CN104711524B - 离化率检测装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种离化率检测装置和方法，其包括离子沉积速率检测单元和总沉积速率检测单元；总沉积速率检测单元用于通过检测沉积在被加工工件上的薄膜厚度而获得溅射粒子的总沉积速率；离子沉积速率检测单元用于检测溅射粒子中离子的沉积速率，其包括导电金属片、隔离件、电流检测装置及直流电源；导电金属片置于被加工工件上；隔离件用以将导电金属片与外界电绝缘；隔离件的位于导电金属片上方的位置处设有竖直的通孔；直流电源用以向导电金属片加载负偏压；电流检测装置用于检测电路上的电流；根据电流进行计算而获得溅射粒子中离子的沉积速率，并通过计算溅射粒子的离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得溅射粒子的离化率。

Description

离化率检测装置及方法

技术领域

本发明涉及微电子加工技术领域，具体地，涉及一种离化率检测装置及方法。

背景技术

使用物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，以下简称为PVD）设备通过溅射的方式在被加工工件上沉积薄膜一般可分为以下两种：在被加工工件表面沉积薄膜和填充被加工工件上的深孔。其中，使用PVD设备填充被加工工件上的深孔是通过带电粒子轰击靶材，使靶材表面的粒子脱离靶材，从深孔的孔口进入并沉积在深孔内实现的；其中，从靶材表面脱离的粒子包括中性的原子和带电的离子。在上述过程中，由于深孔的深宽比较高，其孔口较小，这就要求粒子具有较强的方向性，以使其能够准确地从孔口进入到深孔中。

在实际使用中，一般通过增加靶材与被加工工件之间的距离和提高粒子的离化率等两种方式来增强粒子的方向性。其中，提高粒子的离化率是使从靶材上脱离的粒子中具有较多的离子，这样可以通过向承载被加工工件的卡盘上加载负偏压，该负偏压引导上述粒子中的离子从深孔的孔口处进入并沉积到深孔内，从而增强粒子的方向性。

根据上述可知，粒子的离化率在一定程度上决定了粒子的方向性；即：离化率越高，粒子的方向性就越强，深孔内沉积的粒子就越多，从而PVD设备可以填充的深孔的深度就更深；反之，离化率越低，粒子的方向性就越弱，深孔内沉积的粒子就越少，从而PVD设备可以填充的深孔的深度就更浅。所以，在实际应用中，需要对PVD设备的粒子的离化率进行检测，以获知PVD设备可以填充的被加工工件上的深孔的深度。

但在现有技术中，并没有能够准确地检测溅射粒子中离化率的装置和方法，这是因为溅射粒子中离子的个数和粒子的总数很难被精确地检测出来，也就无法计算溅射粒子中离子个数所占的比例，即所谓溅射粒子的离化率。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种离化率检测装置及方法，其可以检测溅射粒子的总沉积速率和溅射粒子中离子的沉积速率，从而通过计算离子沉积速率和总沉积速率的比值可以获得溅射粒子的离化率。

为实现本发明的目的而提供一种离化率检测装置，其包括离子沉积速率检测单元和总沉积速率检测单元；所述总沉积速率检测单元用于通过检测沉积在被加工工件上的薄膜厚度而获得溅射粒子的总沉积速率；所述离子沉积速率检测单元用于检测溅射粒子中离子的沉积速率，其包括导电金属片、隔离件、电流检测装置及直流电源；其中所述被加工工件的上表面上覆盖有绝缘层；所述导电金属片置于所述被加工工件的绝缘层上；所述隔离件采用绝缘材料制作，用以将导电金属片与外界电绝缘；并且，所述隔离件的位于导电金属片上方的位置处设有竖直的通孔，在进行溅射沉积工艺的过程中，溅射粒子通过所述通孔沉积至所述导电金属片的上表面上；所述直流电源的正极接地，负极与所述导电金属片连接，用以在进行溅射沉积工艺的过程中向导电金属片加载负偏压；所述电流检测装置串接于所述导电金属片与所述直流电源之间的电路中，用于检测该电路上的电流；根据所述电流进行计算而获得溅射粒子中离子的沉积速率，并通过计算所述溅射粒子的离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得溅射粒子的离化率。

