CN104678653A - 液晶显示装置以及用于制造液晶显示装置的方法 - Google Patents

液晶显示装置以及用于制造液晶显示装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104678653A
CN104678653A CN201410484171.6A CN201410484171A CN104678653A CN 104678653 A CN104678653 A CN 104678653A CN 201410484171 A CN201410484171 A CN 201410484171A CN 104678653 A CN104678653 A CN 104678653A
Authority
CN
China
Prior art keywords
formula
liquid crystal
reactive mesogen
substrate
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410484171.6A
Other languages
English (en)
Inventor
金慜熙
金旻载
朴俊炯
孙廷昊
吴根灿
李庚禧
郑康燮
卓炅善
洪性焕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN104678653A publication Critical patent/CN104678653A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
    • G02F1/133788—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by light irradiation, e.g. linearly polarised light photo-polymerisation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
    • G02F1/133715—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films by first depositing a monomer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
    • G02F1/133726—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films made of a mesogenic material

Abstract

本公开涉及液晶显示装置以及用于制造液晶显示装置的方法。液晶显示装置包括：第一基板、设置在第一基板上的第一取向层、面向第一基板的第二基板、设置在第二基板上的第二取向层以及设置在第一基板与第二基板之间并包括液晶分子的液晶层。第一取向层和第二取向层中的每一个包括主取向层和设置在主取向层上的取向形成层。通过彼此聚合在不同波长中具有光吸收峰值的两个或更多个反应性介晶来获得取向形成层。

Description

液晶显示装置以及用于制造液晶显示装置的方法
相关申请的交叉引用
该专利申请要求于2013年12月2日提交的韩国专利申请第10-2013-0148623号的优先权，出于所有目的，将其通过引用结合于此，正如在本文中全部阐述一样。
技术领域
本公开涉及一种具有用于使液晶分子取向的取向层的液晶显示装置以及制造其的方法。
背景技术
通常，液晶显示装置分为扭曲向列模式液晶显示装置、共面转换模式液晶显示装置以及垂直取向模式液晶显示装置。
在垂直取向模式液晶显示装置中，当不施加电场时，液晶分子的主轴沿着与基板的表面垂直的方向取向。因此，视角和对比度大。
作为用于使液晶分子沿某个方向取向的方法，可使用摩擦法、光(photo)取向法等。在垂直取向模式液晶装置中，可通过在光取向法中使用反应性介晶来使液晶分子沿某个方向取向。
发明内容
本公开提供一种具有高可靠性的液晶显示装置。
本公开还提供一种用于制造具有高可靠性的液晶显示装置的方法。
将在以下的描述中阐述本发明的其他特征，并且根据描述，本发明的一部分将变得显而易见，或者可通过本发明的实践认识到。
本发明构思的实施方式提供一种液晶显示装置，其包括第一基板、设置在第一基板上的第一取向层、面向第一基板的第二基板、设置在第二基板上的第二取向层以及设置在第一基板与第二基板之间并包括液晶分子的液晶层。第一取向层和第二取向层的每一个包括主取向层和设置在主取向层上的取向形成层。通过聚合在彼此不同的波长处具有光吸收峰值的两个或更多个反应性介晶来获得取向形成层。
在某些实施方式中，反应性介晶的每一个可具有以下式1。
[式1]
P1-sp1-A1-sp2-(A2)m-sp3-A3-sp4-P2
在式1中，P1和P2独立地选自丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基或苯乙烯基；Sp1、Sp2、Sp3和Sp4独立地选自单键、-CH2-、-COO-、-CO-、CH＝CH-、-COO-CH＝CH-、-CH2OCH2-和-CH2O-；A1和A3独立地选自单键、环己基、苯基、苯硫基和多环芳基、或者其1至10个位置由-F、-Cl、-OCH3中的至少一个取代的衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基；A2选自环己基、苯基、苯硫基、环芳烃基、或者其1至10个位置由-F、-Cl、-OCH3中的至少一个取代的衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基；并且m为1至4。
在本发明构思的其他实施方式中，用于制造液晶显示装置的方法包括：将液晶层布置在第一基板与第二基板之间；向液晶层施加电场；向液晶层施加第一光；以及向液晶层施加具有比第一光短的波长的第二光，而不施加电场。液晶组合物包括第一反应性介晶、与第一反应性介晶不同的第二反应性介晶，并且第一反应性介晶相比第二反应性介晶对第一光具有更大的反应活性。
根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置具有恒定电压保持率并且减少了诸如线残象(line afterimage)的缺陷，从而获得高可靠性。
应当理解，上述一般性描述和下面的详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供对本发明构思的进一步理解，并且附图被结合在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出了本发明构思的示例性实施方式，并且与说明书一起用来说明本发明构思的原理。
图1是根据本发明构思的实施方式的包括多个像素的液晶显示装置的部分平面图。
图2是沿着图1中的线I-I’截取的液晶显示装置的截面图。
图3是示出用于制造根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置的方法的流程图。
