CN104750535B - NAND Flash仿真控制器及控制调试方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种NAND Flash仿真控制器及控制调试方法，其中NANDFlash仿真控制器包括信号接收模块和控制模块，信号接收模块，用于接收命令信号；控制模块，用于根据命令信号，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件操作；二进制文件的个数为一个或多个；二进制文件中的每个字节对应NANDFlash硬件中的每个字节。其通过对二进制文件建立一系列的对象操作，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件的绝大部分功能，有效地解决了传统的NANDFlash仿真模型仅能仿真NAND Flash硬件的操作序列的问题。

Description

NAND Flash仿真控制器及控制调试方法

技术领域

本发明涉及计算机领域，特别是涉及一种NAND Flash仿真控制器及控制调试方法。

背景技术

在计算机存储领域中，由于NAND Flash（NAND闪存）存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，在业界得到了越来越广泛的应用。由于开发基于NANDFlash的程序时，需要真实的NAND Flash硬件，这就使得开发速度较慢，出售后难以跟踪，因此，通常采用一种NAND Flash仿真模型；目前，NAND Flash仿真模型较为简单，仅能仿真NAND的操作序列，不能仿真真实的NAND Flash硬件的大部分功能。

发明内容

基于此，有必要针对传统的NAND Flash仿真模型仅能仿真NAND的操作序列的问题，提供一种NAND Flash仿真控制器及控制调试方法。

一种NAND Flash仿真控制器，包括信号接收模块和控制模块，其中：

所述信号接收模块，用于接收命令信号；

所述控制模块，用于根据所述命令信号，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件操作；

所述二进制文件的个数为一个或多个；

所述二进制文件中的每个字节对应所述NAND Flash硬件中的每个字节。

在其中一个实施例中，所述控制模块包括基本操作模拟单元，其中：

所述基本操作模拟单元，用于模拟所述NAND Flash硬件以页为单位写入数据的操作，和以块为单位擦除数据的操作。

在其中一个实施例中，所述控制模块还包括擦写寿命模拟单元和读取回收模拟单元，其中：

所述擦写寿命模拟单元，用于模拟所述NAND Flash硬件擦写寿命的操作；

所述读取回收模拟单元，用于模拟所述NAND Flash硬件读取回收数据的操作。

在其中一个实施例中，所述控制模块还包括读写速度性能模拟单元和掉电模拟单元，其中：

所述读写速度性能模拟单元，用于模拟所述NAND Flash硬件读写速度性能检测的操作；

所述掉电模拟单元，用于模拟所述NAND Flash硬件异常掉电的串扰问题，以及MLC的page group现象。

相应的，基于上述一种NAND Flash仿真控制器原理，本发明还提供了一种NANDFlash仿真控制调试方法，包括如下步骤：

在硬盘中建立一个或多个二进制文件，所述二进制文件中的每个字节均对应NANDFlash硬件中的每个字节；

控制模块接收命令信号后，控制所述二进制文件模拟所述NAND Flash硬件操作。

在其中一个实施例中，所述控制所述二进制文件模拟所述NAND Flash硬件操作，包括如下步骤：

当所述命令信号为基本操作模拟信号时，控制所述二进制文件模拟所述NANDFlash硬件以页为单位写入数据的操作，和以块为单位擦除数据的操作。

在其中一个实施例中，所述控制所述二进制文件模拟所述NAND Flash硬件操作，还包括如下步骤：

当所述命令信号为擦写寿命模拟信号时，控制所述二进制文件模拟所述NANDFlash硬件擦写寿命的操作；

当所述命令信号为读取回收模拟信号时，控制所述二进制文件模拟所述NANDFlash硬件读取回收数据的操作。