其中，所述导电金属片的数量为多个，多个所述导电金属片分布在被加工工件的绝缘层上的不同区域；所述隔离件的数量为一个，其将所有导电金属片与外界之间以及各个导电金属片之间电绝缘，且所述通孔的数量与所述导电金属片的数量相对应；或者，所述隔离件的数量为多个，每个隔离件将所有导电金属片中的至少一个与外界之间以及与其他各个导电金属片之间电绝缘，并且每个隔离件的通孔数量与被其电绝缘的导电金属片的数量相对应。

其中，所述通孔的孔壁在隔离件的上表面至下表面方向向内或向外倾斜。

其中，所述隔离件的底部设有环绕所述通孔的凹部，所述凹部自所述通孔向所述隔离件的外周壁凹陷，并且所述凹部在所述导电金属片所在平面内的投影位于所述导电金属片内。

其中，所述凹部在水平方向的宽度和在竖直方向的高度之比大于3。

其中，所述凹部在水平方向的宽度和在竖直方向的高度之比为6。

其中，所述电流检测装置包括电流表，其串接于所述导电金属片与所述直流电源之间的电路中，用于检测该电路上的电流。

其中，所述电流检测装置包括串接于所述导电金属片与所述直流电源之间的电路上的电阻和与所述电阻并联的电压表或示波器，所述电压表或示波器用于检测所述电阻两端的电压，根据所述电压而获得所述电阻所在电路上的电流。

其中，根据下述公式而获得溅射粒子中离子的沉积速率：

其中，v为溅射粒子中离子的沉积速率；I为由所述电流检测装置检测获得的电流；u为溅射材料的相对原子质量；e为元电荷；N_A为阿伏伽德罗常数；ρ为溅射材料的密度；S为所述通孔在水平方向的最小截面面积。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种离化率检测方法，其采用本发明提供的上述离化率检测装置检测溅射粒子的离化率，其包括以下步骤：

通过检测沉积在被加工工件上的薄膜厚度而获得溅射粒子的总沉积速率；

根据所述电流进行计算而获得溅射粒子中离子的沉积速率；

通过计算所述溅射粒子的离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得溅射粒子的离化率。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的离化率检测装置，其总沉积速率检测单元通过测量沉积至被加工工件上的薄膜厚度可以获得总沉积速率；其离子沉积速率检测单元借助电流检测装置可以检测出连接导电金属片和直流电源的电路中的电流，并通过计算获得离子沉积速率；在分别获得离子沉积速率和总沉积速率后，通过计算离子沉积速率与总沉积速率的比值可以获得溅射粒子的离化率。

本发明提供的离化率检测方法，其采用本发明提供的离化率检测装置，通过其总沉积速率检测单元和离子沉积速率检测单元分别检测溅射粒子的总沉积速率和溅射粒子中离子的沉积速率，从而可以通过计算离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得溅射粒子的离化率。

附图说明

图1为本发明实施例提供的离化率检测装置的离子沉积速率检测单元的示意图；

图2为图1中离子沉积速率检测单元的导电金属片和隔离件的俯视图；

图3为一种隔离件的剖视图；以及

图4为另一种隔离件的剖视图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的离化率检测装置及方法进行详细描述。

本发明实施例提供的离化率检测装置通过检测溅射粒子中的离子沉积速率和溅射粒子的总沉积速率，并计算上述离子沉积速率与总沉积速率的比值来获得溅射粒子中离子所占的比例，即所谓离化率。

具体地，离化率检测装置包括离子沉积速率检测单元和总沉积速率检测单元。其中，总沉积速率检测单元用于通过检测沉积在被加工工件上的薄膜厚度而获得溅射粒子的总沉积速率；其包括厚度测量装置，该厚度测量装置用于检测工艺时间内沉积至被加工工件上的薄膜的厚度。在本实施例中，总沉积速率检测单元根据厚度测量装置测量的薄膜的厚度，计算薄膜的厚度与工艺时间的比值，从而获得溅射粒子的总沉积速率。

图1为本发明的实施例提供的离化率检测装置的离子沉积速率检测单元的示意图。图2为图1所示离子沉积速率检测单元的导电金属片和隔离件置于被加工工件上的示意图。请一并参阅图1和图2，离子沉积速率检测单元用于检测溅射粒子中离子的沉积速率，其包括导电金属片1、隔离件2、电流检测装置3及直流电源DC；其中，被加工工件4的上表面上覆盖有绝缘层，导电金属片1置于被加工工件4的绝缘层上，绝缘层使导电金属片1与被加工工件4之间不相导通；隔离件2采用绝缘材料制作，其用以将导电金属片1与外界电绝缘，以防止离子所携带的电荷在其沉积至导电金属片1上时被转移至外界；并且，隔离件2的位于导电金属片1上方的位置处设有竖直的通孔21，在进行溅射沉积工艺的过程中，溅射粒子通过该通孔21沉积至导电金属片1的上表面上；直流电源的正极接地，负极与导电金属片1连接，用以在进行溅射沉积工艺的过程中向导电金属片1加载负偏压，从而使溅射粒子中的离子通过通孔21沉积至导电金属片1上；电流检测装置3串接于导电金属片1与直流电源之间的电路中，用于检测该电路上的电流；在实际应用中，根据电流检测装置3检测出的电流，通过计算可以获得溅射粒子中离子的沉积速率。

下面对本发明的实施例提供的离化率检测装置的离子沉积速率检测单元检测溅射粒子中离子的沉积速率的原理和过程进行详细描述。

首先，在溅射沉积薄膜的工艺过程中，由直流电源向导电金属片1加载负偏压，从而使溅射粒子中的离子通过通孔21沉积至导电金属片1上；在上述过程中，离子沉积至导电金属片1上会使连接导电金属片1与直流电源的电路中产生电流，同时，串接于该电路上的电流检测装置3可以检测到上述电流；然后，以该电流为基本参数，通过计算可以获得离子沉积速率。

在上述过程中，需要说明的是，作为基本参数的电流是指单位时间内产生的溅射粒子中的离子完全沉积至导电金属片1上时，在连接导电金属片1与直流电源的电路中产生的电流。具体地，作为基本参数的电流可通过下述方式获得：在溅射沉积工艺过程中，逐步提高直流电源的输出电压，使直流电源加载至导电金属片1上的负偏压逐步增大，在此情况下，沉积至导电金属片1上的离子的数量增多，使连接导电金属片1与直流电源的电路中的电流随之逐步升高，直至单位时间内产生的溅射粒子中的离子全部沉积至导电金属片1上时，连接导电金属片1与直流电源的电路中的电流不再升高，其稳定在某一电流值，该电流值即为作为基本参数的电流。

具体地，根据作为基本参数的电流，通过下述方式获得离子沉积速率：

首先，根据下述公式（1）获得单位时间内在连接导电金属片1与直流电源的电路中流经的电荷量：

Q=I×t （1）

其中，Q为单位时间内在连接导电金属片1与直流电源的电路中流经的电荷量，I为电流检测装置3所检测到的作为基本参数的电流，t为单位时间；

其次，根据下述公式（2）获得单位时间内沉积至导电金属片1上的离子个数：

其中，n为单位时间内沉积至导电金属片1上的离子个数，Q为单位时间内在连接导电金属片1与直流电源的电路中流经的电荷量，e为元电荷；

再其次，根据下述公式（3）获得单位时间内沉积至导电金属片1上的离子的物质的量：

其中，M为单位时间内沉积至导电金属片1上的离子的物质的量，n为单位时间内沉积至导电金属片1上的离子个数，N_A为阿伏伽德罗常数；

再其次，根据下述公式（4）获得单位时间内沉积至导电金属片1上的薄膜的质量：

m=M×u （4）

其中，m为单位时间内沉积至导电金属片1上的薄膜的质量，M为单位时间内沉积至导电金属片1上的离子的物质的量，u为溅射材料的相对原子质量，即沉积至导电金属片1上的离子所属元素的相对原子质量；

再其次，根据下述公式（5）获得单位时间内沉积至导电金属片1上的薄膜的体积：

其中，V为单位时间内沉积至导电金属片1上的薄膜的体积，m为单位时间内沉积至导电金属片1上的薄膜的质量，ρ为溅射材料的密度，即沉积至导电金属片1上的离子所属元素的密度；

再其次，根据下述公式（6）获得单位时间内沉积至导电金属片1上的薄膜的厚度：

其中，h为单位时间内沉积至导电金属片1上的薄膜的厚度，V为单位时间内沉积至导电金属片1上的薄膜的体积，S为隔离件2上的通孔21在水平方向的最小截面面积；

最后，根据下述公式（7）获得离子沉积速率：

其中，v为离子沉积速率，h为单位时间内沉积至导电金属片1上的薄膜的厚度，t为单位时间。

在上述过程中，通过依次计算参数Q、n、M、m、V和h，最终获得了离子沉积速率v，但需要说明的是，在实际应用中，还可以首先根据上述公式（1）-（7）推导出下述公式（8）：

而后直接将参数I、u、e、N_A、ρ、S代入上述公式（8），从而更加简便地获得离子沉积速率v。

本实施例提供的离化率检测装置，其总沉积速率检测单元通过测量沉积至被加工工件上的薄膜厚度可以获得总沉积速率，其离子沉积速率检测单元借助电流检测装置3可以检测出沉积至导电金属片1上的离子使连接导电金属片1和直流电源的电路中产生的电流，并通过计算获得离子沉积速率，从而使本实施例提供的离化率检测装置可以通过计算离子沉积速率与总沉积速率之间的比值来获得离化率。

在本实施例中，导电金属片1的数量为多个，其分布在被加工工件4的绝缘层上的不同区域，隔离件2的数量为一个，其将所有导电金属片1与外界之间以及各个导电金属片1之间电绝缘，且其上设置的通孔21的数量与导电金属片1的数量相对应。在此情况下，可以对被加工工件4上的多个位置处的离子沉积速率进行检测。

下面结合附图3对隔离件2的具体结构进行描述，在本实施例中，通孔21的侧壁倾斜设置，并且，通孔21的侧壁在隔离件2的上表面至下表面方向向外倾斜，显然，在此情况下，通孔21的上开口处的水平截面面积最小，也就是说，在计算获得离子沉积速率的过程中，以通孔21在该处的水平截面面积为参数S；而上述设置可以使以一定角度倾斜地溅射向导电金属片1的离子在穿过通孔21的上开口处后能够沿其溅射方向沉积至导电金属片1上，而不会接触到通孔21的侧壁，并附着于其上；从而可以减少附着于通孔21的侧壁上的离子的个数，使穿过通孔21的上开口处的离子能够更多的沉积至导电金属片1上，在连接导电金属片1与直流电源的电路中产生电流，并被电流检测装置3检测到，进而使得通过计算离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得的离化率可以更精确地反映溅射粒子中离子所占的比例。

在实际应用中，虽然将通孔21的侧壁设置为在隔离件2的上表面至下表面方向向外倾斜，但仍然会有部分离子因为其溅射方向的倾斜角度较大，使其在穿过通孔的位于隔离件2的上表面的开口处后，和通孔21的侧壁接触，并附着于通孔21的侧壁上，在本实施例中，为避免沉积至导电金属片1上的薄膜与附着于通孔21侧壁上的离子相导通，在隔离件2的底部设有环绕通孔21的凹部22，该凹部22自通孔21向隔离件2的外周壁凹陷，且该凹部22在导电金属片1所在平面内的投影位于导电金属片1内。这样可以使沉积至导电金属片1上的薄膜不与通孔21的侧壁相接触，从而防止沉积至导电金属片1上的薄膜与附着于通孔21的侧壁上的离子相导通；

在本实施例中，凹部22使沉积至导电金属片1上的薄膜不与附着于通孔21的侧壁上的离子相导通，但在实际应用中，会有部分离子在溅射到导电金属片1表面或薄膜表面时，被反射至凹部22的顶壁上，在本实施例中，为避免沉积至导电金属片1上的薄膜与被反射至凹部22的顶壁上的离子相导通，设置凹部22在水平方向的宽度w和在竖直方向的高度h之比大于3，优选地，在本实施例中，凹部22在水平方向的宽度w与在竖直方向的高度h之比为6；这样可以使凹部22在水平方向上具有足够的宽度，从而使溅射向导电金属片1表面或薄膜表面的离子不会被反射到凹部22远离通孔21的一侧的顶壁上，也就是说，沉积至导电金属片1上的薄膜不会与凹部22的顶壁上的离子相导通。

在本实施例中，电流检测装置3可以为电流表，其串接于连接导电金属片1和直流电源的电路中，在此情况下，电流检测装置3可以直接检测连接导电金属片1和直流电源的电路中的电流。

需要说明的是，在本实施例中，隔离件2的数量为一个，但本发明并不限于此，在实际应用中，隔离件2的数量还可以为多个，每个隔离件2将所有导电金属片1中的其中至少一个与外界之间以及其他各个导电金属片1之间电绝缘，并且每个隔离件2的通孔数量与被其电绝缘的导电金属片1的数量相对应。

还需要说明的是，在本实施例中，电流检测装置3为串接于导电金属片1和直流电源之间的电路中的电流表，但本发明并不限于此，在实际应用中，电流检测装置3还可以包括串接于导电金属片1与直流电源之间的电路上的电阻和与该电阻并联的电压表或示波器，在此情况下，电流检测装置3通过电压表或示波器检测电阻两端的电压，并计算所检测到的电压与电阻的比值，来获得所在电路上的电流。

进一步需要说明的是，在本实施例中，通孔21的孔壁倾斜设置，并在隔离件2的上表面至下表面方向向外倾斜，但本发明并不限于此，在实际应用中，如图4所示，还可以设置通孔21的孔壁在隔离件2的上表面至下表面方向向内倾斜，并在通孔21的底部设置环绕通孔21的凹部，显然，在此情况下，通孔21的下开口处在水平方向上的截面面积最小，也就是说，在计算离子沉积速率的过程中，以该处的水平截面面积作为参数S；而上述设置可以使穿过通孔21的下开口处的离子均溅射向导电金属片1，从而使穿过通孔21的下开口处的离子更多地沉积至导电金属片1上，在连接导电金属片1与直流电源的电路上产生电流，并被电流检测装置3检测到，进而使得通过计算离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得的离化率可以更精确地反映溅射粒子中离子所占的比例。同时，在此情况下，由于通孔21的侧壁暴露在离子溅射范围内的面积较大，会有较多的离子附着于通孔21的侧壁上，在此情况下，可以通过在通孔21的底部设置环绕通孔21的凹部22，防止沉积至导电金属片1上的薄膜与附着于通孔21的侧壁上的离子相导通。

作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种离化率检测方法，其采用本发明上述实施例提供的离化率检测装置检测溅射粒子的离化率，其包括以下步骤：

通过检测沉积在被加工工件上的薄膜厚度而获得溅射粒子的总沉积速率；

检测连接导电金属片和直流电源的电路中的电流，并根据所述电流进行计算而获得溅射粒子中离子的沉积速率；

通过计算所述溅射粒子的离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得溅射粒子的离化率。

在上述步骤中，溅射粒子的总沉积速率通过测量工艺时间内沉积至被加工工件上的薄膜厚度，并计算测量得到的薄膜厚度与工艺时间的比值而获得；溅射粒子中离子的沉积速率通过检测连接导电金属片与直流电源的电路上的电流，并通过上述实施例中的公式（1）-（7）或公式（8）计算获得。

本发明的实施例提供的离化率检测方法，其通过分别检测溅射粒子的总沉积速率和溅射粒子中离子的沉积速率，并计算二者的比值可以获得溅射粒子的离化率。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种离化率检测装置，其特征在于，所述离化率检测装置包括离子沉积速率检测单元和总沉积速率检测单元；

所述总沉积速率检测单元用于通过检测沉积在被加工工件上的薄膜厚度而获得溅射粒子的总沉积速率；

所述离子沉积速率检测单元用于检测溅射粒子中离子的沉积速率，其包括导电金属片、隔离件、电流检测装置及直流电源；其中

所述被加工工件的上表面上覆盖有绝缘层；所述导电金属片置于所述被加工工件的绝缘层上；

所述隔离件采用绝缘材料制作，用以将导电金属片与外界电绝缘；并且，所述隔离件的位于导电金属片上方的位置处设有竖直的通孔，在进行溅射沉积工艺的过程中，溅射粒子通过所述通孔沉积至所述导电金属片的上表面上；

所述直流电源的正极接地，负极与所述导电金属片连接，用以在进行溅射沉积工艺的过程中向导电金属片加载负偏压；

所述电流检测装置串接于所述导电金属片与所述直流电源之间的电路中，用于检测该电路上的电流；

根据所述电流进行计算而获得溅射粒子中离子的沉积速率，并通过计算所述溅射粒子的离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得溅射粒子的离化率。

2.根据权利要求1所述的离化率检测装置，其特征在于，所述导电金属片的数量为多个，多个所述导电金属片分布在被加工工件的绝缘层上的不同区域；

所述隔离件的数量为一个，其将所有导电金属片与外界之间以及各个导电金属片之间电绝缘，且所述通孔的数量与所述导电金属片的数量相对应；或者，所述隔离件的数量为多个，每个隔离件将所有导电金属片中的至少一个与外界之间以及与其他各个导电金属片之间电绝缘，并且每个隔离件的通孔数量与被其电绝缘的导电金属片的数量相对应。

3.根据权利要求1所述的离化率检测装置，其特征在于，所述通孔的孔壁在隔离件的上表面至下表面方向向内或向外倾斜。

4.根据权利要求1或3所述的离化率检测装置，其特征在于，所述隔离件的底部设有环绕所述通孔的凹部，所述凹部自所述通孔向所述隔离件的外周壁凹陷，并且

所述凹部在所述导电金属片所在平面内的投影位于所述导电金属片内。

5.根据权利要求4所述的离化率检测装置，其特征在于，所述凹部在水平方向的宽度和在竖直方向的高度之比大于3。

6.根据权利要求5所述的离化率检测装置，其特征在于，所述凹部在水平方向的宽度和在竖直方向的高度之比为6。

7.根据权利要求1所述的离化率检测装置，其特征在于，所述电流检测装置包括电流表，其串接于所述导电金属片与所述直流电源之间的电路中，用于检测该电路上的电流。

8.根据权利要求1所述的离化率检测装置，其特征在于，所述电流检测装置包括串接于所述导电金属片与所述直流电源之间的电路上的电阻和与所述电阻并联的电压表或示波器，所述电压表或示波器用于检测所述电阻两端的电压，根据所述电压而获得所述电阻所在电路上的电流。

9.根据权利要求1所述的离化率检测装置，其特征在于，根据下述公式而获得溅射粒子中离子的沉积速率：

<mrow> <mi>v</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <mrow> <mi>I</mi> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <mi>u</mi> </mrow> <mrow> <mi>e</mi> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <msub> <mi>N</mi> <mi>A</mi> </msub> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <mi>&amp;rho;</mi> <mo>&amp;CenterDot;</mo> <mi>S</mi> </mrow> </mfrac> </mrow>

其中，v为溅射粒子中离子的沉积速率；I为由所述电流检测装置检测获得的电流；u为溅射材料的相对原子质量；e为元电荷；N_A为阿伏伽德罗常数；ρ为溅射材料的密度；S为所述通孔在水平方向的最小截面面积。

10.一种离化率检测方法，其特征在于，其采用权利要求1-9任意一项所述的离化率检测装置检测溅射粒子的离化率，其包括以下步骤：

通过检测沉积在被加工工件上的薄膜厚度而获得溅射粒子的总沉积速率；

检测连接导电金属片和直流电源的电路中的电流，并根据所述电流进行计算而获得溅射粒子中离子的沉积速率；

通过计算所述溅射粒子的离子沉积速率与总沉积速率的比值而获得溅射粒子的离化率。