CN104525898B - 导卫板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种导卫板，其工作部位的表面具有一种碳化物涂层，并且提供一种用于获得上述导卫板的制备方法。所述导卫板，在其表面工作部位具有碳化物涂层。所述碳化物涂层，包括V2C致密陶瓷层，还可进一步包括微米V8C7致密陶瓷层及V8C7与基体的融合层。所述V2C致密陶瓷层、微米V8C7致密陶瓷层及V8C7与基体的融合层依次呈梯度分布。可被施加于合金钢表面。所述涂层与基体之间为冶金结合，结合力很强，克服了现有硬质颗粒与金属基体间非冶金结合，结合力很弱，颗粒容易脱落的问题，大幅度提高了导卫板工作表面的耐磨性能。

Description

导卫板及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种具有耐磨涂层的复合导卫板及其制备方法，尤其涉及一种具有耐磨碳化物涂层的复合导卫板及其制备方法，具体涉及一种应用于合金钢表面的耐磨碳化物涂层复合导卫板及其制备方法。
背景技术
在冶金工业领域的型材生产中，轧钢机导卫板是必不可少的模具。导卫板工作环境十分恶劣，它们在工作过程中常常承受到高温钢坯的热负荷、大冲击、强烈磨损、挤压以及冷却水的极冷作用。这就要求导卫板材料必须具备高的强度硬度和优异的耐磨性，同时还必须具备高的冲击韧性和抗氧化性、抗热疲劳性等。
目前国内外常用的导卫板制造方式有铸造、复合铸造、粉末冶金等，材料有合金钢、低合金钢、耐热钢(高镍铬合金)、高铬铸铁、硬质合金等，导卫板工作条件苛刻，都存在使用寿命短、更换频繁的问题，直接影响线材轧机的生产效率。
传统轧钢导卫板由于含碳量高，脆性较大，且含有多种合金元素，导致生产成本较高，经济性差。采用堆焊技术虽然可以对这类零件进行修复，提高其使用寿命，但是却带来后续修补上的巨大的材料浪费。从当今发展形势来看，单一材质明显已经难以满足导卫板严酷工况的要求，因此，我们要设计新的工艺路线，才有可能同时兼顾材料表面的高抗磨性和整体的强韧性。
然而仅仅提高导卫板基体材料的硬度仍然不足以保证其服役的持久性，因此在其工作部位增加涂层是解决该问题既经济又有效的手段。现阶段使用较多的为碳化物材料的涂层，其具有硬度高、耐磨损性能优越的特点，以涂层方式覆盖在金属合金基体表面可以提高由基体材料制备的零部件的耐磨性与寿命。其中VCp是一种常见的涂层材料，其有如下特点特性：
(1)具备密度低、强度高、弹性模量高、抗氧化、耐磨、耐腐蚀等优异的物理化学性能；
(2)烧结过程中长大倾向小，颗粒一般呈圆形，是一种较为理想的增强材料；
(3)钒资源丰富，容易获得，价格比较低廉，碳化钒在金属基复合材料中获得普遍应用；
(4)具有很高的热稳定性和高硬度的面心立方结构，晶格常数和晶格类型与奥氏体非常接近，这便于更好地与钢铁基体结合；
(5)VCp的标准生成焓△G0值低，其合成反应易于进行；
(6)VCp涂覆的钢铁基复合材料除了硬度高、耐磨性好外，可切削加工、锻造、焊接、热处理强化且变形小，而且具有普通熔炼钢的冷热加工性能。因此，VCp涂层材料被广泛地用作无屑冷热金属加工工具、切削刀具、各种模具、耐磨耐热耐蚀零件的耐磨表面。
目前制备碳化物涂层的方法有化学气相沉积法、物理气相沉积法、热喷涂方法、热渗镀方法等，但是这些方法，存在生产设备要求苛刻、生产效率低、涂层结合强度低等不足。
因此如何在导卫板工作表面获得VCp涂层，并且选择一种生产设备简单、工艺流程短的制备方法，获得与基体结合力好、不易脱落且力学性能、耐磨性能优异的涂层是亟待解决的问题。
发明内容
针对上述现有技术存在的缺陷和不足，本发明的目的在于提供一种导卫板，其上表面的凹槽中具有一种耐磨涂层，该耐磨涂层为V2C致密陶瓷层，其化学稳定性和耐磨性好，具有低摩擦系数、高硬度、低表面能以及低传热性；并且进一步地，提供一种用于获得上述复合导卫板的制备方法。
进一步地，本发明还提供一种导卫板，其上表面的凹槽中具有一种梯度复合涂层，以提高其表面的耐磨性和断裂韧性，特别是合金钢表面，并且提供一种用于获得上述涂层的制备方法。
所述导卫板，在其表面具有耐磨碳化物涂层。从而有利保证导卫板工作表面具有很高的硬度和很好的耐磨性，而导卫板基体部分具有很好的韧性。
为实现本发明目的，本发明采用了如下技术方案：
一种导卫板，其上表面的凹槽中具有耐磨涂层，该耐磨涂层为V2C致密陶瓷层；优选地，V2C致密陶瓷层为准单晶相，所述准单晶相是指，介于多晶相与单晶相之间，相较于多晶相，晶向一致性高、晶界明显减少，并且原子排列比较有序的显微组织。
更优选地，沿V2C致密陶瓷层纵向剖面，其厚度为7-25μm，优选为12-20μm，更优选为15-20μm；优选地，其中V2C的体积分数大于80％，优选大于90％；优选地，V2C晶粒尺寸为20-50μm，优选为30-50μm。
此外，本发明还提供一种导卫板，其上表面的凹槽中具有梯度复合涂层，所述梯度复合涂层为碳化物涂层，包括依次呈梯度分布的V2C致密陶瓷层、微米V8C7致密陶瓷层、V8C7与基体的融合层。
优选地，V2C致密陶瓷层为准单晶相，所述准单晶相是指，介于多晶相与单晶相之间，相较于多晶相，晶向一致性高、晶界明显减少，并且原子排列比较有序的显微组织。
更优选地，沿V2C致密陶瓷层纵向剖面，其厚度为7-25μm，优选为12-20μm，更优选为15-20μm；优选地，其中V2C的体积分数大于80％，优选大于90％；优选地，V2C晶粒尺寸为20-50μm，优选为30-50μm。
进一步优选地，沿微米V8C7致密陶瓷层纵向剖面，其厚度为15-90μm，优选为40-90μm，更优选为70-90μm；优选地，V8C7的体积分数大于70％，优选大于75％；优选地，V8C7的晶粒尺寸为5-15μm，优选为6-15μm，更优选为8-15μm。
更进一步优选地，沿V8C7与基体的融合层纵向剖面，其厚度为125μm-1093μm，优选300-1090μm；优选地，其中V8C7的体积分数为20％-85％，优选为50％-85％；优选地，V8C7的晶粒尺寸为5-20μm，优选为10-20μm。
优选地，梯度复合涂层总厚度为147-1208μm，优选在400-1200μm。
更优选地，导卫板基体组织根据热处理方式不同可分为珠光体、马氏体、铁素体、贝氏体、奥氏体和索氏体中的一种或几种；优选地，该梯度复合涂层被施加于合金钢表面。
本发明提供一种导卫板，其上表面的凹槽中具有耐磨涂层，其制备方法包括如下步骤：
1)先准备一钒板，优选的，其中钒的纯度应控制在99.7-99.99％；更优选地，所述钒板的厚度控制在0.2-3mm；优选地，所述钒板先被加以表面处理；
2)按照导卫板尺寸制作导卫板模具，根据导卫板的工作受力状况，其主要磨损的部位是导卫板上表面的凹槽，据此将钒板卷绕在导卫板模具上表面的凹槽内，然后在钒板上固定外部碳源，使其与钒板紧密结合；优选地，用聚苯乙烯泡沫塑料制作导卫板模具；
3)按照导卫板尺寸制作砂型，并将导卫板模具置于砂型型腔中；优选地，用CO2水玻璃硬化砂、覆膜砂、自硬树脂砂或潮模砂制作砂型；
4)将合金钢基材冶炼为钢液；优选地，温度控制在1500-1560℃；
5)将上述钢液浇入上述放置有钒板和外部碳源的砂型内，待钢液冷却凝固后，取出铸件，清砂处理，获得导卫板基体为合金钢基体，导卫板上表面凹槽为与钒板的复合体；优选地，采用消失模真空吸铸工艺，将上述钢液浇入上述放置有钒板和外部碳源的砂型内；更优选地，浇注温度控制在1500-1560℃，浇注时间为20-60秒为宜；进一步优选地，一分钟后，在冒口补浇；优选地，室温冷却；
6)将复合体放入具有保护气氛的保温炉内保温，最后随炉冷却至室温，从而在导卫板上表面的凹槽内形成耐磨涂层，而基体仍为合金钢基体。
其中，耐磨涂层为V2C致密陶瓷层。
优选地，通过控制步骤6)中保温时间、保温温度获得该V2C致密陶瓷层；优选地，V2C致密陶瓷层为准单晶相，所述准单晶相是指，介于多晶相与单晶相之间，相较于多晶相，晶向一致性高、晶界明显减少，并且原子排列比较有序的显微组织。
本发明还提供一种复合导卫板，其上表面的凹槽中具有梯度复合涂层，其制备方法包括如下步骤：
1)先准备一钒板，优选的，其中钒的纯度应控制在99.7-99.99％；更优选地，所述钒板的厚度控制在0.2-3mm；优选地，所述钒板先被加以表面处理；
2)按照导卫板尺寸制作导卫板模具，根据导卫板的工作受力状况，其主要磨损的部位是导卫板上表面的凹槽，据此将钒板卷绕在导卫板模具上表面的凹槽内，然后在钒板上固定外部碳源，使其与钒板紧密结合；优选地，用聚苯乙烯泡沫塑料制作导卫板模具；
3)按照导卫板尺寸制作砂型，并将导卫板模具置于砂型型腔中；优选地，用CO2水玻璃硬化砂、覆膜砂、自硬树脂砂或潮模砂制作砂型；
4)将合金钢基材冶炼为钢液；优选地，温度控制在1500-1560℃；
5)将上述钢液浇入上述放置有钒板和外部碳源的砂型内，待钢液冷却凝固后，取出铸件，清砂处理，获得导卫板基体为合金钢基体，导卫板上表面凹槽为与钒板的复合体；优选地，采用消失模真空吸铸工艺，将上述钢液浇入上述放置有钒板和外部碳源的砂型内；更优选地，浇注温度控制在1500-1560℃，浇注时间为20-60秒为宜；进一步优选地，一分钟后，在冒口补浇；优选地，室温冷却；
6)将铸态的复合导卫板放入具有保护气氛的保温炉内保温，最后随炉冷却至室温，从而在导卫板上表面的凹槽内形成梯度复合涂层，而基体仍为合金钢基体；
7)所得的表面凹槽内具有梯度复合涂层的导卫板被进一步热处理以获得更合适的基体组织。
优选地，钒板厚度为0.2-3mm；若小于0.2mm，则钒板在浇注复合过程中就已经完全反应，不能获得V2C组织，直接生成弥散分布V8C7；超过3mm则导致扩散距离增大，反应动力不足。
优选地，通过严格控制步骤6)中保温温度与时间的关系，获得所述准单晶相V2C致密陶瓷层。该陶瓷层呈现出较为明显的准单晶组织，光学显微镜下表现为晶界减少，影响断裂韧性的位错也相应减少，代之亚晶界增多，有效提高该陶瓷层的抗裂能力。
优选地，通过控制步骤6)中保温时间、保温温度获得该梯度复合涂层即碳化物涂层，所述碳化物涂层包括依次呈梯度分布的准单晶相V2C致密陶瓷层、微米V8C7致密陶瓷层、V8C7与基体的融合层。
更优选地，上述步骤6)中保温温度、保温时间以及最终能够获得的梯度复合涂层的总厚度符合如下公式，
L＝kTlogt1/2+b0
其中：
L——梯度复合涂层的总厚度(μm)，
k——是常数，取值为0-1，k≠0，
T——保温温度(K)，
t——保温时间(s)，
b0——初始厚度(μm)，即钢液浇注后与钒板之间形成的复合层的厚度。
综上，所述梯度复合涂层，包括V2C致密陶瓷层，硬度高。所述V2C致密陶瓷层为准单晶相，所述准单晶相是指，原子的排列不像一般单晶那样具有相同的晶格，但仍具有严格的顺序，呈现出几何排列；晶向一致性高、晶界明显减少，并且原子排列比较有序。准单晶相介于多晶相与单晶相之间，相较于多晶相，准单晶相的晶界明显减少，位错密度低，有较多亚晶界，因此硬度有明显提升；而较之单晶相，其对制备方式要求更低，且组织更为稳定。
优选地，在步骤1)中，表面处理的步骤如下：
第一步酸洗，选用300ml/L的盐酸或60ml/L的磷酸或120ml/L的双氧水，后流水冲洗；
第二步酸洗，选用300ml/L的氢氟酸或200ml/L的硫酸或240ml/L的双氧水，后流水冲洗；
第三步表面打磨，选用800-1200目的Al2O3砂纸，最后用酒精超声清洗。
更优选地，步骤2)中的外部碳源为石墨纸或石墨粉；优选地，所述石墨纸为三级以上，纯度为85-99％，厚度为0.1-0.35mm；优选地，所述石墨粉选择粒度在600-1000目，纯度为85-99％。
优选地，步骤6)中，升温至1000-1160℃，升温速度控制在7℃/min，保温时间为6-12h，优选8-10h。
优选地，所选合金钢基体为低合金高强度结构钢。
优选地，保护气为氩气或氮气，气体流量为5-8ml/min。
其中，保温温度应严格控制在上述范围内，温度高于1160℃，反应过程中的液相过多，而使得V2C转变成为V8C7，而不能获得准单晶相V2C；但是温度低于1000℃，则V的溶解度太低，反应无法正向进行。同样的，保温时间也应该保持一个合理的区间，时间超过12h，几乎所有的V2C会转变为V8C7，而低于6h，则反应获得的V2C太少，涂层厚度难以保证，最佳的应该保持在8-10h。
更优选地，具有碳化物涂层的导卫板复合体被进一步热处理以获得更合适的基体组织，热处理工序为：在800-550℃左右进行热处理，基体为珠光体组织，或者，在220-550℃进行热处理，基体为贝氏体组织，或者，在220℃以下进行热处理，基体为马氏体组织。
所述导卫板以合金钢为基体，所选合金钢基体为低合金高强度结构钢，优选为Q345A、Q345B、Q345C、Q345D、Q345E、Q420A、Q460A等(见国标GB/T 1951-2008)，基体组织根据热处理方式的不同为珠光体、马氏体、铁素体、贝氏体、奥氏体和索氏体中的一种或几种。
本发明通过铸造尤其是消失模真空吸铸获得合金钢基体+钒的导卫板复合体后，引入外碳源，以加热扩散的方式可直接在导卫板的辊身表面形成碳化物涂层，碳化物涂层与辊芯基体之间为冶金结合，结合力很强，克服了现有硬质颗粒与金属基体间非冶金结合，结合力很弱，颗粒容易脱落的问题，大幅度提高了涂层的力学性能。并且该方法操作简单，无需复杂设备，获得的导卫板性能良好。不同的热处理方式，使导卫板具有不同的力学性能，满足了实际生产的要求。由于V2C致密陶瓷层的形成，该陶瓷层呈现出较为明显的准单晶组织，光学显微镜下表现为晶界减少，影响断裂韧性的位错也相应减少，代之亚晶界增多，有效提高该陶瓷层的抗裂能力。导卫板表面具有较高的硬度HRC46-64，相对耐磨性是基体的8-15倍。所述相对耐磨性的定义为：以基体材料为标准试样，在相同磨料粒度，相同载荷，圆盘以相同转速转动相同圈数后，被测涂层产生磨损量与标准试样产生磨损量的比值称为涂层的相对耐磨性，因此也简称为涂层的相对耐磨性是基体的几倍，下述相同参数的检测标准与之相同。
这是由于其中的V2C致密陶瓷层为准单晶组织，化学稳定性和耐磨性好，具有低摩擦系数、高硬度、低表面能以及低传热性。而与之相对的微米V8C7陶瓷层的硬度只能达到HRC40-52，其相对耐磨性是基体的6-10倍。
附图说明
图1导卫板制备工艺图；
图2热处理后的复合导卫板以及试样截取的局部放大图。
具体实施方式
以下对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
其中，制作砂型时可采用CO2水玻璃硬化砂、覆膜砂、自硬树脂砂或潮模砂中的任一种。
实施例1：导卫板的制备方法，包括如下步骤：
1、先准备一钒板1，其中钒的纯度应控制在99.7％。所述钒板1应该先被加以表面处理，步骤如下：
第一步酸洗，选用300ml/L的盐酸，后流水冲洗；
第二步酸洗，选用300ml/L的氢氟酸，后流水冲洗；
第三步表面打磨，选用800目的Al2O3砂纸，最后用酒精超声清洗。所述钒板1的厚度控制在0.2mm。
2、按照导卫板2尺寸，用聚苯乙烯泡沫塑料制作导卫板模具3，根据导卫板2的工作受力状况，其主要磨损的部位是导卫板2上表面的凹槽，据此将钒板1卷绕在导卫板模具3上表面的凹槽内，然后在钒板1上固定外部碳源4，外部碳源4为石墨纸，所述石墨纸为三级以上，纯度85％，厚度为0.1mm，使其与钒板1紧密结合(图1)。
3、按照导卫板2尺寸，用CO2水玻璃硬化砂制作砂型5，并将导卫板模具3置于砂型5型腔中。
4、将合金钢基材冶炼为钢液，温度控制在1500℃，所选合金钢基体为Q345A。
5、采用消失模真空吸铸工艺，将上述钢液浇入上述放置有钒板1和石墨纸的砂型5内，浇注温度控制在1500℃，浇注时间为20秒为宜，一分钟后，在冒口补浇，室温冷却后，待金属液冷却凝固后，取出铸件，清砂处理，获得导卫板基体为Q345A基体，导卫板上表面凹槽为与钒板1的复合体。
6、将浇铸完得到的导卫板复合体放入具有保护气氛的保温炉内保温，升温至1000℃，升温速度控制在7℃/min，保温时间为6h，最后随炉冷却至室温，从而在导卫板上表面的凹槽内形成梯度复合涂层，而基体仍为Q345A基体。所述保护气为氩气，气体流量为5ml/min。
7、所得的表面凹槽内具有梯度复合涂层的导卫板，被进一步热处理以获得更合适的基体组织，热处理工序为：在700℃左右进行热处理，基体为珠光体组织。
如图2所示，所得梯度复合涂层包括V2C致密陶瓷层6，为准单晶相，其晶粒尺寸为20μm；沿涂层纵向剖面，其厚度为7μm，其中V2C的体积分数为90％。
进一步的，还包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6之下的微米V8C7致密陶瓷层7，沿涂层纵向剖面，其厚度为15μm，V8C7的体积分数为75％，其晶粒尺寸为5μm。
更进一步的，还包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6以及微米V8C7致密陶瓷层7之下的V8C7与基体的融合层8，沿涂层纵向剖面，其厚度为125μm，其中V8C7的体积分数为20％，其晶粒尺寸为5μm。此时，所述碳化物涂层为复合涂层，由所述V2C致密陶瓷层6、微米V8C7致密陶瓷层7及V8C7与基体的融合层8构成，且依次呈梯度分布，其总厚度为147μm。所述导卫板基体为珠光体。导卫板表面具有较高的硬度HRC46，相对耐磨性是基体的8倍。
实施例2：导卫板的制备方法，包括如下步骤：
1、先准备一钒板1，其中钒的纯度应控制在99.8％。所述钒板1应该先被加以表面处理，步骤如下：
第一步酸洗，60ml/L的磷酸，后流水冲洗；
第二步酸洗，200ml/L的硫酸，后流水冲洗；
第三步表面打磨，选用1000目的Al2O3砂纸，最后用酒精超声清洗。所述钒板1的厚度控制在1mm。
2、按照导卫板2尺寸，用聚苯乙烯泡沫塑料制作导卫板模具3，根据导卫板2的工作受力状况，其主要磨损的部位是导卫板2上表面的凹槽，据此将钒板1卷绕在导卫板模具3上表面的凹槽内，然后在钒板1上固定外部碳源4，外部碳源4为石墨纸，所述石墨纸为三级以上，纯度99％，厚度为0.2mm，使其与钒板1紧密结合(图1)。
3、按照导卫板2尺寸，用覆膜砂制作砂型5，并将导卫板模具3置于砂型5型腔中。
4、将合金钢基材冶炼为钢液，温度控制在1510℃，所选合金钢基体为Q345B。
5、采用消失模真空吸铸工艺，将上述钢液浇入上述放置有钒板1和石墨纸的砂型5内，浇注温度控制在1510℃，浇注时间为30秒为宜，一分钟后，在冒口补浇，室温冷却后，待金属液冷却凝固后，取出铸件，清砂处理，获得导卫板基体为Q345B基体，导卫板上表面凹槽为与钒板1的复合体。
6、将浇铸完得到的导卫板复合体放入具有保护气氛的保温炉内保温，升温至1050℃，升温速度控制在7℃/min，保温时间为7h最后随炉冷却至室温，从而在导卫板上表面的凹槽内形成梯度复合涂层，而基体仍为Q345B基体。所述保护气为氩气，气体流量为6ml/min。
7、所得的表面凹槽内具有梯度复合涂层的导卫板，被进一步热处理以获得更合适的基体组织，热处理工序为：在500℃进行热处理，基体为贝氏体组织。
所述梯度复合涂层包括V2C致密陶瓷层6，为准单晶相，其晶粒尺寸为22μm；沿涂层纵向剖面，其厚度为10μm；其中V2C的体积分数为80％。
进一步的，还包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6之下的微米V8C7致密陶瓷层7，沿涂层纵向剖面，其厚度为50μm，V8C7的体积分数为78％，其晶粒尺寸为7μm。
更进一步地，还包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6以及微米V8C7致密陶瓷层7之下的V8C7与基体的融合层8，沿涂层纵向剖面，其厚度为403μm，其中V8C7的体积分数为60％，其晶粒尺寸为15μm。此时，所述碳化物涂层为复合涂层，由所述准单晶V2C致密陶瓷层6、微米V8C7致密陶瓷层7及V8C7与基体的融合层8构成，且依次呈梯度分布，其总厚度为463μm。所述导卫板基体为贝氏体。导卫板表面具有较高的硬度HRC55，相对耐磨性是Q345B的10倍。
实施例3：导卫板的制备方法，包括如下步骤：
1、先准备一钒板1，其中钒的纯度应控制在99.8％。所述钒板应该先被加以表面处理，步骤如下：
第一步酸洗，120ml/L的双氧水，后流水冲洗；
第二步酸洗，240ml/L的双氧水，后流水冲洗；
第三步表面打磨，选用1000目的Al2O3砂纸，最后用酒精超声清洗。所述钒板1的厚度控制在0.35mm。
2、按照导卫板2尺寸，用聚苯乙烯泡沫塑料制作导卫板模具3，根据导卫板2的工作受力状况，其主要磨损的部位是导卫板2上表面的凹槽，据此将钒板1卷绕在导卫板模具3上表面的凹槽内，然后在钒板1上固定外部碳源4，外部碳源4为石墨纸，所述石墨纸为三级以上，纯度95％，厚度为0.35mm，使其与钒板1紧密结合(图1)。
3、按照导卫板2尺寸，用自硬树脂砂制作砂型5，并将导卫板模具3置于砂型5型腔中。
4、将合金钢基材冶炼为钢液，温度控制在1520℃，所选合金钢基体为Q345C。
5、采用消失模真空吸铸工艺，将上述钢液浇入上述放置有钒板1和石墨纸的砂型5内，浇注温度控制在1520℃，浇注时间为40秒为宜，一分钟后，在冒口补浇，室温冷却后，待金属液冷却凝固后，取出铸件，清砂处理，获得导卫板基体为Q345C基体，导卫板上表面凹槽为与钒板1的复合体。
6、将浇铸完得到的导卫板复合体放入具有保护气氛的保温炉内保温，升温至1080℃，升温速度控制在7℃/min，保温时间为9h，最后随炉冷却至室温，从而在导卫板上表面的凹槽内形成梯度复合涂层，而基体仍为Q345C基体。所述保护气为氮气，气体流量为6ml/min。
7、所得的表面凹槽内具有梯度复合涂层的导卫板，被进一步热处理以获得更合适的基体组织，热处理工序为：在220℃进行热处理，基体为马氏体组织。
所述梯度复合涂层包括V2C致密陶瓷层6，为准单晶相，其晶粒尺寸为25μm；沿涂层纵向剖面，其厚度为12μm；其中V2C的体积分数为95％。
进一步的，包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6之下的微米V8C7致密陶瓷层7，沿涂层纵向剖面，其厚度为55μm，V8C7的体积分数为80％，其晶粒尺寸为10μm。
更进一步的，还可以包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6以及微米V8C7致密陶瓷层7之下的V8C7与基体的融合层8，沿涂层纵向剖面，其厚度为665μm，其中V8C7的体积分数为75％，其晶粒尺寸为15μm。此时，所述碳化物涂层为复合涂层，由所述准单晶V2C致密陶瓷层6、微米V8C7致密陶瓷层7及V8C7与基体的融合层8构成，且依次呈梯度分布，其总厚度为732μm。所述导卫板基体为马氏体。导卫板表面具有较高的硬度HRC62，相对耐磨性是基体的13倍。
实施例4：导卫板的制备方法，包括如下步骤：
1、先准备一钒板1，其中钒的纯度应控制在99.99％。所述钒板1应该先被加以表面处理，步骤如下：
第一步酸洗，选用60ml/L的磷酸，后流水冲洗；
第二步酸洗，200ml/L的硫酸，后流水冲洗；
第三步表面打磨，选用1200目的Al2O3砂纸，最后用酒精超声清洗。所述钒板1的厚度控制在3mm。
2、按照导卫板2尺寸，用聚苯乙烯泡沫塑料制作导卫板模具3，根据导卫板2的工作受力状况，其主要磨损的部位是导卫板2上表面的凹槽，据此将钒板1卷绕在导卫板模具3上表面的凹槽内，然后在钒板1上固定外部碳源4，外部碳源4为石墨粉，所述石墨粉选择粒度在600目，纯度为85％，使其与钒板1紧密结合(图1)。
3、按照导卫板2尺寸，用潮模砂制作砂型5，并将导卫板模具3置于砂型5型腔中。
4、将合金钢基材冶炼为钢液，温度控制在1530℃，所选合金钢基体为Q345D。
5、采用消失模真空吸铸工艺，将上述钢液浇入上述放置有钒板1和石墨粉的砂型5内，浇注温度控制在1530℃，浇注时间为50秒为宜，一分钟后，在冒口补浇，室温冷却后，待金属液冷却凝固后，取出铸件，清砂处理，获得导卫板基体为Q345D基体，导卫板上表面凹槽为与钒板1的复合体。
6、将浇铸完得到的导卫板复合体放入具有保护气氛的保温炉内保温，升温至1160℃，升温速度控制在7℃/min，保温时间为12h，最后随炉冷却至室温，从而在导卫板上表面的凹槽内形成梯度复合涂层，而基体仍为Q345D基体。所述保护气为氩气，气体流量为6ml/min。
7、所得的表面凹槽内具有梯度复合涂层的导卫板，被进一步热处理以获得更合适的基体组织，热处理工序为：在220℃进行热处理，基体为马氏体组织。
所述梯度复合涂层包括V2C致密陶瓷层6，为准单晶相，其晶粒尺寸为50μm，沿涂层纵向剖面，其厚度为25μm，其中V2C的体积分数为95％。
进一步的，还包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6之下的微米V8C7致密陶瓷层7，沿涂层纵向剖面，其厚度为90μm，V8C7的体积分数为80％，其晶粒尺寸为15μm。
更进一步的，还包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6以及微米V8C7致密陶瓷层7之下的V8C7与基体的融合层8，沿涂层纵向剖面，其厚度为1093μm，其中V8C7的体积分数为55％，其晶粒尺寸为20μm。此时，所述碳化物涂层为复合涂层，由所述准单晶V2C致密陶瓷层6、微米V8C7致密陶瓷层7及V8C7与基体的融合层8构成，且依次呈梯度分布，其总厚度为1208μm。所述导卫板基体为马氏体。导卫板表面具有较高的硬度HRC64，相对耐磨性是基体的15倍。
实施例5：导卫板的制备方法，包括如下步骤：
1、先准备一钒板1，其中钒的纯度应控制在99.7％。所述钒板1应该先被加以表面处理，步骤如下：
第一步酸洗，选用300ml/L的盐酸，后流水冲洗；
第二步酸洗，240ml/L的双氧水，后流水冲洗；
第三步表面打磨，选用800目的Al2O3砂纸，最后用酒精超声清洗。所述钒板1的厚度控制在0.2mm。
2、按照导卫板2尺寸，用聚苯乙烯泡沫塑料制作导卫板模具3，根据导卫板2的工作受力状况，其主要磨损的部位是导卫板2上表面的凹槽，据此将钒板1卷绕在导卫板模具3上表面的凹槽内，然后在钒板1上固定外部碳源4，外部碳源4为石墨粉，所述石墨粉选择粒度在800目，纯度为89％，使其与钒板1紧密结合(图1)。
3、按照导卫板2尺寸，用CO2水玻璃硬化砂制作砂型5，并将导卫板模具3置于砂型5型腔中。
4、将合金钢基材冶炼为钢液，温度控制在1540℃，所选合金钢基体为Q420A。
5、采用消失模真空吸铸工艺，将上述钢液浇入上述放置有钒板1和石墨粉的砂型5内，浇注温度控制在1540℃，浇注时间为60秒为宜，一分钟后，在冒口补浇，室温冷却后，待金属液冷却凝固后，取出铸件，清砂处理，获得导卫板基体为Q420A基体，导卫板上表面凹槽为与钒板1的复合体。
6、将浇铸完得到的导卫板复合体放入具有保护气氛的保温炉内保温，升温至1150℃，升温速度控制在7℃/min，保温时间为8h，最后随炉冷却至室温，从而在导卫板上表面的凹槽内形成梯度复合涂层，而基体仍为Q420A基体。所述保护气为氮气，气体流量为7ml/min。
7、所得的表面凹槽内具有梯度复合涂层的导卫板，被进一步热处理以获得更合适的基体组织，热处理工序为：在750℃左右进行热处理，基体为珠光体组织。
所述梯度复合涂层包括V2C致密陶瓷层6，为准单晶相，其晶粒尺寸为42μm；沿涂层纵向剖面，其厚度为20μm；其中V2C的体积分数为80％。
进一步的，还包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6之下的微米V8C7致密密陶瓷层7，沿涂层纵向剖面，其厚度为75μm，V8C7的体积分数为78％，其晶粒尺寸为14μm。
更进一步的，还包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6以及微米V8C7致密陶瓷层7之下的V8C7与基体的融合层8，沿涂层纵向剖面，其厚度为998μm，其中V8C7的体积分数为60％，其晶粒尺寸为15μm。此时，所述碳化物涂层为复合涂层，由所述准单晶V2C致密陶瓷层6、微米V8C7致密陶瓷层7及V8C7与基体的融合层8构成，且依次呈梯度分布，其总厚度为1093μm，。所述导卫板基体为珠光体。导卫板表面具有较高的硬度HRC50，相对耐磨性是基体的9倍。
实施例6：导卫板的制备方法，包括如下步骤：
1、先准备一钒板1，其中钒的纯度应控制在99.99％。所述钒板1应该先被加以表面处理，步骤如下：
第一步酸洗，选用120ml/L的双氧水，后流水冲洗；
第二步酸洗，240ml/L的双氧水，后流水冲洗；
第三步表面打磨，选用1200目的Al2O3砂纸，最后用酒精超声清洗。所述钒板1的厚度控制在1.5mm。
2、按照导卫板2尺寸，用聚苯乙烯泡沫塑料制作导卫板模具3，根据导卫板2的工作受力状况，其主要磨损的部位是导卫板2上表面的凹槽，据此将钒1板卷绕在导卫板模具3上表面的凹槽内，然后在钒板1上固定外部碳源4，外部碳源4为石墨粉，所述石墨粉选择粒度在1000目，纯度为99％，使其与钒板1紧密结合(图1)。
3、按照导卫板2尺寸，用覆膜砂制作砂型5，并将导卫板模具3置于砂型5型腔中。
4、采用消失模真空吸铸工艺，将合金钢基材冶炼为钢液，温度控制在1560℃，所选合金钢基体为Q460A。
5、将上述钢液浇入上述放置有钒板1和石墨粉的砂型5内，浇注温度控制在1560℃，浇注时间为20秒为宜，一分钟后，在冒口补浇，室温冷却后，待金属液冷却凝固后，取出铸件，清砂处理，获得导卫板基体为Q460A基体，导卫板上表面凹槽为与钒板1的复合体。
6、将浇铸完得到的导卫板复合体放入具有保护气氛的保温炉内保温，升温至1070℃，升温速度控制在7℃/min，保温时间为11h，最后随炉冷却至室温，从而在导卫板上表面的凹槽内形成梯度复合涂层，而基体仍为Q460A基体。所述保护气为氮气，气体流量为8ml/min。
7、所得的表面凹槽内具有梯度复合涂层的导卫板，被进一步热处理以获得更合适的基体组织，热处理工序为：在450℃左右进行热处理，基体为贝氏体组织。
所述梯度复合涂层包括V2C致密陶瓷层6，为准单晶相，其晶粒尺寸为36μm；沿涂层纵向剖面，其厚度为18μm；其中V2C的体积分数为95％。
进一步的，还包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6之下的微米V8C7致密陶瓷层7，沿涂层纵向剖面，其厚度为70μm，V8C7的体积分数为90％，其晶粒尺寸为12μm。
更进一步的，还包括位于上述准单晶V2C致密陶瓷层6以及微米V8C7致密陶瓷层7之下的V8C7与基体的融合层8，沿涂层纵向剖面，其厚度为966μm，其中V8C7的体积分数为85％，其晶粒尺寸为15μm。此时，所述碳化物涂层为复合涂层，由所述准单晶V2C致密陶瓷层6、微米V8C7致密陶瓷层7及V8C7与基体的融合层8构成，且依次呈梯度分布，其总厚度为1054μm。所述导卫板基体为贝氏体。导卫板表面具有较高的硬度HRC60，相对耐磨性是基体的12倍。
对比例1，其制备方法如下：用激光熔覆法直接将V8C7碳化钒颗粒熔覆在导卫板的工作面，得到涂层，厚度为30μm，体积分数为80％，硬度HRC23，相对耐磨性是基体的3.62倍。
对比例中激光表面改性技术生产成本高，生产效率低，工艺参数不易控制，且使用过程中使用粘接剂将导致气孔和夹渣；且复合层中未出现准单晶V2C致密陶瓷层和微米V8C7致密陶瓷层，复合层厚度和V8C7含量较小，V8C7晶粒尺寸较大；同时，复合过程仅仅是对外加硬质碳化钒颗粒间的间隙进行铸渗和对外加颗粒进行熔融、烧结，硬质碳化钒颗粒与金属基体间非冶金结合，结合力很弱，颗粒容易脱落或存在氧化、夹杂问题，因此，其力学性能较差。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种导卫板，在其上表面的凹槽中具有耐磨涂层，其特征在于：所述耐磨涂层为V2C致密陶瓷层，V2C致密陶瓷层为准单晶相，所述准单晶相是指，介于多晶相与单晶相之间，相较于多晶相，晶向一致性高、晶界明显减少，并且原子排列比较有序的显微组织；沿V2C致密陶瓷层纵向剖面，其厚度为7-25μm，其中V2C的体积分数大于80％，V2C晶粒尺寸为20-50μm。
2.一种导卫板，在其上表面的凹槽中具有梯度复合涂层，其特征在于：所述梯度复合涂层为碳化物涂层，包括依次呈梯度分布的V2C致密陶瓷层、微米V8C7致密陶瓷层、V8C7与基体的融合层，V2C致密陶瓷层为准单晶相，所述准单晶相是指，介于多晶相与单晶相之间，相较于多晶相，晶向一致性高、晶界明显减少，并且原子排列比较有序的显微组织，沿V2C致密陶瓷层纵向剖面，其厚度为7-25μm，其中V2C的体积分数大于80％，V2C晶粒尺寸为20-50μm。
3.如权利要求2所述的导卫板，其特征在于：沿微米V8C7致密陶瓷层纵向剖面，其厚度为15-90μm，V8C7的体积分数大于70％，V8C7的晶粒尺寸为5-15μm。
4.如权利要求2所述的导卫板，其特征在于：沿V8C7与基体的融合层纵向剖面，其厚度为125μm-1093μm，V8C7的体积分数为20％-85％，V8C7的晶粒尺寸为5-20μm。
5.如权利要求2所述的导卫板，其特征在于：梯度复合涂层总厚度为147-1208μm。
6.如权利要求2所述的导卫板，其特征在于：基体组织根据热处理不同为珠光体、马氏体、铁素体、贝氏体、奥氏体和索氏体中的一种或几种；该梯度复合涂层被施加于合金钢表面。
7.一种如权利要求1所述导卫板的制备方法，其特征在于：导卫板上表面的凹槽中具有耐磨涂层，包括如下步骤：
1)先准备一钒板，其中钒的纯度应控制在99.7-99.99％，所述钒板的厚度控制在0.2-3mm，所述钒板先被加以表面处理；
2)按照导卫板尺寸制作导卫板模具，根据导卫板的工作受力状况，其主要磨损的部位是导卫板上表面的凹槽，据此将钒板卷绕在导卫板模具上表面的凹槽内，然后在钒板上固定外部碳源，使其与钒板紧密结合；用聚苯乙烯泡沫塑料制作导卫板模具；
3)按照导卫板尺寸制作砂型，并将导卫板模具置于砂型型腔中；用CO2水玻璃硬化砂、覆膜砂、自硬树脂砂或潮模砂制作砂型；
4)将合金钢基材冶炼为钢液；温度控制在1500-1560℃；
5)将上述钢液浇入上述放置有钒板和外部碳源的导卫板模具的砂型内，待钢液冷却凝固后，取出铸件，清砂处理，获得导卫板基体为合金钢基体，导卫板上表面凹槽为与钒板的复合体；浇注采用消失模真空吸铸工艺，浇注温度控制在1500-1560℃，浇注时间为20-60秒；一分钟后，在冒口补浇；室温冷却；
6)将复合体放入具有保护气的保温炉内保温，最后随炉冷却至室温，从而在导卫板上表面的凹槽内形成耐磨涂层，而基体仍为合金钢基体；
其中，耐磨涂层为V2C致密陶瓷层。
8.如权利要求7所述的导卫板的制备方法，其特征在于：V2C致密陶瓷层为准单晶相，所述准单晶相是指，介于多晶相与单晶相之间，相较于多晶相，晶向一致性高、晶界明显减少，并且原子排列比较有序的显微组织；通过控制步骤6)中保温时间、保温温度获得该V2C致密陶瓷层。
9.一种如权利要求2-6之一所述导卫板的制备方法，其特征在于：导卫板上表面的凹槽中具有梯度复合涂层，包括如下步骤：
1)先准备一钒板，其中钒的纯度应控制在99.7-99.99％；所述钒板的厚度控制在0.2-3mm；所述钒板先被加以表面处理；
2)按照导卫板尺寸制作导卫板模具，根据导卫板的工作受力状况，其主要磨损的部位是导卫板上表面的凹槽，据此将钒板卷绕在导卫板模具上表面的凹槽内，然后在钒板上固定外部碳源，使其与钒板紧密结合；用聚苯乙烯泡沫塑料制作导卫板模具；
3)按照导卫板尺寸制作砂型，并将导卫板模具置于砂型型腔中；用CO2水玻璃硬化砂、覆膜砂、自硬树脂砂或潮模砂制作砂型；
4)将合金钢基材冶炼为钢液；温度控制在1500-1560℃；
5)将上述钢液浇入上述放置有钒板和外部碳源的导卫板模具的砂型内，待钢液冷却凝固后，取出铸件，清砂处理，获得导卫板基体为合金钢基体，导卫板上表面凹槽为与钒板的复合体；浇注采用消失模真空吸铸工艺，浇注温度控制在1500-1560℃，浇注时间为20-60秒；一分钟后，在冒口补浇；室温冷却；
6)将复合体放入具有保护气的保温炉内保温，最后随炉冷却至室温，从而在导卫板上表面的凹槽内形成梯度复合涂层，而基体仍为合金钢基体；
7)所得的表面凹槽内具有梯度复合涂层的导卫板被进一步热处理以获得基体组织。
10.如权利要求9所述的导卫板的制备方法，其特征在于：通过控制步骤6)中保温时间、保温温度获得该梯度复合涂层即碳化物涂层，所述碳化物涂层包括依次呈梯度分布的准单晶相V2C致密陶瓷层、微米V8C7陶瓷层、V8C7与基体的融合层。
11.如权利要求10所述的导卫板的制备方法，其特征在于：在步骤6)中保温温度、保温时间以及最终能够获得的梯度复合涂层的总厚度符合如下公式，
L＝kTlogt1/2+b0
其中：
L——梯度复合涂层的总厚度(μm)，
k——是常数，取值为0-1，k≠0，
T——保温温度(K)，
t——保温时间(s)，
b0——初始厚度(μm)，即钢液浇注后与钒板之间形成的复合层的厚度。
12.如权利要求9-11之一所述的导卫板的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中，表面处理的步骤如下：
第一步酸洗，选用300ml/L的盐酸或60ml/L的磷酸或120ml/L的双氧水，后流水冲洗；
第二步酸洗，选用300ml/L的氢氟酸或200ml/L的硫酸或240ml/L的双氧水，后流水冲洗；
第三步表面打磨，选用800-1200目的Al2O3砂纸，最后用酒精超声清洗。
13.如权利要求9-11之一所述的导卫板的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中的外部碳源为石墨纸或石墨粉；所述石墨纸为三级以上，纯度为85-99％，厚度为0.1-0.35mm；所述石墨粉选择粒度在600-1000目，纯度为85-99％。
14.如权利要求9-11之一所述的导卫板的制备方法，其特征在于：所述步骤6)中，升温至1000-1160℃，升温速度控制在7℃/min，保温时间为6-12h。
15.如权利要求9-11之一所述的导卫板的制备方法，其特征在于：所选合金钢基体为低合金高强度结构钢。
16.如权利要求9-11之一所述的导卫板的制备方法，其特征在于：所述保护气为氩气或氮气，气体流量为5-8ml/min。
17.如权利要求9-11之一所述的导卫板的制备方法，其特征在于：所述步骤7)中的热处理工序为：在800-550℃进行热处理，基体为珠光体组织。
18.如权利要求9-11之一所述的导卫板的制备方法，其特征在于：所述步骤7)中的热处理工序为：在220-550℃进行热处理，基体为贝氏体组织。
19.如权利要求9-11之一所述的导卫板的制备方法，其特征在于：所述步骤7)中的热处理工序为：在220℃以下进行热处理，基体为马氏体组织。
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