CN104797538B - 平板玻璃的制造方法和平板玻璃的制造装置 - Google Patents
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Abstract
一种平板玻璃的制造方法,将熔融玻璃从流道出口唇板连续地供给至浮抛窑内的熔融锡上,且使与以空出间隔的方式设置于所述流道出口唇板的下方的砖接触的熔融玻璃在所述熔融锡上流动,其中:使用发热体加热所述砖,该发热体设置于所述流道出口唇板与所述砖之间,且设置于比所述砖的与熔融玻璃的接触面的更上游侧,并且,向所述流道出口唇板与所述砖之间的间隙空间吹入惰性气体。
Description
技术领域
本发明涉及平板玻璃的制造方法和平板玻璃的制造装置。
背景技术
平板玻璃的制造装置将熔融玻璃连续地供给至浮抛窑内的熔融锡上,使其向下游方向流动而形成带板状的玻璃带。浮抛窑内的空间通过间隔壁(前过梁(front lintel))而隔成下游侧的主空间和上游侧的流道出口(spout)空间。主空间比流道出口空间充分地大,且为了防止熔融锡的氧化而由还原性气体充满。
该平板玻璃的制造装置为通过配置在流道出口空间中的流道出口唇板而将熔融玻璃供给至浮抛窑内的熔融锡上。供给至熔融锡上的熔融玻璃形成向下游方向流动的主流(前流(front flow))和朝向以空出间隔的方式设置于流道出口唇板的下方的砖逆流的支流(回流(back flow))。通过埋设在砖的内部的发热体,将熔融锡上的熔融玻璃加热(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-131525号公报
发明内容
发明所要解决的课题
如果发热体埋设在砖的内部,则在砖被熔融玻璃或熔融锡侵蚀时,有时发热体的成分在熔融玻璃等中溶出。而且,如果发热体埋设在砖的内部,则难以仅更换发热体。
因此,考虑在砖的外部设置发热体,但是在这种情况下,从熔融玻璃蒸发的成分等会附着于发热体的表面。如果该附着物落于熔融锡上的熔融玻璃处,则成为玻璃的破裂或缺陷的原因。另外,在将发热体设置在砖的外部的情况下,发热体与周边气氛发生反应而逐渐劣化。
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于提供一种能够抑制发热体的附着物落于熔融锡上的熔融玻璃处,且能够抑制发热体的劣化的平板玻璃的制造方法和平板玻璃的制造装置。
用于解决课题的技术手段
为了解决上述课题,根据本发明一个方式的平板玻璃的制造方法,将熔融玻璃从流道出口唇板连续地供给至浮抛窑内的熔融锡上,且使与以空出间隔的方式设置于所述流道出口唇板的下方的砖接触的熔融玻璃在所述熔融锡上流动,其中
使用发热体加热所述砖,该发热体设置于所述流道出口唇板与所述砖之间,且设置于比所述砖的与熔融玻璃的接触面的更上游侧,
而且,向所述流道出口唇板与所述砖之间的间隙空间吹入惰性气体。
另外,根据本发明另一方式的平板玻璃的制造装置,其包含:
流道出口唇板,其将熔融玻璃连续地供给至浮抛窑内的熔融锡上;
砖,其以空出间隔的方式设置于该流道出口唇板的下方,且与从所述流道出口唇板供给的熔融玻璃接触;
发热体,其设置于所述流道出口唇板与所述砖之间,且设置于比所述砖的与熔融玻璃的接触面更上游侧;以及
惰性气体供给部,其向所述流道出口唇板与所述砖之间的间隙空间吹入惰性气体。
发明效果
根据本发明的一个方式,提供一种能够抑制发热体的附着物落于熔融锡上的熔融玻璃处,且能够抑制发热体的劣化的平板玻璃的制造方法和平板玻璃的制造装置。
附图说明
图1为表示第1实施方式中的平板玻璃的制造装置的主要部分的剖面图。
图2为示意性地表示图1的熔融锡上的熔融玻璃的流动的俯视图。
图3为表示第2实施方式中的平板玻璃的制造装置的主要部分的剖面图。
具体实施方式
以下,参照附图对用于实施本发明的方式进行说明。需要说明的是,在各附图中,对于相同或对应的构成赋予相同或对应的符号并省略其说明。在各附图中,箭头A方向表示下游方向,箭头B方向表示上游方向。
(第1实施方式)
