CN104807561B - 电阻型温度传感芯片的校准电路和校准方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电阻型温度传感芯片的校准电路及校准方法，所述电阻型温度传感芯片包括芯片电路，使得所述电阻型温度传感芯片在每一温度下的输出与所述电阻型温度传感芯片中的感测电阻的电阻值成线性关系；所述校准电路包括比较单元、控制信号产生单元、调节单元；所述比较单元用于接收所述电阻型温度传感芯片在温度T下的输出以及目标参考值，将两者进行比较，输出比较结果；所述控制信号产生单元用于根据所述比较单元输出的比较结果产生控制信号；所述调节单元用于根据所述控制信号调节电阻型温度传感芯片的输出。本发明的校准电路及方法，实现了对芯片内部电路的实际校准，将芯片输出校准在一定范围内，降低了对后续处理芯片的设计要求。

Description

电阻型温度传感芯片的校准电路和校准方法

【技术领域】

本发明涉及电阻型温度传感芯片，特别是涉及一种电阻型温度传感芯片的校准电路和校准方法。

【背景技术】

温度是最普遍的环境变量，温度传感器在很多场合都是非常重要的。温度传感芯片具备能用标准CMOS工艺制造、易于集成、功耗低、体积小等特性，被广泛地应用于各种领域，如消费电子、可穿戴式设备、无线射频识别标签等。

温度传感芯片包括三极管型温度传感芯片和电阻型温度传感芯片等。三极管型温度传感芯片是利用三极管结电压的温度特性来进行设计。由于需要高电源电压以使三极管正常工作，此类三极管型温度传感芯片已不适合不断发展的深亚微米CMOS工艺。因为CMOS工艺中的片上电阻在宽温度范围内具备很好的温度线性度，所以电阻型温度传感芯片正成为温度传感芯片的主流。

电阻型温度传感芯片中，每一个温度下的输出通常正比于该温度下感测电阻的阻值，由于电阻阻值的相关温度参数会随工艺偏差而变化，导致芯片输出会偏离预期值，因此在实际使用中需要涉及电阻型温度传感芯片的校准。现有的电阻型温度传感芯片的校准，大多采用片外两点或者三点来校准。如图1所示，校准系统包括温度测量仪器，温度校准系统，温度测量仪器通过其探头采集待校准芯片的工作环境温度数据，温度校准系统用于采集待校准芯片的对应于工作环境温度下的输出数据。在采集到至少两个温度点下对应的芯片输出数据后，可以拟合得到一条直线，该直线反应了待校准芯片的输出与温度的一一对应关系。后续使用该芯片时，测量其输出数据，比照对应关系直线，从而测得实际温度。在通常的应用情况下，温度传感芯片的输出会传给后续芯片进行处理，当温度芯片的输出极大地偏离预期值时，要求后续处理芯片具备大的可接受输入范围，即增加了后续处理芯片的设计难度。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是：弥补上述现有技术的不足，提出一种电阻型温度传感芯片的校准电路和校准方法，实现了对芯片的内部电路的实际校准，既将芯片输出校准在一定范围内，也降低了对后续处理芯片的设计要求。

本发明的技术问题通过以下的技术方案予以解决：

电阻型温度传感芯片的校准电路，所述电阻型温度传感芯片包括芯片电路，使得所述电阻型温度传感芯片在每一温度下的输出与所述电阻型温度传感芯片中的感测电阻的电阻值成线性关系；所述校准电路用于对待校准的电阻型温度传感芯片的输出进行校准；所述校准电路包括比较单元、控制信号产生单元、调节单元；所述比较单元用于接收所述电阻型温度传感芯片在温度T下的输出以及目标参考值，将两者进行比较，输出比较结果；其中，所述T在23～27℃，所述目标参考值为所述电阻型温度传感芯片在25℃下的预期输出值；所述控制信号产生单元用于根据所述比较单元输出的比较结果产生控制信号；所述调节单元用于根据所述控制信号调节所述感测电阻的电阻值的大小，或者调节所述感测电阻上流过的电流镜像比值，进而调节所述电阻型温度传感芯片的输出。

电阻型温度传感芯片的校准方法，所述电阻型温度传感芯片包括芯片电路，使得所述电阻型温度传感芯片在每一温度下的输出与所述电阻型温度传感芯片中的感测电阻的电阻值成线性关系；对待校准的电阻型温度传感芯片的输出进行校准；包括以下步骤：1)将所述电阻型温度传感芯片在温度T下的输出与目标参考值进行比较，得到比较结果；其中，所述T在23～27℃；所述目标参考值为所述电阻型温度传感芯片在25℃下的预期输出值；2)根据所述比较结果产生控制信号；3)根据所述控制信号调节所述感测电阻的电阻值的大小，或者调节所述感测电阻上流过的电流镜像比值，进而调节所述电阻型温度传感芯片的输出。

本发明与现有技术对比的有益效果是：

本发明的电阻型温度传感芯片的校准电路及校准方法，通比较单元、控制信号产生单元以及调节单元的设置，通过反馈调节，使温度传感芯片在25摄氏度下的输出最终调节到目标参考值。整个调节过程实现了真正意义的校准调节，改变了温度传感芯片中感测电阻的电阻值的大小或者是其上流过的电流镜像比值，最终调节芯片的输出为目标值，而不再是以往只是获取芯片输出值与实际温度值的对应关系表，没有对存在偏差的内部芯片电路进行实际校准，本发明则实现了对内部芯片电路的实际校准，将芯片输出校准在一定范围内，从而既是对电阻型温度传感芯片的一种校准，同时也降低了对与温度传感芯片配合使用的后续处理芯片的设计要求。

【附图说明】

图1是现有技术中温度传感芯片的校准系统的结构示意图；

图2是本发明具体实施方式的校准电路的结构示意图；

图3是本发明具体实施方式的校准电路所校准的温度传感芯片的芯片电路的一种优选结构示意图；

图4是本发明具体实施方式的校准电路中的比较单元的结构示意图；

图5是本发明具体实施方式的校准电路中的控制信号产生单元的结构示意图；

图6a是本发明具体实施方式的温度传感芯片中的感测电阻不经过校准调整时与外部电路的连接示意图；

图6b是本发明具体实施方式的温度传感芯片中的感测电阻增加校准调整后与外部电路的连接示意图。

【具体实施方式】

下面结合具体实施方式并对照附图对本发明做进一步详细说明。

电阻型温度传感芯片中的感测电阻的温度特性可以近似表达为：

R(T)＝R₀(1+TC(T-T₀)) (1)

其中，R(T)表示不同温度下感测电阻的电阻值，R₀为25℃时感测电阻的电阻值，T₀为25℃，TC为电阻温度系数，T表示环境温度。对每个制作完成的电阻而言，电阻阻值R₀和温度系数TC是常数，可以说电阻具备很好的线性度。

当感测电阻应用于温度传感芯片中时，通常会设计一些芯片电路，使得芯片电路的输出与感测电阻的电阻值R(T)呈现一定映射关系，例如设计的某些芯片电路，使得电阻型温度传感芯片在每一温度下的输出与所述电阻型温度传感芯片中的感测电阻的电阻值R(T)成线性关系，即D(T)＝AR(T)+B，其中，D(T)表示芯片在温度T下的输出，A、B分别为常数，由设计的芯片电路的参数决定。这样，通过输出与感测电阻电阻值的关系，以及感测电阻电阻值与温度的温度特性关系式，即可通过温度传感芯片的输出得到芯片所在的环境温度值。

当芯片在制作过程中工艺发生偏差时，芯片中的电路参数会偏离预期值，如感测电阻的电阻阻值、电流镜像比值、电阻温度系数或者芯片电路的电路参数等。例如，在不同的工艺下，电阻阻值R₀的变化幅度会达到20％左右，这将直接导致公式(1)中R₀极大地偏离预期数值，进而导致芯片的输出极大地偏离预期值，无法准确反映环境温度值。通常的解决办法是在片外两个或三个已知温度下进行校准，以得到温度传感芯片实际的输出特性。尽管现有校准方式能实现高准确度，但是其校准过程费时费力，更主要的是，现有校准方式只是得到实际输出与温度之间的对应关系，并不对输出进行校准，其输出仍然极大地偏离预期值，也就增加了后续处理芯片的设计难度。本发明则是设置电路，通过电路对感测电阻的阻值进行自动补偿或者对感测电阻上流过的电流镜像比值等参数进行自动调节，使得芯片在25℃下最终的输出(A R₀+B)为预期值，以解决由于工艺偏差而带来的芯片输出极大地偏离预期值的问题。

本发明的原理如下：在25℃下，测试温度传感芯片的输出。当由于工艺偏差而导致实际的输出不同于预期数值D₀(A R₀+B＝D₀)时，比较单元将检测到这一变化，触发控制电路产生一组数字控制信号，以调整温度传感芯片中的感测电阻值或者电流镜像比值等参数，从而调节实际的输出。重复地比较调整后的芯片的输出与预期数值D₀的大小，直到多次比较后，调整芯片的输出等于或充分接近于预期数值D₀，即可完成对芯片输出特性中A R₀+B项的校准。由于温度系数TC在1×e^-3量级，且随工艺偏差较小(远小于5％)，温度系数TC偏差引入的芯片输出偏差通常很小。通过本发明方法，可以准确校准A R₀+B项的工艺偏差，并把芯片输出控制在一定范围内，降低后续处理芯片的难度。当电阻型温度传感芯片应用于中等准确度需求的应用，而且感测电阻的温度系数TC偏差可以忽略时，只需在室温附近温度(23～27℃)下将实际输出与预期数值D₀进行比较，重复多次的比较、控制及调整过程，就可以完成自动校准，这里不需要知道室温温度的准确性，即可实现芯片输出在一定预期范围，且准确度在±(1～2)℃内，极大了简化了校准方式。

校准电路用于对待校准的电阻型温度传感芯片2中的输出进行校准。校准电路将温度传感芯片的输出与设置的预期数值进行比较，然后产生控制信号，控制调节单元，调整温度传感芯片中的电阻阻值或者电流镜像比值，从而调节实际的输出，最终将输出调整到预期值。

如图2所示，为本具体实施方式的温度传感芯片的校准电路的电路结构示意图。校准电路包括比较单元102、控制信号产生单元103、调节单元104。图中V1，V2分别表示温度传感芯片的芯片电路中连接感测电阻两端的两个端子。校准电路设计简单，大部分单元可用数字电路实现，占用面积小。此外，校准电路仅在芯片工作前的预置状态下工作，在芯片正常工作时处于休眠期，不会引入额外功耗。

本具体实施方式中所校准的温度传感芯片，其输出D(T)与感测电阻的电阻值成正比。T表示实际温度值。这样，芯片的输出更加直接地反映感测电阻的电阻值，也更加直接地反应环境温度值，减小参数B引入的误差。

优选地，如图3所示，为温度传感芯片中的芯片电路的一种优选结构示意图。芯片电路包括提取电路11、时间转换电路12和数字转换电路13。提取电路11用于提取感测电阻连接到芯片电路中时感测电阻中的电流和/或电压。时间转换电路12用于接收感测电阻中的电流和/或电压，根据电流和/或电压得到与感测电阻的电阻值成正比的时间间隔值。数字转换电路13用于将时间间隔值量化为数字输出结果。例如，时间转换电路12可为伪差分的电容充电电路。提取电路11提取到的感测电阻的电流及电压输入到伪差分的电容充电电路中，电容充电电路输出电容两端电压由低电平跳变至高电平的起始时刻t1和终止时刻t2，t2与t1的时间间隔正比于感测电阻的电阻值，也即正比于环境温度。随后，正比于温度的时间间隔被数字转换电路13量化，得到最终的数字输出D(T)。该数字输出正比于感测电阻，其表达式为：

D(T)＝γR(T)＝γR₀(1+TC(T-T₀)＝k(1+TC(T-T₀)) (2)

其中，γ是常数，由时间转换电路12和数字转换电路13的电路参数决定。k＝γR₀，正比于电阻阻值R₀，也可称为截距项。

通过上述芯片电路的设置，即可使得温度传感芯片的输出与感测电阻的电阻阻值R(T)成正比，即γ＝A，B＝0，从而减小输出受其它参数B的影响程度，后续的校准调节更加快速便捷。

图2中，比较单元102用于接收温度传感芯片的输出结果D以及目标参考值，将两者进行比较，输出比较结果。比较单元102可包括第一输入端、第二输入端和输出端。第一输入端用于输入在在温度T(23～27℃)下温度传感芯片2的输出D(T)，第二输入端用于输入所设置的温度传感芯片2在25℃时的预期输出值D₀作为目标参考值D_ref，输出端用于输出第一输入端和第二输入端的大小比较结果Comp。当温度传感芯片要求高校准精确度时，T取25℃，也即第一输入端为25℃下芯片的输出，第二输入端为所设置的25℃时的输出值D₀。当温度传感芯片要求中等校准精确度时，T可取23～27℃中除25℃之外的温度值，不必严格强求温度在25℃下，此时也即第一输入端为该测试芯片在温度T下的输出，第二输入端为所设置的25℃时的输出值D₀。当第一输入端大于第二输入端时，单元输出Comp为高电平，说明芯片的工艺偏差导致电阻阻值等参数偏大，导致芯片输出的实际值偏大。当第一输入端小于或等于第二输入端时，单元输出Comp为低电平，说明芯片的工艺偏差导致电阻阻值等参数偏小或正常，导致芯片输出的实际值偏小或正常。

控制信号产生单元103用于根据比较单元102输出的比较结果Comp产生控制信号。一种情形下，控制信号产生单元103包括第一输入端、第二输入端、第三输入端和输出端。第一输入端用于输入触发自动校准过程的信号S，当S由低电平转换为高电平时，表明系统电路已经完成由温度信号到数字输出信号的转换，即将触发校准电路开始工作。第二输入端用于输入自动校准过程所使用的参考时钟信号Clkauto-cal，参考时钟信号在控制信号产生电路中作为基本时钟，多个参考时钟周期后产生最终的控制信号。第三输入端用于输入比较单元102的比较结果Comp，Comp为高电平或低电平将导致产生不同的控制信号，输出端用于输出所产生的一组多比特数字控制信号C。

优选地，控制信号产生单元103产生的数字信号C可以通过使用逐次逼近寄存器逻辑算法来产生。以由四个时钟周期确定输出四比特控制信号C为例，S触发自动校准电路开始工作时，C设置为“1000”。在第一个时钟周期，如果Comp为低电平，则C的最高位(左起第一位)保持“1”不变，反之，如果Comp为高电平，则C的最高位改变为低电平“0”。除根据Comp调节第一位的值之外，同时将次高位设置为“1”，即第一周期后，C为“1100”或“0100”，简写为“x100”，这里最高位的数值x已经确定为“1”或“0”。在第二个时钟周期，由于C发生变化，其控制的感测电阻的阻值也发生变化，比较电路将比较新的芯片输出D(T)与参考数值Dref的大小关系，得到Comp。如果Comp为低电平，则C的第二位保持“1”不变，反之，如果Comp为高电平，则C的第二位改变为低电平“0”。除此之外，同时还调节第三位的值，将第三位设置为“1”，即C为“x110”或“x010”，简写为“xx10”，这里第二位的数值x已经确定为“1”或“0”。在第三、四个周期，重复上述的工作，依次确定第三位和第四位的数值，即可得到最终的四比特数字信号C。上述说明，仅以四比特控制信号为例进行说明，当为一比特或者其他多比特位的控制信号时，也可参考上述过程设置，在此不重复说明。

调节单元104用于根据所述控制信号调节感测电阻的电阻值的大小，或者调节所述感测电阻上流过的电流镜像比值，进而最终调节电阻型温度传感芯片的输出大小。调节单元104包括输入端、调节控制端；输入端用于输入控制信号产生单元103所产生的一组多比特数字信号C，调节控制端用于作用于感测电阻，直接调节感测电阻的电阻值大小或者通过调节感测电阻上的电流镜像比值，而感测电阻的对外输出端连接芯片电路的端口V1和V2，则通过芯片电路后可影响芯片的输出，间接调节芯片的输出的大小。

调节单元104用来调整感测电阻的电阻或其上流过的电流等变量，最终调节芯片输出的大小。以调整感测电阻的电阻为例，不带校准电路时，感测电阻R₀，其两端分别连接V1和V2两端。增加校准电路后，配合上述四比特控制信号产生单元，在感测电阻连接到外部电路的过程中，除原感测电阻R₀外，将增加额外三个电阻，阻值分别为1/2R₀，1/4R₀，1/8R₀，他们与电阻R₀组成串联电阻，串联后的两端电压分别作为所述感测电阻的对外输出端连接到所述外部电路的两个端子V1和V2。这四个电阻再各自并联一个开关，四个开关由四比特信号C(C3、C2、C1、C0)来控制。具体地，第一开关、第二开关、第三开关和第四开关分别依次并联在所述感测电阻R₀、所述第一电阻1/2R₀、第二电阻1/4R₀、第三电阻1/8R₀的两端，所述第一开关、第二开关、第三开关和第四开关的控制信号输入端分别对应接收所述四比特控制信号的最高比特位至最低比特位的控制信号，即依次为C3、C2、C1、C0。初始状态下，C为“1000”，对应V1和V2之间的等效电阻为R₀。当芯片工艺偏差导致R₀偏大时，25℃下芯片的输出D(T＝25℃)会大于芯片的预期输出D₀，导致比较单元的输出Comp为高，第一个时钟周期内，触发控制信号产生电路的输出为“0100”，即减小V1和V2之间的等效电阻为1/2R₀。再经过三个周期的比较，最终产生合适的控制信号C，其控制四个电阻的并联开关，使得V1和V2之间的等效电阻充分接近或等于感测电阻的预期值，进而使得芯片的输出为预期输出D₀。如果要通过改变电流镜像比值来调整，可以增加三个电流镜像电路，应用类似的控制原理进行控制和操作，最终使得芯片的输出充分接近或等于预期输出D₀。

