CN104811136A - 光伏组件光衰减的测试方法 - Google Patents
光伏组件光衰减的测试方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104811136A CN104811136A CN201510188695.5A CN201510188695A CN104811136A CN 104811136 A CN104811136 A CN 104811136A CN 201510188695 A CN201510188695 A CN 201510188695A CN 104811136 A CN104811136 A CN 104811136A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photovoltaic module
- test
- power
- photovoltaic
- testing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010998 test method Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000013101 initial test Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- XGCTUKUCGUNZDN-UHFFFAOYSA-N [B].O=O Chemical compound [B].O=O XGCTUKUCGUNZDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种光伏组件光衰减的测试方法，包括以下步骤：步骤一，选取光伏组件并进行初始测试，在标准测试条件下测出光伏组件的短路电流Isc；步骤二，开启环境箱，预热全光谱的氙灯使得辐照度稳定。步骤三，将步骤一中的光伏组件放进环境箱，并测得光伏组件入箱的瞬时短路电流I瞬时sc，同时，根据公式计算出光伏组件的即时辐照度，并根据即时辐照度得出所需测试的周期；步骤四，待步骤三测试结束后取出光伏组件并进行功率输出测试和EL测试。本发明中光伏组件测量光辐射后光伏组件的功率衰减来评估光辐射对光伏组件衰减的影响，从而评估光伏组件的性能。
Description
技术领域
本发明属于光伏组件测试领域，具体涉及一种光伏组件光衰减的测试方法。
背景技术
光致衰减(Light-induceddegradation，LID)是指太阳电池或光伏组件在使用初期输出功率大幅度下降后趋于稳定的现象。
通过各项实验证实：晶体硅中硼和间隙氧是引起掺硼Cz-Si太阳能电池光衰减的主要因素。在当前传统的Cz单晶硅中，氧是晶体硅中主要的杂质，原子氧在硅体中处于填隙位置。掺硼Cz-Si太阳能电池经过光照或电流注入，硅体中的硼和氧形成硼氧复合体，从而使少子寿命下降，导致了电池效率及电性能下降，但经过退火处理，硼氧复合体分开，少子寿命可恢复。
在国内，光伏电池的主流产品是以掺硼的P型晶硅太阳能电池为主，因此光致衰减现象无法避免。早期的硅片由于其使用的多晶硅料质量差，硅片生产工艺、设备落后，导致太阳能电池光衰很大，将近10％左右。近些年随着技术不断进步，客户的要求越来越高，硅片生产通过降低硼、氧以及金属杂质的浓度，后续太阳能电池扩散工艺优化、电极接触浆料匹配，不仅使得掺硼的P型晶硅太阳能电池转换效率得到提升，而且光致衰减现象得到明显的控制。目前主流的多晶硅太阳能电池光衰率可控制在1％以内，经过光致衰减后，光伏组件的电性能可能会存在很大差异，从而引起光伏组件输出曲线异常和热斑现象，甚至有可能导致光伏组件的早期失效，故而光伏组件光衰减成为评价光伏组件质量好坏的重要项目之一。
因此，亟需开发一种光伏组件光衰减的测试方法。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种光伏组件光衰减的测试方法。
为了达到上述目的，本发明的技术方案如下：
本发明提供一种光伏组件光衰减的测试方法，包括以下步骤：
步骤一，选取光伏组件并进行初始测试，初始测试包括光伏组件的外观、功率输出测试和EL测试，功率输出测试在标准测试条件下测出光伏组件的短路电流ISC；
步骤二，开启环境箱，预热全光谱的氙灯使得辐照度稳定，预热时间为30～60min。
步骤三，将步骤一中的光伏组件放进环境箱，并测得光伏组件入箱的瞬时短路电流I瞬时sc，同时，根据如下公式计算出光伏组件的即时辐照度，并根据即时辐照度得出所需测试的周期：
E＝(I瞬时sc/ISC)×1000W/m2；
步骤四，待步骤三测试结束后取出光伏组件并进行功率输出测试和EL测试。
本发明中光伏组件测量光辐射后光伏组件的功率衰减来评估光辐射对光伏组件衰减的影响，从而评估光伏组件的性能。
本发明中上述的步骤三中利用万用表测试光伏组件的瞬时短路电流。
在上述技术方案的基础上，还可做如下改进：
作为优选的方案，上述的步骤三在光伏组件的标准测试条件下，每隔5k Wh/m2测试光伏组件的功率。
采用上述优选的方案，光辐射后，每隔5k Wh/m2测试光伏组件的功率，得出光伏组件的功率衰减，若功率衰减不大于2％，则说明光伏组件的质量较好。
作为优选的方案，上述的步骤三在光伏组件的标准测试条件下，先隔20k Wh/m2测试光伏组件的功率，然后每隔5k Wh/m2测试光伏组件的功率，直至前后两次光伏组件功率衰减在0.5％之内。
采用上述优选的方案，光辐射后，每隔5k Wh/m2测试光伏组件的功率，直至前后两次光伏组件功率衰减在0.5％之内，用来评估光伏组件在光辐射下衰减并趋于稳定的程度。
