CN104538845A - 多单管半导体激光器光纤耦合封装器件 - Google Patents

Abstract

一种多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，包括：至少一个多台阶座体，多台阶座体包括高度依序升高的多个台阶面；依次排列设置在多台阶座体上的多个单芯片独立光路模块，每个单芯片独立光路模块包括：载体；以及沿着第一方向依次固定在载体上的半导体激光器芯片、用于对半导体激光器芯片发出的光束进行准直的快轴准直透镜和慢轴准直透镜、以及用于反射被准直的光束的反射镜；用于在快轴方向上对所有单芯片独立光路模块出射的光束进行会聚的快轴会聚透镜；用于在慢轴方向上对所有单芯片独立光路模块出射的光束进行会聚的慢轴会聚透镜；以及供被会聚后的光束耦入的光纤输出端；其中多个单芯片独立光路模块沿着第二方向排列设置在多台阶座体上。

Description

多单管半导体激光器光纤耦合封装器件

技术领域

本发明涉及半导体激光装置，更具体地说，涉及一种多单管半导体激光器光纤耦合封装器件。

背景技术

由于半导体激光器的结构特征和发光特性决定了其所发出的光在垂直有源层方向(通称快轴)具有较大发散角及较窄的发光区，在平行有源层方向(通称慢轴)具有较小发散角及较大的发光区。由于其光束空间发散的特性，如果需要将多个半导体激光器芯片封装到一个具有光纤输出的产品里，则需要先将半导体激光器芯片发出的光束进行快轴和慢轴光束准直，将光束整形为一个近似平行光的椭圆形光束，然后再对多个光束进行光学设计及布局，最终通过会聚透镜将多个光束耦合进入光纤中。由于当今工业领域对更高功率的半导体激光器光纤耦合输出产品的需求不断提高，如何能将数十个的单管半导体激光器封装到一个产品里成为了一个挑战。

现有国内外多单管半导体激光器光纤耦合输出产品多受产品光学设计和产品结构设计的局限且合格率低，很难将200瓦以上的产品进行量产，量产最大功率产品为美国的140瓦多单管半导体激光器光纤耦合封装器件(14个半导体激光器封装芯片)。图1是现有技术中的这种多单管半导体激光器光纤耦合封装器件100的示意图，其代表了当今主流的封装模式，这种多单管半导体激光器光纤耦合封装器件100的主要缺陷如下：

此器件100采用双排设计，先将多个半导体激光器芯片101焊接在双排具有台阶结构的金属载体102上，并分别通过快轴和慢轴准直透镜103、104将半导体激光器芯片101的光束进行空间整形为近似平行椭圆光束，每一路光束再通过对应的反射镜105将一排芯片的光束整理成整齐的一列平行光束，然后再将其中一列光束通过反射镜106进行90度反射再通过半波片107对光束进行90度的偏振转换，之后通过45度偏振反射镜108；另一列光束则直接入射到偏振反射镜108；采用偏振反射镜108将两列平行光束合并成为一列平行光束，最后通过会聚透镜109将全部光束耦合进光纤110中。

此种产品结构设计中采用了偏振反射镜108，其功能是与偏振反射镜108的偏振面的偏振态相同的光可完全透过，与偏振面的偏振态垂直的光可完全反射。但其功能也限制得使其只能对两束偏振态垂直的光进行合并，从而限制了此款产品在排数上增加。而每排芯片的数量也受到了会聚透镜109的光学参数及会聚特性等原因的限制不可能无限制增加，从而最终导致此种结构的产品很难突破200瓦(20个半导体激光器芯片封装)。