在其中一个实施例中，所述控制所述二进制文件模拟所述NAND Flash硬件操作，还包括如下步骤：

当所述命令信号为读写速度性能模拟信号时，控制所述二进制文件模拟所述NANDFlash硬件读写速度性能检测的操作；

当所述命令信号为掉电模拟信号时，控制所述二进制文件模拟所述NANDFlash硬件异常掉电的串扰问题，以及MLC的page group现象。

本发明提供的一种NAND Flash仿真控制器及控制调试方法，其中NANDFlash仿真控制器包括信号接收模块和控制模块，控制模块根据信号接收模块接收到的命令信号，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件的绝大部分功能，其中二进制文件的每个字节对应NANDFlash硬件中的每个字节，其通过对二进制文件建立一系列的对象操作，有效地解决了传统的NAND Flash仿真模型仅能仿真NAND Flash硬件的操作序列的问题。

附图说明

图1为NAND Flash仿真控制器示意图；

图2为NAND Flash仿真控制器一具体实施例示意图；

图3为NAND Flash仿真控制调试方法流程图。

具体实施方式

为使本发明技术方案更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例对本发明做进一步详细说明。

参见图1，一种NAND Flash仿真控制器100，包括信号接收模块110和控制模块120，其中：

信号接收模块110，用于接收命令信号；

控制模块120，用于根据命令信号，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件操作；

二进制文件的个数为一个或多个；

二进制文件中的每个字节对应NAND Flash硬件中的每个字节。

本发明提供的NAND Flash仿真控制器，通过对二进制文件建立一系列的对象操作，当信号接收模块接收到命令信号后，控制模块根据信号接收模块接收到的命令信号，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件的绝大部分功能，有效地解决了传统的NAND Flash仿真模型仅能仿真NAND Flash硬件的操作序列的问题。

参见图2，作为一种可实施方式，控制模块120包括基本操作模拟模块1201，其中：

基本操作模拟模块1201，用于模拟NAND Flash硬件以页为单位写入数据的操作，和以块为单位擦除数据的操作；如：page写入和整个block擦除。

较佳地，作为一种可实施方式，控制模块120还包括擦写寿命模拟模块1202和读取回收模拟模块1203，其中：

擦写寿命模拟模块1202，用于模拟NAND Flash硬件擦写寿命的操作；如：通过记录擦除和写入的次数，当擦除和写入的次数分别超过第一预设值和第二预设值时，按照第一概率发出读写错误的提示，实现了NAND Flash仿真控制器100在实现NAND Flash硬件基本擦写操作的同时，还实现了NAND Flash硬件擦写寿命的检测操作，解决了传统的NANDFlash仿真模型仅能仿真NANDFlash硬件的操作序列的问题；

读取回收模拟模块1203，用于模拟NAND Flash硬件读取回收数据的操作；即当读取数据的次数超过第三预设值时，发出读取错误的提示。

较佳地，作为一种可实施方式，控制模块120还包括读写速度性能模拟模块1204和掉电模拟模块1205，其中：

读写速度性能模拟模块1204，用于模拟NAND Flash硬件读写速度性能检测的操作；如：根据NAND Flash硬件读写擦的时间等比缩写，分配NAND Flash仿真模型处理读写擦的时间，能够更准确地反应NAND Flash硬件的性能。

掉电模拟模块1205，用于模拟NAND Flash硬件异常掉电的串扰问题，以及MLC（Multi-Level cell，多层单元闪存）的page group现象；如：当二进制文件存储page的过程中突然断电，则当前正在存储及还未存储的page失败，pagegroup中的其他page则会发出读取错误的提示。