作为优选的方案，上述的步骤三中还设置温度传感器，温度传感器与光伏组件的背面连接。
采用上述优选的方案，温度传感器得出光辐射后光伏组件的温度变化。
具体实施方式
下面详细说明本发明的优选实施方式。
为了达到本发明的目的，在本发明的其中一种实施方式中提供一种光伏组件光衰减的测试方法，包括以下步骤：
步骤一，选取光伏组件并进行初始测试，初始测试包括光伏组件的外观、功率输出测试和EL测试，功率输出测试在标准测试条件下测出光伏组件的短路电流ISC；
步骤二，开启环境箱，预热全光谱的氙灯使得辐照度稳定，预热时间为30～60min。
步骤三，将步骤一中的光伏组件放进环境箱，并测得光伏组件入箱的瞬时短路电流I瞬时sc，同时，根据如下公式计算出光伏组件的即时辐照度，并根据即时辐照度得出所需测试的周期：
E＝(I瞬时sc/ISC)×1000W/m2；
步骤四，待步骤三测试结束后取出光伏组件并进行功率输出测试和EL测试。
本实施方式中光伏组件测量光辐射后光伏组件的功率衰减来评估光辐射对光伏组件衰减的影响，从而评估光伏组件的性能。
本实施方式中上述的步骤三中利用万用表测试光伏组件的瞬时短路电流。
为了进一步地优化本发明的实施效果，在本发明的另一种实施方式中，在前述内容的基础上，上述的步骤三在光伏组件的标准测试条件下，每隔5k Wh/m2测试光伏组件的功率。
采用上述优选的方案，光辐射后，每隔5k Wh/m2测试光伏组件的功率，得出光伏组件的功率衰减，若功率衰减不大于2％，则说明光伏组件的质量较好。
为了进一步地优化本发明的实施效果，在本发明的另一种实施方式中，在前述内容的基础上，上述的步骤三在光伏组件的标准测试条件下，先隔20k Wh/m2测试光伏组件的功率，然后每隔5k Wh/m2测试光伏组件的功率，直至前后两次光伏组件功率衰减在0.5％之内。
采用上述优选的方案，光辐射后，每隔5k Wh/m2测试光伏组件的功率，直至前后两次光伏组件功率衰减在0.5％之内，用来评估光伏组件在光辐射下衰减并趋于稳定的程度。
为了进一步地优化本发明的实施效果，在本发明的另一种实施方式中，在前述内容的基础上，上述的步骤三中还设置温度传感器，温度传感器与光伏组件的背面连接。
采用上述优选的方案，温度传感器得出光辐射后光伏组件的温度变化。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (5)
1.光伏组件光衰减的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，选取光伏组件并进行初始测试，所述初始测试包括光伏组件的外观、功率输出测试和EL测试，功率输出测试在标准测试条件下测出光伏组件的短路电流ISC；
步骤二，开启环境箱，预热全光谱的氙灯使得辐照度稳定，预热时间为30～60min。
步骤三，将步骤一中的光伏组件放进环境箱，并测得光伏组件入箱的瞬时短路电流I瞬时sc，同时，根据如下公式计算出光伏组件的即时辐照度，并根据即时辐照度得出所需测试的周期：
E＝(I瞬时sc/ISC)×1000W/m2；
步骤四，待步骤三测试结束后取出光伏组件并进行功率输出测试和EL测试。
2.根据权利要求1所述的光伏组件光衰减的测试方法，其特征在于，所述步骤三在光伏组件的标准测试条件下，每隔5k Wh/m2测试光伏组件的功率。
3.根据权利要求1所述的光伏组件光衰减的测试方法，其特征在于，所述步骤三在光伏组件的标准测试条件下，先隔20k Wh/m2测试光伏组件的功率，然后每隔5k Wh/m2测试光伏组件的功率，直至前后两次光伏组件功率衰减在0.5％之内。
4.根据权利要求1所述的光伏组件光衰减的测试方法，其特征在于，所述步骤三中利用万用表测试光伏组件的瞬时短路电流。
5.根据权利要求1所述的光伏组件光衰减的测试方法，其特征在于，所述步骤三中还设置温度传感器，温度传感器与光伏组件的背面连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510188695.5A CN104811136B (zh) | 2015-04-21 | 2015-04-21 | 光伏组件光衰减的测试方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510188695.5A CN104811136B (zh) | 2015-04-21 | 2015-04-21 | 光伏组件光衰减的测试方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104811136A true CN104811136A (zh) | 2015-07-29 |
| CN104811136B CN104811136B (zh) | 2017-06-06 |
Family
ID=53695700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510188695.5A Active CN104811136B (zh) | 2015-04-21 | 2015-04-21 | 光伏组件光衰减的测试方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104811136B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106597151A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-04-26 | 中国电力科学研究院 | 一种光伏电站已投运逆变器跟踪效率测试方法及系统 |
