CN104831246B - 电磁控溅镀阴极 - Google Patents
电磁控溅镀阴极 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104831246B CN104831246B CN201510070776.5A CN201510070776A CN104831246B CN 104831246 B CN104831246 B CN 104831246B CN 201510070776 A CN201510070776 A CN 201510070776A CN 104831246 B CN104831246 B CN 104831246B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- permanent magnet
- target
- magnetic conduction
- magnet rings
- conduction substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 9
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 abstract description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 10
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008676 import Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种电磁控溅镀阴极，包含:一导磁基板；一封闭排列的第一永久磁铁环，座于该导磁基板的外围上；一封闭排列的第二永久磁铁环座于该导磁基板中线上，该第二永久磁铁环与该第一永久磁铁环的N极相对于靶面为相反方向；一封闭的电磁线圈设于导磁基板上，且相对于第二永久磁铁环而言。电磁线圈邻接于第一永久磁铁环，该电磁线圈导入的电流周期变化以变化电浆团的位置以轰击靶材；电磁线圈的范围在靶外围至三分之二靶宽之间；一冷却铜底板设于第二永久磁铁环、第一永久磁铁环所包围的空间内且在该封闭的电磁线圈上；及一靶材设于该冷却铜底板上。利用本发明，电浆团能在控制线圈电流大小及周期而位移位置，以达到提高靶材利用率的目的。
Description
技术领域
本发明关于一种溅镀靶装置，特别是指一种在溅镀靶后方设有永久磁铁、导磁铁及电磁线圈，利用安排电磁线圈的位置及导入该电磁线圈的电流作变化达到变化磁场的大小而达到改变电浆位置的目的，进而达成提升靶材利用率的目的。
背景技术
磁控溅镀(magnetron sputtering)是指真空溅镀腔内在溅镀靶材的后方安排电磁铁或永久磁铁以产生磁场并使得磁力线由靶材后方穿透至靶材的前方，再回到的靶材的后方的电磁铁或永久磁铁。电浆产生器利用磁场的导引将电浆离子气体轰击金属靶材的预定区域以敲出金属原子，再沉积金属原子于靶材下方的工件表面上以形成薄膜。电浆气体可以包含惰性气体如氩气，或者是可以和靶材反应的反应气体。
这样的结果将使得靶材犹如一个穿隧(tunnel-like)的结构形成一电子阱(electron trap)。这种效应在穿隧形的电子阱在金属靶材形成一封闭回路后会更进一步强化，而变得更有效率。然而，它却使电浆形成回路，而使得靶材犹如被穿隧般的损耗，这结果将存在靶材的利用率被显著降低的缺点。
因此，一种可移动磁场的溅镀靶，例如日本专利JP 63-247366设计一种可移动的环状靶，以达到靶材表面可被均匀削减目的。另中国台湾专利第I299365号。揭示一可移动靶件的溅镀装置及方法。这个装置需要一线性电机来驱动靶材。
现有技术的再一的实施例可以参见中国台湾专利第I391514，这个专利所揭示的磁控溅镀靶,请参见图1所示的立体局部剖面图。请参阅图1所示的一种磁控溅镀机200包含一载板210，包含中间导磁部及外侧铝环部213、一磁铁组220、一内部线圈230、一外部线圈240、一中间磁环250、一靶材260以及一导磁铁环270，磁铁组220设置于载板210的承载表面211上，以提供磁场源，内部线圈230绕于一永久磁铁221上。永久磁铁221外侧还包含一外部磁铁环222，内部线圈230绕设于永久磁铁221以增强磁场源，内部线圈230的较佳匝数约为40匝，外部线圈240设置于磁铁组220外侧以改变轴向磁场最低点位置，外部线圈240的匝数约为900匝，该中间磁环250设置于磁铁组220的该永久磁铁221与该外部磁铁环222之间以增强中间的磁场并改变该磁控溅镀机200内磁场的大小，导磁铁环270设置于该靶材260的该第一表面261下，以便径向引导磁场的磁力线方向，使得磁场方向平行于该靶材260，此外，导磁铁环270对应于中间磁环250。外部磁铁环222比中间磁环250高。利用中间磁环250、导磁铁环270及外部线圈240等组件，以达到磁力线绕行方向不会过度集中于该靶材260的部分区域，导致靶材260被蚀刻穿透而提高靶材260的使用期限的目的。
