CN104779335B - 发光器件封装装置及照明装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光器件封装装置及照明装置。发光器件封装装置包括引线框架、多个发光器件芯片及发光树脂层,引线框架支撑发光器件芯片,发光器件芯片发光,发光树脂层设置在发光器件芯片上,且发光树脂层的出光面与发光器件芯片的发光面的形状相同,引线框架包括第一及第二子框架,第一、第二子框架分别加载第一、第二极性电压,第一子框架包括多个第一凸出部,相邻的第一凸出部之间设置第一间隙,第二框架包括多个第二凸出部,相邻的第二凸出部之间设置第二间隙,当引线框架组装时,第一凸出部设置于第二间隙,第二凸出部设置于第一间隙,以使得第一子框架与第二子框架相邻的部分相吻合,发光器件芯片设置在相邻的第一凸出部及第二凸出部上。
Description
技术领域
本发明涉及发光器件领域,尤其涉及一种发光器件封装装置及照明装置。
背景技术
发光二极管(light emitting diode,LED)是一种半导体器件,其通过化合物半导体的PN结构成发光源,并可以发出各种颜色的光线。LED具有较长的使用寿命,易于制造成小尺寸且质量轻,具有较强的光方向性,,抗冲击和抗震性能好等优点,因而得到广泛地应用。通常情况下LED单独封装,并包括正极和负极,当需要用LED制造成一定功能的电路时,比如,需要用多个LED制造成并联的电路时,要同引线将所有LED的正极连接在一起,再用另外的引线将所有LED的负极连接在一起。由此可见,现有技术中,若使用多个LED形成一定功能的电路时,LED的制备和电路的制作是分开的,给用户造成了一定的不便。
发明内容
本发明提供一种发光器件封装装置,所述发光器件封装装置包括引线框架、多个发光器件芯片及发光树脂层,所述引线框架用于支撑所述发光器件芯片,所述发光器件芯片用于发光,所述发光树脂层设置在所述发光器件芯片上,且所述发光树脂层的出光面与所述发光器件芯片的发光面的形状相同,所述引线框架包括第一子框架及第二子框架,所述第一子框架加载第一极性电压,所述第二子框架加载第二极性电压,其中,所述第一极性电压及所述第二极性电压分别为正电压及负电压,或者,所述第一极性电压及所述第二极性电压分别为负电压及正电压,所述第一子框架邻近所述第二子框架设置,所述第一子框架包括多个第一凸出部,相邻的第一凸出部之间设置第一间隙,所述第二框架包括多个第二凸出部,相邻的第二凸出部之间设置第二间隙,当所述引线框架组装时,所述第一凸出部设置于所述第二间隙,所述第二凸出部设置于所述第一间隙,以使得所述第一子框架与所述第二子框架相邻的部分相吻合,所述发光器件芯片设置在相邻的第一凸出部及第二凸出部上。
其中,所述发光器件封装装置还包括多个反射槽,所述反射槽设置相邻的第一凸出部及第二凸出部上,所述反射槽用于将自所述发光器件芯片发出的光线朝向预设方向反射,所述发光器件芯片设置在所述发射槽内,以通过所述反射槽设置在相邻的第一凸出部及第二凸出部上。
其中,相邻的第一凸出部及第二凸出部之间通过结合件结合,所述结合件的材料为绝缘材料。
其中,所述结合件与所述反射槽一体成型。
其中,相邻的第一凸出部及第二凸出部之间涂布绝缘材料。
其中,所述发光树脂层覆盖在所述反射槽内并覆盖所述发光器件芯片。
其中,所述发光器件封装装置还包括保护透镜,所述保护透镜覆盖在所述发光树脂层上。
其中,所述保护透镜包括多个透镜子单元,每个透镜子单元对应一个发光器件芯片设置,所述透镜子单元的入光面与所述发光器件的出光面的结构相同。
其中,所述第一凸出部的形状为矩形,所述第二凸出部的形状为矩形;或者,所述第一凸出部的形状为波浪形,所述第二凸出部的形状为波浪形;或者,所述第一凸出部的形状为锯齿形,所述第二凸出部的形状为锯齿形。
本发明还提供了一种照明装置,所述照明装置包括前述各个实施方式所述的发光器件封装装置。
