CN104734782B - 光发射组件及其组装方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种光发射组件，所述光发射组件包括管座、制冷器、基板、电吸收调制激光器芯片及管帽，所述管座包括承载板以及热沉，所述热沉具有垂直于所述承载板的连接面，所述散热面贴装于所述连接面，所述基板贴装于所述制冷面，所述电吸收调制激光器芯片贴装于所述基板，所述电吸收调制激光器芯片、所述基板与所述制冷器三者的厚度之和等于所述连接面与所述承载板中心轴的距离，所述电吸收调制激光器芯片出光的光轴与所述承载板的中心轴相互平行或相互重合，所述管帽用于透射所述电吸收调制激光器芯片出射的发射光。本发明提供的光发射组件的封装工艺简单，优化散热结构，提高组件的散热能力。本发明还提供一种光发射组件的组装方法。

Description

光发射组件及其组装方法

技术领域

本发明涉及光通信技术领域，特别涉及一种制冷型的光发射组件及其组装方法。

背景技术

光通信器件的要求是小型化、高速率、低成本。为了符合这种要求，非制冷同轴封装光发射组件获得了大规模的应用。但是，由于非制冷同轴封装光发射组件没有制冷器，且激光器芯片是温度敏感元件，非制冷同轴封装光发射组件出射光波长和输出光功率会随着激光器芯片结温的变化而变化，不能满足密集波分复用（DWDM，Dense WavelengthDivision Multiplexing）系统和高光功率输出场景的要求。

近年来出现的制冷型同轴封装光发射组件，可以满足小型化10G速率DWDM系统和高光功率输出场景的需要，且生产成本相对蝶形封装成本低，所以一经推出便得到了众多器件厂家的关注。但是制冷型同轴封装光发射组件内部元件较非制冷同轴封装光发射组件多，封装工艺较复杂，且体积较蝶形器件小，散热能力较弱。由于上述这些不足，使得制冷型同轴封装光发射组件应用范围受到影响。因此，降低制冷型同轴封装光发射组件的封装工艺难度，提高散热能力，进一步降低成本成为制冷型同轴封装光发射组件的发展方向。

现有制冷型同轴封装光发射组件中基板及制冷器均平行贴装于所述管座的承载表面，电吸收调制激光器芯片封装于封装基板，由于封装基板与管座的承载表面平行，从而导致电吸收调制激光器芯片出光方向平行于所述承载表面，为了使得光发射组件的出光方向平行于所述管座的轴线方向，需要另外设置反射棱镜，来改变光路的方向。因此，现有制冷型同轴封装光发射组件在封装电吸收调制激光器芯片时需要三维空间内确定位置，并且由于需要另外设置反射棱镜，光路耦合对准较为困难。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于提供一种光发射组件及光发射组件的组装方法，以降低光发射组件封装工艺的复杂程度，优化散热结构，提高组件的散热能力。

为了实现上述目的，本发明实施方式提供如下技术方案：

第一方面，提供了一种光发射组件。

光发射组件，用于调制并发射信号光，包括管座、制冷器、基板、电吸收调制激光器芯片及管帽，所述管座包括承载板以及贯穿所述承载板的热沉，所述热沉具有垂直于所述承载板的连接面，所述制冷器具有相对的制冷面及散热面，所述散热面贴装于所述连接面，所述基板贴装于所述制冷面，所述电吸收调制激光器芯片贴装于所述基板，所述电吸收调制激光器芯片、所述基板与所述制冷器三者的厚度之和等于所述连接面与所述承载板中心轴的距离，所述电吸收调制激光器芯片出光的光轴与所述承载板的中心轴相互平行或相互重合，所述管帽具有光窗，所述管帽与所述管座相配合，用于密封所述承载板安装的元件，并通过所述光窗透射所述电吸收调制激光器芯片出射的发射光。

在第一种可能的实现方式中，所述电吸收调制激光器芯片包括电吸收调制器及导体激半光二极管，所述半导体激光二极管用于发射激光，所述电吸收调制器用于对所述激光进行调制，从而得到信号光。