由于此种器件100以一个整体的金属壳体作为半导体激光器芯片101和透镜的载体，首先需要将多个半导体激光器芯片101一次性焊接到壳体内，然后再利用多种透镜对每个半导体激光器芯片的光路进行准直、反射、偏振转换、耦合进光纤，所以当一个光路失效(芯片失效或者因透镜导致芯片失效)，则整个器件都要报废，因为一次性焊接的芯片无法单独返工，从而导致最终成品率低，物料使用率低，而此种结构也会使得整个产品制造工艺复杂，制造工艺难度大，这是导致百瓦级以上多单管半导体激光器光纤耦合封装器件无法快速普及的重要原因。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术中多单管半导体激光器光纤耦合封装器件难以实现百瓦级以上功率的缺陷，提供一种多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，可实现较大的功率。

本发明为解决其技术问题所采用的技术方案是，提供一种多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，包括：

至少一个多台阶座体，所述多台阶座体包括高度依序升高的多个台阶面；

依次排列设置在所述多台阶座体上的多个单芯片独立光路模块，每个单芯片独立光路模块包括：载体；以及沿着第一方向依次固定在所述载体上的半导体激光器芯片、用于对所述半导体激光器芯片发出的光束进行准直的快轴准直透镜和慢轴准直透镜、以及用于反射被准直光束的反射镜；

用于在快轴方向上对所有所述单芯片独立光路模块出射的光束组进行会聚的快轴会聚透镜；

用于在慢轴方向上对所有所述单芯片独立光路模块出射的光束组进行会聚的慢轴会聚透镜；以及

供被会聚后的光束耦入的光纤输出端；

其中所述多个单芯片独立光路模块沿着第二方向排列设置在所述多台阶座体上。

根据本发明所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，所述多台阶座体的数量为多个，每个所述多台阶座体上均设置有多个单芯片独立光路模块；所述多单管半导体激光器光纤耦合封装器件还包括设置在每个所述多台阶座体的多个单芯片独立光路模块的出射光束行进方向上、且用于将对应的多台阶座体上的多个单芯片独立光路模块的出射光束组反射到所述快轴会聚透镜的反射镜。

根据本发明所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，所述快轴会聚透镜、慢轴会聚透镜和光纤输出端沿着第一方向设置。

根据本发明所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，所述第一方向与所述第二方向垂直。

根据本发明所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，每个所述多台阶座体上的单芯片独立光路模块沿着第二方向出射的光束到设置在每个所述多台阶座体的光束行进方向上的反射镜的距离与该反射镜沿着第一方向到所述快轴会聚透镜的距离之和均相等。

根据本发明所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，所述多台阶座体的数量为两个，包括第一多台阶座体和第二多台阶座体，所述第一多台阶座体和第二多台阶座体位于所述快轴会聚透镜和慢轴会聚透镜的同一侧。

根据本发明所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，所述第一多台阶座体与所述第二多台阶座体反向设置，所述第一多台阶座体与所述第二多台阶座体上的半导体激光器芯片发出的光束彼此相向。

根据本发明所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，一部分多台阶座体位于所述快轴会聚透镜和慢轴会聚透镜的同一侧，另一部分多台阶座体位于所述快轴会聚透镜和慢轴会聚透镜的另一侧。

根据本发明所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，光束在设置在每个所述多台阶座体的光束行进方向上的反射镜上的反射点位于所述反射镜的边缘，该边缘是在第二方向上靠近所述快轴会聚透镜的边缘。

实施本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，具有以下有益效果：可增加单芯片独立光路模块的数量，轻易地实现200瓦及以上的功率。若有光路失效，可拆换对应的单芯片独立光路模块，不会导致整个多单管半导体激光器光纤耦合封装器件报废。

附图说明

图1是现有技术中的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件的示意图；

图2是本发明的单芯片独立光路模块的结构示意图；

图3是本发明的多台阶座体的结构示意图；

图4是本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件的示意图，其中包括单排单芯片独立光路模块；

图5是本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件的示意图，其中包括两排单芯片独立光路模块；

图6是本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件的示意图，其中包括四排单芯片独立光路模块。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

图2是本发明的单芯片独立光路模块200的结构示意图；如图2所示，本发明的单芯片独立光路模块200包括台阶形载体201，该载体201呈长条状且由金属制成。在本发明中，将载体201的长度方向定义为第一方向，也就是，载体201沿着第一方向延伸。载体201的上表面形成高度不同的第一表面202和第二表面203，两者在第一方向上并排排列。其中第一表面202的高度高于第二表面203，从而在两者之间形成台阶。在第一表面202上固定设置有半导体激光器芯片204，该半导体激光器芯片204可通过焊接固定在第一表面202上。在半导体激光器芯片204前方还设置有快轴准直透镜205，用于在快轴方向上对半导体激光器芯片204发出的光束进行准直。在第二表面203上固定设置有慢轴准直透镜206和反射镜207，慢轴准直透镜206用于在慢轴方向上对光束进行准直。半导体激光器芯片204、快轴准直透镜205、慢轴准直透镜206、反射镜207依次排列对准。从半导体激光器芯片204发出的光束朝向第一方向前进，经快轴准直透镜205、慢轴准直透镜206准直后，到达反射镜207，之后被反射镜207反射而朝向第二方向前进。在优选的实施例中，反射镜207与第一方向呈45度，第二方向垂直于第一方向。

图3是本发明的多台阶座体300的结构示意图。如图3所示，该多台阶座体300呈沿着第二方向延伸的长条状，在其顶面上设有多个台阶面301，这些台阶面301用于安装多个单芯片独立光路模块200，且这些台阶面301从多台阶座体300的第一端到第二端高度依序升高。各个单芯片独立光路模块200沿着第二方向依次排列设置在多台阶座体300上。在本发明的实施例中，多台阶座体300可以是单独的组件，多个台阶面301设置在其顶面上；也可以如图3所示包括底座302和固定在底座上方的主体303，其中多个台阶面301设置在主体301的顶面上。

图4是本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10的示意图，其中包括单排单芯片独立光路模块200。如图4所示，本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10包括壳体401、安装在壳体401上的一个多台阶座体300、沿着第二方向依次排列设置在多台阶座体300上的多个单芯片独立光路模块200、以及依次设置在多台阶座体300的第一端前方的快轴会聚透镜402、慢轴会聚透镜403和光纤输出端404。从各单芯片独立光路模块200出射的光束组均到达快轴会聚透镜402，该快轴会聚透镜402用于在快轴方向上对所有单芯片独立光路模块200出射的光束进行会聚，使其宽度在快轴方向上减小；慢轴会聚透镜403用于在慢轴方向上对所有单芯片独立光路模块200出射的光束进行会聚，使其宽度在慢轴方向上减小；经过快轴会聚透镜402和慢轴会聚透镜403的光束被整形为接近圆形或正方形的形状。快轴会聚透镜402、慢轴会聚透镜403和光纤输出端404依次对准，被会聚的光束耦入光纤输出端404。

图5是本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10的示意图，其中包括两排单芯片独立光路模块200。如图5所示，本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10包括壳体401、安装在壳体401上的第一多台阶座体300a和第二多台阶座体300b、分别沿着第二方向依次排列设置在第一多台阶座体300a和第二多台阶座体300b上的多个单芯片独立光路模块200、设置在第一多台阶座体300a的单芯片独立光路模块200的光束行进方向上的第一反射镜405a、设置在第二多台阶座体300b的单芯片独立光路模块200的光束行进方向上的第二反射镜405b、用于对第一反射镜405a和第二反射镜405b所反射的光束在快轴方向进行会聚的快轴会聚透镜402、用于对第一反射镜405a和第二反射镜405b所反射的光束组在慢轴方向进行会聚的慢轴会聚透镜403、以及光纤输出端404。从第一多台阶座体300a上的单芯片独立光路模块200发出的光束到达第一反射镜405a，并被反射到快轴会聚透镜402；从第二多台阶座体300b上的单芯片独立光路模块200发出的光束到达第二反射镜405b，并被反射到快轴会聚透镜402；该快轴会聚透镜402用于在快轴方向上对所有单芯片独立光路模块200的光束进行会聚，使其宽度在快轴方向上减小；慢轴会聚透镜403用于在慢轴方向上对所有单芯片独立光路模块200的光束进行会聚，使其宽度在慢轴方向上减小；经过快轴会聚透镜402和慢轴会聚透镜403的光束被整形为接近圆形或正方形的形状。快轴会聚透镜402、慢轴会聚透镜403和光纤输出端404在第一方向上依次排列对准，被会聚的光束耦入光纤输出端404。

在图示的实施例中，第一多台阶座体300a与第二多台阶座体300b位于快轴会聚透镜402和慢轴会聚透镜403的同一侧。为了使得第一多台阶座体300a上的单芯片独立光路模块200的光束与第二多台阶座体300b上的单芯片独立光路模块200的光束到达快轴会聚透镜402所经历的光程相同，第一多台阶座体300a与第二多台阶座体300b错开设置，且两者在第二方向上错开的距离a等于第一反射镜405a与第二反射镜405b在第一方向上的距离b。这样可得到更好的光束耦合效率和最终器件的光束质量M2因子。但是本发明不限于此，第一多台阶座体300a与第二多台阶座体300b可以分设在快轴会聚透镜402和慢轴会聚透镜403的两侧。

为了使得第一和第二反射镜405a、405b更紧凑地设置，第一多台阶座体300a与第二多台阶座体300b反向设置，也就是说第一多台阶座体300a与第二多台阶座体300b上的半导体激光器芯片204发出的光束方向彼此相向。同时，光束在第一和第二反射镜405a、405b的边缘发生反射，可使得经过第一和第二反射镜405a、405b的两组光束挨的更近，以增加耦合效率和最终器件的光束质量M2因子。此处的边缘是指第一和第二反射镜405a、405b沿着第二方向更靠近快轴会聚透镜402的边缘。

在图5所示的实施例中，采用第一反射镜405a和第二反射镜405b分别对第一多台阶座体300a和第二多台阶座体300b上的多个单芯片独立光路模块200发出的光束进行反射，其目的是减少第一多台阶座体300a上的多个单芯片独立光路模块200所发出的光束与第二多台阶座体300b上的多个单芯片独立光路模块200所发出的光束之间的间距，以增加耦合效率和最终器件的光束质量M2因子。

图6是本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10的示意图，其中包括四排单芯片独立光路模块200。如图6所示，本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10包括：壳体401；安装在壳体401上的第一多台阶座体300a、第二多台阶座体300b、第三多台阶座体300c、第四多台阶座体300d；分别沿着第二方向依次排列设置在第一多台阶座体300a、第二多台阶座体300b、第三多台阶座体300c、第四多台阶座体300d上的多个单芯片独立光路模块200；设置在第一多台阶座体300a的单芯片独立光路模块200的光束行进方向上的第一反射镜405a、设置在第二多台阶座体300b的单芯片独立光路模块200的光束行进方向上的第二反射镜405b、设置在第三多台阶座体300c的单芯片独立光路模块200的光束行进方向上的第三反射镜405c、设置在第四多台阶座体300d的单芯片独立光路模块200的光束行进方向上的第四反射镜405d；用于对第一、第二、第三、第四反射镜405a-d所反射的光束在快轴方向进行会聚的快轴会聚透镜402、用于对第一、第二、第三、第四反射镜405a-d所反射的光束在慢轴方向进行会聚的慢轴会聚透镜403、以及光纤输出端404。从第一至第四多台阶座体300a-300d上的单芯片独立光路模块200发出的光束分别到达第一至第四反射镜405a-405d，并被反射到快轴会聚透镜402，该快轴会聚透镜402用于在快轴方向上对所有单芯片独立光路模块200的光束进行会聚，使其宽度在快轴方向上减小；慢轴会聚透镜403用于在慢轴方向上对所有单芯片独立光路模块200的光束进行会聚，使其宽度在慢轴方向上减小；经过快轴会聚透镜402和慢轴会聚透镜403的光束被整形为接近圆形或正方形的形状。快轴会聚透镜402、慢轴会聚透镜403和光纤输出端404在第一方向上依次排列对准，被会聚的光束耦入光纤输出端404。

在图6所示的实施例中，第一多台阶座体300a与第二多台阶座体300b位于快轴会聚透镜402和慢轴会聚透镜403的同一侧；第三多台阶座体300c与第四多台阶座体300d位于快轴会聚透镜402和慢轴会聚透镜403的另一侧。为了使得第一至第四多台阶座体300a-300d上的单芯片独立光路模块200发出的光束到达快轴会聚透镜402所经历的光程相同，第一多台阶座体300a、第三多台阶座体300c在第一方向上分别比第二多台阶座体300b、第四多台阶座体300d更靠近光纤输出端404。而第二多台阶座体300b、第四多台阶座体300c在第二方向上比第一多台阶座体300a、第三多台阶座体300c更靠近光纤输出端404。

具体而言，第一多台阶座体300a与第二多台阶座体300b错开设置，且两者在第二方向上错开的距离a等于第一反射镜405a与第二反射镜405b在第一方向上的距离b。第三多台阶座体300c与第四多台阶座体300d错开设置，且两者在第二方向上错开的距离c等于第三反射镜405c与第四反射镜405d在第一方向上的d。第一多台阶座体300a与第三多台阶座体300c错开设置，且两者在第一方向上错开的距离e等于第一反射镜405a与第三反射镜405c在第一方向上错开的距离f。

为了使得第一至第四反射镜405a-405d更紧凑地设置，第一多台阶座体300a与第二多台阶座体300b反向设置，也就是说第一多台阶座体300a与第二多台阶座体300b上的半导体激光器芯片204发出的光束方向彼此相向。同样，第三多台阶座体300c与第四多台阶座体300d反向设置，也就是说第三多台阶座体300c与第四多台阶座体300d上的半导体激光器芯片204发出的光束方向彼此相向。同时，光束在第一至第四反射镜405a-405d的边缘发生反射，使经过第一至第四反射镜405a-405d的四组光束组挨的更近，以增加耦合效率和最终器件的光束质量M2因子。此处的边缘是指第一至第四反射镜405a-405d反射镜沿着第二方向更靠近快轴会聚透镜402的边缘。

以上所述仅为本发明的示例实施例，在图6中，第一至第四多台阶座体300a-300d中的每一个上都安装了十个单芯片独立光路模块200，但是本发明不限于此，在每个多台阶座体上安装十五个单芯片独立光路模块200也是可行的。此外，可根据需要增加或者减少多台阶座体300的数量。当多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10包括多个多台阶座体300时，这多个多台阶座体300可以分成单排或者两排排列。优选地，每个多台阶座体300沿着第二方向到对应的反射镜的距离与对应的反射镜沿着第一方向到快轴会聚透镜402的距离之和均相等。因此，在第一方向上越靠近快轴会聚透镜402的多台阶座体，在第二方向上离快轴会聚透镜402的距离越远。采用这种方案，可以使本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10达到较大的功率。

以下将说明本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10的制造过程：

首先，通过真空回流焊的方式将单个半导体激光器芯片204固定在载体201上，然后采用空间光束图像监控法、利用快轴准直透镜205和慢轴准直透镜206对半导体激光器芯片204发出的光束在快轴方向和慢轴方向进行准直和光斑定位，再利用反射镜207将光束传播方向改变90度再次光斑定位，当达到期望的准直效果和空间位置一致性后，利用紫外固化胶将快轴准直透镜205、慢轴准直透镜206、以及反射镜207固定在载体201上，完成单芯片独立光路模块200的制作。这种方法批量制作的单芯片独立光路模块200具有良好的准直度和光斑空间位置一致性。

接下来准备一个或多个多台阶座体300，并将一组或多组单芯片独立光路模块200依次排放在对应的多台阶座体300的台阶面301上，定位后采用低温焊料将单芯片独立光路模块200焊接到多台阶座体300上，在焊接的同时监控整体光斑，以保证每个多台阶座体300上的一列激光光束都是整齐、平行的。安装在同一多台阶座体300上的单芯片独立光路模块200的数量可根据最终器件的耦合效率的要求而选定。在本发明的实施例中，多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10可包括单排、两排、或四排单芯片独立光路模块200，每排包括十个单芯片独立光路模块200，其耦合效率可达到85％以上。

最后，通过快轴会聚透镜402和慢轴会聚透镜403对整体的光束组进行快慢轴压缩，将光束最大化地耦合到光纤，对光束的光斑进行监控，当达到期望的耦合效率时，利用紫外固化胶将快轴会聚透镜402、慢轴会聚透镜403、以及光纤输出端404固定。最后对整个多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10进行功能测试，整个制作工艺过程中若有光路失效，可拆换对应的单芯片独立光路模块200，不会导致整个多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10报废。

与现有技术相比，本发明的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10可增加单芯片独立光路模块200的数量，轻易地实现200瓦及以上的功率。若有光路失效，可拆换对应的单芯片独立光路模块200，不会导致整个多单管半导体激光器光纤耦合封装器件10报废。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，其特征在于，包括：

至少一个多台阶座体，所述多台阶座体包括高度依序升高的多个台阶面；

依次排列设置在所述多台阶座体上的多个单芯片独立光路模块，每个单芯片独立光路模块包括：载体；以及沿着第一方向依次固定在所述载体上的半导体激光器芯片、用于对所述半导体激光器芯片发出的光束进行准直的快轴准直透镜和慢轴准直透镜、以及用于反射被准直光束的反射镜；

用于在快轴方向上对所有所述单芯片独立光路模块出射的光束组进行会聚的快轴会聚透镜；

用于在慢轴方向上对所有所述单芯片独立光路模块出射的光束组进行会聚的慢轴会聚透镜；以及

供被会聚后的光束耦入的光纤输出端；

其中所述多个单芯片独立光路模块沿着第二方向排列设置在所述多台阶座体上。

2.根据权利要求1所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，其特征在于，所述多台阶座体的数量为多个，每个所述多台阶座体上均设置有多个单芯片独立光路模块；所述多单管半导体激光器光纤耦合封装器件还包括设置在每个所述多台阶座体的多个单芯片独立光路模块的出射光束行进方向上、且用于将对应的多台阶座体上的多个单芯片独立光路模块的出射光束组反射到所述快轴会聚透镜的反射镜。

3.根据权利要求2所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，其特征在于，所述快轴会聚透镜、慢轴会聚透镜和光纤输出端沿着第一方向设置。

4.根据权利要求3所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向垂直。

5.根据权利要求4所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，其特征在于，每个所述多台阶座体上的单芯片独立光路模块沿着第二方向出射的光束到设置在每个所述多台阶座体的光束行进方向上的反射镜的距离与该反射镜沿着第一方向到所述快轴会聚透镜的距离之和均相等。

6.根据权利要求3所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，其特征在于，所述多台阶座体的数量为两个，包括第一多台阶座体和第二多台阶座体，所述第一多台阶座体和第二多台阶座体位于所述快轴会聚透镜和慢轴会聚透镜的同一侧。

7.根据权利要求6所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，其特征在于，所述第一多台阶座体与所述第二多台阶座体反向设置，所述第一多台阶座体与所述第二多台阶座体上的半导体激光器芯片发出的光束彼此相向。

8.根据权利要求3所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，其特征在于，一部分多台阶座体位于所述快轴会聚透镜和慢轴会聚透镜的同一侧，另一部分多台阶座体位于所述快轴会聚透镜和慢轴会聚透镜的另一侧。

9.根据权利要求2所述的多单管半导体激光器光纤耦合封装器件，其特征在于，光束在设置在每个所述多台阶座体的光束行进方向上的反射镜上的反射点位于所述反射镜的边缘，该边缘是在第二方向上靠近所述快轴会聚透镜的边缘。