图1为表示第1实施方式中的平板玻璃的制造装置的主要部分的剖面图。图2为示意性地表示图1的熔融锡上的熔融玻璃的流动的俯视图。
如图1所示,平板玻璃的制造装置将熔融玻璃30连续地供给至浮抛窑10内的熔融锡20上,且使供给的熔融玻璃30在熔融锡20上流动而成形为带板状的玻璃带30A。成形后的玻璃带30A在浮抛窑10的下游区域中被从熔融锡20提起,且被运送至缓慢冷却炉内,缓慢冷却后切断为特定的尺寸,而成为平板玻璃。
浮抛窑10内的空间11通过间隔壁(前过梁)17而隔成下游侧的主空间111和上游侧的流道出口空间112。主空间111比流道出口空间112充分地大。
在主空间111中,为了防止熔融锡20的氧化,供给还原性气体。还原性气体例如可为氮气与氢气的混合气体,且包含85体积%~98.5体积%的氮气、1.5体积%~15体积%的氢气。
对主空间111供给还原性气体的还原性气体供给部60,由设置在形成主空间111的顶面的顶板12上的孔等构成。
平板玻璃的制造装置包括:流道出口唇板14,其将熔融玻璃30连续地供给至浮抛窑10内的熔融锡20上;以及砖15,其以空出间隔的方式设置于流道出口唇板14的下方,且与从流道出口唇板14供给的熔融玻璃30接触。流道出口唇板14、砖15设置于浮抛窑10的前壁13处。流道出口唇板14和砖15由氧化铝质、氧化锆质等的耐火物构成。
流道出口唇板14、砖15和从砖15开始倾斜地延伸的侧壁16优选由以重量%计ZrO2为85%以上且97%以下,剩余部分为以SiO2为主体的玻璃质的热熔融耐火物构成。热熔融耐火物为使耐火物的原料在高温下熔融并再结晶而形成的耐火物。热熔融耐火物ZrO2为主要作为斜锆石晶体而存在。热熔融耐火物的剩余部分为以SiO2为主体的玻璃质,且存在于ZrO2的斜锆石晶体的晶界,将热熔融耐火物致密化。该玻璃质中除SiO2以外,还可含有微量的Al2O3、Na2O、P2O5等。该热熔融耐火物的耐热性优异,且可抑制因与熔融玻璃30的反应等而产生泡,另外,也可抑制在玻璃带30A的流动方向上产生的微细条纹。在熔融玻璃为无碱玻璃、特别是含有硼酸的无碱玻璃的情况下是较有效的。
作为无碱玻璃的具体例子,可以列举含有以下成分的无碱玻璃:以氧化物基准的质量百分率表示,
SiO2:50%~73%
Al2O3:10.5%~24%
B2O3:0%~12%
MgO:0%~8%
CaO:0%~14.5%
SrO:0%~24%
BaO:0%~13.5%
MgO+CaO+SrO+BaO:8%~29.5%
ZrO2:0%~5%。
在应变点高且考虑熔解性的情况下,优选可以列举含有以下成分的无碱玻璃:以氧化物基准的质量百分率表示,
SiO2:58%~66%
Al2O3:15%~22%
B2O3:5%~12%
MgO:0%~8%
CaO:0%~9%
SrO:3%~12.5%
BaO:0%~2%
MgO+CaO+SrO+BaO:9%~18%。
特别是在考虑高应变点的情况下,优选可以列举含有以下成分的无碱玻璃:以氧化物基准的质量百分率表示,
SiO2:54%~73%
Al2O3:10.5%~22.5%
B2O3:0%~5.5%
MgO:0%~8%
CaO:0%~9%
SrO:0%~16%
BaO:0%~2.5%
MgO+CaO+SrO+BaO:8%~26%。
需要说明的是,在本实施方式中,流道出口唇板14、砖15、左侧的侧壁16、以及右侧的侧壁16全部由上述热熔融耐火物构成,但是也可以不是全部由上述热熔融耐火物构成。只要至少一者由上述热熔融耐火物构成,则可在某种程度上得到上述效果。
可以在流道出口唇板14上流动的熔融玻璃30的左右两侧,配设用于防止熔融玻璃30从流道出口唇板14向左右溢出的横壁。在设置有该横壁的情况下,包含该横壁在内称为流道出口唇板14。
从流道出口唇板14供给至熔融锡20上的熔融玻璃30,为由流道控制闸板19进行流量调节。如图2所示,从流道出口唇板14的前端部142供给至熔融锡20上的熔融玻璃30形成向下游方向流动的主流(前流)31和朝向砖15向上游方向逆流的支流(回流)32。
