CN104488073A - 半导体处理系统中的高采样率传感器缓冲 - Google Patents
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Abstract
本发明的实施方式针对半导体处理系统中以高采样率缓冲来自各种传感器的数据的系统及/或方法。此类采样可提供关于诊断系统中导致处理故障的条件的处理的较佳数据。
Description
相关专利申请的交叉引用
本申请主张于2012年6月12日提交且标题为“High Sampling Rate SensorBuffering in Semiconductor Processing Systems”的美国临时专利申请案第61/658,622号的权益，该美国临时专利申请案出于所有目的以全文引用的方式并入本文。
背景技术
半导体处理系统是执行各种复杂处理的复杂系统。因为系统及/或处理的复杂性，可因硬件或软件失灵相关的任何数目的原因而发生故障。
发明内容
在此专利中使用的术语“发明”、“该发明”、“此发明”及“本发明”意欲广泛指代此专利及下文专利权利要求的所有主题。应理解，含有这些术语的陈述不应限制本文所描述的主题或限制下文专利权利要求的含义或范围。由下文的权利要求界定此专利所覆盖的本发明的实施方式，而非由此发明内容界定。此发明内容为本发明的各种态样的高级概述，且引入在下文的【具体实施方式】部分中进一步描述的概念中的一些。此发明内容既不意欲识别所要求保护的主题的关键或实质特征，亦不意欲独立使用以确定所要求保护的主题的范围。应以参考此专利的整个说明书、所有附图及各个权利要求的方式理解该主题。
本发明的实施方式是针对半导体处理系统中用高采样率(sample rate)缓冲从一或更多个传感器接收的原始数据的系统及/或方法。此类采样可提供关于半导体处理系统中的故障原因的较佳数据。本发明的一些实施方式包括半导体处理系统，所述半导体处理系统具有测量各种处理条件的多个传感器、耦接至所述多个传感器的至少一个分组的缓冲器及与缓冲器耦接的长期储存装置。缓冲器可用于以高采样率从该分组的传感器收集原始数据。
论及这些说明性实施方式，并非意在限制或界定本揭示案，而是提供实例以帮助本揭示案的理解。在【具体实施方式】中将论述额外实施方式及提供进一步描述。可通过检验此说明书或通过实践所呈现的一或更多个实施方式来进一步理解各种实施方式中的一或更多者提供的优点。
附图的简要说明
当参阅附图阅读以下【具体实施方式】时，将更好地理解本揭示案的这些及其它特征、态样及优点。下文将参阅以下附图详细描述本发明的说明性实施方式：
图1是根据本发明的一些实施方式的传感器系统的方块图。
图2是根据本发明的一些实施方式的用于缓冲传感器数据的处理的流程图。
图3图示根据本发明的一些实施方式的示例性电弧检测系统。
图4图示根据本发明的一些实施方式的另一示例性电弧检测系统。
图5图示可用于实施本发明的实施方式的计算系统的简化方块图。
具体实施方式
本文利用特定性描述本发明的实施方式的主题以满足规定的要求，但是此描述未必意欲限制权利要求的范围。所要求保护的主题可以其它方式实施，可包括不同元件或步骤，且可连同其它现有或未来技术一起使用。不应将此描述解译为各种步骤或元件之间隐含任何特定次序或配置，除非明确描述个别步骤的次序或元件的配置的情况下。
半导体制造系统可因硬件或软件失灵而发生故障。许多故障可能很难清除，因为发生故障时可能丢失一些诸如给定传感器的状态之类的信息。依靠该故障，传感器信息可能在诊断故障原因方面是有用的。本发明的实施方式可用于以高采样率缓冲传感器数据以确保传感器信息可用来诊断故障。
本发明的实施方式是针对半导体处理系统中用高采样率缓冲来自各个传感器的数据的系统及/或方法。此类采样可提供关于诊断系统中导致处理故障的条件的处理的较佳数据。
图1图示根据本发明的一些实施方式的传感器系统100的方块图。传感器系统100可用于(例如)任何处理系统中；例如，半导体处理系统、太阳能电池阵列处理系统、显示器处理系统、电池处理系统等等。如其它实例，传感器系统100可用于处理系统的各个阶段或部分，诸如线前(front-of-the-line)处理、沉积处理、移除处理、蚀刻处理、图案化处理、改性处理(modification process)、三维印刷处理、线后(back-of-the-line)处理、晶片测试及其它。举例而言，沉积处理可包括物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)、化学气相沉积(chemical vapor deposition；CVD)、电化学沉积(electrochemical deposition；ECD)、分子束外延法(molecular beam epitaxy；MBE)及/或原子层沉积(atomiclayer deposition；ALD)系统及其它。举例而言，移除处理可包括湿式蚀刻、干式蚀刻及/或化学机械平坦化(chemical-mechanical planarization；CMP)及其它。举例而言，图案化处理可包括传统的平版印刷术、光刻、步进处理(stepperprocess)及/或等离子体灰化及其它。举例而言，改性处理可包括掺杂处理、热氧化及/或退火(包括快速热退火)及其它。
传感器系统100可包括与硬盘驱动器110耦接的缓冲器105。缓冲器105可包括可与诸如(例如)传感器120、传感器121及/或传感器122的传感器电气连接的输入。亦可使用连接器来连接一或更多个传感器与一或更多个缓冲器输入。控制器140可用于控制缓冲器105及/或硬盘驱动器110的操作。
缓冲器105可为临时储存传感器数据的任何存储器，该数据随后储存于硬盘驱动器110中。缓冲器105可包含任何类型的存储装置，诸如(例如)RAM。缓冲器105可包含与多个传感器耦接的单个缓冲器或与单个传感器耦接的单个缓冲器。此外，缓冲器105可包括多个缓冲器，这些缓冲器每一个与多个传感器之一耦接。
在一些实施方式中，在操作中，缓冲器105能够储存可经数字化的原始传感器数据。此原始传感器数据可能包括或可能不包括处理信息。缓冲器105亦可在缓冲器105内部储存计数器或计时数据。处理信息可为数据收集时间、日期信息、传感器信息、处理系统信息、工具信息、处理方法信息、制造信息、处理位置、操作者信息、数据单元等等。当将原始传感器数据写至硬盘驱动器110时，可连同任何或所有处理信息储存传感器数据。
此外，当将原始传感器数据写至硬盘驱动器110时，可将原始传感器数据格式化至预定或可选的格式化类型。传感器经常产生如电压、电阻或其它原始值的原始传感器数据。在此类情况下，可使用方程式及/或表将原始传感器数据从原始值转换至具有物理意义的值。举例而言，温度传感器可包括产生电压的热电偶。在操作中，可以高采样率对热电偶的电压采样及将该电压储存在缓冲器105中。控制器140可使用方程式及/或表将储存于缓冲器105中的电压值转换至温度值。
在操作中，缓冲器105可以比每微秒100(比特)位、每微秒10位或每微秒1位快的速率储存来自一或更多个传感器的原始传感器数据。举例而言，缓冲器105的此采样率可高于硬盘驱动器110的采样率。传感器系统100中可包括各种其它部件；例如，可在传感器与缓冲器105之间安置一或更多个模拟数字转换器以数字化模拟传感器数据。
举例而言，缓冲器105可包括两个缓冲器，其中的每一缓冲器被指派给单独传感器。举例而言，一个缓冲器可缓冲来自温度传感器的数据，并且另一缓冲器可缓冲来自流量传感器的原始数据。在具有多个传感器的实施方式中，可使用多个缓冲器。
在其它实施方式中，可使用单个缓冲器。举例而言，温度传感器及流量传感器可耦接至单个缓冲器。可在第一缓冲器位置以原始电阻值储存原始温度传感器数据，且可在第二缓冲器位置以原始电压值储存原始流量数据。在一些实施方式中，当将经缓冲的数据写至硬盘驱动器110时，可使用控制器140将原始电阻值转换至温度，该温度随后储存于硬盘驱动器中。在其它实施方式中，原始值可储存在硬盘驱动器110中。
在一些实施方式中，亦可利用时间戳(或计数器)在硬盘驱动器中储存原始传感器数据，该时间戳(或计数器)基于(例如)开始记录数据的时间、经缓冲的样本的数目及采样率将数据或各个数据要素关联至收集数据的时间。任何其它处理信息(上文或其它方面所描述)亦可与经采样的数据一起储存在硬盘驱动器中。此外，可格式化原始数据(例如)来配合表内部，以使位或字节具有特定长度，可标记原始数据，可为原始数据指派某类型的信息签等等。
在一些实施方式中，当处理系统正在操作时，缓冲器105可将从传感器收集的数据写至硬盘驱动器。在其它实施方式中，在已经检测到故障之后，缓冲器105可连续地收集数据且将经收集的数据写至硬盘驱动器。在此实施方式中，当正在收集数据时，较旧数据正从缓冲器删除。为了确保收集到足够的数据，可能需要缓冲器105具有充足的存储器，以撷取及缓冲经收集的数据达所需要时段，例如5分钟、10分钟、15分钟、20分钟、25分钟、30分钟、35分钟、40分钟、45分钟、50分钟、55分钟或60分钟。尽管如此，在一些实施方式中，在某点可在硬盘驱动器110中储存来自一或更多个传感器的储存于缓冲器105中的数据。
硬盘驱动器110可包括任何类型的长期储存装置。举例而言，硬盘驱动器110可包含储存服务器、RAM、云储存(cloud storage)等等。
传感器(传感器120、传感器121及/或传感器122)可包括任何类型的传感器。举例而言，一或更多个传感器可测量处理腔室内部的大气条件，诸如温度、湿度或压力。如另一实例，一或更多个传感器可测量进入处理腔室及/或从处理腔室排出的气流、供应至腔室的直流电功率、腔室内部的直流电功率、腔室内部的RF功率、电流消耗(current draw)等等。如另一实例，一或更多个传感器可测量各种部件(诸如基板支撑结构、基板载体及/或其它加工部件)的位置及/或移动。此外，如另一实例，传感器可测量各种马达的转矩及/或速度。如又一实例，一或更多个传感器可测量各种环境条件中的任何条件，诸如热、辐射、声音及/或振动。如另一实例，一或更多个传感器可感测处理腔室内部、管道内部及/或箱槽内部的压力、流量、温度及/或化学品及/或气体量。如又一实例，一或更多个传感器可测量各种处理条件，诸如晶片厚度、晶片尺寸、晶片均匀性、晶片抛光等等。可使用各种其它传感器而无需限制。
传感器系统100亦可包括可用于提供传感器信息的输出135。此可通过此项技术中任何已知技术来实现；例如，可将数据发送电子邮件至生产单位或制造商的工程师或科学家。如另一实例，数据可储存在位于计算机系统或云端储存位置的文件中。随后可由操作者、工程师或科学家经由计算机网络(例如，因特网)存取数据。
图2图示根据本发明的一些实施方式的用于缓冲传感器数据的处理200的流程图。处理200从方块205处开始。在方块210处，可将传感器数据写至缓冲器。可从多个传感器(例如，传感器120、传感器121及/或传感器122)中的至少一个传感器收集此传感器数据。可以快速采样率将此传感器数据写至缓冲器。在方块215处，可将来自缓冲器的数据写至硬盘驱动器。将来自缓冲器的数据写至硬盘驱动器的速率可慢于将数据从传感器写至缓冲器的速率，及/或可将一些数据写至硬盘驱动器110的同时将其它数据写至缓冲器105。
在方块220处，可确定是否已发生故障。此情况可以众多方式发生。举例而言，管理处理系统的工程师(或任何其它工人)可人工确定故障已发生，或处理系统可根据来自系统内部的一或更多个传感器的数据确定故障已发生。若确定并无故障，则处理200返回至方块210及方块215。若确定存在故障，则不管是如何确定的，处理200前进至方块225，且将记录于硬盘驱动器中的数据输出至用户。此情况可以任何数目的方式实现。在一些实施方式中，在将数据输出至用户之前，可能需要等待从缓冲器写至硬盘驱动器的数据，以确保已将所有数据写至硬盘驱动器。处理200可结束于方块230处。
图3图示可用于本发明的实施方式中的处理系统300的实例。处理系统300可包括一对FOUP(前开式标准舱(front opening unified pods))302以供应基板(例如，300mm直径的晶片)，这些基板由机器人臂304接收且在将基板放入晶片处理腔室307a至307f之前将基板放入低压保持区域中。可配备各个处理腔室307a至307f以执行众多基板处理操作，这些处理操作除循环层沉积(cyclical layer deposition；CLD)、原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)、PVD、蚀刻、预清洁、脱气(degas)、定向(orientation)及其它基板处理之外亦包括本文所描述的远程等离子体处理。
处理腔室307a至307f可包括用于在基板晶片上沉积、退火、固化及/或蚀刻的一或更多个系统部件。在一个配置中，可使用两对处理腔室(例如，处理腔室307c至307d及处理腔室307e至307f)以在基板上沉积介电材料，且可使用第三对处理腔室(例如，处理腔室307a至307b)以蚀刻经沉积的电介质。在另一配置中，可配置所有三对腔室(例如，腔室307a至307f)以在基板上提供蚀刻处理。可在与不同实施方式中所示的制造系统分离的一或更多个腔室上进行任何一或更多个所描述的处理。
每个处理腔室(例如，处理腔室307a)可包括基板支撑件(例如，基板支撑件308a)，该基板支撑件经配置以在处理期间于处理腔室内支撑基板。举例而言，基板支撑件308a可为静电卡盘(electrostatic chuck；ESC)，该静电卡盘在处理腔室307a内固持及支撑基板。除基板支撑件之外，每个处理腔室(例如，处理腔室307a)亦可包括至少一个传感器(例如，传感器309a)，该传感器经配置以测量与发生于处理腔室(例如，处理腔室307a)内部的基板处理相关联的一或更多个临界参数(critical parameter)，以产生表示经测量的参数的模拟输出信号。
系统控制器310用于控制马达、阀门、流量控制器、电源及处理系统实施处理方法所需要的其它功能。系统控制器310可依靠来自光学传感器的反馈来确定及调整处理腔室307a至307f中可移动机械总成的位置。机械总成可包括机器人、节流阀及基座，这些元件在系统控制器310的控制下由马达移动。系统控制器310可包括传感器系统100。
在一些实施方式中，系统控制器310包括存储器(例如，硬盘驱动器)、输入与输出端口及处理器。系统控制器310可包括模拟与数字输入/输出板、接口板及步进马达控制器板。多腔室处理系统的各个部分由系统控制器310控制。系统控制器执行呈储存于计算机可读介质上的计算机程序的形式的系统控制软件，这些计算机可读介质诸如硬盘、软盘或闪存姆指驱动器。亦可使用其它类型存储器。计算机程序包括指示计时、气体的混合、腔室压力、腔室温度、RF功率水平、基座位置及特定处理的其它参数的指令组。
处理腔室(例如，处理腔室307a)可为任何类型的处理腔室。一个实例为图4中图示的PECVD腔室。PECVD腔室400包括侧壁402、底壁404及腔室盖406，该三者共同界定处理区域408。气体分配系统410穿过腔室盖406而安置以传递气体进入处理区域408。气体分配系统410包括具有进气口414的气体箱412，该进气口接收来自前驱物源411的处理气体且将处理气体引入气体箱412。气体分配系统410亦包括具有多个气体通道418的喷淋头416，以用于将来自气体箱412的处理气体分配到处理区域408中。气体分配系统410亦可包括气体箱加热器420(诸如，环状电阻加热器)以加热处理气体至所要温度。
喷淋头416耦接至RF电源422以提供电能至喷淋头416，以便促进处理区域408内的等离子体形成。因此，喷淋头416充当经供电的上部电极。自动调谐RF匹配网络424定位于RF电源422与喷淋头416之间。在一个实施方式中，以约23.56MHz的频率供应RF功率。
底壁404界定针对杆428的通道426，该杆428支撑底座加热器430。底座加热器430经配置以在处理区域408内支撑基板401。底座加热器430包括嵌入在加热器内的接地网格(ground mesh)432，该接地网格连接至RF地。因此，接地网格432充当接地电极以促进在喷淋头416与底座加热器430之间的处理区域408内的等离子体形成。底座加热器430亦包括一或更多个加热元件434(诸如，电阻加热元件)以加热基板401至所要处理温度。
包括中央处理单元(central processing unit；CPU)452、存储器454及支持电路456的控制系统450耦接至腔室400的各个部件以促进腔室400内部的处理控制。存储器454可为任何计算机可读介质，诸如随机存取存储器(randomaccess memory；RAM)、只读存储器(read only memory；ROM)、软盘、硬盘或任何其它形式的数字储存器，这些计算机可读介质针对腔室400或CPU 452为本地或远程。支持电路456耦接至CPU 452，以用于以传统方式支持CPU 452。这些电路包括高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路及子系统以及类似者。当CPU 452执行储存于存储器454内的软件例程(routine)或一系列程序指令时，此举引起腔室400在腔室内执行等离子体处理。控制系统450亦可包括传感器系统100。
可得益于本发明的沉积腔室包括经配置以沉积氧化物(诸如掺杂碳的氧化硅)、含硅膜以及包括高级图案化薄膜(advanced patterned film；APF)的其它介电材料的腔室。沉积腔室的实例为可购自Applied Materials,Inc.(应用材料公司)(Santa Clara,Calif)的PRODUCERTM腔室。PRODUCERTM腔室为具有两个隔离处理区域的PECVD腔室，这些区域可用于沉积掺杂碳的氧化硅及其它材料。在美国专利第5,855,681号中描述一种腔室的一个实例，该专利案全文以引用的方式并入本文。尽管将腔室400示意地描述为PECVD腔室，但本发明的使用可与诸如等离子体蚀刻、PVD的其它腔室或任何其它类型的腔室同等有效。
图5中所示的计算机系统500可用于执行本发明的实施方式的任一实施方式。举例而言，计算机系统500可用于执行方法200。如另一实例，传感器系统300可包括计算机系统500的全部或部分。如又一实例，计算机系统500可用于执行本文所描述的任何计算、识别及/或确定。计算机系统500包括可经由总线505电气地耦接(或视情况可以其它方式通信)的硬件元件。
计算机系统500图示为具有经由总线526电气地耦接的硬件元件。网络接口552可将计算装置500与另一计算机通信地耦接，例如，经由诸如因特网的网络。硬件元件可包括控制器340、输入装置504、输出装置506、硬盘驱动器340、计算机可读存储介质读取器510a、通信系统514、处理加速单元516(诸如DSP或专用处理器)及存储器518。计算机可读存储介质读取器510a可进一步连接至计算机可读存储介质510b，该组合综合表示远程、本地、固定及/或可移除的储存装置加上用于临时及/或更永久含有计算机可读信息的存储介质。缓冲器105与总线526耦接。
计算机系统500亦可包含如展示为当前位于工作存储器520内部的软件元件，这些软件元件包括操作系统524及其它程序代码522，诸如经设计以实施本文所描述的方法及/或处理的程序。在一些实施方式中，其它程序代码522可包括如下软件，该软件提供用于接收来自双极化雷达系统的用户输入并操控根据本文所揭示的各种实施方式的数据的指令。在一些实施方式中，任何软件元件或程序代码可为非暂时性(non-transitory)。对本领域的技术人员将显而易见的是，根据具体需要可使用实质性变化。举例而言，亦可能使用定制硬件及/或可能在硬件、软件(包括诸如小程序之类的便携式软件)或两者中实施特定元件。进一步，可使用至诸如网络输入/输出装置的其它计算装置的连接。
计算系统500可进一步包括一或更多个储存装置525(及/或与一或更多个储存装置525通信)，这些储存装置525可包括(而不限于)本地及/或网络可存取储存器及/或可包括(而不限于)磁盘驱动器、驱动器阵列、光学储存装置、诸如随机存取存储器(“RAM”)及/或只读存储器(“ROM”)的固态储存装置，这些储存装置可为可编程、可快闪更新(flash-updateable)储存装置及/或类似储存装置。计算系统500亦可能包括通信子系统530，该通信子系统530可包括(而不限于)调制解调器、网卡(无线或有线)、红外通信装置、无线通信装置及/或芯片组(诸如蓝牙装置、802.6装置、WiFi装置、WiMax装置、蜂窝通信设备等等)及/或类似装置。通信子系统530可容许与网络(诸如下文所描述的网络，作为一个实例)及/或本文所描述的任何其它装置交换数据。在众多实施方式中，计算系统500将进一步包括工作存储器535，该工作存储器535可包括RAM或ROM装置，如上文所描述。
计算系统500亦可包括如展示为当前位于工作存储器535内部的软件元件，这些软件元件包括操作系统540及/或诸如一或更多个应用程序545的其它程序代码，这些软件元件可包括本发明的计算机程序及/或可经设计以实施本发明的方法及/或配置本发明的系统，如本文所描述。举例而言，针对上文讨论的一或更多种方法所描述的一或更多个过程可实施作为由计算机(及/或计算机内部的处理器)可执行的程序代码及/或指令。一组这些指令及/或程序代码可储存在诸如上文所描述的一或更多个储存装置525的计算机可读存储介质上。
在一些情况下，存储介质可并入计算系统500内或存储介质可与计算系统500通信。在其它实施方式中，存储介质可与计算系统500分开(例如，诸如光盘之类的可移除介质等等)及/或提供在安装包中，以使得存储介质可用于用上面储存的指令/程序代码对通用计算机编程。这些指令可采取可由计算系统500执行的可执行程序代码的形式及/或可采取源代码及/或可安装程序代码的形式，该源代码及/或可安装程序代码在计算系统500上编译及/或安装(例如，使用各种通常可用的编译程序、安装程序、压缩及/或解压实用工具等等中的任一者)之后再采取可执行程序代码的形式。
可能有附图中所描述或上文所描述的元件的不同配置以及未图示或未描述的部件及步骤。类似地，一些特征及子组合是有用的，且可使用这些特征及子组合而无需参考其它特征及子组合。出于说明性及非限制性目的已描述本发明的实施方式，且替代实施方式对此专利的读者来说将变得显而易见。因此，本发明不受限于上文所描述或附图中所描述的实施方式，且可在不脱离以下权利要求的范围的情况下做出各种实施方式及修改。
本文阐述众多具体细节以提供对所要求保护的主题的透彻理解。然而，本领域的技术人员将理解，可实施所要求保护的主题而无需这些具体细节。在其它情况下，并未详细描述会是本领域的普通技术人员所知的方法、设备或系统，以免模糊所要求保护的主题。
一些部分根据对储存于诸如计算机存储器的计算系统存储器内部的数据位或二进制数字信号进行运算的算法或符号标记来呈现。这些演算描述或标记是数据处理领域中那些普通技术人员所使用的技术的实例，以传达该领域的普通技术人员工作的实质内容给该领域的其他技术人员。算法是导致所要结果的一系列自兼容操作(self-consistent sequence of operations)或类似处理。在此情形下，操作或处理涉及物理量的实体操控。通常，尽管并非必需，这些量也可采取能够被储存、传送、组合、比较或以其它方式受到操控的电气或磁信号的形式。已多次证明以位、数据、值、元件、符号、字符、术语、数目、数字或类似者指代此类信号的便利性(主要出于共有用途的原因)。然而，应理解，所有这些及类似术语将与适当物理量相关联且仅是便利的标记。应了解，除非明确陈述，否则贯穿此说明书，利用诸如“处理”、“计算(computing)”、“计算(calculating)”、“确定”及“识别”的术语或类似者的论述指的是诸如一或更多个计算机或者一或多个类似电子计算装置的计算装置的动作或处理，这些动作或处理操控或变换表示为计算平台的存储器、寄存器或其它信息储存装置、传输装置或显示装置内部的实体电子或磁性量的数据。
本文所论述的一或更多种系统不受限于任何特定的硬件架构或配置。计算装置可包括部件的任何适宜的配置，该配置提供取决于一或更多个输入的结果。适宜的计算装置包括基于微处理器的多用途计算机系统，这些计算机系统存取经储存的软件，该软件将计算系统从通用计算设备编程或配置成实施本主题的一或更多个实施方式的专用计算设备。可使用任何适宜的编程、脚本或其它类型的语言或语言组合来实施本文软件内所含有的将用于对计算装置编程或配置的教导。
可在这样的计算装置的操作中执行本文所揭示的方法的实施方式。可变化以上实例中所呈现的方块的次序，例如，方块可重新排序、组合及/或分裂成子方块。可并行执行某些方块或处理。
本文“经调适以”或“经配置以”的用法意为开放及包括性语言，并非排除经调适或经配置以执行额外任务或步骤的装置。另外，“基于”的用法意为开放及包括性的，从而“基于”一或更多个所列举的条件或值的处理、步骤、计算或其它动作可实际上基于超出所列举的这些条件或值的额外条件或值。本文所包括的标题、清单及编号仅便于说明且并不意谓限制。
尽管关于本发明的特定实施方式已详细描述本主题，应将了解，本领域的技术人员在获得上述的理解后可易于产生此类实施方式的变更、变化及等效者。因此，应理解，呈现本揭示案的目的在于实例而非限制，且本揭示案并不排除包括这些对本主题的修改、变化及/或附加，此情况对本领域的普通技术人员应会轻易地显而易见。
Claims (15)
1.一种半导体处理系统，所述系统包含：
多个传感器，所述多个传感器测量所述半导体处理系统的物理条件；
缓冲器，所述缓冲器与所述多个传感器的至少一分组电气地耦接以储存传感器数据；以及
长期储存装置，所述长期储存装置与所述缓冲器电气地耦接以储存在所述缓冲器处储存的数据，且其中所述长期储存装置具有比所述缓冲器的采样率更小的采样率。
2.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述多个传感器中至少两个传感器测量所述半导体处理系统的不同物理条件。
3.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包含数字模拟转换器，所述数字模拟转换器耦接于所述多个传感器中至少一个传感器与所述缓冲器之间。
4.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述缓冲器包含多个缓冲器。
5.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述缓冲器包含RAM。
6.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述缓冲器以大于每微秒1位的速率储存所述传感器数据。
7.如权利要求1所述的半导体处理系统，其中所述缓冲器以大于每微秒100位的速率储存所述传感器数据。
8.如权利要求1所述的半导体处理系统，进一步包含处理器，所述处理器与所述缓冲器及所述长期储存装置耦接。
9.一种用于在半导体处理系统中感测环境条件的方法，所述方法包含以下步骤：
在缓冲器内以第一采样率储存传感器数据；
接收故障事件；以及
响应于接收所述故障事件，将储存于所述缓冲器内的所述传感器数据以第二采样率储存入硬盘驱动器。
10.如权利要求9所述的方法，进一步包含以下步骤：从至少两个传感器接收传感器数据，这些传感器测量半导体处理系统的不同物理条件。
11.如权利要求9所述的方法，进一步包含数字模拟转换器，所述转换器耦接于所述多个传感器中至少一个传感器与所述缓冲器之间。
12.如权利要求9所述的方法，其中所述缓冲器包含多个缓冲器。
13.如权利要求9所述的方法，其中所述缓冲器包含RAM。
14.如权利要求9所述的方法，其中传感器数据是以大于每微秒1位的采样率储存在所述缓冲器内。
15.如权利要求9所述的方法，其中所述传感器数据是以大于每微秒100位的采样率储存在所述缓冲器内。
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