CN104700762A - 阵列基板、显示面板、弯曲程度检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板，包括柔性衬底，柔性衬底上设有多行扫描线与多列数据线，多行扫描线与多列数据线交叉限定出柔性衬底上的多个像素单元，柔性衬底上还设有多行第一信号线与多列第二信号线，柔性衬底在若干个像素单元内设有导体层，导体层与所在列的第二信号线相连，用于生成与阵列基板弯曲程度有关的电信号，并用于在第一信号线上信号的驱动下经由第二信号线将该电信号输出。同时还公开了一种显示面板及其弯曲程度检测方法。本发明通过在像素单元中增加导体层，可以实现显示面板弯曲程度的实时检测，同时适用范围广、成本低，并有助于提升显示效果。

Description

阵列基板、显示面板、弯曲程度检测方法
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，具体涉及一种阵列基板、显示面板、弯曲程度检测方法。
背景技术
相对于传统显示面板，柔性显示面板不仅在外形上更加轻薄，功耗上也更低，有助于提升设备的续航能力。同时基于其可弯曲、柔韧性好的特点，可以降低设备意外损伤的概率，耐用程度也大大超过传统显示面板。然而在使用过程中，柔性显示面板的弯曲可能会导致器件损伤、图像扭曲等问题，因此需要在柔性显示面板的使用过程中实时检测其弯曲程度。
在现有技术中，有通过布置多个感测元件的方式来检测柔性显示屏的弯曲程度的技术方案，利用感测元件通过电磁力或者其他方式检测与其他感测元件之间的距离变化。但是，对于厚度非常小的柔性显示面板来说，在显示面板内部布置感测元件有一定困难；也有将感测元件布置在显示面板外部的方案，但是测量较小距离变化值时会有很大的误差；此外，基于电磁力或者其他方式进行检测的感测元件很容易受到外部环境的干扰，例如周围存在磁场时，感测元件的检测结果就会受到很大影响。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明提供一种阵列基板、显示面板、弯曲程度检测方法，可以实现显示面板弯曲程度的实时检测。
第一方面，本发明提供了一种阵列基板，包括柔性衬底，所述柔性衬底上设有多行扫描线与多列数据线，多行扫描线与多列数据线交叉限定出所述柔性衬底上的多个像素单元，所述柔性衬底上还设有多行第一信号线与多列第二信号线，所述柔性衬底在若干个所述像素单元内设有导体层，所述导体层与所在列的所述第二信号线相连，用于生成与所述阵列基板弯曲程度有关的电信号，并用于在所述第一信号线上信号的驱动下经由所述第二信号线将所述电信号输出。
可选地，所述阵列基板还包括：
与多行所述第一信号线相连的扫描模块，用于依次向每一行所述第一信号线输出扫描信号；
位于若干个所述像素单元内的开关模块，所述开关模块与所在行的第一信号线相连，并与所在像素单元的所述导体层相连，用于在接收到所述第一信号线上的扫描信号时向所述导体层提供预设电压；
与多列所述第二信号线相连的采集模块，用于采集所述第二信号线上的电信号，并结合所述预设电压得到所述导体层的电阻值；
与所述采集模块相连的计算模块，用于根据来自所述采集模块的电阻值计算所述导体层的弯曲程度。
可选地，任一行所述第一信号线与该行的扫描线采用同一条导体线形成；
所述扫描模块位于所述阵列基板的扫描驱动电路中。
可选地，对应于每一列所述第二信号线，所述采集模块包括第一参考电阻；
所述第一参考电阻的第一端与所述第二信号线相连，第二端连接参考电压。
可选地，对应于每一列所述第二信号线，所述采集模块还包括：
与所述第二信号线相连的第一采集子模块，所述第一采集子模块用于采集所述第二信号线上的电信号；
与所述第一采集子模块相连的第一计算子模块，所述第一计算子模块用于根据所述第一采集子模块得到的电信号结合所述预设电压的电压值、所述第一参考电阻的电阻值以及所述参考电压的电压值计算所述导体层的电阻值。
可选地，对应于每一所述第一参考电阻，所述采集模块还包括第二参考电阻与第三参考电阻，
所述第二参考电阻的第一端与所述第三参考电阻的第二端相连，第二端与所述第一参考电阻的第二端相连；
所述第三参考电阻的第一端连接所述预设电压。
可选地，对应于每一所述第一参考电阻，所述采集模块还包括：
与所述第二信号线相连的第二采集子模块，所述第二采集子模块用于采集所述第二信号线上的电信号；
与所述第二参考电阻的第一端相连的第三采集子模块，所述第三采集子模块用于采集所述第二参考电阻的第一端处的电信号；
与所述第二采集子模块、第三采集子模块相连的第二计算子模块，所述第二计算子模块用于比较所述第二采集子模块得到的电信号与所述第三采集子模块得到的电信号，并利用比较结果结合所述第一至第三参考电阻的电阻值计算所述导体层的电阻值。
第二方面，本发明提供了一种显示面板，所述显示面板应用了上述的阵列基板。
第三方面，本发明还提供了一种显示面板的弯曲程度检测方法，该显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括柔性衬底；所述柔性衬底上设有多行扫描线与多列数据线，多行扫描线与多列数据线交叉限定出所述阵列基板上的多个像素单元；所述柔性衬底上还设有多行第一信号线与多列第二信号线；所述阵列基板在若干个所述像素单元内设有导体层，所述导体层与所在列的所述第二信号线相连，所述方法包括：
依次向每一行所述第一信号线输出扫描信号；
在任一所述像素单元接收到所述第一信号线上的扫描信号时向该像素单元内的所述导体层提供预设电压；
采集所述第二信号线上的电信号，并结合所述预设电压得到所述导体层的电阻值；
根据所述导体层的电阻值计算所述导体层的弯曲程度。
可选地，任一行所述第一信号线与该行的扫描线采用同一条导体线形成；
所述依次向每一行所述第一信号线输出扫描信号，包括：
接收来自所述阵列基板的扫描驱动电路的扫描信号，并将该扫描信号依次向每一行所述第一信号线输出。
可选地，所述阵列基板对应于每一列所述第二信号线还包括第一参考电阻，所述第一参考电阻的第一端与所述第二信号线相连，第二端连接参考电压；
所述采集所述第二信号线上的电信号，并结合所述预设电压得到所述导体层的电阻值，包括：
采集所述第二信号线上的电信号；
根据所述第二信号线上的电信号结合所述预设电压的电压值、所述第一参考电阻的电阻值以及所述参考电压的电压值计算所述导体层的电阻值。
可选地，所述阵列基板对应于每一列所述第二信号线还包括第二参考电阻与第三参考电阻，
所述第二参考电阻的第一端与所述第三参考电阻的第二端相连，第二端与所述第一参考电阻的第二端相连；
所述第三参考电阻的第一端连接所述预设电压；
所述采集所述第二信号线上的电信号，并结合所述预设电压得到所述导体层的电阻值，包括：
采集所述第二信号线上的电信号；
采集所述第二参考电阻的第一端处的电信号；
比较所述第二信号线上的电信号与所述第二参考电阻的第一端处的电信号，并利用比较结果结合所述第一参考电阻、所述第二参考电阻和第三参考电阻的电阻值计算所述导体层的电阻值。
由上述技术方案可知，本发明在阵列基板的像素单元设置导体层，通过测量导体层的电阻值，可以计算得到阵列基板的弯曲程度，从而有助于调整在非平面显示时图像扭曲等问题，提升显示效果。而且，导体层可以设置在阵列基板的所有像素单元，也可以设置在部分像素单元，可以测得每个导体层的弯曲程度，同样，也可以测得阵列基板的任意位置处的弯曲程度，可以在较低的成本下得到较佳的弯曲程度检测效果。本发明适用于目前的OLED(Organic Light-EmittingDiode，有机发光二极管)和LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)等显示面板加工工艺，具有广泛的适用范围。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一个实施例中一种阵列基板俯视结构示意图；
图2是本发明一个实施例中一种阵列基板在像素单元内的局部电路结构图；
图3是本发明又一个实施例中一种阵列基板在像素单元内的局部电路结构图；
图4是本发明一个实施例中一种采集模块的功能框图；
图5是本发明另一个实施例中一种阵列基板在像素单元内的局部电路结构图；
图6是本发明又一个实施例中一种采集模块的功能框图；
图7是本发明一个实施例中一种显示面板的弯曲程度检测方法的步骤流程示意图；
图8是本发明一个实施例中一种计算导体层的电阻值的方法的步骤流程示意图；
图9是本发明又一个实施例中另一种计算导体层的电阻值的方法的步骤流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1是本发明一个实施例中一种阵列基板的俯视结构示意图。参见图1，该阵列基板包括柔性衬底，在该柔性衬底上设置有多行扫描线(如图1中所示的第一、二、三行的扫描线S1、S2、S3)和多列数据线(如图1所示的第一、二、三列的数据线D1、D2、D3)。该多行扫描线和多列数据线交叉限定出柔性衬底上的多个像素单元，例如图1中位于第一行第一列的像素单元11。在该柔性衬底上还设有多行第一信号线(如图1所述的第一、二、三行的第一信号线L1、L2、L3与多列第二信号线(如图1所示的第一、二、三列的第二信号线N1、N2、N3)。该阵列基板在若干个上述像素单元内设有导体层(如像素单元11内的导体层12)，该导体层与所在列的第二信号线相连。具体的，设置在像素单元内的导体层用于生成与阵列基板弯曲程度有关的电信号，并用于在第一信号线上信号的驱动下经由第二信号线将这一电信号输出。
其中需要说明的是，设有导体层的若干个像素单元可以是阵列基板的全部像素单元，也可以是部分像素单元，可以具体根据弯曲程度检测的需要来进行设置。而且，上述导体层可以是像素单元内任意可以随衬底弯曲而产生电阻值变化的导体结构，例如可以包括金属薄膜或者碳薄膜，本发明对此不做限制。另外，上述第一信号线上的信号为输出与阵列基板弯曲程度有关的电信号的驱动信号，本领域技术人员可以参照现有技术设置具体的驱动方式(比如控制偏置电压的施加来进行驱动，或者设置电容来存储上述电信号并周期性读取)，本发明对此不做限制。
由此，在阵列基板发生弯曲时，会产生局部应力变化，使得导体层在受到局部应力作用时在形状上发生变化，从而使得导体层的电阻值也产生相应的变化。
可见，本发明实施例在阵列基板的像素单元设置导体层，通过测量导体层的电阻值，可以计算得到阵列基板的弯曲程度，从而有助于调整在非平面显示时图像扭曲等问题，提升显示效果。而且，导体层可以设置在阵列基板的所有像素单元，也可以设置在部分像素单元，可以测得每个导体层的弯曲程度，同样，也可以测得阵列基板的任意位置处的弯曲程度，可以在较低的成本下得到较佳的弯曲程度检测效果。本发明实施例适用于目前的OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)和LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)等显示面板加工工艺，具有广泛的适用范围。
进一步地，在上述方案的基础上，上述阵列基板可以包括未在附图中示出的下述结构：
与多行上述第一信号线相连的扫描模块13，用于依次向每一行上述第一信号线输出扫描信号；
位于若干个上述像素单元内的开关模块14，上述开关模块14与所在行的第一信号线相连，并与所在像素单元的上述导体层相连，用于在接收到上述第一信号线上的扫描信号时向上述导体层提供预设电压；
与多列上述第二信号线相连的采集模块15，用于采集上述第二信号线上的电信号，并结合上述预设电压得到上述导体层的电阻值；
与上述采集模块15相连的计算模块16，用于根据来自上述采集模块15的电阻值计算上述导体层的弯曲程度。
举例来说，上述扫描模块13可以逐行地向第一信号线输出脉冲信号，使得与第一信号线相连的开关模块14逐行开启。在开关模块14开启时会为导体层提供预设电压，从而导体层可以生成与阵列基板弯曲程度有关的电信号(由导体层电阻变化所致)。采集模块15可以通过第二信号线采集一行内所有像素单元内导体层产生的电信号，经过处理就可以得到这一行内所有像素单元内的导体层的电阻值，经扫描模块13逐行输出，就可以得到所有像素单元内导体层的电阻值。最后，计算模块16可以根据电阻值来计算不同位置处导体层的弯曲程度(比如根据预先标定的曲线来进行计算)，基于此便可以得到整个阵列基板的弯曲情况。
可以看出，上述扫描模块13可以设置在阵列基板的扫描驱动电路(Gate Driver)或者时序驱动电路(Time Controller，TCON)中，上述开关模块14可以通过像素内的电路设计实现，上述采集模块15和计算模块16可以设置在阵列基板的数据驱动电路(Data Driver)或者时序驱动电路中。由此，本发明实施例可以在现有技术的阵列基板中通过简单的结构添加来实现弯曲程度的实时检测，不仅简单易行，而且成本低廉，具有广泛的适用范围。
下面以任意一个像素单元为例(对应于扫描线Sn、数据线Dn、第一信号线Ln、第二信号线Nn)，具体说明上述阵列基板的弯曲程度检测原理。图2是本发明一个实施例中一种阵列基板在像素单元内的局部电路结构图。如图2所示，上述导体层在像素单元内具体用一个等效电阻R1来表示，代表导体层在两个连接位置之间的电阻大小。等效电阻R1的第二端连接第二信号线Nn。同时，上述开关模块14在这里具体包括薄膜晶体管T1。参见图2，该薄膜晶体管T1的栅极与第一信号线Ln相连，源极和漏极中的一个连接至等效电阻R1的第一端，另一个连接至预设电压Vh。由于薄膜晶体管包括N型薄膜晶体管与P型薄膜晶体管，因此，该薄膜晶体管T1的源极与漏极的连接方式可以在实际应用时根据具体情况进行设置。在本发明的其他实施例中，上述开关模块14还可以有其他的实现方式，例如逻辑运算电路或者继电器等等，本发明均不做限制。
基于该电路结构，第一信号线Ln上的脉冲信号到来时，薄膜晶体管T1打开，从而预设电压Vh可以施加在等效电阻R1的第一端处，从而节点PA处的电信号就可以携带等效电阻R1电阻值的信息。也就是说，上述电路结构可以实现第一信号线驱动下的与导体层弯曲程度有关的电信号的输出。
在上述技术方案的基础之上，为方便测得等效电阻R1的电阻值，对应于每一列第二信号线，采集模块15可以包括一个第一参考电阻R2。图3是本发明又一个实施例中一种阵列基板在像素单元内的局部电路结构图。参见图3，该第一参考电阻R2的第一端与等效电阻R1相连接于PA点，第二端连接至参考电压Vg。一方面，通过增加第一参考电阻R2，使得第一参考电阻R2与等效电阻R1分压。由于已知第一参考电阻R2的电阻值、预设电压Vh和参考电压Vg，在采集到PA点处的电压的情况下，可以求得等效电阻R1的电阻值；另一方面，当图4中PA点的电压过高，或者有大电流通过时，增加的第一参考电阻可以保护电路，尤其保护薄膜晶体管T1。第一参考电阻R2可以设置在像素单元的内部，也可以设置在像素单元的外部。可选的，将第一参考电阻R2设置像素单元的外部(例如将图3中的虚线方框部分设置在阵列基板显示区域之外的区域内)，并且，该第一参考电阻R2由位于同一列的像素单元共同使用，使得电路简单方便。
对应于上述结构，图4是本发明一个实施例中一种采集模块的功能框图。参见图4，对应于每一个第一参考电阻R2，采集模块15包括第一采集子模块15a与第一计算子模块15b。其中，第一采集子模块15a与第二信号线Nn相连接，通过两者连线上的PA点采集第二信号线Nn上的电信号；第一计算子模块15b与第一采集子模块15a相连接，用于根据第一采集子模块15a得到的电信号结合预设电压的电压值、第一参考电阻R2的电阻值以及参考电压的电压值Vg计算等效电阻R1的电阻值。假设预设电压为Vh，第一参考电阻的电阻值为r2，参考电压为Vg，采集模块测得A点的电压为Va，则等效电阻R1的电阻值r1可以通过下式计算得到：
r 1 = Vh - Va Va - Vg × r 2
由此，通过设置第一参考电阻R2，可以方便的求出等效电阻R1的电阻值。
然而，由于上述电路结构下导体层电阻的测量可能会存在一定的系统误差，为提高测量精度，本实施例中采集模块15可以采用另外一种结构。即上述采集模块15对应于上述每一个第一参考电阻R2，还可以包括第二参考电阻R3与第三参考电阻R4。
图5是本发明另一个实施例中一种阵列基板在像素单元内的局部电路结构图，如图5所示，第二参考电阻R3的第一端与第三参考电阻R4的第二端相连接于PB点，第二端与第一参考电阻R2的第二端相连接；第三参考电阻的第一端连接预设电压Vh。等效电阻R1、第一参考电阻R2、第二参考电阻R3和第三参考电阻R4构成桥式电路。由于需要测得桥式电路两个支路的电压值以及两者差值，为此，采集模块15需要具有对应的结构。图6是本发明又一个实施例中一种采集模块的功能框图。如图6所示，上述采集模块15对应于每一个第一参考电阻R2包括第二采集子模块15c、第三采集子模块15d和第二计算子模块15e。其中：
第二采集子模块15c连接至第一参考电阻R2的第一端，即PA点，用于采集第二信号线上的电信号；
第三采集子模块15d连接至第二参考电阻R3的第一端，即PB点，用于采集第二参考电阻R3的第一端处的电信号；
第二计算子模块15e与第二采集子模块15c和第三采集子模块15d相连接，用于比较第二采集子模块15c得到的电信号与第三采集子模块15d得到的电信号，并利用比较结果结合第一参考电阻R2、第二参考电阻R3和第三参考电阻R4的电阻值计算等效电阻R1的电阻值。
当然，可以将第一参考电阻R2、第二参考电阻R3和第三参考电阻R4设置像素单元的外部，并且，该第一参考电阻R2、第二参考电阻R3和第三参考电阻R4由位于同一行的像素单元进行共同使用(例如将图5中的虚线方框部分设置在阵列基板显示区域之外的区域内)，使得整体电路更加简单。
假设上述预设电压为Vh，导体层的电阻值r1，第一参考电阻的电阻值为r2，参考电压为Vg，采集模块测得PA点的电压为Va；第二参考电阻R3的电阻值为r3，第三参考电阻R4的电阻值为r4，测得PB点的电压为Vb，则PA点与PB点之间的电压Va-Vb为：
Va - Vb = r 2 r 4 - r 1 r 3 ( r 1 + r 2 ) ( r 3 + r 4 ) × ( Vh - Vg )
根据上式，即可由Va-Vb的测量值推知导体层的电阻值。可以看出，本实施例通过采用桥式电路计算等效电阻R1的电阻值，可以通过比例方式消除系统误差，从而提高计算精度。
另一方面，等效电阻R1的电阻值随着阵列基板的弯曲程度不同而发生变化，Va-Vb也会随着发生相应的变化。通过对具体阵列基板的前期校准可以获得弯曲程度与PA点与PB点之间的电压Va-Vb的关系表，从而可以根据这一表格计算阵列基板的弯曲程度。
另一方面，为简化上述任意一种阵列基板的结构，任一行第一信号线与该行的扫描线可以采用同一条导体线。此时，扫描模块可以设置于该阵列基板的扫描驱动电路中，完成像素单元的扫描驱动功能与开关模块的驱动功能，也就是说，本发明实施例可以直接在现有阵列基板上的像素单元内通过增设导体层、并在原有的电路部分增加相应的功能模块来实现，使得整体的阵列基板结构非常简单，易于实现。
基于同样的发明构思，本发明实施例提供一种包括上述任意一种阵列基板的显示面板，该显示面板可以为：液晶显示面板、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示面板由于包括上述任意一种阵列基板的显示面板，因而可以解决同样的技术问题，并取得相同的技术效果，在此不再详述。
基于同样的发明构思，本发明还提供了一种显示面板的弯曲程度检测方法，该显示面板包括阵列基板，阵列基板包括柔性衬底；柔性衬底上设有多行扫描线与多列数据线，多行扫描线与多列数据线交叉限定出阵列基板上的多个像素单元；柔性衬底上还设有多行第一信号线与多列第二信号线；阵列基板在若干个像素单元内设有导体层，导体层与所在列的第二信号线相连。
图7是本发明一个实施例中一种显示面板弯曲程度检测方法的步骤流程示意图，参见图7，该方法包括：
步骤701、依次向每一行第一信号线输出扫描信号；
步骤702、在任一像素单元接收到第一信号线上的扫描信号时向该像素单元内的导体层提供预设电压；
步骤703、采集第二信号线上的电信号，并结合预设电压得到导体层的电阻值；
步骤704、根据导体层的电阻值计算导体层的弯曲程度。
可见，本发明实施例在阵列基板的像素单元设置导体层，通过测量导体层的电阻值，可以计算得到阵列基板的弯曲程度，从而有助于调整在非平面显示时图像扭曲等问题，提升显示效果。而且，导体层可以设置在阵列基板的所有像素单元，也可以设置在部分像素单元，可以测得每个导体层的弯曲程度，同样，也可以测得阵列基板的任意位置处的弯曲程度，可以在较低的成本下得到较佳的弯曲程度检测效果。本发明实施例适用于目前的OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)和LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)等显示面板加工工艺，具有广泛的适用范围。
进一步地，上述步骤701：当任一行第一信号线与该行的扫描线采用同一条导体线形成时，依次向每一行第一信号线输出扫描信号，可以具体包括图7中未示出的下述步骤流程：
步骤701a：接收来自阵列基板的扫描驱动电路的扫描信号，并将该扫描信号依次向每一行第一信号线输出。
当阵列基板对应于每一列第二信号线还第一参考电阻，第一参考电阻的第一端与第二信号线相连，第二端连接参考电压时，上述步骤703：采集所述第二信号线上的电信号，并结合预设电压得到导体层的电阻值，可以具体包括如图8所示的下述步骤流程：
7031、采集第二信号线上的电信号；
7032、根据第二信号线上的电信号结合预设电压的电压值、第一参考电阻的电阻值以及参考电压的电压值计算导体层的电阻值。
另一方面，当阵列基板对应于每一列第二信号线还包括第二参考电阻与第三参考电阻，第二参考电阻的第一端与第三参考电阻的第二端相连，第二端与第一参考电阻的第二端相连，第三参考电阻的第一端连接预设电压时，上述步骤703：采集第二信号线上的电信号，并结合预设电压得到导体层的电阻值，可以具体包括如图9所示的下述步骤流程：
7031、采集第二信号线上的电信号；
7032、采集第二参考电阻的第一端处的电信号；
7033、比较第二信号线上的电信号与第二参考电阻的第一端处的电信号，并利用比较结果结合第一参考电阻、第二参考电阻和第三参考电阻的电阻值计算导体层的电阻值。其中，步骤7031与步骤7032所采集的电信号都提供给步骤7033使用，步骤7031采集的电信号并不是提供给步骤7032使用的，两者并无直接的联系，因此采集顺序可以互换。
可以看出，上述任意一种显示面板的检测方法都可与前文中至少一种阵列基板的结构相互对应，因此其具体实施方式可以参照前文，在此不再赘述。
在本发明的描述中需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种阵列基板，包括柔性衬底，所述柔性衬底上设有多行扫描线与多列数据线，多行扫描线与多列数据线交叉限定出所述柔性衬底上的多个像素单元，其特征在于，所述柔性衬底上还设有多行第一信号线与多列第二信号线，所述柔性衬底在若干个所述像素单元内设有导体层，所述导体层与所在列的所述第二信号线相连，用于生成与所述阵列基板弯曲程度有关的电信号，并用于在所述第一信号线上信号的驱动下经由所述第二信号线将所述电信号输出。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
与多行所述第一信号线相连的扫描模块，用于依次向每一行所述第一信号线输出扫描信号；
位于若干个所述像素单元内的开关模块，所述开关模块与所在行的第一信号线相连，并与所在像素单元的所述导体层相连，用于在接收到所述第一信号线上的扫描信号时向所述导体层提供预设电压；
与多列所述第二信号线相连的采集模块，用于采集所述第二信号线上的电信号，并结合所述预设电压得到所述导体层的电阻值；
与所述采集模块相连的计算模块，用于根据来自所述采集模块的电阻值计算所述导体层的弯曲程度。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，任一行所述第一信号线与该行的扫描线采用同一条导体线形成；
所述扫描模块位于所述阵列基板的扫描驱动电路中。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，对应于每一列所述第二信号线，所述采集模块包括第一参考电阻；
所述第一参考电阻的第一端与所述第二信号线相连，第二端连接参考电压。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，对应于每一列所述第二信号线，所述采集模块还包括：
与所述第二信号线相连的第一采集子模块，所述第一采集子模块用于采集所述第二信号线上的电信号；
与所述第一采集子模块相连的第一计算子模块，所述第一计算子模块用于根据所述第一采集子模块得到的电信号结合所述预设电压的电压值、所述第一参考电阻的电阻值以及所述参考电压的电压值计算所述导体层的电阻值。
6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，对应于每一所述第一参考电阻，所述采集模块还包括第二参考电阻与第三参考电阻，
所述第二参考电阻的第一端与所述第三参考电阻的第二端相连，第二端与所述第一参考电阻的第二端相连；
所述第三参考电阻的第一端连接所述预设电压。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，对应于每一所述第一参考电阻，所述采集模块还包括：
与所述第二信号线相连的第二采集子模块，所述第二采集子模块用于采集所述第二信号线上的电信号；
与所述第二参考电阻的第一端相连的第三采集子模块，所述第三采集子模块用于采集所述第二参考电阻的第一端处的电信号；
与所述第二采集子模块、第三采集子模块相连的第二计算子模块，所述第二计算子模块用于比较所述第二采集子模块得到的电信号与所述第三采集子模块得到的电信号，并利用比较结果结合所述第一至第三参考电阻的电阻值计算所述导体层的电阻值。
8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至7中任意一项所述的阵列基板。
9.一种显示面板的弯曲程度检测方法，其特征在于，该显示面板包括阵列基板，所述阵列基板包括柔性衬底；所述柔性衬底上设有多行扫描线与多列数据线，多行扫描线与多列数据线交叉限定出所述阵列基板上的多个像素单元；所述柔性衬底上还设有多行第一信号线与多列第二信号线；所述阵列基板在若干个所述像素单元内设有导体层，所述导体层与所在列的所述第二信号线相连，所述方法包括：
依次向每一行所述第一信号线输出扫描信号；
在任一所述像素单元接收到所述第一信号线上的扫描信号时向该像素单元内的所述导体层提供预设电压；
采集所述第二信号线上的电信号，并结合所述预设电压得到所述导体层的电阻值；
根据所述导体层的电阻值计算所述导体层的弯曲程度。
10.如权利要求9所述的弯曲程度检测方法，其特征在于，任一行所述第一信号线与该行的扫描线采用同一条导体线形成；
所述依次向每一行所述第一信号线输出扫描信号，包括：
接收来自所述阵列基板的扫描驱动电路的扫描信号，并将该扫描信号依次向每一行所述第一信号线输出。
11.如权利要求9或10所述的弯曲程度检测方法，其特征在于，所述阵列基板对应于每一列所述第二信号线还包括第一参考电阻，所述第一参考电阻的第一端与所述第二信号线相连，第二端连接参考电压；
所述采集所述第二信号线上的电信号，并结合所述预设电压得到所述导体层的电阻值，包括：
采集所述第二信号线上的电信号；
根据所述第二信号线上的电信号结合所述预设电压的电压值、所述第一参考电阻的电阻值以及所述参考电压的电压值计算所述导体层的电阻值。
12.如权利要求11所述的弯曲程度检测方法，其特征在于，所述阵列基板对应于每一列所述第二信号线还包括第二参考电阻与第三参考电阻，
所述第二参考电阻的第一端与所述第三参考电阻的第二端相连，第二端与所述第一参考电阻的第二端相连；
所述第三参考电阻的第一端连接所述预设电压；
所述采集所述第二信号线上的电信号，并结合所述预设电压得到所述导体层的电阻值，包括：
采集所述第二信号线上的电信号；
采集所述第二参考电阻的第一端处的电信号；
比较所述第二信号线上的电信号与所述第二参考电阻的第一端处的电信号，并利用比较结果结合所述第一参考电阻、所述第二参考电阻和第三参考电阻的电阻值计算所述导体层的电阻值。
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