支流32包含与流道出口唇板14接触的部分,因此,包含因与流道出口唇板14的反应而产生的泡。该支流32在朝向砖15逆流之后,沿着砖15左右分开而流动。左右分开的支流32分别沿着从砖15开始倾斜地延伸的侧壁16流动,且在主流31的宽度方向端部处汇合。因此,可将泡集中在玻璃带30A的宽度方向端部,从而可以从玻璃带30A的宽度方向中央部切出缺陷少的制品。
侧壁16以使左右分开的支流32分别易于在主流31的宽度方向端部处汇合的方式从砖15开始倾斜地延伸。侧壁16为以越向下游侧行进则越朝向宽度方向外侧的方式倾斜地延伸。
如图1所示,平板玻璃的制造装置为了提高向上游方向逆流的支流32的流动性且使支流32的流动稳定化,而具有对砖15进行加热的发热体40。发热体40设置在流道出口唇板14与砖15之间,且通过对砖15进行加热而同时加热熔融锡20上的熔融玻璃30。
发热体40可以以比玻璃的失透温度高10℃~50℃的温度加热砖15周边的熔融玻璃30。可以防止砖15周边处的玻璃的失透。
发热体40设置在流道出口唇板14与砖15之间,且设置在砖15的外部。因此,在砖15被熔融玻璃30或熔融锡20侵蚀时,发热体40或发热体40的附着物的成分不会溶出至熔融玻璃30或熔融锡20中。另外,可以仅更换发热体40。
发热体40设置在比砖15的与熔融玻璃30的接触面152更上游侧。即,发热体40设置在俯视时不与熔融锡20上的熔融玻璃30重叠的位置。因此,发热体40的附着物不易落于熔融锡20上的熔融玻璃30处,因而玻璃不易产生破裂或缺陷。需要说明的是,发热体40可对应于砖15的侵蚀而通过适当的驱动装置或手动方式进行移动。
发热体40为由对于还原性气体的耐腐蚀性优异的材料形成。作为发热体40的材料,并没有特别的限定,例如有碳化硅(SiC)、碳化硅(SiC)与金属硅(Si)的复合材料、氮化硅(Si3N4)等。发热体40也可以为由氧化铝等陶瓷材料覆盖而形成的发热体。
发热体40可以为棒状,且相对于砖15的与熔融玻璃30的接触面152平行地设置。支流32易于沿着砖15向左右流动。
发热体40在俯视时可以位于砖15的外缘154(参照图2)的内侧,且可比砖15短。砖15的加热效率良好。
发热体40的开口气孔率(JIS(日本工业标准)R 1634)优选为15%以下,更优选为10%以下。如果开口气孔率超过15%,则暴露于周边气氛的发热体40的表面积过大,发热体40易于劣化。
发热体40优选为圆筒形状,且具有20mm~40mm的外径。如果为方柱形状,则易于局部发热,易于劣化。另外,如果为实心而非中空,则发热体40的原料成本增加。进一步地,如果外径大于40mm,则必需大的设置空间。另一方面,如果外径小于20mm,则在发热体40的发热量相同的情况下,发热体40的外表面温度过高,发热体40易于劣化。
平板玻璃的制造装置还具有向流道出口唇板14与砖15之间的间隙空间113吹入惰性气体的第1惰性气体供给部50。作为吹入至间隙空间113的惰性气体,可以使用氮气、氩气等。通过向间隙空间113吹入惰性气体,可以使发热体40的周边气氛惰性化,可以抑制发热体40的劣化。另外,通过向间隙空间113吹入惰性气体,可以使发热体40的周边气氛中的氯化氢气体的浓度降低,从而可抑制因氯化氢气体所致的发热体40的劣化。
需要说明的是,氯化氢气体为从熔融玻璃30蒸发的氯气与供给至主空间111的氢气发生反应而生成。氯气从熔融玻璃30蒸发的原因在于:存在氯化物作为不可避免的杂质包含在玻璃原料中的情况。
距发热体40的外表面10mm的位置处的气氛中的氯化氢气体的浓度优选为以体积比计为150ppm以下。如果氯化氢气体的浓度以体积比计超过150ppm,则发热体40易于劣化。
第1惰性气体供给部50可以向间隙空间113连续地吹入惰性气体。其吹入量优选为对于棒状的发热体40的每1m长度为2Nl(公升)/min~15Nl/min。如果惰性气体的吹入量过多,则熔融锡20上的熔融玻璃30被冷却,会损及支流32的流动性。另一方面,如果惰性气体的吹入量过少,则无法充分地获得使发热体40的周边气氛惰性化的效果。
需要说明的是,本实施方式的第1惰性气体供给部50向间隙空间113连续地吹入惰性气体,但是也可以不连续地吹入。
第1惰性气体供给部50可以由至少一部分暴露于浮抛窑10内的气体的惰性气体供给管等构成。利用浮抛窑10内的高温气体温热惰性气体供给管50,对在惰性气体供给管50的内部流动的惰性气体进行预热。由于预热后的惰性气体吹入至间隙空间113,所以间隙空间113的温度变动小,因而熔融玻璃30的温度变动小。
需要说明的是,也可以将预先温热至特定温度的惰性气体导入至惰性气体供给管50。
惰性气体供给管50由对于还原性气体的耐腐蚀性优异的材料构成,例如由氧化铝等陶瓷材料构成。
惰性气体供给管50设置在比流道出口唇板14更下方且比砖15更上方的位置。惰性气体供给管50可以设置在比砖15的与熔融玻璃30的接触面152更上游侧。即,惰性气体供给管50可以设置在俯视时不与熔融锡20上的熔融玻璃30重叠的位置处。在惰性气体供给管50破损的情况下,破损物不易落于熔融玻璃30处,因而玻璃不易产生破裂或缺陷。需要说明的是,惰性气体供给管50可以对应于砖15的侵蚀而通过适当的驱动装置或手动方式进行移动。
惰性气体供给管50例如可以从间隙空间113的两侧吹入惰性气体的方式设置有多个(例如1对)。设置在惰性气体供给管50的前端的吹出口54可以设置在间隙空间113外,且利用风压向间隙空间113吹入惰性气体。
需要说明的是,本实施方式的吹出口54设置在间隙空间113外,但是也可以设置在间隙空间113内。另外,本实施方式的吹出口54设置在惰性气体供给管50的前端,但是也可以设置在中途。
惰性气体供给管50的吹出口54可以设置在比发热体40更上方的位置。其原因在于:自吹出口54吹出的惰性气体因比间隙空间113的气体冷且重,因此在从吹出口54吹出之后,形成自上向下的流动。
另外,平板玻璃的制造装置还具有对流道出口空间112中的比流道出口唇板14更上方的上方空间114供给惰性气体的第2惰性气体供给部70。作为供给至上方空间114的惰性气体,可以使用氮气、氩气等。可以降低上方空间114中的氢气浓度,在流道控制闸板19或流道出口唇板14由铂或铂合金覆盖的情况下,可以抑制覆盖层因氢气而劣化。
第2惰性气体供给部70可以向上方空间114连续地吹入惰性气体,也可以不连续地吹入。
第2惰性气体供给部70可以与第1惰性气体供给部50同样地由至少一部分暴露于浮抛窑10内的气体的惰性气体供给管等构成。利用浮抛窑10内的高温气体温热惰性气体供给管,对在惰性气体供给管的内部流动的惰性气体进行预热。因为预热后的惰性气体吹入至上方空间114,所以上方空间114的温度变动小,熔融玻璃30的温度变动小。
(第2实施方式)
本实施方式为关于对间隙空间113供给惰性气体的第1惰性气体供给部的变化例。
图3为表示第2实施方式中的平板玻璃制造装置的主要部分的剖面图。如图3所示,第1惰性气体供给部50A通过向间隙空间113吹入惰性气体,而在发热体40附近形成惰性气体流。因此,还原性气体或氯化氢气体不易接近发热体40,从而可以抑制发热体40的劣化。另外,从熔融玻璃30蒸发的成分不易接近发热体40,从而可抑制发热体40的附着物的生成。
在发热体40附近形成的惰性气体流期望为从发热体40朝向下方的流动。其原因在于:如果形成自发热体40朝向熔融锡20上的熔融玻璃30的流动,则因构成该流动的惰性气体比周边的气体冷,所以会损害支流32的流动性。另外,其原因在于:如果形成自发热体40朝向熔融锡20上的熔融玻璃30的流动,则发热体40的附着物会被搬运至熔融锡20上的熔融玻璃30。
第1惰性气体供给部50A可以由至少一部分暴露于浮抛窑10内的气体的惰性气体供给管等构成。惰性气体供给管50A可以对应于发热体40伴随砖15的侵蚀所致的移动而通过适当的驱动装置或手动方式进行移动。
在本实施方式中,与上述第1实施方式不同,惰性气体供给管50A的吹出口54A设置在间隙空间113内。例如,如图3所示,吹出口54A位于发热体40的斜上方,且朝向发热体40的上方吹出惰性气体。从吹出口54A吹出的惰性气体因比间隙空间113内的气体冷且重,所以在从吹出口54A吹出之后,形成自上向下的流动。从而在发热体40附近形成惰性气体流。
