CN104617213B - 一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法 - Google Patents
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 101
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 101
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 27
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims abstract description 3
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 claims description 14
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 claims description 14
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 244000137852 Petrea volubilis Species 0.000 claims description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 3
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010892 electric spark Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- ZETYUTMSJWMKNQ-UHFFFAOYSA-N n,n',n'-trimethylhexane-1,6-diamine Chemical compound CNCCCCCCN(C)C ZETYUTMSJWMKNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
本发明公开一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法，其特征在于，在氮气环境下利用电火花产生的高温使铝板表面的铝与氮气反应，进而在铝板表面生成氮化铝薄膜层。具体包括以下步骤：1)清洗，首先将铝板置于装有丙酮的超声波清洗机中清洗去除铝板表面油污，然后将铝板置于碱液中浸泡去除铝板表面的氧化层；2)氮化铝薄膜层制备，在氮气环境下，将脉冲电源的一极与铝板连接，将脉冲电源的另一极与工具电极连接，利用工具电极与铝板间放电产生的瞬时高温将铝板表面的铝氮化成氮化铝。与现有技术相比，本发明具有制备工艺简单，加工效率高，生产成本低，氮化铝薄膜层不易剥落的特点。
Description
技术领域
本发明涉及高导热封装基板的制备领域，尤其涉及一种氮化铝基板的制造方法。
背景技术
LED作为新一代照明技术得到了越来越广泛的应用。随着LED功率的不断加大，散热问题也就日益被注重。目前，在LED散热基板的选材上，常见的主要有：陶瓷基板和金属基板。相对来说，金属基板具有更好的导热率，但金属基板的热膨胀系数远大于LED芯片衬底，工作时，受冷热循环的影响，LED芯片将承受很大的热应力及应力冲击，容易造成开焊。
为此，业内有人设计一种复合基板，即，在铝、铜或陶瓷底板上设置一层氮化铝层。因氮化铝具有导热率(275W/(m·K))高、绝缘性好、热膨胀系数与LED芯片衬底接近的特点，应用在LED基板上能很好的解决问题。
现有的氮化铝复合基板制造方法主要有两种：一种是直接在底板上涂覆一层氮化铝层，如一篇公开号为CN103555195A的中国专利申请，公开一种氮化铝散热涂料，由有机硅树脂、聚酰胺多胺环氧氯丙烷树脂、三甲基六亚甲基二胺、氮化铝、氮化硼、纳米空心微珠、硅溶胶等组成。通过加入氮化铝粉，导热速率高，散热效果好；通过加入硅溶胶，增强了粘结力，使涂料牢固。然而，由于氮化铝散热涂料与底板之间只是简单的物理粘合，LED工作时，受冷热交替冲击，存在散热涂料剥落隐患。另一种是采用真空溅射的方式在底板上形成氮化铝层，如一篇公开号为CN102969437A中国专利申请，揭示一种LED发光元器件，包括LED芯片、玻璃基板，玻璃基板上面固定LED芯片及金属导电线路，玻璃基板与LED芯片连接面上涂有氮化铝涂层，所述氮化铝涂层通过磁控溅射的成膜方式生长在玻璃基板上。然而，采用磁控溅射的方式生成氮化铝时速度很慢，且制造成本高，目前大都处在实验阶段，难以进行产业化。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种加工方便，涂层不易剥落，且均匀性好的氮化铝薄膜制造方法。
为达到以上目的，本发明采用如下技术方案。
一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法，其特征在于，在全部是氮气环境下，利用电火花产生的高温使铝板表面的铝与氮气反应，进而在铝板表面生成氮化铝薄膜层。
作为上述方案的进一步说明，所述电火花由脉冲电源两极间放电产生，脉冲电源的一极与铝板连接，脉冲电源的另一极与工具电极连接，工具电极与铝板之间保持一个间隙。
作为上述方案的进一步说明，所述工具电极与铝板之间的间隙在0.01mm-0.2mm之间，以避免工具电极和铝板之间短路，并能有效地击穿间隙介质形成放电。
作为上述方案的进一步说明，所述工具电极材料为铝，以避免工具电极材料溅射到氮化铝薄膜层而降低其纯度。
作为上述方案的进一步说明，所述工具电极的截面积小于铝板的表面积，加工时，工具电极在铝板上方均匀移动。
作为上述方案的进一步说明，所述脉冲电源的工作参数为：开路电压为100-800V，电流为2-20A,脉宽为1-200μs,脉间为50-500μs。
作为上述方案的进一步说明，所述脉冲电源的工作方式为：先采用大的电流、脉宽、脉间对铝板表面进行加工，然后采用小的电流、脉宽、脉间对铝板表面进行加工。这样处理的好处是：不仅加工效率高，而且保证了氮化铝薄膜层的致密性。
作为上述方案的进一步说明，铝板在进行电火花加工前需进行清洗处理，首先将铝板置于装有丙酮的超声波清洗机中清洗去除铝板表面油污，然后将铝板置于碱液中浸泡去除铝板表面的氧化层。
作为上述方案的进一步说明，所述清洗步骤改为：先用砂纸打磨铝板表面去除氧化层，然后用浓度不小于99％的丙酮溶液清洗。
作为上述方案的进一步说明，在进行氮化铝薄膜层制备时，氮气源源不断的充入形成氮气流。
与现有技术相比，本发明提供的一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法具有以下有益效果：
一、由于是在充满氮气环境下利用电火花产生的高温直接在铝板表面生成氮化铝薄膜层，无需粘结剂、氮化铝粉末等材料，制备工艺简单，加工效率高，生产成本低。
二、由于氮化铝薄膜层由铝板表层直接氮化得到，氮化铝与铝板本身结合的十分紧密，不易剥落，且有效减低氮化铝薄膜层与铝板本身间的传导热阻，进一步提高散热效果。
三、氮化铝薄膜层与铝板层为一体结构，便于实现整个导热基板与散热器的连接。
具体实施方式
为方便本领域普通技术人员更好地理解本发明的实质，下面对本发明的具体实施方式进行详细阐述。
实施例一
一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法，其制备原理为：在全是氮气环境下，利用电火花产生的高温使铝板表面的铝与氮气反应，进而在铝板表面生成氮化铝薄膜层。
具体包括以下步骤：
1)清洗，首先将铝板置于装有丙酮的超声波清洗机中清洗去除铝板表面油污，然后将铝板置于碱液中浸泡去除铝板表面的氧化层。
2)氮化铝薄膜层制备，在氮气环境下，将脉冲电源的一极与铝板连接，将脉冲电源的另一极与工具电极连接，工具电极与铝板之间保持一个合适的间隙，并在铝板上方均匀移动，利用工具电极与铝板间放电产生的瞬时高温将铝板表面的铝氮化成氮化铝。
其中，所述工具电极优选为旋转电极，旋转速度控制在100-1000r/min，以保证氮化铝薄膜层的均匀和平整。工具电极的材质优选为铝，这样，在制备氮化铝薄膜层时，即使工具电极与氮气反应发生材料溅射，也不会影响铝板表面氮化铝薄膜层的纯度，保证产品质量。
所述脉冲电源的工作参数优选为：开路电压300V，电流10A,脉宽100μs,脉间300μs。这样，就会在铝板表面形成一层均匀的、厚度不低于0.1mm的氮化铝薄膜层。在其他实施方式中，脉冲电源的工作参数可在以下范围内适当调整，开路电压为100-800V，电流为2-20A,脉宽为1-200μs,脉间为50-500μs。通过实验验证，当脉冲电源的工作参数介于上述范围内时，在铝板表面形成氮化铝薄膜层的厚度不低于0.05mm，能很好地满足线路板的绝缘性能要求。
特别地，为保证氮气能与铝板表面充分接触，本实施例中，在进行氮化铝薄膜层制备时，氮气源源不断的充入形成氮气流。
实施例二
一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法，其制备原理为：在全是氮气环境下，利用电火花产生的高温使铝板表面的铝与氮气反应，进而在铝板表面生成氮化铝薄膜层。
本实施例提供的一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法，其原理与实施例一基本一致，区别在于：
一、所述清洗步骤改为：先用砂纸打磨铝板表面去除氧化层，然后用浓度不小于99％的丙酮溶液清洗。需要注意的是，只要通过清洗达到去除铝板表面的污垢及氧化物即可，清除方式不限于上述举例。
二、脉冲电源的工作参数如下，开路电压为800V，电流为20A,脉宽为200μs,脉间为500μs。
经实验验证，利用本实施例的加工方法，在铝板表面形成的氮化铝薄膜层厚度可达0.2mm，绝缘性能得到进一步加强。
实施例三
一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法，其制备原理为：在全是氮气环境下，利用电火花产生的高温使铝板表面的铝与氮气反应，进而在铝板表面生成氮化铝薄膜层。
本实施例提供的一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法，其原理与实施例一基本一致，区别在于：
一、工具电极的横截面积与铝板表面积基本一致，工具电极直接固定在铝板上方，不做均匀移动。
二、脉冲电源的工作方式为：首先在开路电压为300V，电流为5A,脉宽为50μs,脉间为150μs的条件下对铝板表面处理一段时间，然后适当减少电流、脉宽、脉间值，继续对铝板表面进行处理，需要注意的是，脉冲电源工作参数调整后，电流不小于2A，脉宽不小于1μs,脉间不小于50μs。本实施例通过采用不同开路电压对铝板表面进行多次处理，在保证加工效率的前提下，有效提高氮化铝薄膜层的致密度。
以上具体实施方式对本发明的实质进行了详细说明，但并不能以此来对本发明的保护范围进行限制。显而易见地，在本发明实质的启示下，本技术领域普通技术人员还可进行许多改进和修饰，需要注意的是，这些改进和修饰都落在本发明的权利要求保护范围之内。
Claims (4)
1.一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法，其特征在于，在全部是氮气环境下，利用电火花产生的高温使铝板表面的铝与氮气反应，进而在铝板表面生成氮化铝薄膜层；所述电火花由脉冲电源两极间放电产生，脉冲电源的一极与铝板连接，脉冲电源的另一极与工具电极连接，工具电极与铝板之间保持一个间隙；工具电极与铝板之间的间隙在0.01mm-0.2mm之间；所述工具电极材料为铝；所述脉冲电源的工作参数为：开路电压为100-800V，电流为2-20A,脉宽为1-200μs,脉间为50-500μs；所述脉冲电源的工作方式为：先采用大的电流、脉宽、脉间对铝板表面进行加工，然后采用小的电流、脉宽、脉间对铝板表面进行加工；在进行氮化铝薄膜层制备时，氮气源源不断的充入形成氮气流。
2.根据权利要求1所述的一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法，其特征在于，工具电极的截面积小于铝板的表面积，加工时，工具电极在铝板上方均匀移动。
3.根据权利要求1所述的一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法，其特征在于，铝板在进行电火花加工前需进行清洗处理，首先将铝板置于装有丙酮的超声波清洗机中清洗去除铝板表面油污，然后将铝板置于碱液中浸泡去除铝板表面的氧化层。
4.根据权利要求3所述的一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法，其特征在于，所述清洗步骤改为：先用砂纸打磨铝板表面去除氧化层，然后用浓度不小于99%的丙酮溶液清洗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510014490.5A CN104617213B (zh) | 2014-11-07 | 2015-01-12 | 一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410624649 | 2014-11-07 | ||
| CN2014106246490 | 2014-11-07 | ||
| CN201510014490.5A CN104617213B (zh) | 2014-11-07 | 2015-01-12 | 一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104617213A CN104617213A (zh) | 2015-05-13 |
| CN104617213B true CN104617213B (zh) | 2017-09-22 |
Family
ID=53151567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510014490.5A Expired - Fee Related CN104617213B (zh) | 2014-11-07 | 2015-01-12 | 一种在铝板上生成氮化铝薄膜的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104617213B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105970141A (zh) * | 2016-07-29 | 2016-09-28 | 佛山科学技术学院 | 一种氮化铝喷涂装置及其喷涂方法 |
| CN106756758A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-31 | 广东美的环境电器制造有限公司 | 一种具有氮化铝薄膜的铝发热体、制备方法以及取暖装置 |
| CN112775535B (zh) * | 2021-01-18 | 2022-04-08 | 西安石油大学 | 一种提高高强铝合金搅拌摩擦焊接头综合性能的方法 |
| CN114799179B (zh) * | 2022-03-29 | 2023-08-15 | 深圳艾利门特科技有限公司 | 一种Cu/AlN复合嵌套结构材料及其制备方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62282635A (ja) * | 1986-05-31 | 1987-12-08 | Natl Res Inst For Metals | 窒化アルミニウム超微粉と耐酸化性アルミニウム超微粉の混合超微粉の製造法 |
| RU2113537C1 (ru) * | 1996-10-25 | 1998-06-20 | Омский государственный университет | Способ получения пленки нитрида алюминия |
| CN101508427B (zh) * | 2009-03-23 | 2010-12-08 | 吉林大学 | 一种氮化铝单边纳米梳及其制备方法 |
-
2015
- 2015-01-12 CN CN201510014490.5A patent/CN104617213B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104617213A (zh) | 2015-05-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170922 Termination date: 20210112 |
|
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