参见图3，相应的，基于上述一种NAND Flash仿真控制器原理，本发明还提供了一种NAND Flash仿真控制调试方法，包括如下步骤：

S100，在硬盘中建立一个或多个二进制文件，二进制文件中的每个字节均对应NAND Flash硬件中的每个字节；

S200，控制模块接收命令信号后，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件操作。

作为一种可实施方式，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件操作，包括如下步骤：

S200’，当命令信号为基本操作模拟信号时，控制二进制文件模拟NANDFlash硬件以页为单位写入数据的操作，和以块为单位擦除数据的操作。

较佳地，作为一种可实施方式，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件操作，还包括如下步骤：

S300，当命令信号为擦写寿命模拟信号时，控制二进制文件模拟NANDFlash硬件擦写寿命的操作；

S400，当命令信号为读取回收模拟信号时，控制二进制文件模拟NANDFlash硬件读取回收数据的操作。

较佳地，作为一种可实施方式，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件操作，还包括如下步骤：

S500，当命令信号为读写速度性能模拟信号时，控制二进制文件模拟NANDFlash硬件读写速度性能检测的操作；

S600，当命令信号为掉电模拟信号时，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件异常掉电的串扰问题，以及MLC的page group现象。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种NAND Flash仿真控制器，其特征在于，包括信号接收模块和控制模块，其中：

所述信号接收模块，用于接收命令信号；

所述控制模块，用于根据所述命令信号，控制二进制文件模拟NAND Flash硬件操作；

所述二进制文件的个数为一个或多个；

所述二进制文件中的每个字节对应所述NAND Flas h硬件中的每个字节；

其中，所述控制模块包括擦写寿命模拟单元，用于当擦除的次数超过第一预设值或写入次数超过第二预设值时，则按照第一概率发出读写错误的提示，以模拟所述NAND Flash硬件擦写寿命的操作。

2.根据权利要求1所述的NAND Flash仿真控制器，其特征在于，所述控制模块包括基本操作模拟单元，其中：

所述基本操作模拟单元，用于模拟所述NAND Flash硬件以页为单位写入数据的操作，和以块为单位擦除数据的操作。

3.根据权利要求2所述的NAND Flash仿真控制器，其特征在于，所述控制模块还包括读取回收模拟单元，其中：

所述读取回收模拟单元，用于模拟所述NAND Flash硬件读取回收数据的操作。

4.根据权利要求3所述的NAND Flash仿真控制器，其特征在于，所述控制模块还包括读写速度性能模拟单元和掉电模拟单元，其中：

所述读写速度性能模拟单元，用于模拟所述NAND Flash硬件读写速度性能检测的操作；

所述掉电模拟单元，用于模拟所述NAND Flash硬件异常掉电的串扰问题，以及MLC的page group现象。

5.一种NAND Flash仿真控制调试方法，其特征在于，包括如下步骤：

在硬盘中建立一个或多个二进制文件，所述二进制文件中的每个字节均对应NANDFlash硬件中的每个字节；

控制模块接收命令信号后，控制所述二进制文件模拟所述NAND Flash硬件操作；

具体地，当所述命令信号为擦写寿命模拟信号时，根据二进制文件判断擦除的次数是否超过第一预设值，并判断写入次数是否超过第二预设值，若擦除的次数超过第一预设值或写入次数超过第二预设值时，则按照第一概率发出读写错误的提示，以模拟所述NANDFlash硬件擦写寿命的操作。

6.根据权利要求5所述的NAND Flash仿真控制调试方法，其特征在于，所述控制所述二进制文件模拟所述NAND Flash硬件操作，包括如下步骤：

当所述命令信号为基本操作模拟信号时，控制所述二进制文件模拟所述NAND Flash硬件以页为单位写入数据的操作，和以块为单位擦除数据的操作。

7.根据权利要求6所述的NAND Flash仿真控制调试方法，其特征在于，所述控制所述二进制文件模拟所述NAND Flash硬件操作，还包括如下步骤：

当所述命令信号为读取回收模拟信号时，控制所述二进制文件模拟所述NAND Flash硬件读取回收数据的操作。

8.根据权利要求7所述的NAND Flash仿真控制调试方法，其特征在于，所述控制所述二进制文件模拟所述NAND Flash硬件操作，还包括如下步骤：

当所述命令信号为读写速度性能模拟信号时，控制所述二进制文件模拟所述NANDFlash硬件读写速度性能检测的操作；

当所述命令信号为掉电模拟信号时，控制所述二进制文件模拟所述NAND Flash硬件异常掉电的串扰问题，以及MLC的page group现象。