需要说明的是,在本实施方式中,吹出口54A位于发热体40的斜上方,但是本发明并不限定于此。例如,吹出口54A也可以位于发热体40的上方,且朝向发热体40吹出惰性气体。
吹出口54A既可以为单个,也可以为多个。多个吹出口54A可以沿着惰性气体供给管50A的轴方向以等间隔排列,也可以不等间隔排列。总之,只要可以在发热体40周边的氢气或氯化氢气体的浓度高的区域形成惰性气体流即可。
需要说明的是,本实施方式中的第1惰性气体供给部50A可以代替第1实施方式中的第1惰性气体供给部50来使用。
实施例
(实施例1)
在实施例1中,使用图1所示的平板玻璃的制造装置制造无碱玻璃板。对于吹入至流道出口唇板与砖之间的间隙空间的惰性气体,使用氮气。该氮气的吹入量设定为对于圆筒形状的发热体的每1m长度为6Nl/min。对于发热体的材料,使用碳化硅。
需要说明的是,流道出口唇板、砖、以及从砖开始倾斜地延伸的左右的侧壁由含有94重量%的ZrO2、4重量%的SiO2、1重量%的Al2O3、0.3重量%的Na2O的热熔融耐火物构成。
其结果是,在实施例1中,可以6周不更换发热体而连续地制造无碱玻璃板。距发热体的长边方向中央的外表面向下方10mm位置处的气氛中的氯化氢气体的浓度为通过氯化氢检测管(光明理化学工业社制,管编号(Tube No.)173SA(20-1200ppm))而测定,结果以体积比计为150ppm。
(比较例1)
在比较例1中,不向流道出口唇板与砖之间的间隙空间吹入惰性气体,除此以外,以与实施例1相同的方式制造无碱玻璃板。
其结果是,在比较例1中,新的发热体2周就因多孔化而异常发热,因而必须更换发热体。距发热体的长边方向中央的外表面向下方10mm位置处的气氛中的氯化氢气体的浓度以体积比计为500ppm。
以上,对平板玻璃的制造装置和平板玻璃的制造方法的实施方式等进行了说明,但本发明并不限定于上述实施方式等,可在权利要求所记载的本发明主旨的范围内进行各种变形、改良。
本申请要求基于2012年12月11日向日本专利局提出的日本专利申请2012-270385号的优先权,并将日本专利申请2012-270385号的全部内容引用至本申请中。
符号说明
10 浮抛窑
11 浮抛窑内的空间
111 主空间
112 流道出口空间
113 间隙空间
114 上方空间
14 流道出口唇板
15 砖
152 砖的与熔融玻璃的接触面
154 砖的外缘
16 从砖开始倾斜地延伸的侧壁
17 间隔壁(前过梁)
20 熔融锡
30 熔融玻璃
30A 玻璃带
40 发热体
50 第1惰性气体供给部
54 吹出口
60 还原性气体供给部
70 第2惰性气体供给部
Claims (18)
1.一种平板玻璃的制造方法,将熔融玻璃从流道出口唇板连续地供给至浮抛窑内的熔融锡上,且使与以空出间隔的方式设置于所述流道出口唇板的下方的砖接触的熔融玻璃在所述熔融锡上流动,其中
使用发热体加热所述砖,该发热体设置于所述流道出口唇板与所述砖之间,且设置于比所述砖的与熔融玻璃的接触面的更上游侧,
并且,向所述流道出口唇板与所述砖之间的间隙空间吹入惰性气体。
2.根据权利要求1所述的平板玻璃的制造方法,其中,
向所述间隙空间吹入所述惰性气体,在所述发热体的附近形成所述惰性气体流。
3.根据权利要求1或2所述的平板玻璃的制造方法,其中,
向所述间隙空间吹入所述惰性气体的惰性气体供给管的至少一部分暴露于所述浮抛窑内的气体。
4.根据权利要求1或2所述的平板玻璃的制造方法,其中,
所述惰性气体向所述间隙空间的吹入量对于棒状的所述发热体的每1m长度为2Nl/min~15Nl/min。
5.根据权利要求1或2所述的平板玻璃的制造方法,其中,
所述发热体的开口气孔率为15%以下。
6.根据权利要求1或2所述的平板玻璃的制造方法,其中,
所述发热体为棒状,且相对于所述砖的与熔融玻璃的接触面平行地配设,且在俯视时位于所述砖的外缘的内侧。
7.根据权利要求1或2所述的平板玻璃的制造方法,其中,
所述发热体为圆筒形状,且具有20mm~40mm的外径。
8.根据权利要求1或2所述的平板玻璃的制造方法,其中,
所述浮抛窑内的空间通过间隔壁而被隔成设置有所述流道出口唇板的上游侧的流道出口空间、以及下游侧的主空间,
对所述主空间供给还原性气体,并且,对所述流道出口空间中的比所述流道出口唇板更上方的上方空间供给惰性气体。
9.根据权利要求1或2所述的平板玻璃的制造方法,其中,
从所述砖开始倾斜地延伸的侧壁、所述流道出口唇板、以及所述砖中的至少一者,由以重量%计ZrO2为85%以上且97%以下、剩余部分为以SiO2为主体的玻璃质的热熔融耐火物构成。
10.一种平板玻璃的制造装置,具有:
流道出口唇板,其将熔融玻璃连续地供给至浮抛窑内的熔融锡上;
砖,其以空出间隔的方式设置于该流道出口唇板的下方,且与从所述流道出口唇板供给的熔融玻璃接触;
发热体,其设置于所述流道出口唇板与所述砖之间,且设置于比所述砖的与熔融玻璃的接触面的更上游侧;以及
第1惰性气体供给部,其向所述流道出口唇板与所述砖之间的间隙空间吹入惰性气体。
11.根据权利要求10所述的平板玻璃的制造装置,其中,
所述第1惰性气体供给部向所述间隙空间吹入所述惰性气体,在所述发热体的附近形成所述惰性气体流。
12.根据权利要求10或11所述的平板玻璃的制造装置,其中,
所述第1惰性气体供给部包含至少一部分暴露于所述浮抛窑内的气体的惰性气体供给管。
13.根据权利要求10或11所述的平板玻璃的制造装置,其中,
所述惰性气体向所述间隙空间的吹入量对于棒状的所述发热体的每1m长度为2Nl/min~15Nl/min。
14.根据权利要求10或11所述的平板玻璃的制造装置,其中,
所述发热体的开口气孔率为15%以下。
15.根据权利要求10或11所述的平板玻璃的制造装置,其中,
所述发热体为棒状,且相对于所述砖的与熔融玻璃的接触面平行地配设,且在俯视时位于所述砖的外缘的内侧。
16.根据权利要求10或11所述的平板玻璃的制造装置,其中,
所述发热体为圆筒形状,且具有20mm~40mm的外径。
17.根据权利要求10或11所述的平板玻璃的制造装置,具有:
间隔壁,其将所述浮抛窑内的空间隔成下游侧的主空间和上游侧的流道出口空间;
还原性气体供给部,其对所述主空间供给还原性气体;以及
第2惰性气体供给部,其对所述流道出口空间中的比所述流道出口唇板更上方的上方空间供给惰性气体。
18.根据权利要求10或11所述的平板玻璃的制造装置,其中,
从所述砖倾斜地延伸的侧壁、所述流道出口唇板、以及所述砖中的至少一者,由以重量%计ZrO2为85%以上且97%以下、剩余部分为以SiO2为主体的玻璃质的热熔融耐火物构成。
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JP2012270385A JP2016028986A (ja) | 2012-12-11 | 2012-12-11 | 板ガラスの製造方法、および板ガラスの製造装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3508902A (en) * | 1966-06-17 | 1970-04-28 | Ppg Industries Inc | Wetback heating apparatus |
CN1446764A (zh) * | 2002-03-06 | 2003-10-08 | 舱壁玻璃公司 | 在生产浮法玻璃时通过溢流砖(出液端)输送玻璃熔体的装置 |
CN1962499A (zh) * | 2005-11-10 | 2007-05-16 | 肖特股份有限公司 | 平板玻璃、尤其可转变成玻璃陶瓷的浮法玻璃的制造方法 |
Patent Citations (3)
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PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Tokyo, Japan Patentee after: AGC Corporation Address before: Tokyo, Japan Patentee before: Asahi Glass Co., Ltd. |