另外，如果控制信号产生单元输出的是n比特的控制信号，则相应调节单元包括n个开关和n-1个电阻，第k电阻的阻值为k＝1、2…n-1，R₀表示所述感测电阻在25℃下的预期值。所述n-1个电阻与所述感测电阻串联，串联的两端分别作为所述感测电阻的对外输出端连接到芯片电路中；第一开关至第n开关分别依次并联在所述感测电阻、第一电阻至第n-1电阻的两端，第一开关至第n开关的控制信号输入端分别对应接收所述n比特控制信号中最高比特位至最低比特位的控制信号。

通过上述校准电路的工作，可以检测由于电路参数变化而导致的k值的正负偏移，从而控制调节单元进行调整，最终调整电路参数，使得芯片输出充分接近或等于预期值。

图4是数字比较单元电路图。这里以四比特芯片输出为例。数字比较单元的功能是比较两个四比特数字输入的大小。此数字比较单元为全数字电路，两个四比特输入D[3]、D[2]、D[1]、D[0]与Dref[3]、Dref[2]、Dref[1]、Dref[0]，经过一系列标准CMOS逻辑门后得到相应输出信号Comp。

图5是控制信号产生单元电路图。这里以四比特控制信号为例。此控制信号产生单元用典型的逐次逼近寄存器逻辑算法来实现，包含十个触发器，为全数字电路。当输入信号S由低电平转换为高电平时，将触发校准电路开始工作，四比特C预设为“1000”。在后续的四个时钟周期里，根据Comp为高电平或低电平，依次调整输出信号C，在第五个周期得到C的最终值。如果为n比特控制信号。相应地，增加触发器的个数相应设置成多比特的控制信号输出。

图6是调节单元以调节电阻为例时的电路结构图。图6a是原感测电阻R₀与外部电路连接的示意图。其两端分别连接芯片电路中的端子V1和V2。图6b是包含了调节电路部分的感测电阻R₀与芯片电路连接的示意图。图6b将直接替代图6a连接到芯片电路对应的两个端子V1和V2节点之间。由四比特输入信号C(C3，C2，C1，C0)来控制并联开关，调整V1和V2之间的等效电阻。

以上所述，仅以四比特的情形为例进行示意，其他比特的情形可参照实施。另外，也可通过其他的数字电路或者模拟电路实现上述比较、控制以及调整，在此不一一列举说明。

本具体实施方式的校准电路通过引入比较及控制、调整单元，自动校准温度传感芯片中由于电阻阻值等电路参数变化而带来的误差。校准过程通过电路自动实现，且实现了真正意义上的补偿校准，通过调节感测电阻的电阻值或者其上流过的电流镜像比值，最终调节芯片的输出为预期值。而不再是以往使用有偏差的输出，对照查询表格获取测量温度，本具体实施方式则实现了对内部芯片电路的实际校准，将芯片输出校准控制在一定范围内，既是对电阻型温度传感芯片的一种校准，同时也降低了对与温度传感芯片配合使用的后续处理芯片的设计要求。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下做出若干替代或明显变型，而且性能或用途相同，都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (10)

1.电阻型温度传感芯片的校准电路，所述电阻型温度传感芯片包括芯片电路，使得所述电阻型温度传感芯片在每一温度下的输出与所述电阻型温度传感芯片中的感测电阻的电阻值成正比关系；所述感测电阻的电阻值与温度成线性关系：R(T)＝R₀(1+TC(T-T₀))，其中，R(T)表示不同温度下感测电阻的电阻值，R₀为25℃时感测电阻的电阻值，T₀为25℃，TC为电阻温度系数，T表示环境温度；其特征在于：所述校准电路用于对待校准的电阻型温度传感芯片的输出进行校准；所述校准电路包括比较单元、控制信号产生单元、调节单元；所述比较单元仅用于接收所述电阻型温度传感芯片在温度T下的输出以及目标参考值，将两者进行比较，输出比较结果；其中，所述T在23～27℃，所述目标参考值为所述电阻型温度传感芯片在25℃下的预期输出值；所述控制信号产生单元用于根据所述比较单元输出的比较结果产生控制信号；所述调节单元用于根据所述控制信号调节所述感测电阻的电阻值的大小，或者调节所述感测电阻上流过的电流镜像比值，进而调节所述电阻型温度传感芯片的输出。

2.根据权利要求1所述的电阻型温度传感芯片的校准电路，其特征在于：所述电阻型温度传感芯片在每一温度下的输出与所述感测电阻的电阻值成正比。

3.根据权利要求1或2所述的电阻型温度传感芯片的校准电路，其特征在于：所述芯片电路包括提取电路、时间转换电路和数字转换电路，所述提取电路用于提取所述感测电阻连接到所述芯片电路中时所述感测电阻中的电流和/或电压，所述时间转换电路用于接收所述感测电阻中的电流和/或电压，根据所述电流和/或电压得到与所述感测电阻的电阻值成正比的时间间隔值；所述数字转换电路用于将所述时间间隔值量化为数字输出结果，作为所述电阻型温度传感芯片的输出。

4.根据权利要求1所述的电阻型温度传感芯片的校准电路，其特征在于：所述T取25℃。

5.根据权利要求1所述的电阻型温度传感芯片的校准电路，其特征在于：所述比较单元为由多个CMOS逻辑门电路组成的比较电路。

6.根据权利要求1所述的电阻型温度传感芯片的校准电路，其特征在于：所述控制信号产生单元包括第一输入端、第二输入端、第三输入端和输出端；第一输入端用于输入触发校准过程的信号，第二输入端用于输入校准过程所使用的参考时钟信号，第三输入端用于输入所述比较单元的比较结果，输出端用于输出所产生的一组多比特数字信号。

7.根据权利要求1所述的电阻型温度传感芯片的校准电路，其特征在于：所述控制信号产生单元包括由多个CMOS逻辑门电路组成的逐次逼近寄存器电路。

8.根据权利要求1所述的电阻型温度传感芯片的校准电路，其特征在于：所述控制信号产生单元输出n比特控制信号；所述调节单元包括n个开关和n-1个电阻，第k电阻的阻值为R₀表示所述感测电阻在25℃下的预期值；所述n-1个电阻与所述感测电阻串联，串联的两端分别作为所述感测电阻的对外输出端连接到所述芯片电路中；第一开关至第n开关分别依次并联在所述感测电阻、第一电阻至第n-1电阻的两端，第一开关至第n开关的控制信号输入端分别对应接收所述n比特控制信号中最高比特位至最低比特位的控制信号。

9.根据权利要求8所述的电阻型温度传感芯片的校准电路，其特征在于：所述控制信号产生单元输出四比特控制信号；所述调节单元包括四个开关和三个阻值分别为1/2R₀、1/4R₀和1/8R₀的第一电阻、第二电阻和第三电阻；其中，R₀表示所述感测电阻在25℃下的预期值；所述第一电阻、第二电阻和第三电阻与所述感测电阻串联连接，串联的两端分别作为所述感测电阻的对外输出端连接到所述芯片电路中；所述第一开关、第二开关、第三开关和第四开关分别依次并联在所述感测电阻、所述第一电阻、第二电阻、第三电阻的两端，所述第一开关、第二开关、第三开关和第四开关的控制信号输入端分别对应接收所述四比特控制信号的最高比特位至最低比特位的控制信号。

10.电阻型温度传感芯片的校准方法，所述电阻型温度传感芯片包括芯片电路，使得所述电阻型温度传感芯片在每一温度下的输出与所述电阻型温度传感芯片中的感测电阻的电阻值成正比关系；其特征在于：对待校准的电阻型温度传感芯片的输出进行校准；所述感测电阻的电阻值与温度成线性关系：R(T)＝R₀(1+TC(T-T₀))，其中，R(T)表示不同温度下感测电阻的电阻值，R₀为25℃时感测电阻的电阻值，T₀为25℃，TC为电阻温度系数，T表示环境温度；包括以下步骤：1)仅将所述电阻型温度传感芯片在温度T下的输出与目标参考值进行比较，得到比较结果；其中，所述T在23～27℃；所述目标参考值为所述电阻型温度传感芯片在25℃下的预期输出值；2)根据所述比较结果产生控制信号；3)根据所述控制信号调节所述感测电阻的电阻值的大小，或者调节所述感测电阻上流过的电流镜像比值，进而调节所述电阻型温度传感芯片的输出。