现有技术的溅镀靶的再一的实施例可以参见美国专利US第6338781号，该专利由Sichmann等人所获得。请参照图2所示为半个阴极(含靶材)的结构图，另一半个阴极(含靶材)与图2的结构图是以回转轴44为中心，呈镜像对称的(未图示),永久磁铁9和转轴44之间的距离以Rg表示。如图2所示，半个阴极的结构图包含第一导磁轭铁21，第二导磁轭铁21’，两者间以一永久磁铁9所连接。第二导磁轭铁21’又连接一鞋型导磁材料14。螺栓20则连接于第一导磁轭铁21。
第一导磁轭铁21和第二导磁轭铁21’之间的空间容置一溅镀靶8，而溅镀靶8的上方则另有两个线圈76、77。在两个线圈76、77中间则是一铁心75，它也是导磁材料同时提供遮蔽功能，它遮蔽了靶空间(target space；即靶和待溅镀基板27之间的空隙)84对抗永久磁铁9的短路磁力线(shields the target space 84against the short circuitmagnetic field lines of the magnet 9)，因此，磁场变化可因相当低的电流注入于电磁线圈而产生。图2同时示对应的磁力线42,42’路径分布。
上述的现有技术省却了靶材移动的驱动装置，但得有外、内圈永久磁铁(它们的高度不同)及内、外圈电磁铁。电磁铁没有冷却装置。
发明内容
本发明的一目的是提供一种电磁控溅镀阴极，电浆团能在控制线圈电流大小及周期而位移位置，以达到提高靶材利用率的目的。本发明能够使用内外永久磁铁与一圈的电磁线圈，变化导入线圈的电流，达到变化磁场的目的，进而可使靶材的靶面侵蚀范围扩大，有效消除靶面不均匀的侵蚀，特别是靶材边缘的镀膜可以更均匀。
本发明提供一种电磁控溅镀阴极，包括：
一导磁基板；
一封闭排列的第一永久磁铁环，座于该导磁基板的外圈上；
一封闭排列的第二永久磁铁环，座于该导磁基板的中线上，该第二永久磁铁环与该第一永久磁铁环的N极相对于靶面为相反方向；
封闭的电磁线圈设于该导磁基板上，且相对于该第二永久磁铁环而言。该电磁线圈邻接该第一永久磁铁环，该电磁线圈导入的电流周期变化以变化电浆团的位置以轰击靶材；
一冷却铜底板设于该第二永久磁铁环、该第一永久磁铁环所包围的空间内且介于该封闭的电磁线圈及靶材之间；及
一靶材设于该冷却铜底板上。
在优选的实施方式中，所述导磁基板为单位阶梯形，该单位阶梯形为中间段有一相对较高的平台，所述的封闭排列的第二永久磁铁环座于该平台中线上，以支撑该冷却铜底板，该导磁基板的平台部位的下方容置一冷却水路。
在优选的实施方式中，所述导磁基板上还包含至少一支撑柱，该支撑柱高度与该电磁线圈高度大致相等或略高，以使得该冷却铜底板为该支撑柱所支撑。
在优选的实施方式中，所述电磁线圈范围在靶外缘到距靶宽2/3之间。
在优选的实施方式中，所述电磁线圈范围在靶材中线到距靶宽2/3之间。
本发明还提供一种电磁控溅镀阴极，该磁控溅镀阴极包括:
一导磁基板，该导磁基板为单位阶梯形，该单位阶梯形为中间段有一相对较高的平台；
一封闭排列的第一永久磁铁环，座于该导磁基板的外圈上；
一封闭排列的第二永久磁铁环，座于该导磁基板之平台的中线上，该第二永久磁铁环与该第一永久磁铁环的N极相对于该靶面为相反方向；
封闭的电磁线圈设于该导磁基板上，且相对于该第二永久磁铁环而言。该电磁线圈邻接该第一永久磁铁环，该电磁线圈导入的电流周期变化以变化电浆团的位置以轰击靶材；
一冷却铜底板设于该第二永久磁铁环、该第一永久磁铁环所包围的空间内且介于该封闭的电磁线圈及靶材之间；及
一靶材设于该冷却铜底板上。
在优选的实施方式中，所述电磁线圈范围在靶外缘到距靶宽2/3之间。
在优选的实施方式中，所述电磁线圈范围在靶材中线到距靶宽2/3之间。
本发明的电磁控溅镀阴极的特点及优点是：(a)只需一圈封闭的电磁线圈，又因电磁线圈封闭于冷却铜板Z形(即前述的单位阶梯形状)导磁基板100,100’,第一永久磁铁环110所产生的容置空间内。因此，冷却铜板既可冷却线圈也可冷却靶材。(b)现有技术溅镀机磁场由靶材下方穿越进入腔体，靶材厚度受限，约在1公分以内，以免影响磁场强度。本发明磁场由靶材两侧横越，散热良好的平面金属靶厚度可达3cm。(c)相较于Sichmann的现有技术，本发明的电浆移动范围比现有技术增加35％，也因此，电浆移动效率可提高10％以上，靶材可更均匀消耗，而提高靶材利用率。(d)部分现有技术需要磁控机构位移或转动的机构，本发明不需要这样的机构，要的只是变化线圈电流大小与周期就可达到提高靶材利用率的效果。没有位移或转动的机构，使得结构简单，易于封真空，方便维修。(e)整体结构可适用于磁控溅镀与电弧离子镀，而磁场调控对于电弧离子镀可以提高弧斑在靶面上移动速率与范围，降低熔滴颗粒的发生。
附图说明
图1示现有的溅镀阴极；
图2示现有的溅镀靶结构及磁力线路径；
图3A示依据本发明的第一实施例所设计的溅镀靶结构示意图；
图3B示依据本发明的第一实施例所设计的溅镀靶结构俯视示意图；
图3C示依据本发明的第二实施例所设计的溅镀靶结构横截面示意图；
图4A、图4B及图4C分别示本发明的的溅镀靶在电磁线圈电流零、低电流、高电流时的电浆团位置；
图5A、图5B及图5C分别示本发明的的溅镀靶电磁线圈电流I＝0，I＝14A及I＝-14A时所仿真的磁力线路径；
图6示本发明的的溅镀靶受电磁线圈电流变化所产生电浆团移动距离；
图7示现有溅镀靶(半个阴极的结构)。
图8A、图8B及图8C示现有溅镀靶，线圈电流分别为0、14A、-14A时磁力线模拟结果。
图9A及图9B示依据本发明的再一实施例，电磁线圈位于导磁基板上不同的位置，B⊥＝0的位置随电磁线圈所在位置而变化。显示现有LED灯具剖面图。
附图符号说明
200……磁控溅镀机 210……载板
230、76、77……内部线圈 220……磁铁组
240……外部线圈 250……中间磁环
150……电磁线圈
8、140、260……靶材 270……导磁铁环
211……载板的承载表面 9、221……永久磁铁
222……外部磁铁环 261……靶材的该第一表面
44……回转轴 21……第一导磁轭铁
21’……第二导磁轭铁 100’……导磁基板的平台部位
14……鞋型导磁材料 20……螺栓
27……待溅镀基板 84……靶空间
100……导磁基板 110……第一永久磁铁环
120……第二永久磁铁环 130……冷却铜底板
160……冷却管路 170……电浆团
180……靶面磁力线水平处 175……箭头方向
125……支撑座
90、91、92……分别为电流0A、14A、-14A的磁通密度靶材表面分布关系曲线
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文依本发明设计的磁控靶材的一较佳实施例，并配合所附相关图式，作详细说明如下。
如图3A所示为依据本发明的第一实施例所绘制的一圆环型或磁控溅镀靶的剖面示意图。一导磁基板100上有一封闭的第一永久磁铁环110，座于该导磁基板100的外围上；一第二永久磁铁环120座于该导磁基板中心。第二永久磁铁环120可以是磁铁条或者也可以是封闭回路的磁铁。第二永久磁铁环120与第一永久磁铁环110的N极相对于靶面为相反方向。即当第一永久磁铁环110朝外的磁极是N极时，第二永久磁铁环120朝外的磁极就是S极。反之，当第一永久磁铁环110朝外的磁极是S极时，第二永久磁铁环120朝外的磁极就是N极。一封闭的电磁线圈150设于导磁基板100上。在一较佳实施例中，电磁线圈150尽可能靠近于第一永久磁铁环110。即在靶材的外缘。电磁线圈150的范围由靶材的外缘至2/3靶材宽度；冷却铜底板130(冷却水管路未图示)设于第二永久磁铁环120、第一永久磁铁环110所包围的空间内且在电磁线圈150上由一支撑柱(或支撑座)125所支撑。一靶材140设于冷却铜底板130上。支撑柱125的高度与电磁线圈150的高度相当或略高。
图3B示依据本发明的第一实施例所绘制的俯视图。图3B示第一永久磁铁环110是座于导磁基板100上、然后是电磁线圈150、支撑柱125，在中间的是第二永久磁铁环120，也是一磁铁环，而冷却铜底板130则是位于支撑柱125上。
本发明中，并不特别限制导磁基板100的形状，例如，在另一实施例中，如图3C所示，为方便于同时冷却电磁线圈150及靶材140的冷却铜底板130可以不需要特别设立支撑柱125下，又获得简易支撑，可将导磁基板100单位阶梯形状，即中间部位有一较高的平台100’，如图3C所示。第一永久磁铁环110，座于导磁基板100的外围上；一第二永久磁铁环120座于该导磁基板平台100’中间。导磁基板平台100’可用以支撑冷却铜底板130。导磁基板平台100’旁摆设电磁线圈150。而导磁基板平台100’的下方则设有冷却管路160。
电磁线圈150由一电源供应器提供电流，(正向及逆向的电流交替变化)。本发明利用导入于电磁线圈150的电流周期性变化，配合第一永久磁铁环110及第二永久磁铁环120及导磁基板100即可达到移动磁场，进而达成移动电浆团的位置的目的而使得电浆轰击靶材140时大范围的移动，进而使靶材平均消耗。
利用所导入直流电于磁控溅镀靶的电磁线圈150，将会改变电浆团170密集位置，请参考图4A～图4C。图示当电流为0、低电流增加至高电流，电浆团170由靶外圈(电磁线圈150所在位置)向靶材中心(远离电磁线圈150所在位置)靠拢。
另，以线圈电流等于0A(安培)、14A及-14A，线径2mm的铜质线圈，线圈数230，在上述条件下模拟线圈电流所产生磁力线路径变化，请参考图5A(I＝0)、图5B(I＝14A)及图5C(I＝-14A)。
当(I＝0)时，磁力线各集中于第一永久磁铁环110及第二永久磁铁环120处，如图5A所示。
当(I＝14A)时，磁力线受线圈影响而压缩变形集中于第一永久磁铁环110，压缩方向如图5B的箭头175所示(由第一永久磁铁环110朝向靶面及第二永久磁铁环120)。靶面磁力线水平处180(磁场垂直分量B⊥＝0)往内侧(第二永久磁铁环120所在位置)。
当(I＝-14A)时，磁力线受线圈影响而压缩变形集中于第一永久磁铁环110及及第二永久磁铁环120，也产生了一压缩方向如图5C的箭头175所示(由Z形轭铁交接处朝向靶面及第一永久磁铁环110)。靶面磁力线水平处180往外侧(第一永久磁铁环110所在位置)移动。
请参考图6所绘的磁通密度与靶材表面分布关系图，90、91、92分别为线圈电流变化0、14A、-14A的仿真曲线。该关系图是依据图5A、5B及5C的磁力线分布图所绘制，图标显示磁场垂直分量B⊥＝0的区域，因线圈电流变化0、14A、-14A而导引电浆移动的范围可以长达38.6mm。
另为比较本发明所所揭示的阴极结构和Sichmann所揭示的阴极结构的差异性，本发明另以Sichmann所揭示的阴极结构作仿真，图7所示为Sichmann所揭示的半个阴极结构。图8A、图8B及图8C示线圈电流分别为0、14A、-14A时模拟结果。依据模拟结果，可以求出电浆移动范围在26.4mm。
表格一是将Sichmann阴极靶和本发明的阴极靶在电浆因电流变化可移动范围(A)、磁通量(B)及电浆移动效率A/B作一比较。
由上述模拟结果，可知本发明的阴极靶，可达到提高电浆移动范围及电浆移动效率。
上述的实施例中，电磁线圈150是座于靶材的边缘至三分之二靶材宽的范围。是最佳的实施例。本发明的一次佳的实施例中，电磁线圈150的位置则偏向靶材内侧，它将使得磁场B⊥＝0的位置同步偏向内侧，请参见图9A、9B。换言之，B⊥＝0的位置随电磁线圈所在位置而变化。
本发明具有以下的优点:
(a).只需一圈封闭的电磁线圈，又因电磁线圈封闭于冷却铜板Z形(即前述的单位阶梯形状)导磁基板100,100’,第一永久磁铁110所产生的容置空间内。因此，冷却铜板既可冷却线圈也可冷却靶材。
(b).现有技术溅镀机磁场由靶材下方穿越进入腔体，靶材厚度受限，约在1公分以内，以免影响磁场强度。本发明磁场由靶材两侧横越，散热良好的平面金属靶厚度可达3cm。
(c).相较于Sichmann的现有技术，本发明的电浆移动范围比现有技术增加35％，也因此，电浆移动效率可提高10％以上，靶材可更均匀消耗，而提高靶材利用率。
(d).部分现有技术需要磁控机构位移或转动的机构，本发明不需要这様的机构，要的只是变化线圈电流大小与周期就可达到提高靶材利用率的效果。没有位移或转动的机构，使得结构简单，易于封真空，方便维修。
(e).整体结构可适用于磁控溅镀与电弧离子镀，而磁场调控对于电弧离子镀可以提高弧斑在靶面上移动速率与范围，降低熔滴颗粒的发生。
本发明虽以较佳实例阐明如上，然其并非用以限定本发明精神与发明实体仅止于上述实施例。凡熟悉此项技术的人员，当可轻易了解并利用其它组件或方式来产生相同的功效。是以，在不脱离本发明的精神与范畴内所作的修改，均应包含在权利要求的范围内。
Claims (8)
1.一种电磁控溅镀阴极，其特征在于，该磁控溅镀阴极包括：
一导磁基板；
一封闭排列的第一永久磁铁环，座于该导磁基板的外圈上；
一封闭排列的第二永久磁铁环，座于该导磁基板的中线上，该第二永久磁铁环与该第一永久磁铁环的N极相对于靶面为相反方向；
封闭的电磁线圈设于该导磁基板上，且形成于该封闭排列的第一永久磁铁环及该封闭排列的第二永久磁铁环之间，且相对于该第二永久磁铁环而言；该电磁线圈邻接该第一永久磁铁环，该电磁线圈导入的电流周期变化以变化电浆团的位置以轰击靶材；
一冷却铜底板设于该第二永久磁铁环、该第一永久磁铁环所包围的空间内且介于该封闭的电磁线圈及靶材之间；及
一靶材设于该冷却铜底板上。
2.如权利要求1所述的电磁控溅镀阴极，其特征在于，所述导磁基板为单位阶梯形，该单位阶梯形为中间段有一相对较高的平台，所述的封闭排列的第二永久磁铁环座于该平台中线上，以支撑该冷却铜底板，该导磁基板的平台部位的下方容置一冷却水路。
3.如权利要求1所述的电磁控溅镀阴极，其特征在于，所述导磁基板上还包含至少一支撑柱，该支撑柱高度与该电磁线圈高度大致相等或略高，以使得该冷却铜底板为该支撑柱所支撑。
4.如权利要求1所述的电磁控溅镀阴极，其特征在于，所述电磁线圈范围在靶外缘到距靶宽2/3之间。
5.如权利要求1所述的电磁控溅镀阴极，其特征在于，所述电磁线圈范围在靶材中线到距靶宽2/3之间。
6.一种电磁控溅镀阴极，其特征在于，该磁控溅镀阴极包括：
一导磁基板，该导磁基板为单位阶梯形，该单位阶梯形为中间段有一相对较高的平台；
一封闭排列的第一永久磁铁环，座于该导磁基板的外圈上；
一封闭排列的第二永久磁铁环，座于该导磁基板之平台的中线上，该第二永久磁铁环与该第一永久磁铁环的N极相对于靶面为相反方向；
封闭的电磁线圈设于该导磁基板上，且形成于该封闭排列的第一永久磁铁环及该封闭排列的第二永久磁铁环之间，且相对于该第二永久磁铁环而言；该电磁线圈邻接该第一永久磁铁环，该电磁线圈导入的电流周期变化以变化电浆团的位置以轰击靶材；
一冷却铜底板设于该第二永久磁铁环、该第一永久磁铁环所包围的空间内且介于该封闭的电磁线圈及靶材之间；及
一靶材设于该冷却铜底板上。
7.如权利要求6所述的电磁控溅镀阴极，其特征在于，所述电磁线圈范围在靶外缘到距靶宽2/3之间。
8.如权利要求6所述的电磁控溅镀阴极，其特征在于，所述电磁线圈范围在靶材中线到距靶宽2/3之间。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW103104670A TWI527924B (zh) | 2014-02-12 | 2014-02-12 | 電磁控濺鍍陰極 |
| TW103104670 | 2014-02-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104831246A CN104831246A (zh) | 2015-08-12 |
| CN104831246B true CN104831246B (zh) | 2017-10-27 |
Family
ID=53809439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510070776.5A Expired - Fee Related CN104831246B (zh) | 2014-02-12 | 2015-02-11 | 电磁控溅镀阴极 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104831246B (zh) |
| TW (1) | TWI527924B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109504946B (zh) * | 2018-12-20 | 2020-12-01 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种平面矩形磁控溅射阴极用角度可调型电磁线圈 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262028A (en) * | 1992-06-01 | 1993-11-16 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Planar magnetron sputtering magnet assembly |
| US6338781B1 (en) * | 1996-12-21 | 2002-01-15 | Singulus Technologies Ag | Magnetron sputtering cathode with magnet disposed between two yoke plates |
| TW201104002A (en) * | 2009-07-16 | 2011-02-01 | Univ Nat Sun Yat Sen | Magnetron sputter |
| TW201120229A (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Ind Tech Res Inst | Structure for increasing utilization rate of target |
-
2014
- 2014-02-12 TW TW103104670A patent/TWI527924B/zh active
-
2015
- 2015-02-11 CN CN201510070776.5A patent/CN104831246B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262028A (en) * | 1992-06-01 | 1993-11-16 | Sierra Applied Sciences, Inc. | Planar magnetron sputtering magnet assembly |
| US6338781B1 (en) * | 1996-12-21 | 2002-01-15 | Singulus Technologies Ag | Magnetron sputtering cathode with magnet disposed between two yoke plates |
| TW201104002A (en) * | 2009-07-16 | 2011-02-01 | Univ Nat Sun Yat Sen | Magnetron sputter |
| TW201120229A (en) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Ind Tech Res Inst | Structure for increasing utilization rate of target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104831246A (zh) | 2015-08-12 |
| TWI527924B (zh) | 2016-04-01 |
| TW201531578A (zh) | 2015-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0600070B1 (en) | Improved planar magnetron sputtering magnet assembly | |
| US6344114B1 (en) | Magnetron sputtering cathode with magnet disposed between two yoke plates | |
| KR101097329B1 (ko) | 스퍼터링 장치 | |
| CN105839065B (zh) | 一种磁控溅射镀膜装置及方法、纳米颗粒的制备方法 | |
| US20110220494A1 (en) | Methods and apparatus for magnetron metallization for semiconductor fabrication | |
| US20120119861A1 (en) | Permanent Magnets Array for Planar Magnetron | |
| US6432285B1 (en) | Planar magnetron sputtering apparatus | |
| JP2011202217A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置、及び、スパッタリング方法 | |
| US20110062019A1 (en) | Sputtering apparatus | |
| US6683425B1 (en) | Null-field magnetron apparatus with essentially flat target | |
| TW201321539A (zh) | 圓柱磁控濺射陰極 | |
| JPH11500490A (ja) | 磁性ターゲット材料のスパッタ方法及び装置 | |
| CN104831246B (zh) | 电磁控溅镀阴极 | |
| CN110791742A (zh) | 一种磁控溅射阴极的磁源结构及其调节磁场的方法 | |
| JP4473852B2 (ja) | スパッタ装置及びスパッタ方法 | |
| CN211112196U (zh) | 一种磁控溅射阴极的磁源结构 | |
| CN211814635U (zh) | 一种提高磁控溅射靶材利用率的装置 | |
| KR101341433B1 (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
| CN110643966A (zh) | 一种提高磁控溅射靶材利用率的装置及方法 | |
| US9607813B2 (en) | Magnetic field generation apparatus and sputtering apparatus | |
| CN103290378A (zh) | 磁控溅射镀膜阴极机构 | |
| JPH0660393B2 (ja) | プラズマ集中型高速スパツタ装置 | |
| CN107151784B (zh) | 一种阴极磁控溅射靶装置 | |
| CN110965036A (zh) | 稀土永磁体表面真空镀膜设备 | |
| JP2789251B2 (ja) | ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20171027 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |