CN104517133A - 支持多协议的双频rfid芯片技术 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了支持多协议的双频RFID芯片技术，D4100为一款双模射频标签，分为125K射频模式及13.56M射频模式。在125K射频模式下，其接口规范方面完全兼容ATMEL公司的EM4100芯片。在13.56M射频模式下，其接口规范部分完全兼容ISO-14443A协议的1和2。内嵌64BitEEPROM，在13.56M模式下可对其进行数据读写，在125K模式下可进行数据读出。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于高端(RFID)125K/13.56M的双频、多协议电子标签，属于大规模集成电路设计技术领域。可支持125K/13.56M射频模式。
背景技术
目前ISO/工EC、ISO11784/11785通信标准的低频RFID芯片具有良好的对水、肉体等可导媒介的穿透力，而速度、距离、抗冲突性较差，而高频RFID芯片则正好相反。如何充分利用两种频率的特性，扬长避短，我们创造性地将低频和高频两种频率(13.56&125K)特性集成在同一枚芯片上，使得这种双频系统同时具有了低频可穿透性和高频良好的距离、速度、抗冲突性。在这种既要完全实现支持多协议、双频的RFID芯片自身同是还要满足支持单协议读写设备；最终增加了本产品的开发难度。
发明内容
目前的高频射频芯片普遍采用13.56M射频，其特征在13.56M射频模式下，其接口规范部分完全兼容ISO-14443A协议的1和2。而在125K射频模式下，其接口规范方面完全兼容ATMEL公司的EM4100芯片。同时支持RFID中间件的开发，开发支持多协议读写 器、满足各行业RFID应用标准的传输协议，内嵌64BitEEPROM，在13.56M模式下可对其进行数据读写，在125K模式下可进行数据读出。
本发明的具体技术方案如下：
基本框图
说明书附图(图1)
设计指标
1)当testfuse引脚接地时，ID4100工作于13.56M射频模式，此模式下芯片支持ISO14443A协议的1和2部分。可使用标准的RC500射频芯片对其发送专用读写命令，进行EEPROM数据初始化。
2)当Testfuse引脚悬空时，ID4100工作于125K射频模式，此模式下芯片完全兼容ATMEL公司的EM4100芯片。可使用标准的125K只读卡机对其进行数据读取。
3)指令定义：
a)13.56M模式下读：将EEPROM内的64Bit数据全部读出
b)13.56M模式下写：写入64Bit数据到EEPROM内
c)125K模式下默认读：循环读取EEPROM内的64Bit数据
4)工作距离：满足标准EM4100的读距离
5)13.56M射频模式下，写入64Bit数据及读出校验的总共时间＜=300ms
指令接口
1)读指令：卡机发送代码30+ADDR，ID4100读取EEPROM内相应地址数据，然后串行按从低到高的顺序发送，交互过程中每个字节后面都插入一个奇偶校验位，但是ID4100将不做校验功能。如果指令有误，则返回1010标志。
附图说明
说明书附图1是芯片结构电路版图。图中标号1、2、3、4、5所指芯片接口意义说明，其中：1是射频天线接口RF1端，2是接地端，3是VDD端，4是测试端Testfuse，5是射频天线接口RF2端。
说明书附图2是芯片逻辑原理框图。图中RF1端、接地端、VDD 端、Testfuse、RF2端依次对应图1标号1、2、3、4、5；其意义与图1标号所指芯片接口意义说明内容相同。
Claims (5)
1.ID4100为一款双模射频RFID，分为125K射频模式及13.56M射频模式。根据权利要求1所述的双频工作模式，其特征在125K射频模式下，其接口规范方面完全兼容ATMEL公司的EM4100芯片。
2.根据权利要求1所述的双频工作模式，其特征在13.56M射频模式下，其接口规范部分完全兼容ISO-14443A协议的1和2。
3.根据权利要求1所述的双频工作模式，其特征是在于内嵌BitEEPROM在13.56M模式下可对其进行数据读写，可使用标准的RC500射频芯片对其发送专用读写命令，进行EEPROM数据初始化。
4.根据权利要求1所述的双频工作模式，其特征是在于内嵌BitEEPROM，在125K射频模式下芯片，可使用标准的125K只读卡机对其进行数据读取。
5.专用于物联网及高端防伪技术对应用系统安全性要求的“仿真蛋白多肽基因工程制作RFID安全信息体技术”，作为设计制作RFID芯片的认证和区块访问权限环节，包括多密码子可软配置混沌流密结构创新，可软配置访问控制结构创新。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310455503.3A CN104517133A (zh) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 支持多协议的双频rfid芯片技术 |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104517133A true CN104517133A (zh) | 2015-04-15 |
Family
ID=52792399
Family Applications (1)
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| CN201310455503.3A Pending CN104517133A (zh) | 2013-09-30 | 2013-09-30 | 支持多协议的双频rfid芯片技术 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104517133A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11481595B2 (en) | 2020-12-18 | 2022-10-25 | Nxp B.V. | Dual system RFID tag |
| US11748590B2 (en) | 2020-12-18 | 2023-09-05 | Nxp B.V. | RFID tag with impedance tuning,and method of impedance tuning of an RRID tag |
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2013
- 2013-09-30 CN CN201310455503.3A patent/CN104517133A/zh active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| US11748590B2 (en) | 2020-12-18 | 2023-09-05 | Nxp B.V. | RFID tag with impedance tuning,and method of impedance tuning of an RRID tag |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150415 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |