片封装方法包括以下热双金属片导电引脚和步骤：
热双金属片导电引脚的材质是热双金属片，热双金属片在常温下呈弯曲状，热双金属片的主动层3呈弯曲状紧贴呈弯曲状的热双金属片的被动层4，热双金属片的被动层4连接芯片主体1的导电位置；
步骤1、将热双金属片的主动层3和热双金属片的被动层4弯曲，并通过热处理退火，消除弯曲带来的内部应力；
步骤2、将热双金属片的主动层3紧贴热双金属片的被动层4；
步骤3、将热双金属片的被动层4连接芯片主体1的导电位置；
步骤4、灌注导热高分子封装材料，形成包裹芯片主体1的导热高分子封装材料层2。
上述热双金属片连接芯片主体1导电位置的部位和热双金属片焊接在PCB板5的部位只有单独的被动层4，没有主动层3。
上述热双金属片有呈圆弧形状的部位。
上述实施例为本发明较佳的实施方案，除此之外，本发明还可以其它方法实现，在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种芯片封装方法，其特征在于：该方法制备出来的芯片封装结构包括芯片主体、导热高分子封装材料层和热双金属片导电引脚，所述芯片封装方法包括以下热双金属片导电引脚和步骤：
所述热双金属片导电引脚的材质是热双金属片，所述热双金属片在常温下呈弯曲状，所述热双金属片的主动层呈弯曲状紧贴呈弯曲状的热双金属片的被动层，所述热双金属片的被动层连接所述芯片主体的导电位置；
步骤1、将所述热双金属片的主动层和热双金属片的被动层弯曲，并通过热处理退火，消除弯曲带来的内部应力；
步骤2、将所述热双金属片的主动层紧贴热双金属片的被动层；
步骤3、将所述热双金属片的被动层连接所述芯片主体的导电位置；
步骤4、灌注导热高分子封装材料，形成包裹芯片主体的导热高分子封装材料层。
2.根据权利要求1所述的一种芯片封装方法，其特征在于：所述热双金属片连接所述芯片主体导电位置的部位和热双金属片焊接在PCB板的部位只有单独的被动层，没有主动层。
3.根据权利要求1所述的一种芯片封装方法，其特征在于：所述热双金属片有呈圆弧形状的部位。
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