CN104640804A - 用于制造微载体以及进行生物分析的方法 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的方法包括提供一种具有底层(16)，第一舍弃顶层(17)和绝缘层(18)的晶片(15)，设计第一舍弃层的结构以形成第一结构层被沉积在其上的三维结构，从而在第一结构层的下表面上勾勒出对应的三维结构。该方法也包括在第一结构层的上表面上形成第二个三维结构。

Description

用于制造微载体以及进行生物分析的方法
技术领域
本发明涉及一种微载体及用于制造微载体的方法。本发明尤其涉及适用于进行科研与临床实验室中生物和/或化学分析的微载体。
背景技术
本发明的范围内，微载体和微粒子分别指任何类型的微小尺寸的微载体和粒子，典型地最大尺寸为100nm至300μm，优选为1μm至200μm。
根据本发明，术语微载体是指一种功能化的，或适于功能化的微粒子，其包含，或适于包含，一种或多种连接在微载体的表面或浸渍入其本体的配体或功能性单元。广谱的化学和生物分子可作为配体与微载体连接。一个微载体可具有多种功能性单元和/或配体。用于此处，术语功能性单元可定义为改性，连接，添加，覆盖，或共价或非共价的连接于所述微载体表面或浸渍入其本体的任意一种功能性单元。这些功能性单元包括在高通过量筛选技术和诊断学中常规使用的所有功能单元。
新药的发现或筛选以及DNA测序通常要涉及对大量化合物或分子的分析。这些分析典型地包括，例如，用于关注的化合物或特殊的目标分子的筛选化学库，或用于所关注的分子间的化学和生物反应的测试。这些分析经常需要进行数以千计单独的化学和/或生物反应。
操作如此大量的单独反应会引发许多实际问题。其中，最为显著的问题可能是需要标记和追踪每个单独反应。
追踪反应“身份”的一种常规方法通过在微量滴定板(微阵列)上物理性地分离每个反应来实现。然而，微量滴定板的使用会带来一些缺点例如，尤其是，所使用的微量滴定板尺寸的物理性限制，也因此限制了可在滴定板上进行的不同反应的数量。
考虑到微阵列使用中的限制，现在用功能性编码微粒(Functionalized encodedmicroparticles)有利地替代微阵列来进行化学和/或生物分析。每个功能性编码微粒具有一个编码用以唯一地识别与其表面连接的特定配体。这种功能性编码微粒的使用适用于随机处理，即数以千计的唯一功能性编码微粒可全部混合并同时经历分析。同际专利申请WO00/63695中描述了上述功能性编码微粒的例子并展示在图1中。
国际专利申请WO 2010/072011中描述了一种至少具有可用作反应室的微流体通道的分析设备，在微流体通道内，可填充大量的功能性编码微粒或微载体1(图1)。微流体通道具有用作过滤器的阻断装置，即其在允许包含化学和/或生物试剂的液体溶液流过的同时阻断其中的微载体1。选择所述微流体通道的几何高度和所述微载体1的尺寸使得所述微载体1在每个微流体通道内部典型地以单层排列方式进行排列以防止所述微载体1彼此重叠。
在其上连接的配体与流经的化学和/或生物试剂之间显示出所关注的有利反应的这些功能性编码微载体1其自身的编码然后被读取，从而导致配体被识别而产生有利反应。
该编码可包含具有大量穿越孔2和非对称取向标记的独特图案，例如，L型标记3(如图1所示)或三角形。这种非对称取向标记能够区分微载体1的上表面4和下表面5。
术语微流体通道是指一个封闭的通道，即，用于流体的细长通道，具有微小尺寸的横断面，即横断面的最小直径典型的为约1至500微米，优选为约10至200微米。微流体通道的纵向不一定是直线，其相当于微流体通道内流体流动的方向，即在假定流体为层流态时，优选相当于流体平均流速的矢量方向。
使用WO 2010/072011中描述的分析设备，所关注反应的测定可基于微流体通道内存在的每个编码微载体1的荧光强度的连续读数。换句话说，分析中存在的目标分子会触发预定的荧光信号。
然而，当荧光信号饱和时，功能性编码微载体1和WO 2010/072011中描述的分析设备在平衡状态达到前无法迅速地定量试剂或配体。虽然WO 2010/072011中描述的分析设备缩短达到平衡状态所需的时间，但当分析物的典型浓度值在十亿分之一摩尔的范围内时，依然需要10至20分钟，同时达到兆分之一摩尔范围内的低浓度需要花费数个小时从而进行定量。此外，它们的荧光信号的差别，尤其是分析末尾之后的扩散图案存在略低于约15％的误差而无法确定定量信息。
为补救这些缺点，专利申请PCT/CH2012/000032提出了一种编码微载体，如图2和3所示，其包含具有直圆柱形的本体6，该本体包含上表面4，下表面5和从下表面5突出的间隔单元7。
定型具有间隔单元7的微载体1以确保，当编码微载体1被置于平板8上且检测表面5与所述平板8相对时，所述平板8与检测表面5之间存在间隙d，如图3所示。
如上所述，编码微载体包含一个或多个连接在其下表面5(检测表而)上的配体。当连有配体的编码微载体1与含有一种或多种目标分析物的溶液接触时，会在检测表面5上发生所关注的反应，这取决于是否存在适合的分析物。例如，所关注的反应可发出或抑制可检测到的荧光信号。对检测表面5上的反应的测定能够确定是否存在所关注的特定的分析物。
文献PCT/CH2012/000032也公开了一种分析系统，其包含大量的具有间隔单元的编码微载体1和分析设备，其局部显示在图4和5中。分析设备9包含至少一个微流体通道10，该微流体通道10具有与吸入井11相连的入口和与排出井12相连的出口，所述的通道10被定型为能够容纳大量的所述编码微载体1。微流体通道10具有阻断装置，其排列在微流体通道10的出口附近并用作过滤器，在允许液体溶液通过的同时阻断其内部的所述编码微载体1。微流体通道10的横断面允许至少两个编码微载体1以图5所描绘的单层排列方式并排排列在所述微流体通道10的长度上。微流体通道10至少包含可用于监控分析的观测井14。典型地，当通过荧光信号监控分析时，观测井为透明的。
在这种分析系统中，当编码微载体被置于微流体通道10内(通道10具有与所述观测井14相对的所述检测表面5)时，间隔单元7在所述检测表面5和所述观测井14之间形成空隙d以允许液体在所述空隙d中循环，所述液体包含用于分析的所关注的化学和/或生物试剂。
因此，间隔单元7使得整个微流体通道10内的对流更加均匀而产生透过编码微载体1的随时间增强的均匀荧光。该均匀信号的增强适用于从最初的几秒开始通过监控荧光率对被冲洗的分析物迅速定量。
当微载体1被引入吸入井11时，所述微载体1在吸入井11中的沉淀过程中可能会翻滚。因此，一些微载体1的检测表面会与微通道10的观测井14相对。然而，仅当所述检测表面5与吸入井11相对时，才可能检测到连接于检测表面5上的分子的存在。因此，具有错误取向的微载体1不能发出任何可检测信号。
此外，层状流体流动会受到具有不合适取向的微载体1的干扰。实际上，在这种情况下，所述的层状流体流动被强行改为围绕着所关心的微载体1流动，因此，在微流体通道10内形成的流体流动的速度场是不均匀的，导致与检测表面5相互作用的目标分子和试剂的不均匀分布。这会影响分析的可靠性。
一般来说，相同的取向问题可能产生于另一种只具有上表面和下表面中的一个的三维结构的的微载体中。
发明内容
本发明的目标在于纠正上述的全部或部分缺点。
为了该目标，本发明提出了一种用于至少生产微载体的方法，该方法包含下列步骤：
a)提供具有夹层结构的晶片，该晶片包含底层，第一舍弃顶层和位于所述顶层与底层之间的绝缘层；
b)设计第一舍弃层的结构以形成第一掩模，所述掩模勾画第一个三维负性图案；
c)在第一舍弃层上沉积第一结构层以便形成与第一个三维负性图案互补的第一个三维结构；
d)在第一结构层的上表面上沉积第二舍弃层；
e)设计第二舍弃层的结构以形成第二掩模，所述掩模在第一结构层的上表面上勾画第二个三维负性图案；
f)在第二个三维负性图案上沉积第二结构层以便在第一结构层的上表面上形成第二个三维结构；
g)从上述第一结构层和第二结构层向下至绝缘层进行蚀刻去除以勾画微载体本体的侧壁，每个本体至少包含第一个下部三维结构和第二个上部三维结构；
h)蚀刻掉绝缘层，底层和舍弃层以释放该微载体。
根据本发明的方法获得的微载体在上表面和下表面均包含三维结构。因此，当这些微载体在上述微通道内使用时，无论微通道内微载体的取向如何，在化学和/或生物分析的过程中均可防止受干扰流体流动的形成并且在整个微通道内保持层状流体流动。
根据本发明的方法允许通过在最初的晶片上的连续堆叠和构层来获得微载体。
根据本发明方法的一个实施方式，第一个三维结构和/或第二个三维结构包含至少一个从它们形成于其上的本体的相应表面中突出的间隔单元。
所述间隔单元在放置所述微载体的表面与微载体的对应表面之间形成空隙，便于在所述微通道内形成层状流体流动。
该方法在步骤c之前可包含一个步骤用于在第一舍弃层和第一个三维负性图案之上沉积第一活性层。
该方法在步骤g之前也可以包含如下的两个附加步骤：
a)蚀刻掉第二舍弃层；和
b)在第一结构层和第二结构层之上沉积第二活性层。
例如，第一活性层和/或第二活性层包含具有光学或磁学特性的材料，多晶硅和/或聚四氟乙烯，或具有高反射率的金属层。
使用具有光学特性的材料将大幅地增强由微载体的对应表面所发出的荧光信号。例如，具有磁学特性的材料可用于使微载体沿期望方向取向。多晶硅的使用能增加本体对应表面的粗糙度以便增大所述表面上待覆盖的有效面积。最后，聚四氟乙烯可用于减少分析中微载体与其所放置的表面间的摩擦。
第一活性层和/或第二活性层可包含氧化物或氮化物，例如二氧化硅，或金属层。因此与所述表面连接的分子所发出的的信号被增强。
根据本发明的另一个实施方式，上表面的三维结构和/或下表面的三维结构包含至少一个衍射光栅。
衍射光栅是指一种被设计来分解光或使光衍射成沿不同方向传输的光束的结构。当用光照射时，衍射光栅会在微载体的上表面和/或下表面上形成表面等离子体共振(因此为可检测信号)。此外，衍射光栅趋于与目标分子相互作用而导致表面等离子体共振的变化。这些变化可被检测来判定是否存在所述目标分子。文献GB2427022公开了一种只具有一个含衍射光栅的表面的微载体。
在一个特定的实施方式中，该方法在步骤d之前进一步包含一个步骤，其包括抛光第一连续层的上表面以便形成一个平坦的上表面。
在本发明的另一个可能的实施方式中，绝缘层与第一舍弃层形成了单层例如含氮化硅的单层。
至少一个舍弃层可由氮化硅或光致抗蚀剂材料制得或包含氮化硅或光致抗蚀剂材料。
有利地，连续层由硅制得或包含硅，优选为非晶硅或多晶硅。
本发明也涉及一种根据本发明的方法获得的微载体，该微载体包含具有上表面和下表面的本体，每个所述表面包含三维结构。
附图说明
通过非限制实施例结合附图，可以更好地理解本发明和下述说明书中的其他细节、特征和优点，其中：
图1：显示了根据现有技术的微载体的顶部透视图；
图2：显示了根据现有技术的微载体的底部透视图，具有从微载体的下表面中突出的间隔单元；
图3：显示了图2所示的微载体的横断面图；
图4：显示了根据现有技术的分析设备的微流体通道的横断面图；
图5：显示了置于图4中的微流体通道内的编码微载体的顶部示意图；
图6至17：显示了根据本发明的一个实施方式的用于制造微载体的方法中的连续步骤；
图18：显示了根据本发明的微载体的底部透视图；
图19：显示了根据本发明的微载体在微通道内的横断面图。
具体实施方式
将参考图6至18说明根据本发明的用于制造微载体的方法。该方法包含下列连续步骤。
第一步，如图6所示，包括提供具有夹层结构的晶片15，其包含底层16，第一舍弃顶层17和位于所述底层16和顶层17之间的绝缘层18。
例如，底层16由硅材料制得。绝缘层18可由能够在空间上隔离两个所选硅层的材料制得，其包括氮化硅，钨，铬或铝，它们中的每个都可用作底层的绝缘体。第一舍弃顶层17可由通过低压力化学气相沉积法(LPCVD)或溅射法沉积在绝缘层18上的氮化硅制得。
根据本发明的方法进一步包括一个步骤用于设计第一舍弃顶层17的结构以在绝缘层18上勾画一个三维结构。
为了这个目标，第二步包含将光致抗蚀剂层19涂在第一舍弃顶层17上(图7)。为了勾画三维结构，使用紫外灯经由掩模(未显示)例如铬/玻璃掩模，照射光致抗蚀剂层19。掩模中与三维结构布局相对应的开口图案提供了空间选择性紫外照射。在被空间选择性照射的地方发生光引发反应并开始聚合抗蚀剂层。然后使用特定的化学试剂去除光致抗蚀剂层中未曝光和未反应的部分。硬化的抗蚀剂层19的保留图案勾画了间隔单元20的形状。
该光致抗蚀剂层19可以是正性光致抗蚀剂或负性光致抗蚀剂。正性抗蚀剂的一个例子为由Shipley公司提供的MICROPOSIT S 1805PHOTO RESIST而负性光致抗蚀剂的一个例子为由Gersteltec工程解决方案公司提供的GM1040SU-8PHOTO EPOXY。可通过本领域中已知的不同技术，例如喷涂，或优选旋涂将该光致抗蚀剂层涂在晶片上。
然后，如图7所示，第三步包括在其整个的高度上蚀刻第一舍弃层17以勾画向上突起的间隔单元20。这可以通过深反应硅离子蚀刻(DRIE)或湿蚀刻来完成。
在本发明的一个可能的实施方式中，蚀刻步骤可仅对第一舍弃层17的部分高度进行。
在第四步中，如图8所示，光致抗蚀刻层19在一个湿的化学池中被去除。因此，这留下勾勒出一系列间隔单元20的清晰的单晶硅层，这些间隔单元20勾勒出第一三维结构，该结构勾画出由凹陷部分21形成的第一三维负性图案。
第五步，如图8所示，包括将第一活性层22沉积在突出的间隔单元20的顶表面4上和勾画出第一个三维负性图案的凹陷部分21中。
第一活性层22为具有光学特性的层，例如含二氧化硅的氧化层。当使用红色荧光标记工作时，第一活性层22的厚度大约为90至120nm之间。也可使用任何其它的介电材料，例如氮化物。可选地，介电材料也可与金属层组合使用。
可使用不同类型的氧化沉积方法，例如PECVD(等离子体增强化学气相沉积法)，蒸发法，或溅射法(Madou MJ，2002，微制造的基础(Fundamentals of microfabrication)，CRC出版社)。为了通过PEVCD技术来沉积二氧化硅，典型地，可在几百毫托至几托压强下使用气体如二氯甲硅烷或硅烷与氧气的混合物。在室温至300℃温度范围内进行二氧化硅的沉积。
第六步，如图9所示，包括在三维结构20和形成第一个三维负性图案的凹陷部分之上沉积第一结构层23以便在第一结构层23的下表面上形成第一互补三维结构24。
第一结构层23可由多晶硅或非晶硅制得并且使用LPCVD或溅射法沉积。
第七步，如图10所示，包括在第一结构层23的上表面上沉积第二舍弃层25。第二舍弃层25可由例如通过LPCVD法沉积的氮化硅制得。
第八步包括将另一光致抗蚀剂层26涂在第二舍弃层上(图11)。该光致抗蚀剂层经由掩模(图中未显示)例如铬/玻璃掩模用紫外灯照射。如前所述，掩模中的开口图案提供了一种空间选择性紫外照射。抗蚀剂层26上被空间选择性照射的位置发生光引发反应并开始聚合。然后使用特定的化学试剂去除未曝光和未反应的抗蚀剂。硬化抗蚀剂层26的保留图案勾画出了间隔单元27的形状。
然后，如图11所示，第九步包括在其整个高度上蚀刻第二舍弃层以勾画向上突起的间隔单元27。这可以通过深反应硅离子蚀刻(DRIE)或湿蚀刻来完成。
在第十步中，如图12所示，光致抗蚀刻层26在一个湿的化学池中被去除。因此，这留下勾勒出一系列间隔单元27的清晰的硅层，这些间隔单元27勾勒出第二三维结构，该结构勾画出由凹陷部分28形成的第二三维负性图案。
第十一步，如图13所示，包括将第二结构层29沉积在第二三维负性图案中和第一结构层23的上表面上以便在第一结构层23的上表面上形成第二三维结构。
第二结构层29可由多晶硅或非晶硅(通过低压化学气相沉积法(LPCVD)的工艺沉积)制得。
第十二步，如图14所示，包括完全蚀刻掉第二舍弃层27，即使用于蚀刻方法或湿蚀刻方法去除间隔单元27。
为了制造双层微载体1，根据本发明的方法包含第十三步，如图14所示，其包括在三维结构29的上部以及在三维结构29之间勾画出的凹陷部分中沉积第二活性层32。第二活性层32也具有光学特性，例如为含二氧化硅的氧化层。当使用红色荧光标记工作时，第二活性层27的厚度大约为90至120nm之间。也可使用任何其它的介电材料(例如氮化物)或金属层。
第二活性层32也可使用与沉积第一活性层22相同方法沉积。
第十四步，如图15所示，包括在第一结构层和第二结构层上形成第三舍弃层30。该第三舍弃层形成了包含开口的掩模，其允许从第一结构层23和第二结构层29向下至绝缘层进行蚀刻去除，如图16所示，以便勾画出单个微载体31的侧壁32(图7)。为此，光致抗蚀剂被涂覆并被图案化。然后使用Bosch法和干蚀刻进行蚀刻。Bosch法公开在文献“J.K.Bhardwaj，H.Ashraf，Proc.SPIE，2639，224(1995)；A.Schilp，M.Hausner，M.Puech，N.Launay，H.Karagoezoglu，F.Laermer，在硅微加工制造环境中用于高蚀刻率深反应离子蚀刻的先进蚀刻工具(Advanced etch tool for high etch rate deep reactive ion etching insilicon micromachining production environment)，Proceeding MST 2001，Dusseldorf”中。深反应离子蚀刻法公开在“Madou MJ，2002，微加工的基础(Fundamentals ofmicrofabrication)，CRC出版社”中。
在勾画之后，通过蚀刻掉分别保留在微载体31的下表面和上表面上的绝缘层18、第一舍弃层20和第三舍弃层30来释放微载体。因此，通过湿蚀刻以及包括使舍弃层与加热至180℃的磷酸池(H3PO4)接触的Bomba释放法分别去除第三舍弃层30和第一舍弃层20。
释放的微载体1在用于分析之前可悬浮地保存在液体箱或容器中。
图18和19显示了通过上述方法获得的包含具有上表面4和下表面5的本体6的微载体1。第一组间隔单元24从本体6的上表面4中突出。第二组间隔单元29从本体6的下表面5突出。每组包含如20个间隔单元24，29。
每个间隔单元24，29具有截断的直柱体形状，被设置在对应表面4，5的外周上并且连续延伸至本体6的圆筒形侧壁22上。每个圆形的直柱体沿着它的高度通过微载体1的侧壁22被截断。
或者，每个间隔单元24，29具有截断的圆锥体或尖状体(图中未显示)形状。
间隔单元24，29的表面小于对应的表面4，5的20％，优选小于15％。
定型具有间隔单元24，29的微载体1以确保，当微载体1置于平板14上时，在本体6的下表面或上表面5，4和所述平板14之间存在空隙d，如图19所示。
有利地，空隙d的高度小于编码微载体1的最大高度h(图5)的30％。最优选的，距离d大于高度h的5％，更优选为10％。附图的实施例中，编码微载体1的高度h为约10μm而距离d为约1μm。
微载体31也包括含有由大量穿越孔2和非对称的取向标记例如，L形标记3(如图18所示)或三角形构成的区别性图案的编码。这些非对称取向标记能够区分微载体31的本体6的上表面4和下表面5。
本体6的每个表面4，5同样被均匀且连续的活性层22，32所覆盖。
每个微载体31优选优选被定形为直径在1至200μm之间，例如40μm的圆盘形式。
每个表面4，5进一步具有一个区域，其中，当编码微载体31被置于平板14上时，所述区域上的每个点属于沿着轴线的两个不同横断面AA和BB，AA和BB彼此垂直并且均垂直于所述平板14，如图18所示。所述横断面AA和BB不含有间隔单元24，29。这样可以确保，当微载体31平坦地靠着所述平板14放置并在层流中基本上与平板14平行时，围绕垂直于平板的轴线的微载体31的取向不会显著地影响流体在空隙d中的流动。换句话说，微载体31没有关于流动的将会改变反应效果的优选旋转取向这。
微载体31也是功能性的，或适于功能性的。因此，一种或多种配体或功能性单元连接在微载体1的表面4，5上或浸渍入它的本体。
当这样的微载体31被用于与图4所示的相似的分析设备中时，无论微通道10中的微载体1的取向如何，分别在微通道10的下表面14，上表面14’和微载体31的本体6的下表面5，上表面4之间总是存在空隙。
另外，无论微通道10中的微载体31的取向如何，具有活性层的功能性表面总是对着微通道10的下表面14，即用于监控分析的观测井。当通过荧光信号监控分析时，观测井14是透明的。
空隙允许在整个微流体通道10和本体6的整个功能性表面4，5上进行均匀的对流，产生随时间增强的均匀荧光。因此，被冲洗的分析物可迅速地、可靠地被定量。
通过参考本文公开的本发明的说明书和实施例，本发明的其它实施方式对本领域的技术人员来说是显而易见的。说明书和实施例只被认为是示范性的，本发明的范围和主旨由下文的权利要求指明。

Claims (12)

1.一种用于至少制造微载体的方法，该方法包含下列步骤：
a)提供具有夹层结构的晶片(15)，所述晶片包含底层(16)、第一舍弃顶层(17)、和位于所述底层和顶层(16，17)之间的绝缘层(18)；
b)构造第一舍弃层(17)以形成第一掩模，所述第一掩模勾画第一三维负性图案(21)；
c)在第一舍弃层(17)上沉积第一结构层(23)以形成与第一三维负性图案(21)互补的第一三维结构；
d)在第一结构层(23)的顶面上沉积第二舍弃层(25)；
e)构造第二舍弃层(25)以限定第二掩模，所述第二掩模在第一结构层(23)的顶面上勾画第二三维负性图案(28)；
f)在第二三维负性图案(28)中沉积第二结构层(29)以在第一结构层的上表面上形成第二三维结构；
g)从第一结构层(23)和第二结构层(29)之上向下至绝缘层进行蚀刻去除，以勾画微载体(31)的本体的侧壁(32)，每个本体至少包含第一个下部三维结构(24)和第二个上部三维结构(29)；
h)蚀刻掉绝缘层(18)、底层(16)和舍弃层以释放微载体。
2.如权利要求1所述的方法，其中，第一三维结构和/或第二三维结构至少包含一个从间隔单元在其上形成的本体的相应表面上突出的间隔单元(24，29)。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述方法在步骤c之前进一步包含步骤：沉积第一活性层(22)到第一舍弃层上和第一三维负性图案(21)上。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述方法在步骤g之前进一步包括下列组成的步骤：
a)蚀刻掉第二舍弃层(25)；和
b)在第一结构层和第二结构层上沉积第二活性层(32)。
5.如权利要求3或4所述的方法，其中，第一活性层(22)或第二活性层(32)中的至少一个包含具有光学或磁学特性的材料、多晶硅和/或聚四氟乙烯、或具有高反射率的金属层。
6.如权利要求5所述的方法，其中第一活性层(22)和/或第二活性层(32)包含氧化物或氮化物、或金属层，例如二氧化硅，或金属层。
7.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中每个微载体(31)的第一三维结构(24)和第二三维结构(29)中的至少一个至少包含衍射光栅。
8.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述方法在步骤d之前进一步包含下面构成的步骤：抛光第一结构层(23)的上表面以形成平坦的上表面。
9.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中绝缘层(18)和第一舍弃层(17)形成单层，例如含氮化硅的单层。
10.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中舍弃层(17，25)中的至少一个由氮化硅或光致抗蚀剂材料制得、或者包含氮硅或光致抗蚀剂材料。
11.如上述权利要求中任一项所述的方法，其中第一结构层(23)和第二结构层(29)包含硅，优选非晶硅或多晶硅。
12.由上述权利要求中任一项所述的方法获得的微载体(31)，该微载体包含具有顶面(4)和底面(5)的本体(6)，每个所述表面(4，5)包含三维结构(24，29)。
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