CN104750331B - 触控装置及其触控判断方法 - Google Patents

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Abstract

一种触控装置及其触控判断方法，其当触控装置的感测面板上有感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值时，处理器会对第二二维感测信息中的包括有该感测点的局部二维感测信息进行运算，以得到平整度值，若该平整度值为介于预设平整度负比对值与预设平整度正比对值之间，则代表该感测点的电容性耦合量虽有变化，但没有外部对象的触碰，故处理器判断该感测点无外部对象触碰，以此防止因去除感测面板上水渍移除等状况而造成的错误触控判断。

Description

触控装置及其触控判断方法
技术领域
本发明提供了一种触控装置及其触控判断方法，是应用于触控装置，尤其指避免水渍或手指等外部对象造成对感测面板触控状态的错误判断。
背景技术
按，现今电子产品为配合人类的直觉方式，触控装置已被广泛应用在各种电子产品中，以便用户能通过手或触控笔等导电对象对电子产品进行控制。
请参阅图5所示，为触控装置的电路示意图，由图中可以清楚看出，该触控装置A1于进行互电容式侦测(Mutual-Capaciti ve Detection)模式时，驱动及感测电路A12会先于感测面板A11无外部对象(例如手指或触控笔等)触碰的状况下，取得各驱动线A111与各感测线A112交叉所形成的各感测点A113的电容性耦合量，该电容性耦合量可经由量测电流、电压、电容或电荷量等物理量直接或间接获得，并以各电容性耦合量组成一二维感测信息，再由处理器A13将该二维感测信息做为基准二维感测信息，并储存至存储器A14中。
当触控装置A1的感测面板A11受外部导电对象碰触或接近时，会使得各感测点A113的电容性耦合量产生变化，故处理器A13可于读取存储器A14中的基准二维感测信息后，将后续所取得的二维感测信息与基准二维感测信息进行比对，以此得到各感测点A113的电容性耦合变化量，并通过各感测点A113的电容性耦合变化量得知感测面板A11上各感测点A113的触控状态。
若所有感测点A113的电容性耦合变化量皆介于预设的正门槛值及负门槛值之间，则判断感测面板A11上的各感测点A113皆无外部导电对象触碰；若有一感测点A113的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设预设正门槛值，则判断感测面板A11上的该感测点A113有外部导电对象触碰。
如图6所示，为具水渍覆盖信息的一维感测信息示意图，其横轴对应驱动线A111上所有感测点A113的排列方向，而各感测点A113高度分别对应不同的电容性耦合量，并以各感测点A113的位置及其相对应的电容性耦合量构成有一维感测信息的波形，且二维感测信息是由所有驱动线A111上的一维感测信息的波形所构成。由图5及图6中可以清楚看出，当感测面板A11在有水渍覆盖时，若干受水渍覆盖的感测点A113会形成一负峰波形B1，此时处理器A13于更新基准二维感测信息时，会将含有水渍覆盖信息的二维感测信息做为基准二维感测信息，并于感测面板A11上的水渍后续被移除且无其他外部导电对象的触碰下，将会使得感测面板A11上原先受水渍覆盖的若干感测点A113形成一水平线状波形B2；如图7所示，为图6的水平线状波形减去负峰波形后所得的波形图，其横轴为对应驱动线A111上各感测点A113的排列方向，纵轴为各感测点A113的电容性耦合变化量，由图中可以清楚看出，当二维感测信息的波形由原本含有水渍覆盖信息的负峰波形B1回复为无外部对象覆盖的水平线状波形B2，将使得原先受水渍覆盖的若干感测点A113得到有大于预设正门槛值的电容性耦合变化量(如图7所示)，此时水渍被移除且无外部对象的触碰的感测点A113将会被处理器A13判断为有触碰，并执行该触碰操作。
请参阅图8、图9所示，为具手指触碰信息的一维感测信息示意图及水平线状波形减去正峰波形后所得的波形图，由图中可以清楚看出，感测面板A11在有手指触碰时，若干受手指触碰的感测点A113会形成一正峰波形B3，当处理器A13将含有手指触碰的二维感测信息做为基准二维感测信息时，若手指于后续离开感测面板A11，亦会使二维感测信息的波形由原本含有手指触碰的正峰波形B3回复为无外部对象覆盖的水平线状波形B2(如图8所示)，即原先受手指触碰的若干感测点A113产生有小于预设负门槛值的电容性耦合变化量(如图9所示)，此时无手指触碰的感测点A113亦会被处理器A13判断为有触碰，并执行该触碰操作。
故，不论是将含有水渍覆盖或手指触碰的二维感测信息做为基准二维感测信息，在后续移除感测面板A11上的异常状态的情况下，例如将水渍移除或手指离开感测面板，均会使原受来水渍或手指覆盖处的感测点A113的电容性耦合量产生变化，即处理器A13所侦测到的电容性耦合变化量会小于预设负判断值或大于预设正判断值，因此处理器A13会判断该感测点A113有外部对象触碰，进而对感测面板A11的触控状态产生误判。
因此，如何解决公知电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值，但实际却无外部对象触碰的状况，即为从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。
发明内容
本发明的目的在于提供一种触控装置及其触控判断方法，以改进公知技术中存在的缺陷。
为实现上述目的，本发明提供的触控判断方法，该触控装置设有感测面板，而感测面板设置有复数驱动线，以及与各驱动线交越的复数感测线，各驱动线与各感测线交越形成复数感测点，且各驱动线及各感测线分别电性连设至驱动及感测电路，又驱动及感测电路电性连设有处理器，处理器再电性连设至存储器，其步骤包括：
(A01)驱动及感测电路通过各感测线于各驱动在线取得有复数第一时间电容性耦合量，而将各第一时间电容性耦合量与其相对应的感测点位置信息组成第一二维感测信息；
(A02)处理器将该第一二维感测信息做为基准二维感测信息；
(A03)驱动及感测电路后续再通过各感测线于各驱动在线取得有复数第二时间电容性耦合量，而将各第二时间电容性耦合量与其相对应的感测点位置信息组成第二二维感测信息；
(A04)处理器将第二二维感测信息中各第二时间电容性耦合量分别减去基准二维感测信息中各相对应的第一时间电容性耦合量，以得到有复数电容性耦合变化量，并以各电容性耦合变化量与其相对应的感测点位置信息组成一电容性耦合变化量信息；
(A05)处理器判断电容性耦合变化量信息中是否有感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值，若判断为「否」，则进行步骤(A06)；若判断为「是」，则进行步骤(A07)；
(A06)处理器判断感测面板无外部对象触碰，并回到步骤(A03)；
(A07)处理器对第二二维感测信息中包括有该感测点的局部二维感测信息进行运算，以供得到有平整度值，并进行步骤(A08)；
(A08)处理器判断平整度值是否小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，若判断为「否」，则进行步骤(A09)；若判断为「是」，则进行步骤(A10)；
(A09)处理器判断该感测点无外部对象触碰，并将第二二维感测信息更新取代为基准二维感测信息，回到步骤(A03)；
(A10)处理器判断感测面板上该感测点有外部对象触碰，对该触碰执行操作指令，回到步骤(A03)。
本发明又提出一种触控判断方法，适用于一触控装置，该触控装置具有复数驱动线及复数感测线，各驱动线及各感测线构成复数具电容性耦合量的感测点，各驱动线及各感测线电连接至一驱动及感测电路，驱动及感测电路电连接至一处理器，该方法包括下列步骤：
利用处理器控制驱动及感测电路通过各感测线在不同时间点先后取得各感测点的第一时间电容性耦合量及第二时间电容性耦合量；
利用处理器将各感测点的第二时间电容性耦合量减去对应的第一时间电容性耦合量，以得到各感测点的电容性耦合变化量；
利用处理器判断是否有任一感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值；在一感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值的情况下，利用处理器对包含该感测点的相邻二条或二条以上的驱动线与相邻二条或二条以上的感测线交越所形成的复数感测点的第二时间电容性耦合量进行运算以得到一平整度值；以及利用处理器判断该平整度值是否小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，若该平整度值小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，则判断感测面板上该感测点确实有外部导电对象触碰。
所述的触控判断方法中，对该等感测点的第二时间电容性耦合量进行运算，以得到一平整度值的步骤包括：
经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第一驱动线的第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量；
对第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第一差值；
经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第二驱动线的第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量；
对第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第二差值；
将第一差值及第二差值沿第二轴向进行差动运算得到该平整度值。
本发明提供的触控装置，包括：
一感测面板，其设置有沿第一轴向排列的复数驱动线，以及沿第二轴向且分别与各复数驱动线交叉的复数感测线；
一驱动及感测电路，其电性连接于各驱动线及各感测线，用以取得第一二维感测信息及第二二维感测信息；
一处理器，其电性连接于驱动及感测电路，用以计算电容性耦合变化量信息及复数平整度值，以判断感测面板的触控状态。
本发明又提出一种触控装置，包含：
复数驱动线及复数感测线，各驱动线及各感测线构成复数电容性耦合量的感测点；
一驱动及感测电路，电连接至各驱动线及各感测线；
一处理器，电连接至驱动及感测电路，该处理器控制驱动及感测电路通过各感测线在不同时间点先后取得各感测点的第一时间电容性耦合量及第二时间电容性耦合量，并且将各感测点的第二时间电容性耦合量减去对应的第一时间电容性耦合量以得到各感测点的电容性耦合变化量，并且判断是否有任一感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值，并且在一电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值的情况下，对包含该感测点的相邻二条或二条以上的驱动线与所有相邻二条或二条以上的感测线交越所形成的复数感测点的第二时间电容性耦合量进行运算以得到一平整度值；并且判断该平整度值是否小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，若该平整度值小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，则判断感测面板上该感测点确实有外部导电对象触碰。
所述的触控面板装置中，该处理器经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第一驱动线的第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量，并对第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第一差值，并经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第二驱动线的第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量，并对第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第二差值，并将第一差值及第二差值沿第二轴向进行差动运算得到该平整度值。
本发明在于避免水渍或手指等外部对象造成对触控装置的感测面板产生错误的触控判断，尤其指于第二二维感测信息中各第二时间电容性耦合量分别减去基准二维感测信息中各相对应的第一时间电容性耦合量后，所得到的电容性耦合变化量信息中任一电容性耦合变化量大于预设正门槛值或小于预设负门槛值时，由平整度信息中各平整度值是否介于预设平整度正比对值及预设平整度负比对值之间，来辅助判断感测面板的触控状态。
附图说明
图1为本发明较佳实施例的电路示意图。
图2为本发明触控判断方法的流程图之一。
图3为本发明触控判断方法的流程图之二。
图4为本发明平整度信息的示意图。
图5为触控装置的电路示意图。
图6为具水渍覆盖信息的一维感测信息示意图。
图7为水平线状波形减去负峰波形后所得的波形图。
图8为具手指触碰信息的一维感测信息示意图。
图9为水平线状波形减去正峰波形后所得的波形图。
附图中符号说明：
1 触控装置，11 感测面板，111 驱动线，1111 第一驱动线，1112 第二驱动线，112感测线，1121 第一感测线，1122 第二感测线，113 感测点；
12 驱动及感测电路；
13 处理器；
14 存储器；
C 电容性耦合量，C11 第一感测点电容性耦合量，C12 第二感测点电容性耦合量，C21 第三感测点电容性耦合量，C22 第四感测点电容性耦合量，Ca 二维感测信息，Ca 0 基准二维感测信息，Cp 局部二维感测信息；
D 电容性耦合变化量，Da 电容性耦合变化量信息，Dn 负门槛值，Dp 正门槛值；
S 平整度值，Sa 平整度信息；
Zmin 平整度负比对值，Zmax 平整度正比对值；
A1 触控装置，A11 感测面板，A111 驱动线，A112 感测线，A113 感测点，A12 驱动及感测电路，A13 处理器，A14 存储器；
B1 负峰波形，B2 水平线状波形，B3 正峰波形。
具体实施方式
为能实现本发明的的上述目的及功效，本发明所采用的技术手段及其构造，结合附图就本发明的较佳实施例详加说明其特征与功能如下，以利完全了解。
请参阅图1所示，为本发明较佳实施例的电路示意图，由图中可以清楚看出，本发明触控判断方法是应用于互电容式触控装置1，该触控装置1设有感测面板11，感测面板11上设有复数沿第一轴向(即第一方向，例如横轴方向)延伸且平行排列的驱动线111及复数沿第二轴向(即第二方向，例如纵轴方向)延伸且平行排列的感测面板11，且各感测线112交叉于各驱动线111以形成有复数感测点113，又各驱动线111及各感测线112再分别电性连接至驱动及感测电路12，且驱动及感测电路12电性连接至处理器13，又处理器13电性连接至存储器14。
请结合参阅图2、图3所示，为本发明触控判断方法的流程图之一及触控判断方法的流程图之二，由图1、图2及图3中可以清楚看出，本发明触控装置及其触控判断方法流程包括：
(201)驱动及感测电路12通过所有感测线112于所有驱动线111上取得有所有感测点113的第一时间电容性耦合量C，而将各第一时间电容性耦合量C与其相对应的感测点113位置信息组成第一二维感测信息Ca。
(202)处理器13将该第一二维感测信息Ca做为基准二维感测信息Ca 0。
(203)驱动及感测电路12通过所有感测线112于所有驱动线111上取得有所有感测点113的第二时间电容性耦合量C，而将各第二时间电容性耦合量C与其相对应的感测点113位置信息组成第二二维感测信息Ca。
(204)处理器13将第二二维感测信息Ca中各第二时间电容性耦合量C分别减去基准二维感测信息Ca 0中各相对应的第一时间电容性耦合量C，以得到有复数电容性耦合变化量D，并以各电容性耦合变化量D与其相对应的感测点113位置信息组成一电容性耦合变化量信息Da。
(205)处理器13判断电容性耦合变化量信息Da中是否有感测点113的电容性耦合变化量D小于预设负门槛值Dn或大于预设正门槛值Dp，若判断为「否」，则进行步骤(206)；若判断为「是」，则进行步骤(207)。
(206)处理器13判断感测面板11无外部对象触碰，并回到步骤(203)。
(207)处理器13对第二二维感测信息Ca中包括有该感测点113的局部二维感测信息Cp进行运算，以供得到有平整度值S，并进行步骤(208)。
(208)处理器13判断平整度值S是否小于预设平整度负比对值Zmin或大于预设平整度正比对值Zmax，若判断为「否」，则进行步骤(209)；若判断为「是」，则进行步骤(210)。
(209)处理器13判断该感测点113无外部对象触碰，并将第二二维感测信息Ca更新取代为基准二维感测信息Ca 0，回到步骤(203)。
(210)处理器13判断感测面板11上该感测点113有外部对象触碰，对该触碰执行操作指令，回到步骤(203)。
详细来说，上述步骤中，触控装置1于启动使用时，可通过驱动及感测电路12将驱动讯号提供给感测面板11上的各驱动线111，此时各驱动线111分别电容性耦合至各感测线112，并于各驱动线111及各感测线112交叉形成的各感测点113分别产生有可测量的第一时间电容性耦合量C，该第一时间电容性耦合量C可经由量测电容值、电流值、电压值容或电荷量等物理量直接或间接获得，再由驱动及感测电路12通过各感测线112取得各感测点113第一时间的电容性耦合量C，又以各第一时间电容性耦合量C与各相对应的感测点113位置信息构成有第一二维感测信息Ca，并以该第一二维感测信息Ca做为基准二维感测信息Ca 0。
当触控装置1于后续进行感测面板11的触控判断时，处理器13再依前述方式取得有各感测点113后续的第二时间电容性耦合量C，并以各第二时间电容性耦合量C与其相对应的感测点113位置信息构成有第二二维感测信息Ca，则可通过将第二二维感测信息Ca中各第二时间电容性耦合量C分别与基准二维感测信息Ca 0内各相对应的感测点113位置的第一时间电容性耦合量C相减，以得到有各感测点113的电容性耦合变化量D，即各感测点113于不同时间的电容性耦合量C变化，则可将各电容性耦合变化量D与各相对应的感测点113位置信息构成一电容性耦合变化量信息Da，并以此电容性耦合变化量信息Da进行感测面板11第一阶段的触控判断。
触控装置1的处理器13以电容性耦合变化量信息Da进行感测面板11第一阶段的触控判断时，若所有感测点113的电容性耦合变化量D皆介于预设负门槛值Dn及预设正门槛值Dp之间，则判断感测面板11上的各感测点113皆无外部对象触碰；若电容性耦合变化量信息Da中有感测点113的电容性耦合变化量D小于预设负门槛值Dn或大于预设正门槛值Dp，则处理器13对二维感测信息Ca中包括有该感测点113的局部二维感测信息Cp进行运算，以供得到有平整度值S，用以进行感测面板11第二阶段的触控判断。
请参阅图4所示，为本发明平整度信息的示意图，由图中可以清楚看出，前述包括有该感测点113的局部二维感测信息Cp是由相邻二条或二条以上的驱动线111与相邻二条或二条以上的感测线112交越所形成的复数感测点113位置信息及其相对应的第二时间电容性耦合量C所构成，即感测面板11上会得到有复数部分重迭的局部二维感测信息Cp，且单一感测点113可对应于一个或一个以上的局部二维感测信息Cp，进而将局部二维感测信息Cp中各驱动线111上复数电容性耦合量C沿第一轴向进行相减，再将前述相减后所得到的复数变化量沿第二轴向进行相减，即得到一平整度值S。举例来说，该平整度值S的运算可经由第一感测线1121及第二感测线1122分别取得沿第一轴向排列的第一驱动线1111的第一感测点电容性耦合量C11及第二感测点电容性耦合量C12；再对第一感测点电容性耦合量C11及第二感测点电容性耦合量C12进行差动运算，以得到有第一差值；又经由第一感测线1121及第二感测线1122分别取得沿第一轴向排列的第二驱动线1112的第三感测点电容性耦合量C21及第四感测点电容性耦合量C22；对第三感测点电容性耦合量C21及第四感测点电容性耦合量C22进行差动运算，以得到有第二差值；再将第一差值及第二差值沿第二轴向进行差动运算得到该平整度值S。且因各感测点113的第二时间电容性耦合量C于正常状态(即无外部对象触碰)下皆趋于相近，故将各第二时间电容性耦合量C进行相减时，所到的平整度值S为接近零值的数值，即平整度值S会介于预设平整度负对比值Zmin及预设平整度正对比值Zmax之间，并进一步将预设平整度负对比值Zmin及预设平整度正对比值Zmax内建于处理器13中，以供处理器13以平整度值S进行感测面板11第二阶段的触控判断。而有关详细平整度值S的各种计算方式，请参考本申请人同日提出，名称为「触控装置检测方法」的另一件申请，在此处则不再进行赘述。
触控装置1的处理器13以平整度信息Sa进行感测面板11第二阶段的触控判断时，若所有平整度值S皆介于预设平整度正比对值Zmax与预设平整度负比对值Zmin之间，则判断感测面板11各感测点113皆无触碰，并进一步将该二维感测信息Ca更新取代为基准二维感测信息Ca 0，以供后续二维感测信息Ca比较，进而判断感测面板11上各感测点113的触控状态；若平整度值S大于预设平整度正比对值Zmax或小于预设平整度负比对值Zmin之间，则判断该感测点113有触碰，并由处理器13执行该触碰操作。
在本发明触控装置及其触控判断方法中，当有感测点113的电容性耦合变化量D小于预设负门槛值Dn或大于预设正门槛值Dp时，会对第二二维感测信息Ca中的各包括有该感测点113的局部二维感测信息Cp进行运算，以得到有平整度值S，并以此平整度值S辅助判断感测面板11的触控状态。进而于处理器13将含有水渍覆盖信息的第一二维感测信息Ca做为基准二维感测信息Ca 0时，若感测面板11上的水渍于后续被移除且无外部对象触碰的情况下，因平整度值S于无外部对象的触碰下为介于预设平整度负比对值Zmin与预设平整度正比对值Zmax之间，故原先受外部对象覆盖或触碰的感测点113的电容性耦合量C虽有变化，但处理器13亦判断该感测点113无外部对象触碰，以防止产生错误的触控判断。
又，若处理器13将含有手指碰触信息的第一二维感测信息Ca做为基准二维感测信息Ca 0时，且手指于后续离开感测面板11的情况下，因平整度值S于无外部对象的触碰下为介于预设平整度负比对值Zmin与预设平整度正比对值Zmax之间，故感测点113的电容性耦合量C虽有变化，但处理器13亦会判断该感测点113无外部对象触碰。
前述处理器13亦可将基准二维感测信息Ca 0储存于存储器14内，并于进行感测面板11的触控判断时，读取存储器14内的基准二维感测信息Ca 0，以供后续第二二维感测信息Ca比较，进而判断感测面板11上各感测点113的触控状态。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，非因此局限本发明的范围，本发明为主要针对触控装置及其触控判断方法，当含有异常状态(例如水渍覆盖或手指碰触等)的感测面板11上，取得有第一二维感测信息Ca，并以该第一二维感测信息Ca做为基准二维感测信息Ca 0，且异常状态于后续被移除及无外部对象触碰感测面板11的状况下，可由各感测点113相对应的平整度值S因于无外部对象的触碰下为介于预设平整度正比对值Zmax与预设平整度负比对值Zmin之间，以供判断感测面板11无外部对象触碰，以此防止对感测面板11产生错误的触控判断，故举凡可达成前述效果的结构、装置皆应受本发明所涵盖，此种简易修饰及等效结构变化，均应同理包含于本发明的权利要求范围内。

Claims (6)

1.一种触控判断方法，该触控装置设有感测面板，而感测面板设置有沿第一轴向排列的复数驱动线，以及沿第二轴向排列且分别与各驱动线交越的复数感测线，各驱动线与各感测线交越形成复数感测点，且各驱动线及各感测线分别电性连设至驱动及感测电路，又驱动及感测电路电性连设有处理器，处理器再电性连设至存储器，其步骤包括：
(A01)驱动及感测电路通过各感测线于各驱动线上取得有复数第一时间电容性耦合量，而将各第一时间电容性耦合量与其相对应的感测点位置信息组成第一二维感测信息；
(A02)处理器将该第一二维感测信息做为基准二维感测信息；
(A03)驱动及感测电路后续再通过各感测线于各驱动线上取得有复数第二时间电容性耦合量，而将各第二时间电容性耦合量与其相对应的感测点位置信息组成第二二维感测信息；
(A04)处理器将第二二维感测信息中各第二时间电容性耦合量分别减去基准二维感测信息中各相对应的第一时间电容性耦合量，以得到有复数电容性耦合变化量，并以各电容性耦合变化量与其相对应的感测点位置信息组成一电容性耦合变化量信息；
(A05)处理器判断电容性耦合变化量信息中是否有感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值，若判断为「否」，则进行步骤(A06)；若判断为「是」，则进行步骤(A07)；
(A06)处理器判断感测面板无外部对象触碰，并回到步骤(A03)；
(A07)处理器对第二二维感测信息包括有该感测点的局部二维感测信息中各驱动线上复数感测点的电容性耦合量沿第一轴向进行相减，再将前述相减后所得到的复数变化量沿第二轴向进行相减以分别得到有平整度值，并进行步骤(A08)；
(A08)处理器判断平整度值是否小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，若判断为「否」，则进行步骤(A09)；若判断为「是」，则进行步骤(A10)；
(A09)处理器判断该感测点无外部对象触碰，并将第二二维感测信息更新取代为基准二维感测信息，回到步骤(A03)；
(A10)处理器判断感测面板上该感测点有外部对象触碰，对该触碰执行操作指令，回到步骤(A03)。
2.一种触控判断方法，适用于一触控装置，该触控装置具有沿第一轴向排列的复数驱动线，以及沿第二轴向排列的复数感测线，各驱动线及各感测线构成复数具电容性耦合量的感测点，各驱动线及各感测线电连接至一驱动及感测电路，驱动及感测电路电连接至一处理器，该方法包括下列步骤：
利用处理器控制驱动及感测电路通过各感测线在不同时间点先后取得各感测点的第一时间电容性耦合量及第二时间电容性耦合量；
利用处理器将各感测点的第二时间电容性耦合量减去对应的第一时间电容性耦合量，以得到各感测点的电容性耦合变化量；
利用处理器判断是否有任一感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值；在一感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值的情况下，利用处理器对包含该感测点的相邻二条或二条以上的驱动线与相邻二条或二条以上的感测线交越所形成的复数感测点的第二时间电容性耦合量沿第一轴向进行相减，再将前述相减后所得到的复数变化量沿第二轴向进行相减以分别得到一平整度值；
以及利用处理器判断该平整度值是否小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，若该平整度值小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，则判断感测面板上该感测点确实有外部导电对象触碰。
3.如权利要求2所述的触控判断方法，其中，对该感测点的第二时间电容性耦合量进行运算，以得到一平整度值的步骤包括：
经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第一驱动线的第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量；
对第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第一差值；
经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第二驱动线的第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量；
对第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第二差值；
将第一差值及第二差值沿第二轴向进行差动运算得到该平整度值。
4.一种触控装置，包括：
一感测面板，其设置有沿第一轴向排列的复数驱动线，以及沿第二轴向排列且分别与各复数驱动线交叉的复数感测线，并于各驱动线与各感测线的交越处分别形成感测点；
一驱动及感测电路，其电性连接于各驱动线及各感测线，用以取得第一二维感测信息及第二二维感测信息；
一处理器，其电性连接于驱动及感测电路，用以计算电容性耦合变化量信息及复数平整度值，该平整度值是由各驱动线上复数感测点的电容性耦合量沿第一轴向进行相减，再将前述相减后所得到的复数变化量沿第二轴向进行相减得到的平整度值，以判断感测面板的触控状态。
5.一种触控装置，包含：
沿第一轴向排列的复数驱动线，以及沿第二轴向排列的复数感测线，各驱动线及各感测线构成复数电容性耦合量的感测点；
一驱动及感测电路，电连接至各驱动线及各感测线；
一处理器，电连接至驱动及感测电路，该处理器控制驱动及感测电路通过各感测线在不同时间点先后取得各感测点的第一时间电容性耦合量及第二时间电容性耦合量，并且将各感测点的第二时间电容性耦合量减去对应的第一时间电容性耦合量以得到各感测点的电容性耦合变化量，并且判断是否有任一感测点的电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值，并且在一电容性耦合变化量小于预设负门槛值或大于预设正门槛值的情况下，对包含该感测点的相邻二条或二条以上的驱动线与所有相邻二条或二条以上的感测线交越所形成的复数感测点的第二时间电容性耦合量沿第一轴向进行相减，再将前述相减后所得到的复数变化量沿第二轴向进行相减以分别得到一平整度值；并且判断该平整度值是否小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，若该平整度值小于预设平整度负比对值或大于预设平整度正比对值，则判断感测面板上该感测点确实有外部导电对象触碰。
6.如权利要求5所述的触控装置，其中，该处理器经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第一驱动线的第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量，并对第一感测点电容性耦合量及第二感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第一差值，并经由第一感测线及第二感测线分别取得沿第一轴向排列的第二驱动线的第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量，并对第三感测点电容性耦合量及第四感测点电容性耦合量进行差动运算，以得到有第二差值，并将第一差值及第二差值沿第二轴向进行差动运算得到该平整度值。
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