结合第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述光发射组件还包括背光探测器，所述背光探测器贴装于所述基板，所述背光探测器的光接收面与半导体激光二极管的后出光面相互正对，所述背光探测器用于探测所述半导体激光二极管发射的激光的功率，从而根据所述背光探测器探测的结果，控制施加于所述半导体激光二极管的电流的大小。

结合第二种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述光发射组件还包括所述薄膜电阻，所述薄膜电阻用于与所述电吸收调制器的高速调制信号输入阻抗匹配。

结合第三种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述光发射组件还包括微带线，所述微带线预设于所述基板，所述微带线的一端与所述电吸收调制器连接，所述微带线用于向所述电吸收调制激光器芯片的电吸收调制器馈入高速调制信号。

结合第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，所述光发射组件还包括热敏电阻，所述热敏电阻贴装于所述基板。

结合第五种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，所述光发射组件还包括滤波电容，所述滤波电容贴装于所述基板。

结合第六种可能的实现方式，在第七种可能的实现方式中，所述管座还包括多个引脚，所述多个引脚均贯穿所述承载板。

结合第七种可能的实现方式，在第八种可能的实现方式中，所述引脚的数量为七个，七个引脚中一个为接地引脚，其余六个引脚分别与所述微带线的另一端、所述制冷器的正极、所述制冷器的负极、所述电吸收调制激光器芯片的半导体激光二极管的正极、所述背光探测器的正极以及所述热敏电阻的一端一一对应连接，所述电吸收调制激光器芯片的电吸收调制器的负极、所述电吸收调制激光器芯片的半导体激光二极管的负极、所述背光探测器的负极以及所述热敏电阻的另一端均与所述接地引脚相连接。

在第九种可能的实现方式中，所述热沉采用钨铜制成。

在第十种可能的实现方式中，所述热沉还具有与所述连接面平行的背面以及两个连接于所述背面和连接面之间的两个侧面，所述连接面与所述承载板的中心轴相对，所述背面与所述承载板的中心轴相背，所述侧面垂直于所述承载板，所述背面与两个所述侧面的连接处形成有倒角结构。

在第十一种可能的实现方式中，所述热沉还具有与所述连接面平行的背面以及两个连接于所述背面和连接面之间的两个侧面，所述连接面与所述承载板的中心轴相对，所述背面与所述承载板的中心轴相背，所述侧面垂直于所述承载板，所述背面与两个所述侧面的连接处形成有倒角结构，所述连接面与两个侧面的连接处也形成有倒角结构。

在第十二种可能的实现方式中，所述基板为陶瓷基板，所述基板的材料为氮化铝或氧化铝。

在第十三种可能的实现方式中，所述基板具有贴装所述电吸收调制激光器芯片的封装面，所述封装面、所述制冷面及所述散热面均平行于所述承载板的中心轴。

另一方面，提供了一种光发射组件的组装方法。

光发射组件的组装方法，用于组装以上各种可能实施方式中所述的光发射组件，包括步骤:

提供管座、制冷器、基板、电吸收调制激光器芯片及管帽，所述管座包括承载板以及贯穿所述承载板的热沉，所述热沉具有垂直于所述承载板的连接面，所述制冷器具有相对的制冷面及散热面，所述电吸收调制激光器芯片、所述基板与所述制冷器三者的厚度之和等于所述连接面与所述承载板中心轴的距离；

将所述制冷器的散热面贴装于所述热沉的连接面；

将所述电吸收调制激光器芯片贴装于所述基板；

将贴装有电吸收调制激光器芯片的基板贴装于所述制冷器的制冷面，使得所述电吸收调制激光器芯片出光的光轴与所述承载板的中心轴相互平行或者重合；以及

将所述管帽与所述管座焊接，得到光发射组件。

本发明提供的光发射组件及其组装方法，通过设置所述电吸收调制激光器芯片的厚度、所述基板的厚度与所述制冷器的厚度三者之和等于所述连接面与所述承载板中心轴的距离，从而在进行封装时，仅需在所述封装面所在的平面内调整所述电吸收调制激光器芯片的位置，即可实现所述电吸收调制激光器芯片出光的光轴与所述管座的轴线相互平行或者相互重合，从而可以降低封装工艺的复杂程度。另外，本实施方式中，通过垂直于管座的承载板的热沉及制冷器来固定和支撑所述载板及所述电吸收调制激光器芯片，从而可以使得所述电吸收调制激光器芯片出光的光轴垂直于承载板，而无需另外设置改变光路方向的棱镜，从而降低光路耦合及对准的困难程度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明提供的光发射组件第一种实施方式的示意图；

图2是图1的光发射组件的分解示意图；

图3是图1的光发射组件去除管帽后的示意图；

图4是图3的去除管帽后的光发射组件的俯视图；

图5是本发明提供的光发射组件第二种实施方式的示意图；

图6是本发明提供的光发射组件的组装方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1至图4，本技术方案的第一实施方式提供的光发射组件100，用于调制并发射光信号。所述光发射组件100包括管座110、制冷器120、基板130、电吸收调制激光器芯片140、背光探测器150、热敏电阻160、薄膜电阻170、滤波电容101、微带线180及管帽190。

所述管座110用于封装所述制冷器120及基板130。所述管座110包括承载板111、贯穿所述承载板111的热沉112及多个引脚113。本实施方式中，所述承载板111大致为圆柱形，其具有圆形的承载面1111及与承载面1111相对的底面1112。所述热沉112大致为四棱柱体。

热沉112贯穿所述承载板111的承载面1111和底面1112。所述热沉112设置于所述承载板111的中心的一侧。所述热沉112具有垂于所述承载面1111的连接面1121及与所述连接面1121相对的背面1122。即所述连接面1121与所述背面1122均平行于所述承载板111的中心轴。所述连接面1121与所述承载面1111的中心的相对，所述背面1122与所述承载面1111的中心相背。所述热沉112还具有连接于所述连接面1121与背面1122之间的两个侧面1123。两个侧面1123也垂直于所述承载面1111。背面1122与两个侧面1123相连接处均形成有倒角结构1124。所述热沉112可以采用钨铜、铜、银合金、金或者陶瓷等或其他导热性能良好的材料制成。优选地，所述热沉112采用钨铜制成。

本实施方式中，多个引脚113的个数为7个，每个引脚113均贯穿所述承载板111，每个引脚113的一端凸出于所述承载面1111，相对的另一端凸出于所述底面1112。所述引脚113用于将所述管座110承载的元件与管座110外进行信号连接或者电连接。

所述制冷器120用于对贴装于其上的元件进行散热，以使得所述元件保持温度恒定。所述制冷器120具有相对的制冷面121和散热面122。所述制冷面121与所述散热面122相互平行。所述制冷器120的散热面122通过焊料或者导电胶固定于所述热沉112的连接面1121。所述制冷面121与所述散热面122之间的距离定义为所述制冷器120的厚度。所述制冷面121和所述散热面122均平行于所述连接面1121。所述制冷器120具有正极123和负极124，用于将制冷器120接入电压，以对制冷器120供电。所述正极123及负极124位于所述制冷面121的相对两侧。所述制冷器120可以为半导体制冷器。

所述基板130用于封装电吸收调制激光器芯片140、背光探测器150、热敏电阻160、滤波电容101、薄膜电阻170、微带线180等电子元件。所述基板130可以为陶瓷基板，具有良好的导热性能。所述陶瓷基板的材料可以为氮化铝或者氧化铝等。所述基板130具有相对的封装面131及贴合面132。所述封装面131用于封装电子元件。所述贴合面132用于与制冷器120的制冷面120相互贴合，以使得所述制冷器120能够冷却所述基板120，保持基板130的温度基本恒定，从而使得封装于基板130的电子元件的温度基本恒定。定义所述封装面131与所述贴合面132之间的距离为基板130的厚度。

所述电吸收调制激光器芯片140、背光探测器150、热敏电阻160、滤波电容101，薄膜电阻170、微带线180均封装于所述基板130的封装面131。电吸收调制激光器芯片140、背光探测器150、热敏电阻160、滤波电容101可以通过焊料或者导电胶固定于所述基板130的表面。所述电吸收调制器激光器芯片140主要包括电吸收调制器及半导体激光二极管，所述半导体激光二极管用于发射激光，所述电吸收调制器用于对所述激光进行调制，从而得到信号光。所述电吸收调制激光器芯片140的厚度、所述基板130的厚度与所述制冷器120的厚度三者之和等于所述连接面1121与所述承载板111中心的距离。从而可以通过调整所述电吸收调制激光器芯片140的位置，使得电吸收调制激光器芯片140出光的光轴所述承载板111的中心轴大致重合。即使得所述电吸收调制激光器芯片140出光的光轴与所述承载板111的中心轴相互重合，或者所述使得电吸收调制激光器芯片140出光的光轴与所述承载板111的中心轴相互平行。

所述背光探测器150封装于电吸收调制激光器芯片140的后出光面一侧，所述背光探测器150的光接收面与半导体激光二极管的后出光面相互正对。所述背光探测器150可以为侧面照明InGaAs/InP探测器，也可以为正面进光InGaAs/InP探测器。所述背光探测器150用于感测所述半导体激光二极管发射的激光的功率，从而可以根据所述背光探测器150探测的结果，控制施加于所述半导体激光二极管的电流的大小。

所述热敏电阻160对温度敏感，其电阻值会随着温度的变化而变化，通过监控其电阻值的变化，间接监控其所粘接位置的温度。具体的，所述热敏电阻160封装于基板130，而电吸收调制激光器芯片140也贴装于基板130，且热敏电阻160与电吸收调制激光器芯片140距离较小。当所述电吸收调制激光器芯片140工作时产生热量，将会导致基板130的温度发生变化，所述热敏电阻160通过监测基板130的温度，进而可以监测电吸收调制激光器芯片140的温度。

所述薄膜电阻170及微带线180可以直接预设于所述基板130，而无需进行封装。所述薄膜电阻170可以为50欧姆阻抗的薄膜电阻。所述薄膜电阻170用于与所述电吸收调制器的高速调制信号输入阻抗匹配。所述微带线180用于所述电吸收调制器激光芯片140高速调制信号的馈入。即所述微带线180的一端与所述电吸收调制激光器芯片140的电吸收调制器的正极连接，另一端与管座110的一个引脚113相互连接。从而实现电吸收调制激光器芯片140高速调制信号的馈入。

在本实施方式中，所述七个引脚113的其中一个为接地引脚，其他的六个引脚分别连接微带线180的另一端、制冷器120的正极、制冷器120的负极、电吸收调制激光器芯片140的半导体激光二极管的正极、背光探测器150的正极以及热敏电阻160的一端。所述电吸收调制激光器芯片140的电吸收调制器的负极、电吸收调制激光器芯片140的半导体激光二极管的负极、背光探测器150的负极以及热敏电阻160的另一端均与所述接地引脚向连接。从而，射频信号及电信号可以通过各引脚113传入至所述光发射组件100内部的各电子元件，以实现所述光发射组件100的功能。所述引脚113与各元件之间可以通过金丝（图未示）相互连接。

所述管帽190用于与管座110配合，用于密封所述承载板111的承载面1111上安装的元件。所述管帽190的形状与所述承载板111的形状相对应。所述管帽190与所述承载板110的承载面1111紧密结合，以密封所述承载面1111上安装的制冷器120、基板130等元件。所述管帽190远离所述承载面1111的一端形成有光窗191，所述光窗191用于透射所述电吸收调制激光器芯片140出射的信号光。所述管帽190可以是平窗管帽，也可以是设有球透镜或非球透镜的管帽，根据耦合光路和使用要求的不同选择不同类型的管帽。光窗191的外表面镀增透膜，增加光的透过率，使得光的透过率大于98%，以减少反射光对电吸收调制激光器芯片140的影响。

可以理解的是，根据使用要求的不同，所述光发射组件100也可以不包括背光探测器150、热敏电阻160、滤波电容101及薄膜电阻170中的其中一个或者多个。

本实施方式提供的光发射组件100，通过设置所述电吸收调制激光器芯片140的厚度、所述基板130的厚度与所述制冷器120的厚度之和等于所述连接面1121与所述承载板111中心的距离，从而在进行封装时，仅需在所述封装面所在的平面内调整所述电吸收调制激光器芯片140的位置，即可实现所述电吸收调制激光器芯片140出光的光轴与所述管座110的中心轴相互平行或者重合，从而可以降低封装工艺的复杂程度。另外，本实施方式中，通过垂直于管座110的承载板111的热沉112及制冷器120来固定和支撑所述载板130及所述电吸收调制激光器芯片140，从而可以使得所述电吸收调制激光器芯片140出光的光轴垂直于承载板111，而无需另外设置改变光路方向的棱镜，从而降低光路耦合及对准的困难程度。

请参阅图5，本发明的第一技术方案的第二较佳实施方式提供一种光发射组件200。所述光发射组件200与第一实施方式提供的光发射组件100的结构基本相同，实现的功能基本相同。所述光发射组件200包括管座210、制冷器220、基板230、电吸收调制激光器芯片240、背光探测器250、热敏电阻260、薄膜电阻270、微带线280及管帽（图未示）。不同之处在于，所述管座210的热沉212的形状与第一实施方式中的热沉110的形状不同。所述热沉1212贯穿所述承载板211。所述热沉212具有垂于所述承载面2111的连接面2121及与所述连接面2121相对的背面2122。所述连接面2121与所述承载面2121的中心相对，所述背面1122与所述承载面1111的中心相背。所述热沉212还具有连接于所述连接面2121与背面2122之间的两个侧面2123。背面2122与两个侧面2123相连接处均形成有倒角结构2124。所述连接面2121与两个侧面2123相连接处也形成有倒角结构2124。

请一并参阅图6，本发明的第二技术方案提供一种光发射组件的组装的方法。下面，以本发明第一技术方案提供的光发射组件100以例来说明一个较佳的实施方式提供的光发射组件的组装方法，所述的光发射组件的组装方法包括以下步骤：

步骤S101，提供管座110、制冷器120、基板130、电吸收调制激光器芯片140及管帽190。

所述管座110包括承载板111、贯穿所述承载板111的热沉112及多个引脚113。所述承载板111大致为圆柱形，其具有圆形的承载面1111及与承载面1111相对的底面1112。所述热沉112大致为四棱柱体。

热沉112贯穿所述承载板111的承载面1111和底面1112。所述热沉112设置于所述承载板111的中心的一侧。所述热沉112具有垂于所述承载面1111的连接面1121及与所述连接面1121相对的背面1122。所述连接面1121与所述承载面1121的中心相对，所述背面1122与所述承载面1111的中心相背。所述热112还具有连接于所述连接面1121与背面1122之间的两个侧面1123。所述承载面1111与所述连接面1121相互垂直。

所述制冷器120用于对贴装于其上的元件进行散热，以使得所述元件保持温度恒定。所述制冷器120具有相对的制冷面121和散热面122。所述制冷面121与所述散热面122相互平行。所述制冷面121与所述散热面122之间的距离定义为所述制冷器120的厚度。所述制冷器120具有正极123和负极124，用于将制冷器120接入电压，以对制冷器120供电。所述正极123及负极124位于所述制冷面121的相对两侧。

所述基板130具有相对的封装面131及贴合面132。所述封装面131用于封装电子元件。定义所述封装面131与所述贴合面132之间的距离为基板130的厚度。所述电吸收调制激光器芯片140的厚度、所述基板130的厚度与所述制冷器120的厚度之和等于所述连接面1121与所述承载板111中心的距离。

所述薄膜电阻170及微带线180可以直接预设于所述基板130。

此步骤还可以一并提供背光探测器150、热敏电阻160、薄膜电阻170及滤波电容101等。

步骤S102，将所述制冷器120贴装于所述热沉112的连接面1121。

所述制冷器120的散热面1212通过导热焊料贴合于所述热沉112的连接面1121，并使得所述制冷器120的制冷面1211与所述承载面1111垂直，所述制冷面1211与所述连接面1121平行。

步骤S103，将所述电吸收调制激光器芯片140封装于所述基板130。

当所述基板130预设有薄膜电阻170及微带线180时，仅需将电吸收调制激光器芯片140、背光探测器150及热敏电阻160封装于所述基板130的封装面131。所述电吸收调制激光器芯片140、背光探测器150及热敏电阻160可以采用导电焊料贴装于所述基板130的封装面131。

步骤S104，将贴装有电吸收调制激光器芯片140的基板130贴装于所述制冷器120的制冷面121。

由于所述电吸收调制激光器芯片140的厚度、所述基板130的厚度与所述制冷器120的厚度之和等于所述连接面1121与所述承载板111中心的距离，通过在所述制冷面121内调整所述基板130的贴装的位置，可以使得所述基板130贴装的电吸收调制激光器芯片140的出光光轴大致与所述承载板111的中心轴重合或相互平行。所述基板130可以通过导电胶或者导电焊料贴装于所述制冷器120的制冷面121，使得所述封装面131与所述承载面1111也相互垂直。

在此之后，还可以包括将所述制冷器120、电吸收调制激光器芯片140、背光探测器150、热敏电阻160、薄膜电阻170及微带线180与所述管座110的引脚113之间进行连接。本实施方式中，可以通过金丝键合的方式将所述管座110安装的各元件与所述管座110的引脚113连接。

步骤S105，将所述管帽190与所述管座110焊接，得到光发射组件100。

可以理解的是，本实施方式提供的光发射组件100的组装方法，其中步骤S103也可以在步骤S102之前进行。

本实施方式提供的光发射组件的组装方法，通过设计所述电吸收调制激光器芯片140的厚度、所述基板130的厚度与所述制冷器120的厚度之和等于所述连接面1121与所述承载板111中心的距离，从而在进行封装时，仅需在所述封装面所在的平面内调整所述电吸收调制激光器芯片140的位置，即可实现所述电吸收调制激光器芯片140出光的光轴与所述管座110的轴线相互平行或者相互重合，从而可以降低封装工艺的复杂程度。

以上所述的实施方式，并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在该技术方案的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种光发射组件，用于调制并发射信号光，其特征在于：所述光发射组件包括管座、制冷器、基板、电吸收调制激光器芯片及管帽，所述管座包括承载板以及贯穿所述承载板的热沉，所述热沉具有垂直于所述承载板的连接面，所述制冷器具有相对的制冷面及散热面，所述散热面贴装于所述连接面，所述基板贴装于所述制冷面，所述电吸收调制激光器芯片贴装于所述基板，所述电吸收调制激光器芯片、所述基板与所述制冷器三者的厚度之和等于所述连接面与所述承载板中心轴的距离，所述电吸收调制激光器芯片出光的光轴与所述承载板的中心轴相互平行或相互重合，所述管帽具有光窗，所述管帽与所述管座相配合，用于密封所述承载板安装的元件，所述承载板呈平板状，所述热沉从所述承载板的中心和所述承载板的边缘之间的位置穿过所述承载板，所述热沉设于所述承载板一侧且用于贴装所述制冷器的部分收容在所述管帽内，通过所述光窗透射所述电吸收调制激光器芯片出射的信号光。

2.如权利要求1所述的光发射组件，其特征在于，所述电吸收调制激光器芯片包括电吸收调制器及半导体激光二极管，所述半导体激光二极管用于发射激光，所述电吸收调制器用于对所述激光进行调制，从而得到信号光。

3.如权利要求2所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括背光探测器，所述背光探测器贴装于所述基板，所述背光探测器的光接收面与半导体激光二极管的后出光面相互正对，所述背光探测器用于监控所述半导体激光二极管发射的激光的功率，从而根据所述背光探测器探测的结果，控制施加于所述半导体激光二极管的电流的大小。

4.如权利要求3所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括薄膜电阻，所述薄膜电阻用于与所述电吸收调制器的高速调制信号输入阻抗匹配。

5.如权利要求4所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括微带线，所述微带线预设于所述基板，所述微带线的一端与所述电吸收调制器连接，所述微带线用于向所述电吸收调制激光器芯片的电吸收调制器馈入高速调制信号。

6.如权利要求5所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括热敏电阻，所述热敏电阻贴装于所述基板。

7.如权利要求6所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括滤波电容，所述滤波电容贴装于所述基板。

8.如权利要求7所述的光发射组件，其特征在于，所述管座还包括多个引脚，所述多个引脚均贯穿所述承载板。

9.如权利要求8所述的光发射组件，其特征在于，所述引脚的数量为七个，七个引脚中一个为接地引脚，其余六个引脚分别与所述微带线的另一端、所述制冷器的正极、所述制冷器的负极、所述电吸收调制激光器芯片的半导体激光二极管的正极、所述背光探测器的正极以及所述热敏电阻的一端一一对应连接，所述电吸收调制激光器芯片的电吸收调制器的负极、所述电吸收调制激光器芯片的半导体激光二极管的负极、所述背光探测器的负极以及所述热敏电阻的另一端均与所述接地引脚相连接。

10.如权利要求1所述的光发射组件，其特征在于，所述热沉采用钨铜制成。

11.如权利要求1所述的光发射组件，其特征在于，所述热沉还具有与所述连接面平行的背面以及两个连接于所述背面和连接面之间的两个侧面，所述连接面与所述承载板的中心轴相对，所述背面与所述承载板的中心轴相背，所述侧面垂直于所述承载板，所述背面与两个所述侧面的连接处形成有倒角结构。

12.如权利要求1所述的光发射组件，其特征在于，所述热沉还具有与所述连接面平行的背面以及两个连接于所述背面和连接面之间的两个侧面，所述连接面与所述承载板的中心轴相对，所述背面与所述承载板的中心轴相背，所述侧面垂直于所述承载板，所述背面与两个所述侧面的连接处形成有倒角结构，所述连接面与两个侧面的连接处也形成有倒角结构。

13.如权利要求1所述的光发射组件，其特征在于，所述基板为陶瓷基板，所述基板的材料为氮化铝或氧化铝。

14.如权利要求1所述的光发射组件，其特征在于，所述基板具有贴装所述电吸收调制激光器芯片的封装面，所述封装面、所述制冷面及所述散热面均平行于所述承载板的中心轴。

15.一种光发射组件的组装方法，用于组装如权利要求1至14任一项所述的光发射组件，包括步骤:

提供管座、制冷器、基板、电吸收调制激光器芯片及管帽，所述管座包括承载板以及贯穿所述承载板的热沉，所述承载板呈平板状，所述热沉具有垂直于所述承载板的连接面，所述热沉从所述承载板的中心和所述承载板的边缘之间的位置穿过所述承载板，所述制冷器具有相对的制冷面及散热面，所述电吸收调制激光器芯片、所述基板与所述制冷器三者的厚度之和等于所述连接面与所述承载板中心轴的距离；

将所述制冷器的散热面贴装于所述热沉的连接面；

将所述电吸收调制激光器芯片贴装于所述基板；

将贴装有电吸收调制激光器芯片的基板贴装于所述制冷器的制冷面，使得所述电吸收调制激光器芯片出光的光轴与所述承载板的中心轴相互平行或者重合；以及

将所述管帽与所述管座焊接，所述热沉设于所述承载板一侧且用于贴装所述制冷器的部分收容在所述管帽内，得到光发射组件。