CN104730807A - 一种中近距离半导体激光补光源 - Google Patents

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徐小红
王晓薇
乔建伟
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    • G03B15/00—Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B15/02—Illuminating scene
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    • G03B15/05—Combinations of cameras with electronic flash apparatus; Electronic flash units
    • G—PHYSICS
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Abstract

本发明公开了一种中近距离半导体激光补光源，包括半导体激光二极管、光束整形镜、MLA镜片及驱动电路板；所述的光束整形镜设置在所述的半导体激光二极管发光区的正前方，所述的光束整形镜通过紫外胶与所述的半导体激光二极管固定连接，所述的MLA镜片设置在所述的光束整形镜的正前方；所述的驱动电路板与所述的半导体激光二极管电连接。本发明用LD取代LED，整机更节能，散热量更小；电光转换效率高，超低功耗，超长使用寿命；采用MLA激光匀化技术，可以形成均匀光斑，消除手电筒效应；照射距离相对同等水平的LED更远。

Description

一种中近距离半导体激光补光源
技术领域
本发明涉及半导体激光照明领域，尤其涉及一种中近距离半导体激光补光源。
背景技术
安防目前广泛涵盖平安城市建设、高铁建设、高速公路建设、地铁城轨、城市智能交通、大型活动、环保管理、校园监控、社区家庭。其中视频监控占有非常大的市场空间。而在视频监控中，红外照明灯作为夜间补光设备必不可少。每个摄像机往往需要配备一个、甚至多个红外照明器，其需求量极为巨大。现有技术中，适合中近距离监控补光的LED红外照明灯，手电筒效果明显，监控画面中间亮，周围暗，照明均匀性不好，影响了成像质量。同时为了平衡光衰，往往采用比实际需求功率大得多的LED芯片，以保证光衰后的能量，造成了浪费。
发明内容
本发明的目的：提供一种中近距离半导体激光补光源，提高了成像质量，减少耗电量，照射距离更远。
为了实现上述目的，本发明的技术方案是：
一种中近距离半导体激光补光源，包括半导体激光二极管、光束整形镜、MLA镜片及驱动电路板；所述的光束整形镜设置在所述的半导体激光二极管发光区的正前方，所述的光束整形镜通过紫外胶与所述的半导体激光二极管固定连接，所述的MLA镜片设置在所述的光束整形镜的正前方；所述的驱动电路板与所述的半导体激光二极管电连接。
上述的中近距离半导体激光补光源，其中，还包括散热器及MLA镜托，所述的半导体激光二极管、光束整形镜固定连接后与所述的MLA镜托安装在所述的散热器上，所述的MLA镜片通过所述的MLA镜托固定设置。
上述的中近距离半导体激光补光源，其中，还包括隔离罩，所述的隔离罩罩盖在MLA镜片及MLA镜托上，防止灰尘落入及MLA镜片表面划伤，所述的隔离罩的表面镀增透膜。
上述的中近距离半导体激光补光源，其中，所述的半导体激光二极管的波长范围为650-980nm。
上述的中近距离半导体激光补光源，其中，所述的MLA镜片的角度包含0°-90°，所述的MLA镜片的角度与所选镜头相匹配。
上述的中近距离半导体激光补光源，其中，所述的MLA镜片由塑料或玻璃或合成树脂制成。
本发明用LD取代LED，整机更节能，散热量更小；电光转换效率高，超低功耗，超长使用寿命；采用MLA激光匀化技术，可以形成均匀光斑，消除手电筒效应；照射距离相对同等水平的LED更远。
附图说明
图1是本发明一种中近距离半导体激光补光源的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图进一步说明本发明的实施例。
请参见附图1所示，一种中近距离半导体激光补光源，包括半导体激光二极管1、光束整形镜2、MLA镜片3及驱动电路板4；所述的光束整形镜2设置在所述的半导体激光二极管1发光区的正前方，所述的光束整形镜2通过紫外胶与所述的半导体激光二极管1固定连接，所述的MLA镜片3设置在所述的光束整形镜2的正前方；所述的驱动电路板4与激光二极管电连接，提供稳定的额定工作电流。半导体激光二极管1用于发出照射激光，光束整形镜2对激光光斑进行整形，整形后光斑经过MLA镜片3进行光斑放大及匀化。不需要任何调节，保证摄像机的射出角度和本补光源角度能范围一致，并能把能量有效集中，补光亮度明显提高，光斑均匀，所产生的热效应明显减少，照射距离相对同等水平的LED更远。
还包括散热器5及MLA镜托7，所述的半导体激光二极管1、光束整形镜2固定连接后与所述的MLA镜托7安装在所述的散热器5上，所述的MLA镜片3通过所述的MLA镜托7固定设置。
还包括隔离罩6，所述的隔离罩6罩盖在所述MLA镜片3及MLA镜托7上，防止灰尘落入及MLA镜片3表面划伤，所述的隔离罩6的表面镀增透膜。
所述的半导体激光二极管1的波长范围为650-980nm。
所述的MLA镜片3的角度包含0°-90°，所述的MLA镜片3的角度与所选镜头相匹配，不同角度镜头，选用不同角度MLA镜片3。
所述的MLA镜片3采用塑料或玻璃或合成树脂制成，表面图形经特殊设计。
半导体激光二极管1经驱动电路板4供电后，出射光进光束整形镜2进行整形，经过快轴、慢轴压缩。压缩后的光斑经过MLA镜片3后进行光斑放大及匀化。MLA镜托7将MLA镜片3同定，驱动电路板4向半导体激光二极管1提供稳定的额定工作电流，散热器5将半导体激光二极管1产生的热量通过热传递的方式散发出去，隔离罩6隔离灰尘等物质，以保证MLA镜片3的清晰、完整。散热器5、半导体激光二极管1、光束整形镜2、MLA镜托7、MLA镜片3、驱动电路板4、隔离罩6集成为一体，并通过热传递方式向外散发热量。最终获得发热量低、高转换效率、高均匀性的半导体激光补光源。
综上所述，本发明用LD取代LED，整机更节能，散热量更小；电光转换效率高，超低功耗，超长使用寿命；采用MLA激光匀化技术，可以形成均匀光斑，消除手电筒效应；照射距离相对同等水平的LED更远。
以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构变换，或直接或间接运用附属在其他相关产品的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种中近距离半导体激光补光源，其特征在于：包括半导体激光二极管、光束整形镜、MLA镜片及驱动电路板；所述的光束整形镜设置在所述的半导体激光二极管发光区的正前方，所述的光束整形镜通过紫外胶与所述的半导体激光二极管固定连接，所述的MLA镜片设置在所述的光束整形镜的正前方；所述的驱动电路板与所述的半导体激光二极管电连接。
2.根据权利要求1所述的中近距离半导体激光补光源，其特征在于：还包括散热器及MLA镜托，所述的半导体激光二极管、光束整形镜固定连接后与所述的MLA镜托安装在所述的散热器上，所述的MLA镜片通过所述的MLA镜托固定设置。
3.根据权利要求2所述的中近距离半导体激光补光源，其特征在于：还包括隔离罩，所述的隔离罩罩盖在MLA镜片及MLA镜托上，所述的隔离罩的表面镀增透膜。
4.根据权利要求1所述的中近距离半导体激光补光源，其特征在于：所述的半导体激光二极管的波长范围为650-980nm。
5.根据权利要求1所述的中近距离半导体激光补光源，其特征在于：所述的MLA镜片的角度包含0°-90°，所述的MLA镜片的角度与所选镜头相匹配。
6.根据权利要求1所述的中近距离半导体激光补光源，其特征在于：所述的MLA镜片由塑料或玻璃或合成树脂制成。
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