本发明提供的发光器件封装装置包括引线框架及多个发光器件芯片。所述引线框架用于支撑所述发光器件芯片,所述发光器件用于发光,所述引线框架包括第一子框架及第二子框架,所述第一子框架及所述第二子框架分别加载第一极性电压及第二极性电压,其中,所述第一极性电压及所述第二极性分别为所述发光器件芯片提供正电压及负电压或者负电压及正电压。所述第一子框架邻近所述第二子框架设置,所述第一子框架包括多个第一凸出部,相邻的第一凸出部之间设置第一间隙。所述第二子框架包括第二凸出部,相邻的第二凸出部之间设置第二间隙。当所述引线框架组装时,所述第一凸出部设置于所述第二间隙,所述第二凸出部设置于所述第一间隙,以使得所述第一子框架与所述第二子框架相邻的部分相吻合,所述发光器件芯片设置在所述相邻的第一凸出部及第二凸出部上。当所述发光器件封装装置制作完成时,所述发光器件芯片形成了一并联的电路。相较于现有技术,本发明将多个发光器件芯片设置于引线框架上,从而使得发光器件芯片的制作和电路的制作是同时进行的,由此,方便了用户的使用。且所述发光树脂层的出光面与所述发光器件芯片的发光面的形状相同,能够增加自所述发光树脂层出射光的光形,且使得自所述发光树脂层出射的光线更加均匀。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一较佳实施方式提供的发光器件封装装置的立体分解图。
图2为本发明一较佳实施方式提供的发光器件封装装置的组装图。
图3为本发明图1中提供的发光器件封装装置的俯视图。
图4为图3中沿III-III沿线的剖面结构示意图。
图5本发明一较佳实施方式提供的发光器件封装装置的等效电路示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请一并参阅图1、图2、图3和图4,图1为本发明一较佳实施方式提供的发光器件封装装置的立体分解图;图2为本发明一较佳实施方式提供的发光器件封装装置的组装图;图3为本发明图1中提供的发光器件封装装置的俯视图;图4为图3中沿III-III沿线的剖面结构示意图。所述发光器件封装装置10包括引线框架100、多个发光器件芯片200及发光树脂层500,所述引线框架100用于支撑所述发光器件芯片200,所述发光器件200用于发光,所述发光树脂层500的出光面与所述发光器件芯片200的发光面的形状相同。所述引线框架100包括第一子框框110和第二子框架130,所述第一子框架110加载第一极性电压,所述第二子框架130加载第二极性电压,其中,所述第一极性电压及所述第二极性电压分别为正电压及负电压,或者,所述第一极性电压及所述第二极性电压分别为负电压及正电压。所述第一极性电压及所述第二极性电压用于提供给所述发光器件芯片200,以作为所述发光器件芯片200的工作电压。所述第一子框框110邻近所述第二子框架130设置,所述第一子框架110包括多个第一凸出部111,相邻的第一凸出部111之间设置第二间隙113。所述第二子框架130包括多个第二凸出部131,相邻的第二凸出部131之间设置第二间隙133。当所述引线框架100组装时,所述第一凸出部111设置于所述第二间隙133,所述第二凸出部133设置于所述第一间隙111,以使得所述第一子框架110与所述第二子框架130相邻的部分吻合。所述发光器件芯片200设置在相邻的第一凸出部111和所述第二凸出部131上。换句话说,所述发光器件芯片200的一端设置在所述第一凸出部111上,所述发光器件芯片200的另一端设置在所述第二凸出部131上。优选地,相邻的两发光器件芯片200之间间隔预设距离。优选地,所述发光器件芯片200的出光面的形状为半弧形,以增大所述发光器件200的出光均匀性。
所示引线框架100可以使用诸如铝或铜的金属材料通过挤压或蚀刻来形成。所述发光器件芯片200通过第一引线115将所述发光器件芯片200与所述引线框架100的第一子框架110电连接,且所述发光器件芯片200通过第二引线135将所述发光器件芯片200与所述引线框框100的第二子框架130电连接。
所述发光器件芯片200可以是包括正电极和负电极的发光二极管芯片,所述发光二极管芯片可以而根据所述发光二极管芯片的化合物半导体的材料而发射蓝光、绿光和红光。而且,所述发光二极管芯片可以涂覆有荧光材料,由此可以发射白光。比如,所述蓝光发光二极管可以包括具有量子阱结构的有源层,在改量子阱结构中交替地形成GaN和InGaN。在本实施方式中,所述发光器件芯片200可以是发光二极管芯片,然而,本发明中所述的发光二极管芯片200并不仅限于此,所述发光二极管芯片200也可以是,比如为UV光二极管芯片、激光二极管芯片或者有机发光二极管芯片。
所述发光器件芯片200被排列成行且形成如图5所示的并联的电路结构。
所述发光器件封装装置10还包括多个反射槽300,所述反射槽300设置在相邻的第一凸出部111以及第二凸出部131上,所述反射槽300用于将自所述发光器件芯片200发出的光线朝向预设方向反射,所述发光器件芯片200设置在所述反射槽300内,以通过所述反射槽300设置在相邻的第一凸出部111及所述第二凸出部131上。比如,所述发光器件芯片200可以通过引线结合安装在所述反射槽300中。所述发光器件芯片200发出的光线的出射效率可以由于所述反射槽300的设置而得到改善。
优选地,所示第一凸出部111及所述第二凸出部131上设置相应的安装部用于安装所述反射槽300。
在一实施方式中,相邻的第一凸出部111及第二凸出部131之间通过结合件400结合,并固定,所述结合件400的材料为绝缘材料。所述结合件400用于将相邻的第一凸出部111及第二凸出部131固定连接,并且使得相邻的第一凸出部111及第二凸出部131彼此绝缘。优选地,所述结合件400与所述反射槽300可以一体成型。比如,所述结合件400可与所述反射槽300可以通过注塑工艺同时形成。
在另一实施方式中,相邻的第一凸出部111及第二凸出部131之间涂布绝缘材料,所述绝缘材料可涂布于所述第一凸出部111邻近所述第二凸出部131的地方,且涂布于所述第二凸出部131邻近所述第一凸出部111的地方,所述绝缘材料用于将相邻的第一凸出部111及第二凸出部131绝缘。所述绝缘材料可以为但不仅限于为环氧树脂、硅树脂或者塑料等。
所述发光树脂层500覆盖在所述反射槽300内,并覆盖所述发光器件芯片200。所述发光树脂层500可以包括荧光材料,因此,可以发出预设荧光。比如,当所述发光器件芯片200为蓝色发光二极管或者UV光二极管时,所述发光树脂层500可以包括黄色荧光粉、红色荧光粉和绿色荧光粉,由此可以发出白光。所述荧光材料可以为但不仅限于包括氮化物基荧光材料、硫化物基荧光材料和使用硅酸基荧光材料或量子点的荧光材料。
所述发光器件封装装置10还包括保护透镜600,所述保护透镜600覆盖在所述发光树脂层500上。所述保护透镜600用于汇聚或者漫射从所述发光器件芯片200发出的光线从而调整自所述发光器件芯片200出射的光的分布。优选地,所述保护透镜600包括多个透镜子单元610,每个透镜子单元610对应一个发光器件芯片200设置,所述保护透镜600的入光面与所述发光器件芯片200的出光面的结构相同,以使得自所述发光器件芯片200的出光面出射的光线在自所述透镜600的入光面进入到所述透镜600时的损耗较小。这里,所述发光器件芯片200的入光面是指所述保护透镜600邻近所述发光器件芯片200的表面。优选地,所述发光树脂层500与所述保护透镜600彼此一体成型形成单一体。在本实施方式中,所述第一凸出部111的形状为矩形,所述第二凸出部131的形状为矩形,相应地,由于所述第一凸出部111的形状为矩形,所述第二凸出部131的形状为矩形,因此,设置在相邻两个第一凸出部111之间的第一间隙113也为矩形,设置在相邻两个第二凸出部131之间的第二间隙133也为矩形。所述第一凸出部111的形状与所述第二间隙133的形状相同,且所述第二凸出部131的形状与所述第一间隙113的形状相同,以使得当所述引线框架100中的所述第一子框架110与所述第二子框架130组装在一起时,第一子框架110能够与所述第二子框架130相吻合。
可以理解地,在另一实施方式中,所述第一凸出部111的形状可以为波浪形,相应地,所述第二凸出部131的形状也为波浪形。在另一实施方式中,所述第一凸出部111的形状可以为锯齿形,相应地,所述第二凸出部131的形状也为锯齿形。虽然本发明以所述第一凸出部111及所述第二凸出部131的形状为矩形、波浪形及锯齿形为例进行描述,但是所述第一凸出部111及所述第二凸出部131的形状并不局限于上述介绍的几种方式。
本发明提供的发光器件封装装置10包括引线框架100及多个发光器件芯片200。所述引线框架100用于支撑所述发光器件芯片200,所述发光器件200用于发光,所述引线框架100包括第一子框架110及第二子框架130,所述第一子框架110及所述第二子框架130分别加载第一极性电压及第二极性电压,其中,所述第一极性电压及所述第二极性分别为所述发光器件芯片200提供正电压及负电压或者负电压及正电压。所述第一子框架110邻近所述第二子框架130设置,所述第一子框架110包括多个第一凸出部111,相邻的第一凸出部111之间设置第一间隙113。所述第二子框架130包括第二凸出部131,相邻的第二凸出部131之间设置第二间隙133。当所述引线框架100组装时,所述第一凸出部111设置于所述第二间隙133,所述第二凸出部131设置于所述第一间隙113,以使得所述第一子框架110与所述第二子框架130相邻的部分相吻合,所述发光器件芯片300设置在所述相邻的第一凸出部111及第二凸出部131上。当所述发光器件封装装置10制作完成时,所述发光器件芯片200形成了一如图5所示的并联的电路。相较于现有技术,本发明将多个发光器件芯片200设置于引线框架100上,从而使得发光器件芯片200的制作和电路的制作是同时进行的,由此,方便了用户的使用。
另外,本发明还提供了一种照明装置,所述照明装置包括前述各个实施方式的发光器件封装装置10,所述发光器件封装装置10请参阅前面的描述,在此不再赘述。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本发明之权利范围,本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程,并依本发明权利要求所作的等同变化,仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (5)
1.一种发光器件封装装置,其特征在于,所述发光器件封装装置包括引线框架、多个发光器件芯片及发光树脂层,所述引线框架用于支撑所述发光器件芯片,所述发光器件芯片用于发光,所述发光树脂层设置在所述发光器件芯片上,且所述发光树脂层的出光面与所述发光器件芯片的发光面的形状相同,所述引线框架包括第一子框架及第二子框架,所述第一子框架加载第一极性电压,所述第二子框架加载第二极性电压,其中,所述第一极性电压及所述第二极性电压分别为正电压及负电压,或者,所述第一极性电压及所述第二极性电压分别为负电压及正电压,所述第一子框架邻近所述第二子框架设置,所述第一子框架包括多个第一凸出部,相邻的第一凸出部之间设置第一间隙,所述第二子框架包括多个第二凸出部,相邻的第二凸出部之间设置第二间隙,当所述引线框架组装时,所述第一凸出部设置于所述第二间隙,所述第二凸出部设置于所述第一间隙,以使得所述第一子框架与所述第二子框架相邻的部分相吻合,相邻的第一凸出部及第二凸出部之间涂布绝缘材料,所述绝缘材料涂布于所述第一凸出部邻近所述第二凸出部的地方,且涂布于所述第二凸出部邻近所述第一凸出部的地方;所述发光器件芯片设置在相邻的第一凸出部及第二凸出部上,所述发光器件封装装置还包括多个反射槽,所述反射槽设置相邻的第一凸出部及第二凸出部上,所述反射槽用于将自所述发光器件芯片发出的光线朝向预设方向反射,所述发光器件芯片设置在所述反射槽内,以通过所述反射槽设置在相邻的第一凸出部及第二凸出部上,所述发光树脂层覆盖在所述反射槽内并覆盖所述发光器件芯片,所述发光器件封装装置还包括保护透镜,所述保护透镜覆盖在所述发光树脂层上,所述保护透镜包括多个透镜子单元,每个透镜子单元对应一个发光器件芯片设置,所述透镜子单元的入光面与所述发光器件的出光面的结构相同。
2.如权利要求1所述的发光器件封装装置,其特征在于,相邻的第一凸出部及第二凸出部之间通过结合件结合,所述结合件的材料为绝缘材料。
3.如权利要求2所述的发光器件封装装置,其特征在于,所述结合件与所述反射槽一体成型。
4.如权利要求1所述的发光器件封装装置,其特征在于,所述第一凸出部的形状为矩形,所述第二凸出部的形状为矩形;或者,所述第一凸出部的形状为波浪形,所述第二凸出部的形状为波浪形;或者,所述第一凸出部的形状为锯齿形,所述第二凸出部的形状为锯齿形。
5.一种照明装置,其特征在于,所述照明装置包括如权利要求1至4任意一项所述的发光器件封装装置。
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CN102237485A (zh) * | 2010-05-07 | 2011-11-09 | 三星Led株式会社 | 引线框架、芯片封装、封装模块以及照明装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US8853726B2 (en) * | 2011-08-25 | 2014-10-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting system having the same |
-
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102237485A (zh) * | 2010-05-07 | 2011-11-09 | 三星Led株式会社 | 引线框架、芯片封装、封装模块以及照明装置 |
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