| CN108011585A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-05-08 | 米亚索能光伏科技有限公司 | 一种光伏组件的机械耐受性检测方法及系统 |
| CN108198907A (zh) * | 2017-12-30 | 2018-06-22 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种硅片的确定方法及装置 |
| CN110102876A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-09 | 旻投电力发展有限公司 | 一种基于激光的低温组件修复技术 |
| CN111313832A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 米亚索能光伏科技有限公司 | 光伏组件的耐受性能测试方法 |
| CN116800201A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-09-22 | 武汉涛初科技有限公司 | 一种太阳能发电运行监测方法、设备及存储介质 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101762779A (zh) * | 2010-01-18 | 2010-06-30 | 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 | 一种电池片光致衰减测试系统及其测试方法 |
| US20110125431A1 (en) * | 2007-12-05 | 2011-05-26 | Meir Adest | Testing of a Photovoltaic Panel |
| CN103063966A (zh) * | 2013-01-08 | 2013-04-24 | 广州中晶新能源工程有限公司 | 一种光伏发电测试系统 |
-
2015
- 2015-04-21 CN CN201510188695.5A patent/CN104811136B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110125431A1 (en) * | 2007-12-05 | 2011-05-26 | Meir Adest | Testing of a Photovoltaic Panel |
| CN101762779A (zh) * | 2010-01-18 | 2010-06-30 | 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 | 一种电池片光致衰减测试系统及其测试方法 |
| CN103063966A (zh) * | 2013-01-08 | 2013-04-24 | 广州中晶新能源工程有限公司 | 一种光伏发电测试系统 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106597151A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-04-26 | 中国电力科学研究院 | 一种光伏电站已投运逆变器跟踪效率测试方法及系统 |
| CN106597151B (zh) * | 2016-12-02 | 2021-01-15 | 中国电力科学研究院有限公司 | 一种光伏电站已投运逆变器跟踪效率测试方法及系统 |
| CN108011585A (zh) * | 2017-12-26 | 2018-05-08 | 米亚索能光伏科技有限公司 | 一种光伏组件的机械耐受性检测方法及系统 |
| WO2019127307A1 (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 米亚索能光伏科技有限公司 | 一种光伏组件的机械耐受性检测方法及系统 |
| CN108198907A (zh) * | 2017-12-30 | 2018-06-22 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种硅片的确定方法及装置 |
| CN111313832A (zh) * | 2018-12-11 | 2020-06-19 | 米亚索能光伏科技有限公司 | 光伏组件的耐受性能测试方法 |
| CN110102876A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-08-09 | 旻投电力发展有限公司 | 一种基于激光的低温组件修复技术 |
| CN116800201A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-09-22 | 武汉涛初科技有限公司 | 一种太阳能发电运行监测方法、设备及存储介质 |
| CN116800201B (zh) * | 2022-12-07 | 2024-04-26 | 汇耀品尚能源科技(嘉兴)有限公司 | 一种太阳能发电运行监测方法、设备及存储介质 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104811136B (zh) | 2017-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104811136A (zh) | 光伏组件光衰减的测试方法 | |
| Haschke et al. | The impact of silicon solar cell architecture and cell interconnection on energy yield in hot & sunny climates | |
| Engelhart et al. | Q. ANTUM–Q-Cells next generation high-power silicon cell & module concept | |
| Hacke et al. | Test-to-failure of crystalline silicon modules | |
| Yamaguchi et al. | Reduction in the short-circuit current density of silicon heterojunction photovoltaic modules subjected to potential-induced degradation tests | |
| WO2018192229A1 (zh) | 晶体硅太阳能电池片抗光衰能力的检测方法 | |
| CN103336236B (zh) | 一种太阳能电池长期光致衰减性能的监控测试方法 | |
| CN109284879B (zh) | 光伏组件热斑评估方法 | |
| WO2018153167A1 (zh) | 一种便携式光伏组件v-i测试仪及光伏组件测试系统 | |
| CN103545013A (zh) | 一种局部铝背场晶体硅太阳电池专用铝浆及其制备方法 | |
| CN204905279U (zh) | 一种抗光致衰减的太阳电池烧结炉 | |
| CN101857382A (zh) | 一种片状碘氧化铋纳米薄膜电极的制备方法 | |
| CN108091730A (zh) | 一种光伏器件的衰减方法及其衰减测试方法 | |
| CN107275095B (zh) | 一种可用染料敏化太阳能充电的复合型锂离子二次电池 | |
| CN204966525U (zh) | 快速改善p型晶硅电池光致衰减的量产装置 | |
| Hacke et al. | Potential-induced degradation-delamination mode in crystalline silicon modules | |
| CN108615790A (zh) | 一种抑制多晶硅perc电池热辅助光诱导衰减的方法 | |
| CN103123812A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池铝浆 | |
| CN111368491A (zh) | 一种简化的光伏组件双二极管模型建模及参数提取方法 | |
| CN105261677B (zh) | 一种太阳电池片快速光致衰减的方法 | |
| Condorelli et al. | High efficiency hetero-junction: from pilot line to industrial production | |
| CN113594300B (zh) | 一种透光发电玻璃的激光刻划方法 | |
| Broek et al. | Light and current induced degradation in p-type multi-crystalline cells and development of an inspection method and a stabilization method | |
| CN110176511B (zh) | 制备光伏组件的层压机及光伏组件的制备工艺、光伏组件 | |
| CN105915177B (zh) | 一种晶体硅光伏电站pid在线检测方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Suzhou Industrial Park, 215123 Suzhou Road, Jiangsu No. 2, No. 1 building two layer Applicant after: Suzhou Pude certification Ltd. Address before: Suzhou Industrial Park, 215123 Suzhou Road, Jiangsu No. 2, No. 1 building two layer Applicant before: Suzhou Sheng Siqi detection technique Services Co., Ltd |
|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191111 Address after: No. 27, Dongzhong City, Suzhou City, 215000 Jiangsu Province (1 202) Patentee after: Suzhou Yi Energy Management Co., Ltd. Address before: Suzhou Industrial Park, 215123 Suzhou Road, Jiangsu No. 2, No. 1 building two layer Patentee before: Suzhou Pude certification Ltd. |