CN104535713A - 一种薄膜芯片制备方法 - Google Patents

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周祖渝
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CHONGQING XUXING CHEMICAL Co Ltd
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CHONGQING XUXING CHEMICAL Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种薄膜芯片制备方法，包括如下步骤：用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。本发明方法简单、操作过程简单，成本低廉，芯片性能稳定，易批量生产。

Description

一种薄膜芯片制备方法
技术领域
本发明涉及半导体器件的制作方法，尤其涉及一种薄膜芯片制备方法。
背景技术
半导体气敏元件分为烧结型、厚膜型和薄膜型。它们各自的结构，制作工艺不同，其性能特点也各异。目前，烧结元件逐步在被厚、薄膜元件代替。厚、薄膜元件具有灵敏度高、重复性、稳定性好、功耗低、寿命长等优点，但薄膜元件制作对工艺设备要求很高，制造成本高，不易产业化推广。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种方法简单、操作过程简单，成本低廉，芯片性能稳定，易批量生产的薄膜芯片制备方法。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种薄膜芯片制备方法，包括如下步骤：
用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；
将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；
用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；
用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；
将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；
将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，所述将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上步骤的具体实现如下：
将质量比为10:1～20:1的PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上。
进一步，所述用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理步骤的具体实现如下：
用甩胶机在1000～2500rpm转速下涂布20～50s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约30～40μm，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在50～80℃温度条件下固化处理。
进一步，所述将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗步骤的具体实现如下：
将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗30～60s。
本发明的有益效果是：
1.方法简单、操作过程简单，成本低廉；
2.芯片性能稳定，易批量生产。
附图说明
图1为本发明一种薄膜芯片制备方法流程示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
如图1所示，一种薄膜芯片制备方法，包括如下步骤：
用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；
将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；
用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；
用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；
将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；
将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
实施例1：
用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将10gPDMS前聚物与1g固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机在1000rpm转速下涂布20s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约30μm，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在50℃温度条件下固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗30s；将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
实施例2：
用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将15gPDMS前聚物与1g固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机在1500rpm转速下涂布30s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约35μm，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在60℃温度条件下固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗50s；将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
实施例3：
用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将20gPDMS前聚物与1g固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机在2500rpm转速下涂布50s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约40μm，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在80℃温度条件下固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗60s；将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种薄膜芯片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；
将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；
用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；
用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；
将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；
将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
2.根据权利要求1所述一种薄膜芯片制备方法，其特征在于，所述将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上步骤的具体实现如下：
    将质量比为10:1～20:1的PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上。
3.根据权利要求1所述一种薄膜芯片制备方法，其特征在于，所述用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理步骤的具体实现如下：
    用甩胶机在1000～2500rpm转速下涂布20～50s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约30～40μm，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在50～80℃温度条件下固化处理。
4. 根据权利要求1所述一种薄膜芯片制备方法，其特征在于，所述将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗步骤的具体实现如下：
将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗30～60s。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104898078A (zh) * 2015-06-05 2015-09-09 东南大学 一种微型螺线管线圈探头及其制造方法
CN105129722A (zh) * 2015-07-01 2015-12-09 北京工业大学 单面微米级薄膜微通道的制作方法
CN108597335A (zh) * 2018-06-15 2018-09-28 安徽中医药高等专科学校 一种绿色多功能教学微芯片的制备方法

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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150422

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