图4A、图4B和图4C是示出用于形成根据本发明构思的实施方式的取向层的方法的截面图。
图5是示出根据本发明构思的实施方式的反应性介晶相对于波长的吸收率的曲线图。
图6是示出在使用普通反应性介晶的液晶显示装置以及使用根据本发明构思的实施方式的反应性介晶的液晶显示装置的V-T曲线中的阈值电压的图表。
图7A和图7B是示出在使用普通反应性介晶的液晶显示装置以及使用根据本发明构思的实施方式的反应性介晶的液晶显示装置中的根据第二曝光时间的电压保持率的曲线图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明构思的示例性实施方式。然而，本发明构思可以不同的形式来体现，并且不应被解释为局限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式从而使本公开将是彻底和完整的，并且将本发明构思的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，相同的参考标号指代遍及附图的相同元件，并且为了图示的清楚，夸大了层和区域的尺寸。将理解，尽管术语第一、第二等在本文中可用于描述各个元件，但这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分。例如，在不背离本发明构思的范围的情况下，可将第一元件指定为第二元件，并且类似地，可将第二元件指定为第一元件。如本文使用的，除非上下文另有明确指示，否则，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式。
将进一步理解，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，是规定指定的特征、整数、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，而并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或者添加。将理解，当层、区域或元件被称作“在”另一个层、区域或元件“上”或“上方”时，其可直接地在另一个层、区域或元件上、连接或耦接至另一个层、区域或元件，或者可存在中间层、区域或元件。此外，将理解，当层被称为“在”另一层“下面”时，其可直接在另一层下面，并且也可存在一个或多个中间层。将理解，出于本公开的目的，“X、Y和Z的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z的两项或更多项的任意组合(例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ)。
在下文中，将参考附图详细地描述本发明构思的示例性实施方式。
图1是根据本发明构思的实施方式的包括多个像素的液晶显示装置的部分平面图。图2是沿着图1中的线I-I’截取的液晶显示装置的截面图。由于每个像素具有相同的结构，因此，为了便于说明，仅示出了一个像素，并且一起示出邻近于像素的栅极线和数据线。
参照图1和图2，液晶显示装置包括第一基板SUB1、面向第一基板SUB1的第二基板SUB2、以及形成在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间的液晶层LCL。
第一基板SUB1包括第一基础基板BS1、多个栅极线GLn、多个数据线DLm、多个像素PXL以及第一取向层。第一取向层包括第一主取向层ALN1和第一取向形成层PTL1。第一基础基板BS1可具有四方形形状并可包括透明的绝缘材料。
在图1和图2中，为了便于说明，一个像素与多个栅极线中的第n个栅极线GLn以及多个数据线中的第m个数据线DLm一起示出。然而，其余的像素具有类似的结构，并且在下文中第n个栅极线GLn和第m个数据线DLm将分别被称作栅极线和数据线。
栅极线GLn沿着第一方向D1延伸并形成在第一基础基板BS1上。数据线DLm与栅极线GLn分开并且沿着与第一方向D1交叉的第二方向D2延伸，其间具有栅极绝缘层GI。栅极绝缘层设置在第一基础基板BS1的整个表面上并且覆盖栅极线GLn。
每个像素PXL连接至栅极线中的相应栅极线GLn以及数据线中的相应数据线DLm。每个像素PXL包括薄膜晶体管Tr、连接到薄膜晶体管Tr的像素电极PE以及存储电极。薄膜晶体管Tr包括栅电极GE、栅极绝缘层GI、半导体图案SM、源电极SE以及漏电极DE。存储电极包括沿着第一方向延伸的存储线SLn以及从存储线SLn分支出并沿第二方向D2延伸的第一和第二分支电极LSLn和RSLn。
栅电极GE可从栅极线GLn延伸或者可设置在栅极线GLn的一部分上。可通过使用金属形成栅电极GE。可通过使用镍、铬、钼、铝、钛、铜、钨和/或其合金形成栅电极GE。栅电极GE可形成为单层或多层。例如，栅电极GE可以是通过堆叠钼、铝和钼层而获得的三层或者通过堆叠钛和铜层而获得的双层。可替代地，栅电极GE可以是钛和铜的合金的单层。
半导体图案SM设置在栅极绝缘层GI上。利用其间的栅极绝缘层GI将半导体图案SM设置在栅电极GE上。半导体图案SM的一部分与栅电极GE重叠。半导体图案SM包括设置在栅极绝缘层GI上的活性(active)图案(未示出)以及形成在活性图案上的欧姆接触层(未示出)。可通过使用非晶硅薄膜形成活性图案，并且可通过使用n+非晶硅薄膜形成欧姆接触层。欧姆接触层分别形成活性图案与源电极SE和漏电极DE的欧姆接触。
源电极SE从数据线DLm延伸。源电极SE形成在欧姆接触层上并与栅电极GE部分地重叠。
漏电极DE在其间的半导体图案SM上与源电极SE间隔开。漏电极DE形成在欧姆接触层上并与栅电极GE部分地重叠。
可通过使用镍、铬、钼、铝、钛、铜、钨和/或其合金形成源电极SE和漏电极DE。源电极SE和漏电极DE可形成为单层或多层。例如，源电极SE和漏电极DE可以是通过堆叠钛和铜层而获得的双层，或者可以是通过使用钛和铜的合金而形成的单层。
根据电压到栅电极GE的施加，源电极SE与漏电极DE之间的活性图案的上表面被暴露并变成形成源电极SE与漏电极DE之间的导电沟道的沟道。在暴露沟道的同时源电极SE和漏电极DE与半导体层SM重叠。
利用其间的钝化层PSV将像素电极PE连接至漏电极DE。像素电极PE与存储线SLn以及第一和第二分支电极LSLn和RSLn部分地重叠以形成存储电容器。
钝化层PSV覆盖源电极SE、漏电极DE、沟道以及栅极绝缘层GI并且具有暴露漏电极DE的一部分的接触孔CH。钝化层PSV可包括例如氮化硅或氧化硅。
像素电极PE通过形成在钝化层PSV中的接触孔CH被连接至漏电极DE。像素电极PE可包括主干(stem)PEa和从主干PEa径向延伸的多个分支(branch)PEb。主干PEa或分支PEb可通过接触孔CH连接到漏电极DE。
主干PEa可设置成各种形状，例如，如所示的十字形。在这种情况下，像素PXL可被主干PEa分成多个域，并且分支PEb可在每个域中沿不同的方向延伸。包括第一至第四域DM1、DM2、DM3和DM4的像素PXL作为示例性实施方式被示出。分支PEb分开，从而使相邻的分支PEb不会汇合。在由主干PEa划分的区域中，分支PEb彼此平行。相邻的分支被分开几微米，从而将液晶层LCL中的液晶分子LC在与基础基板平行的平面上对准到特定方位角。
可通过使用透明导电材料形成像素电极PE。特别地，可通过使用透明导电氧化物形成像素电极PE。透明导电氧化物可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铟锡(ITZO)等。
在钝化层PSV上形成第一主取向层ALN1，从而覆盖像素电极PE。在第一主取向层ALN1上，设置第一取向形成层PTL1。
第一主取向层ALN1可由诸如聚酰亚胺、聚酰胺酸、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚酯、聚乙烯、聚氨酯、聚苯乙烯的聚合物或其混合物形成。第一主取向层ALN1可通过使用摩擦法或光取向法来最初地取向。
第一取向形成层PTL1可以是通过聚合在不同的波长处具有光吸收峰值的两种或多种反应性介晶而获得的聚合物。当提供具有某个波长的光时，在不同的波长处具有光吸收峰值的反应性介晶呈现不同的反应性。因此，某个波长的光可仅与一部分介晶反应。
在本发明构思的实施方式中，反应性介晶可选自由以下式1表示的化合物。
[式1]
P1-sp1-A1-sp2-(A2)m-sp3-A3-sp4-P2
在式1中，P1是包括参与聚合反应的2至6个反应基团的端基。反应基团可引起聚合反应并可包括例如丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基或者苯乙烯基。
P2独立于P1设置并且是包括参与聚合反应的2至6个反应基团的端基。反应基团可引起聚合反应并可包括例如丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基或者苯乙烯基。
Sp1、Sp2、Sp3和Sp4的每一个独立地是单键、-CH2-、-COO-、-CO-、CH＝CH-、-COO-CH＝CH-、-CH2OCH2-和–CH2O-中的至少一个。
A1和A3的每一个独立地表示单键、环己基、苯基、苯硫基和多环芳基、或者其1至10个位置由-F、-Cl、-OCH3的至少一个取代的衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基中的至少一个。
A2是环己基、苯基、苯硫基和环芳烃基、或者其1至10个位置由-F、-Cl、-OCH3中至少一个取代的衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基中的至少一个。
在式1中，m为1至4。
在本发明构思的实施方式中，第一取向形成层PTL1可以是通过聚合在不同的波长处具有光吸收峰值的两种反应性介晶而获得的聚合物。第一取向形成层PTL1可具有网状结构并且可作为侧链(side chain)连接到第一主取向层ALN1。然而，为了便于说明，第一取向形成层PTL1被示出为与第一主取向层ALN1相似的层形状。
在本发明构思的实施方式中，反应性介晶可包括在第一波长处具有光吸收峰值的第一反应性介晶以及在比第一波长短的第二波长处具有光吸收峰值的第二反应性介晶。第一反应性介晶和第二反应性介晶可在紫外区具有光吸收峰值。
第一波长和第二波长可处于紫外区中，例如，从约10nm至约400nm。在本发明构思的实施方式中，第一波长和第二波长可从约220nm至约350nm，并且例如，第一波长可为约270nm，并且第二波长可为约250nm。
在本发明构思的实施方式中，第一反应性介晶可以是选自由以下式2、3和4中的化合物组成的基团中的至少一个，并且第二反应性介晶可以是选自以下式5、6、7和8中的化合物组成的基团中的至少一个。
[式2]
[式3]
[式4]
[式5]
[式6]
[式7]
以及
[式8]
第一主取向层ALN1和第一取向形成层PTL1可包括根据像素电极PE的第一至第四域DM1、DM2、DM3和DM4取向的区域。在本发明的实施方式中，第一主取向层ALN1和第一取向形成层PTL1包括第一至第四区域，并且液晶分子LC在对应于第一至第四区域的域DM1、DM2、DM3、和DM4中沿不同的方向取向。
第二基板SUB2包括第二基础基板BS2。在第二基础基板BS2上包括滤色器CF、黑矩阵BM、公共电极CE以及第二取向层。第二取向层包括第二主取向层ALN2和第二取向形成层PTL2。
滤色器CF形成在第二基础基板BS2上并且为穿透液晶层LCL的光提供颜色。滤色器CF形成在第二基板SUB2上。然而，滤色器CF的位置并不限于此。例如，滤色器CF可形成在第一基板SUB1上。
对应于第一基板SUB1的遮挡(blocking)区域形成黑矩阵BM。遮挡区域可被定义为其中形成数据线DLm、薄膜晶体管Tr和栅极线GLn的区域。在遮挡区域中，一般不形成像素电极PE，并且液晶分子LC未取向而且可能产生光泄漏。因此，在遮挡区域中形成黑矩阵BM以阻挡光泄漏。
公共电极CE形成在滤色器CF上并且与像素电极PE形成电场以驱动液晶层LCL。可通过使用透明导电材料形成公共电极CE。可通过使用诸如ITO、IZO、ITZO等的导电金属氧化物形成公共电极CE。
在公共电极CE上形成第二主取向层ALN2。在第二主取向层ALN2上形成第二取向形成层PTL2。除了形成在第二基板SUB2上以外，第二主取向层ALN2和第二取向形成层PTL2基本上与第一主取向层ALN1和第一取向形成层PTL1相同。因此，将省略重复说明。
在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间，设置包括液晶分子LC的液晶层LCL。液晶层LCL可具有负介电各向异性或正介电各向异性。
在液晶显示装置中，当栅极信号被施加至栅极线GLn时，薄膜晶体管Tr被接通。因此，施加至数据线DLm的数据信号可通过薄膜晶体管Tr施加至像素电极PE。当薄膜晶体管Tr被接通并且数据信号被施加至像素电极PE时，可在像素电极PE与公共电极CE之间形成电场。由施加至公共电极CE与像素电极PE的电压差而产生的电场来驱动液晶分子LC。因此，可改变穿透液晶层的剂量(dosage)并且可显示图像。
同时，根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置可具有各种像素结构。例如，根据本发明构思的实施方式，两个栅极线和一个数据线可连接至一个像素，并且根据另一实施方式，一个栅极线和两个数据线可连接至一个像素。不同地，一个像素可包括被施加两个不同的电压的两个子像素。在这种情况下，高电压可施加至一个子像素并且低电压可施加至另一子像素。此外，根据本发明构思的另一实施方式，像素中的元件(诸如栅电极、源电极和漏电极)可被布置成与所示出的结构不同的结构。
此外，在根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置中，像素电极和公共电极的形状可与上述形状不同。例如，设置具有多个分支的像素电极，然而并不限于此。像素电极可设置有其他形状。
图3是示出用于制造根据本发明构思的实施方式的制造液晶显示装置的方法的流程图。参照图3，在第一基础基板上形成像素电极等(S110)。随后在第一基础基板上形成第一主取向层(S120)。在第二基础基板上单独地形成公共电极等(S130)。随后，在第二基础基板上形成第二主取向层(S140)。在第一主取向层与第二主取向层之间设置液晶层(S150)。液晶层包括反应性介晶。在第一曝光过程期间(S160)，向液晶层施加电场(步骤S161)，并且首先曝光液晶层(S162)。随后，在第二曝光过程期间(S170)，去除电场，并且曝光液晶层以形成第一和第二取向形成层。
图4A、图4B和图4C是示出用于形成根据本发明构思的实施方式的取向层的方法的截面图。在下文中，将参照图1至图3、图4A、图4B和图4C详细地说明用于制造根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置的方法。
首先，参照图1和图2，在本文中，下面将说明在第一基础基板BS1上形成像素电极PE等的步骤。在第一基础基板BS1上形成栅极图案。栅极图案包括栅极线GLn和存储电极。可通过使用光刻工艺形成栅极图案。
在栅极图案上形成栅极绝缘层GI。在栅极图案上形成半导体层SM。半导体层SM可包括活性图案和形成在活性图案上的欧姆接触层。可通过使用光刻工艺形成半导体层SM。
在半导体层SM上形成数据图案。数据图案包括数据线DLm、源电极SE和漏电极DE。可通过使用光刻工艺形成数据图案。在这种情况下，可通过一个半掩模(one half mask)、一个衍射掩模等形成半导体层SM和数据图案。
在数据图案上形成钝化层PSV。钝化层PSV包括暴露漏电极DE的一部分的接触孔CH并且可通过使用光刻工艺来形成。
像素电极PE形成在钝化层PSV上并且通过接触孔CH连接至漏电极DE。可通过使用光刻工艺形成像素电极PE。
随后，在形成像素电极PE等的第一基础基板BS1上形成第一主取向层ALN1。可通过在第一基础基板BS1上涂布包括诸如聚酰亚胺的聚合物和聚合物的单体(monomer)的第一取向溶液(alignment solution)，并且随后加热第一取向溶液来形成第一主取向层ALN1。
再次参照图1和图2，将在下文中说明形成第二基板SUB2的步骤。在第二基础基板BS2上形成指定颜色的滤色器CF。在滤色器CF上形成公共电极CE。可通过各种方法(诸如光刻工艺)分别形成滤色器CF和公共电极CE。
在形成公共电极CE等的第二基础基板BS2上形成第二主取向层ALN2。通过在第二基板SUB2上涂布第二取向溶液并且加热第二取向溶液来形成第二主取向层ALN2。第二主取向层ALN2可包括与第一主取向层ALN1的成分相同的成分并可通过相同的工艺来形成。由于与第一主取向层ALN1类似地形成第二主取向层ALN2，因此不再详细地示出第二主取向层ALN2的形成。
如图4A所示，第一基板SUB1和第二基板SUB2布置成彼此相对，并且将液晶层LCL注入在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间。
液晶层LCL由包括具有介电各向异性的液晶分子LC的液晶组合物以及在不同的波长处具有光吸收峰值的至少两个反应性介晶形成。液晶可具有拥有不同结构的液晶分子LC，例如，烯基类和/或烷氧基类液晶分子。
反应性介晶是指光可固化颗粒，即，光交联低分子量或高分子量共聚物，并且当施加某个波长的光(例如紫外线光)时呈现化学反应，诸如，聚合反应。反应性介晶可包括，例如，丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基或者苯乙烯基。反应性介晶可以是具有棒状、香蕉状、板状或盘状的材料。
液晶组合物包括在不同的波长处具有光吸收峰值的两种或更多种反应性介晶。当提供具有某个波长的光时，在不同的波长处具有光吸收峰值的反应性介晶呈现不同的反应活性。因此，当具有某个波长的光被提供至液晶组合物时，一部分介晶可在其余介晶之前起反应。特别地，与吸收具有相对短波长的光的反应性介晶相比，吸收具有相对较长波长的光的反应性介晶可通过较小的能量起反应。并且，反应速率可更快。
在本发明构思的实施方式中，反应性介晶可选自由以下式1表示的化合物。
[式1]
P1-sp1-A1-sp2-(A2)m-sp3-A3-sp4-P2
其中，P1是包括参与聚合反应的2至6个反应基团的端基。反应基团可包括例如丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基或者苯乙烯基。
P2独立于P1设置并且是包括参与聚合反应的2至6个反应基团的端基。反应基团可包括例如丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基或者苯乙烯基。
Sp1、Sp2、Sp3和Sp4的每一个独立地选自单键、-CH2-、-COO-、-CO-、CH＝CH-、-COO-CH＝CH-、-CH2OCH2-和–CH2O-，并且对应于联接基团。
A1和A3的每一个独立地表示单键、环己基、苯基、苯硫基和多环芳基、或者由数量为1至10个的-F、-Cl、-OCH3的至少一个取代的衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基。
A2是环己基、苯基、苯硫基和环芳烃基、或者利用-F、-Cl、-OCH3的至少一个取代1至10次的其衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基中的至少一个。
在式1中，m为1至4。
在本发明构思的实施方式中，第一取向形成层PTL1可以是通过聚合在不同的波长处具有光吸收峰值的两种反应性介晶而获得的聚合物。在这种情况下，第一取向形成层PTL1可包括在第一波长处具有光吸收峰值的第一反应性介晶RM1以及在比第一波长短的第二波长处具有光吸收峰值的第二反应性介晶RM2。第一反应性介晶RM1和第二反应性介晶RM2可在紫外区中具有光吸收峰值。
第一和第二反应性介晶RM1和RM2的第一波长和第二波长可位于紫外区中，例如，从约10nm至约400nm。在本发明构思的实施方式中，第一波长和第二波长可位于从约220nm至约350nm的范围内，例如，第一波长可为约270nm并且第二波长可为约250nm。
在本发明构思的实施方式中，当与第二反应性介晶RM2相比时，第一反应性介晶RM1可选自对具有相对较低波长的光具有高反应活性的材料。在这种情况下，第一反应性介晶RM1相比第二反应性介晶RM2可包括在较长的波长处具有吸收性的反应基团，或者可包括更多的共轭(conjugated)结构。例如，每个反应性介晶的共轭度可通过在A1至A3的共轭结构与P1和P2的反应基团之间布置可与A1至A3成共轭或非共轭的联接基团来控制。当共轭度大时，反应性介晶可吸收具有相对较长的波长的光。
在本发明构思的实施方式中，第一反应性介晶RM1可以是选自由以下式2、3和4中的化合物组成的基团中的至少一个，并且第二反应性介晶RM2可以是选自由以下式5、6、7和8中的化合物组成的基团中的至少一个。
[式2]
[式3]
[式4]
[式5]
[式6]
[式7]
以及
[式8]
在本发明构思的实施方式中，建议以上式2-8的第一反应性介晶RM1和第二反应性介晶RM2作为实例，并且不具有特定限制，可使用任何种类的第一反应性介晶RM1和第二反应性介晶RM2，只要它们相对于具有某个波长的光具有不同的光吸收峰值和不同的反应活性。例如，尽管在实施方式中，反应性介晶被分类为第一反应性介晶，但如果使用在较长波长处具有吸收性的另一种反应性介晶，则该反应性介晶可被分类为第二反应性介晶。
在本发明构思的实施方式中，液晶组合物可进一步包括添加剂，诸如用于引发反应性介晶的反应的光引发剂(initiator)。液晶组合物可包括用于防止液晶层中的液晶分子LC的氧化的抗氧化剂。
参照图4B，向液晶组合物施加电场。可通过向像素电极PE和公共电极CE施加不同的电压来形成电场。此外，在向液晶组合物施加电场的同时，向液晶层LCL施加第一光L1以执行第一曝光过程。
第一光L1具有比第二光L2更长的波长(参见图4C)，这将在下文中说明。在本发明构思的实施方式中，第一光L1可为处于紫外区中的光并可具有从约10nm至约400nm的波长。此外，根据本发明构思的另一实施方式，波长可为从约220nm至约350nm。根据本发明构思的又一实施方式，第一光L1可具有第一反应性介晶RM1的最大吸收波长，即，第一波长。第一光L1可以是偏振或非偏振光。
在本发明构思的实施方式中，可将处于从约0.1J/cm2至约50J/cm2的第一光L1提供至液晶组合物持续约30秒至约200秒。然而，光能量和曝光时间并不限于此，并可根据第一和第二反应性介晶RM1和RM2的种类而被改变。在曝光之后，在第一基础基板BS1上形成第一取向形成层PTL1并且在第二基础基板BS2上形成第二取向形成层PTL2。
第一反应性介晶RM1和第二反应性介应RM2可对第一光L1起反应。然而，由于第一反应性介应RM1相对于第一光L1具有更高的反应活性，因此主要出现第一反应性介晶RM1的反应，并且第二反应性介晶RM2可基本保持在未反应状态，即使第一反应性介晶RM1的反应完成。
第一反应性介晶RM1在第一主取向层ALN1和第二主取向层ALN2上聚合，并且形成第一取向形成层PTL1和第二取向形成层PTL2。详细地，当向液晶分子LC施加电场时，第一和第二反应性介晶RM1和RM2可沿着与周围液晶分子LC基本相同的方向取向。在这种状态下，当辐射第一光L1时，第一反应性介晶RM1可通过第一光L1聚合，从而在第一反应性介晶RM1之间形成网状物(network)。相邻的第一反应性介晶RM1可连接并形成支链。由于在液晶分子LC维持取向状态的同时第一反应性介晶RM1形成网状物，因此第一反应性介晶RM1可具有沿着液晶分子LC的平均取向方向的某个取向。因此，即使当去除电场时，邻近于网状物的液晶分子LC也具有线倾斜(line tilt)角(预倾斜角)。
随后，参照图4C，施加具有比第一光L1(参见图4B)短的波长的第二光L2以执行第二曝光操作，同时不施加电场。在本发明构思的实施方式中，第二光L2可为处于紫外区中的光并可具有从约10nm至约400nm的波长。此外，根据本发明构思的另一实施方式，波长可为从约220nm至约350nm。根据本发明构思的又一实施方式，第二光L2可具有第二反应性介晶RM2的最大吸收波长，即，第二波长。第二光L2可以是偏振光或非偏振光。
在本发明构思的实施方式中，可将处于从约0.05mW/cm2至约0.6mW/cm2的第二光L2提供至液晶组合物持续约10分钟至约90分钟。然而，光能量和曝光时间并不限于此，并可根据第一和第二反应性介晶RM1和RM2的种类而改变。
通过在第二曝光步骤中将第二光L2施加到第一和第二取向形成层PTL1和PTL2，可完成第一和第二取向形成层PTL1和PTL2的未反应的位置的反应。因此，稳定第一和第二取向形成层PTL1和PTL2。此外，在第二曝光步骤中聚合剩余的未反应的第二反应性介晶RM2。
在本发明构思的实施方式中，剩余第二反应性介晶对第二曝光作出反应，并且可防止液晶分子的变形和伴随的缺陷。组成液晶组合物的主要部分的液晶分子可通过第一和第二曝光而解离(degenerate)。例如，烯基类液晶可通过第一光和/或第二光解离成自由基(radical)或离子。在这种情况下，自由基或离子和另一种液晶可能起反应，并且另外的液晶分子可能引起液晶分子的解离。因此，可能不能适当地驱动液晶分子，并且电压保持率可能降低并且图像液晶显示装置的可靠性可能降低。
然而，在本发明构思的实施方式中，在第一曝光之后，余留第二反应性介晶，并且可防止或降低在第一曝光和第二曝光期间可能产生的液晶分子的解离。即，即使液晶分子的一部分解离成自由基或离子，自由基或离子可首先与第二反应性介晶起反应。由于第二反应性介晶的反应活性大于液晶分子，因此可防止液晶分子的额外解离。
图5是示出根据本发明构思的实施方式的反应性介晶相对于波长的吸收率的曲线图。图5中的RMC1至RMC5分别表示反应性介晶化合物1至反应性介晶化合物5，并且在下面的表1中示出反应性介晶化合物1至5的化学式。
[表1]
如图5所示，反应性介晶化合物1至5具有不同的吸收峰值。特别地，反应性介晶化合物1至5在从约220nm至约350nm的波长范围内具有吸收峰值。当与反应性介晶化合物4和5相比时，反应性介晶化合物1至3在相对短波长范围内具有吸收峰值。反应性介晶化合物1至3对具有短波长的光具有更高的反应活性，并且反应性介晶化合物4和5对具有相对长波长的光具有更高的反应活性。
在本发明构思的实施方式中，反应性介晶化合物4和5中的至少一个可被用作第一反应性介晶，并且反应性介晶化合物1至3中的至少一个可被用作第二反应性介晶。
图6是示出在使用普通反应性介晶的液晶显示装置以及使用根据本发明构思的实施方式的反应性介晶的液晶显示装置的V-T曲线中的阈值电压的图表。
在图6中，比较实例是使用普通反应性介晶的液晶显示装置。比较实例示出了当使用一个可选的反应性介晶制造液晶显示装置时的阈值电压(V)。在比较实例中，第一曝光的曝光能量是约4J/cm2，并且曝光电压为约8.5V。实例示出了当使用两个不同种类的反应性介晶制造液晶显示装置时的阈值电压(V)。在实例中，第一曝光的曝光能量为约4J/cm2、约4.5J/cm2、约5.5J/cm2以及约6.5J/cm2，并且曝光电压为约8.5V、约9.5V以及约11V。在实例和比较实例中，除了反应性介晶的种类、曝光能量和曝光电压以外，其余的条件相同。
参照图6，比较实例中的阈值电压为约2.95V，然而，在相同条件下，实例中的阈值电压为约2.85V(降低约0.1V)。此外，当曝光能量增加或者曝光电压增大时，在第一曝光期间，阈值电压降低。因此，将确认可通过改变第一曝光的条件(即，曝光能量和曝光电压)来控制液晶显示装置的阈值电压。
图7A和图7B是示出在使用普通反应性介晶的液晶显示装置以及使用根据本发明构思的实施方式的反应性介晶的液晶显示装置中的根据第二曝光时间的电压保持率的曲线图。
图7A为使用普通反应性介晶的液晶显示装置。在图7A中，通过使用一种可选择的反应性介晶来制造液晶显示装置，并且示出了在最终制造的液晶显示装置中的根据第二曝光时间的变化的电压保持率的变化。
图7B是根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置。在图7B中，除了图7A中所用的一种反应性介晶以外，通过使用相比图7A中所用的反应性介晶在较短的波长处具有光吸收峰值的一种反应性介晶(即，通过使用两种反应性介晶)来制造液晶显示装置。在图7B中，示出了在最终制造的液晶显示装置中的根据第二曝光时间的变化的电压保持率的变化。在实例和比较实例中，除了反应性介晶的数量和种类以外，其余条件是相同的。
参照图7A，在普通液晶显示装置中，电压保持率随着第二曝光时间增加而减小。特别地，在没有第二曝光的情况下，电压保持率为约99.2。然而，当执行第二曝光约100分钟时，电压保持率降低为约72.71。
参照图7B，在根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置中，随着第二曝光时间增加，可维持电压保持率。即，在没有第二曝光的情况下，电压保持率为约99.49，并且即使执行第二曝光约100分钟，电压保持率为约95.35。
因此，在根据本发明构思的实施方式的包括不同反应性介晶的液晶显示装置中，电压保持率可维持到适当程度，并且可防止或减小由于电压保持率的减小而可能产生的缺陷，例如，线残像。
应认为以上公开主题内容是示例性的而不是限制性的，并且所附权利要求旨在覆盖落在本发明构思的真实精神和范围内的所有这些修改、增加和其他实施方式。
此外，直到法律所允许的最大程度，本发明构思的范围由所附权利要求及其等价物的最广的可容许的解释来确定，而并不应受上述详细描述制约或限制。

Claims (20)

1.一种液晶显示装置，包括：
第一基板；
第一取向层，布置在所述第一基板上；
第二基板，面向所述第一基板；
第二取向层，布置在所述第二基板上；以及
液晶层，布置在所述第一基板与所述第二基板之间，
其中，所述第一取向层和所述第二取向层的每一个包括主取向层和布置在所述主取向层上的取向形成层，并且通过聚合具有不同的光吸收峰值的反应性介晶来获得所述取向形成层。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述反应性介晶中的每一个具有以下式1：
[式1]
P1-sp1-A1-sp2-(A2)m-sp3-A3-sp4-P2，其中，
P1和P2独立地选自丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基和苯乙烯基，
Sp1、Sp2、Sp3和Sp4独立地选自单键、-CH2-、-COO-、-CO-、CH＝CH-、-COO-CH＝CH-、-CH2OCH2-和–CH2O-，
A1和A3独立地选自单键、环己基、苯基、苯硫基、多环芳基和其1至10个位置由-F、-Cl、-OCH3中的至少一个取代的衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基；
A2选自环己基、苯基、苯硫基、多环芳烃基和其1至10个位置由-F、-Cl、-OCH3中的至少一个取代的衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基，并且
m的范围为从1至4。
3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述反应性介晶包括：
第一反应性介晶，在第一波长处具有光吸收峰值；以及
第二反应性介晶，在比所述第一波长短的第二波长处具有光吸收峰值。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述第一波长和所述第二波长在220nm至350nm的范围内。
5.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述第一反应性介晶选自由以下式2、式3和式4的化合物所组成的组：
[式2]
[式3]
以及
[式4]
6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中，所述第二反应性介晶选自由以下式5、式6、式7和式8的化合物所组成的组：
[式5]
[式6]
[式7]
以及
[式8]
7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，进一步包括：
像素电极，布置在所述第一基板上；以及
公共电极，布置在所述第二基板上。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中，所述像素电极包括主干和从所述主干延伸的分支。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中：
所述第一基板包括具有域的像素区；以及
所述分支在每个所述域中沿不同的方向延伸。
10.一种制造液晶显示装置的方法，所述方法包括：
将液晶层布置在第一基板与第二基板之间；
向所述液晶层施加电场；
向所述液晶层施加第一光；以及
向所述液晶层施加具有比所述第一光短的波长的第二光，而不施加所述电场，
其中，所述液晶层的反应性介晶包括第一反应性介晶和第二反应性介晶，所述第一反应性介晶相比所述第二反应性介晶对所述第一光具有更大的反应活性。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述反应性介晶具有以下式1：
[式1]
P1-sp1-A1-sp2-(A2)m-sp3-A3-sp4-P2，其中，
P1和P2独立地选自丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、环氧基、氧杂环丁烷基、乙烯基醚基和苯乙烯基，
Sp1、Sp2、Sp3和Sp4独立地选自单键、-CH2-、-COO-、-CO-、CH＝CH-、-COO-CH＝CH-、-CH2OCH2-和–CH2O-，
A1和A3独立地选自单键、环己基、苯基、苯硫基、多环芳基和其1至10个位置由-F、-Cl、-OCH3中的至少一个取代的衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基；
A2选自环己基、苯基、苯硫基、多环芳烃基和其1至10个位置由-F、-Cl、-OCH3中的至少一个取代的衍生物、以及具有1至6个碳原子的烷基，以及
m的范围为从1至4。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，
所述第一反应性介晶在第一波长处具有光吸收峰值；并且
所述第二反应性介晶在比所述第一波长短的第二波长处具有光吸收峰值。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一波长和所述第二波长在220nm至350nm的范围内。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一反应性介晶选自由以下式2、式3和式4的化合物所组成的组：
[式2]
[式3]
以及
[式4]
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第二反应性介晶选自由以下式5、式6、式7和式8的化合物所组成的组：
[式5]
[式6]
[式7]
以及
[式8]
16.根据权利要求10所述的方法，其中，同时施加所述第一光和所述电场。
17.根据权利要求10所述的方法，进一步包括在所述第一基板和所述第二基板的至少一个上形成主取向层。
18.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
在所述第一基板上形成像素电极；以及
在所述第二基板上形成公共电极，
其中，所述像素电极和所述公共电极被配置为形成所述电场。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述像素电极包括主干和从所述主干延伸的分支。
20.根据权利要求19所述的方法，其中：
所述第一基板包括具有域的像素区；并且
所述分支在每个所述域中沿不同的方向延伸。
CN201410484171.6A 2013-12-02 2014-09-19 液晶显示装置以及用于制造液晶显示装置的方法 Pending CN104678653A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130148623A KR20150063804A (ko) 2013-12-02 2013-12-02 액정 표시 장치 및 이의 제조방법
KR10-2013-0148623 2013-12-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104678653A true CN104678653A (zh) 2015-06-03

Family

ID=53265205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410484171.6A Pending CN104678653A (zh) 2013-12-02 2014-09-19 液晶显示装置以及用于制造液晶显示装置的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150153617A1 (zh)
KR (1) KR20150063804A (zh)
CN (1) CN104678653A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105785612A (zh) * 2016-05-13 2016-07-20 深圳市华星光电技术有限公司 Psva液晶面板的制作方法
CN107167969A (zh) * 2016-03-08 2017-09-15 三星显示有限公司 液晶显示装置
CN107304361A (zh) * 2016-04-20 2017-10-31 三星显示有限公司 取向层组合物、液晶显示器以及制造液晶显示器的方法
CN110651222A (zh) * 2017-06-06 2020-01-03 香港科技大学 具有非均匀取向层的无雾反向液晶光控膜
CN111413827A (zh) * 2020-04-20 2020-07-14 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及预倾角形成方法
US20210341797A1 (en) * 2014-02-26 2021-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Curved display device and method of manufacturing the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102130395B1 (ko) 2014-01-10 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20160075936A (ko) * 2014-12-19 2016-06-30 삼성디스플레이 주식회사 배향막 형성 방법 및 표시 패널의 제조 방법
JP6780587B2 (ja) * 2016-07-14 2020-11-04 Jnc株式会社 液晶表示素子の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1067132A2 (en) * 1999-07-05 2001-01-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chemical adsorbate compound, organic film, liquid crystal alignment film and liquid crystal display device utilizing the chemical adsorbate compound
JP2008197522A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Nippon Oil Corp 光学フィルムの製造方法
CN101341178A (zh) * 2005-12-23 2009-01-07 伊斯曼柯达公司 使用聚(乙烯基茋唑)聚合物的液晶的光学定向排列
CN101354500A (zh) * 2008-09-25 2009-01-28 友达光电股份有限公司 液晶显示面板及其制造方法
CN102156363A (zh) * 2011-04-15 2011-08-17 福州华映视讯有限公司 液晶混合物与液晶显示面板
WO2012017882A1 (ja) * 2010-08-03 2012-02-09 シャープ株式会社 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
CN102929017A (zh) * 2012-11-19 2013-02-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种光配向液晶材料的终点检测方法及装置
CN103109229A (zh) * 2010-09-08 2013-05-15 夏普株式会社 液晶显示装置
CN103242288A (zh) * 2012-02-13 2013-08-14 三星电子株式会社 反应性介晶化合物、液晶组合物、显示面板及其制法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101820966B1 (ko) * 2011-10-20 2018-01-23 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치, 배향막 및 이들을 제조하는 방법들
US9074132B2 (en) * 2011-11-28 2015-07-07 Jnc Corporation Liquid crystal composition and liquid crystal display device
US9157027B2 (en) * 2012-04-24 2015-10-13 Jnc Corporation Compound having four polymerizable groups, liquid crystal composition and liquid crystal display device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1067132A2 (en) * 1999-07-05 2001-01-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Chemical adsorbate compound, organic film, liquid crystal alignment film and liquid crystal display device utilizing the chemical adsorbate compound
CN101341178A (zh) * 2005-12-23 2009-01-07 伊斯曼柯达公司 使用聚(乙烯基茋唑)聚合物的液晶的光学定向排列
JP2008197522A (ja) * 2007-02-15 2008-08-28 Nippon Oil Corp 光学フィルムの製造方法
CN101354500A (zh) * 2008-09-25 2009-01-28 友达光电股份有限公司 液晶显示面板及其制造方法
WO2012017882A1 (ja) * 2010-08-03 2012-02-09 シャープ株式会社 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
CN103109229A (zh) * 2010-09-08 2013-05-15 夏普株式会社 液晶显示装置
CN102156363A (zh) * 2011-04-15 2011-08-17 福州华映视讯有限公司 液晶混合物与液晶显示面板
CN103242288A (zh) * 2012-02-13 2013-08-14 三星电子株式会社 反应性介晶化合物、液晶组合物、显示面板及其制法
CN102929017A (zh) * 2012-11-19 2013-02-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种光配向液晶材料的终点检测方法及装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210341797A1 (en) * 2014-02-26 2021-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Curved display device and method of manufacturing the same
US11586074B2 (en) * 2014-02-26 2023-02-21 Samsung Display Co., Ltd. Curved display device comprising a first alignment layer having a first pretilt-angle and a second alignment layer having a second pretilt-angle and method of manufacturing the same
CN107167969A (zh) * 2016-03-08 2017-09-15 三星显示有限公司 液晶显示装置
CN107304361A (zh) * 2016-04-20 2017-10-31 三星显示有限公司 取向层组合物、液晶显示器以及制造液晶显示器的方法
CN105785612A (zh) * 2016-05-13 2016-07-20 深圳市华星光电技术有限公司 Psva液晶面板的制作方法
WO2017193450A1 (zh) * 2016-05-13 2017-11-16 深圳市华星光电技术有限公司 Psva液晶面板的制作方法
CN110651222A (zh) * 2017-06-06 2020-01-03 香港科技大学 具有非均匀取向层的无雾反向液晶光控膜
CN111413827A (zh) * 2020-04-20 2020-07-14 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及预倾角形成方法
CN111413827B (zh) * 2020-04-20 2023-10-03 Tcl华星光电技术有限公司 液晶显示面板及预倾角形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150153617A1 (en) 2015-06-04
KR20150063804A (ko) 2015-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104678653A (zh) 液晶显示装置以及用于制造液晶显示装置的方法
JP6348360B2 (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR101812776B1 (ko) 액정 표시 장치
JP5503896B2 (ja) 液晶表示装置
US8755013B2 (en) Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
US20150185529A1 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US9274392B2 (en) Liquid crystal display
CN107924089A (zh) 液晶显示元件
CN105938276B (zh) 液晶显示器
US20140055698A1 (en) Mother substrate for display device, method for manufacturing the same, and method for manufacturing display device
KR20110111212A (ko) 화소전극 표시판, 액정표시판 조립체 및 이들을 제조하는 방법들
US9284488B2 (en) Liquid crystal display device
US20130258262A1 (en) Liquid crystal display
KR20170019544A (ko) 곡면 액정표시장치 및 이의 제조방법
US9488869B2 (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing same
KR102409741B1 (ko) 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR102431192B1 (ko) 배향막 조성물, 이를 포함하는 액정표시장치 및 액정표시장치의 제조방법
CN104460128B (zh) 液晶显示器
CN105487304B (zh) 液晶显示器
JPWO2018021093A1 (ja) 走査アンテナおよび走査アンテナの製造方法
US20170059947A1 (en) Liquid crystal display device
US20160154280A1 (en) Liquid crystal display
KR102024664B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조방법
KR20150118659A (ko) 액정 표시 장치
KR20150083695A (ko) 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150603

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication