CN104485283A - 薄膜晶体管的制造方法及制造薄膜晶体管的设备 - Google Patents

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Abstract

薄膜晶体管的制造方法及制造薄膜晶体管的设备，该制造方法包括以下步骤。在基板上依序形成栅极以及绝缘层。在绝缘层上形成源极以及漏极。在栅极上方的绝缘层上涂布金属氧化物前趋物溶液。通入气体，其中气体不与金属氧化物前趋物溶液反应。对金属氧化物前趋物溶液进行照光程序，以使得金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成金属氧化物半导体材料。

Description

薄膜晶体管的制造方法及制造薄膜晶体管的设备
技术领域
本发明是有关于一种半导体组件的制造方法及工艺设备，且特别是有关于一种薄膜晶体管的制造方法及工艺设备。
背景技术
随着现代信息科技的进步，各种不同规格的显示器已被广泛地应用在消费者电子产品的屏幕之中，例如手机、笔记型计算机、数字相机以及个人数字助理(PDA)等。在这些显示器中，由于液晶显示器(LCD)及有机电激发光显示器(OELD或称为OLED)具有轻薄以及消耗功率低的优点，因此在市场中成为主流商品。LCD与OLED的工艺包括将半导体组件数组排列于基板上，而半导体组件包含薄膜晶体管(TFT)以及像素结构。
由于工艺简单及低成本因素等考虑，使用溶液态金属氧化物半导体(solution type metal oxide semiconductor)来制造薄膜晶体管为相当具有前瞻性的技术。然而，使用溶液态金属氧化物半导体来制造薄膜晶体管的技术，习知上仍需要高温热处理至500～600℃的工艺而造成的高成本负荷的问题。
发明内容
本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法及及制造薄膜晶体管的设备，其适用于在低温下使溶液态半导体发生光催化交联反应的工艺步骤，并且可以制造出具有高稳定性的薄膜晶体管。
本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包括以下步骤。在基板上依序形成栅极以及绝缘层。在绝缘层上形成源极以及漏极。在栅极上方的绝缘层上涂布金属氧化物前趋物溶液。通入气体，其中气体不与金属氧化物前趋物溶液反应。对金属氧化物前趋物溶液进行照光程序，以使得金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成金属氧化物半导体材料。
其中，该气体包括惰性气体及/或氮气。
其中，通入该气体的气体流量为100至500m3/hr。
其中，于进行该照光程序时，更包括进行一排气步骤以使得该气体被带离该金属氧化物前趋物溶液或该金属氧化物半导体材料，且该排气步骤的排气量为100至500m3/hr。
其中，该金属氧化物前趋物溶液包括2-甲氧基乙醇、金属卤化物、金属醋酸化合物或金属硝酸化合物。
其中，先在该绝缘层上形成该源极以及该漏极之后，再于该源极以及该漏极之间的绝缘层上形成该金属氧化物前趋物溶液。
其中，先在该绝缘层上形成该金属氧化物前趋物溶液，且使得该金属氧化物前趋物溶液形成该金属氧化物半导体材料之后，再于该绝缘层上形成源极以及漏极。
本发明更提供一种制造薄膜晶体管的设备，包括腔室、照光源、气体通入装置及排气装置。照光源位于腔室内，且照光源的作用为对栅极上方的绝缘层上的金属氧化物前趋物溶液进行照光程序，以使得金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成金属氧化物半导体材料。气体通入装置连接于腔室的侧壁，用以在照光程序进行之前或同时通入气体，其中所通入的气体不与金属氧化物前趋物溶液反应。排气装置，连接于腔室的另一侧壁。
其中，该薄膜晶体管包括该栅极、覆盖该栅极的该绝缘层、位于该绝缘层上的一源极以及一漏极，且该金属氧化物前趋物溶液是涂布在该源极以及该漏极之间。
其中，该薄膜晶体管包括该栅极以及覆盖该栅极的该绝缘层，且该金属氧化物前趋物溶液是涂布在该栅极上方的该绝缘层上。
其中，该气体包括一惰性气体及/或氮气。
其中，该气体通入装置通入该气体的气体流量为100至500m3/hr。
其中，该排气装置的排气量为100至500m3/hr。
其中，该金属氧化物前趋物溶液包括2-甲氧基乙醇、金属卤化物、金属醋酸化合物或金属硝酸化合物。
基于上述，在本发明的薄膜晶体管的制造方法中，由于对金属氧化物前趋物溶液进行照光程序，故后续只需要低温热工艺即可使得金属氧化物前趋物溶液转变为金属氧化物半导体材料。此外，由于所通入的气体不与金属氧化物前趋物溶液反应且可避免其它物质与其反应形成副产物，故可形成具有高键结密度的金属氧化物的金属氧化物半导体材料，且因此能够提高薄膜晶体管的稳定性。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A至图1E是依照本发明的第一实施例的一种薄膜晶体管的制造方法的示意图。
图2A至图2E是依照本发明的第二实施例的一种薄膜晶体管的制造方法的示意图。
图3是依照本发明一实施例的一种薄膜晶体管的工艺设备的示意图。
图4A及图4B分别是本发明实例的薄膜晶体管经过正偏压及负偏压的电性测试所得的电流-电压图。
图5A及图5B分别是传统的薄膜晶体管经过正偏压及负偏压的电性测试所得的电流-电压图。
图6是本发明实例的薄膜晶体管经过电性测试所得的电流-电压图。
图7是传统的薄膜晶体管经过电性测试所得的电流-电压图。
其中，附图标记：
100、200、325：薄膜晶体管
110、320：基板
120：栅极
130：绝缘层
140、240：源极
140'、240'：漏极
150、250：金属氧化物前趋物溶液
155、255：金属氧化物半导体材料
160、360：气体
170：照光程序
180：有机绝缘层
300：薄膜晶体管的工艺设备
302：腔室
304、306：侧壁
310：载具
312：载台
314：支撑件
330：气体通入装置
335：排气装置
365：混合气体
370：照光源
具体实施方式
以下列举各种实施例以说明本发明的薄膜晶体管的制造方法。
第一实施例
图1A至图1E是依照本发明的第一实施例的一种薄膜晶体管的制造方法的示意图。请参照图1A，提供基板110，并且在基板110上依序形成栅极120以及绝缘层130。基材110例如是玻璃基板、石英基板、有机聚合物基板或是金属基板等等。栅极120的材料例如是金属、金属合金、金属氧化物、金属氮化物、或者这些物质的组合，尤其是钛(Ti)金属和钨(W)金属的合金，厚度约为280纳米至350纳米，且其形成方法可包括化学或物理气相沉积工艺及图案化程序。绝缘层130的材料例如是氮化硅或是氧化硅，其厚度例如是约300纳米至350纳米，且其形成方法例如是热氧化成膜工艺或是化学气相沉积。
请参照图1B，在绝缘层130上形成源极140以及漏极140'。源极140及漏极140'的材料例如金属、金属合金、金属氧化物、金属氮化物、或者这些物质的组合，尤其是氧化铟锡ITO，其厚度约为75纳米至150纳米，形成方法例如是物理或是化学气相沉积。
请参照图1C，在栅极120上方的绝缘层130上涂布金属氧化物前趋物溶液150。在本实施例中，由于是在绝缘层130上形成140源极以及漏极140'之后，再于绝缘层130上涂布金属氧化物前趋物溶液150，因此部分的金属氧化物前趋物溶液150形成于源极140以及漏极140'之间的绝缘层130上，且部分的金属氧化物前趋物溶液150形成于源极140及漏极140'上。在图1C所绘示的结构中，源极140、漏极140'以及金属氧化物前趋物溶液150可构成共面(coplanar)结构，但是本发明并不以此为限。换句话说，虽然并未绘示，但是金属氧化物前趋物溶液150也可只形成于源极140以及漏极140'之间的绝缘层130上，而不形成于源极140及漏极140'上。更清楚地说，由于金属氧化物前趋物溶液150是后续形成源极140及漏极140'之间的通道的前驱材料，故本发明并不特别限制金属氧化物前趋物溶液150的配置关系，且只要金属氧化物前趋物溶液150能够将源极140连接至漏极140'的配置方式都落于本发明的范畴内。
举例而言，金属氧化物前趋物溶液150例如是溶液态金属氧化物半导体，其是将有机金属前趋物溶解于有机溶剂中，且在受到例如是紫外光照射后可生成金属氧化物的材料。举例而言，金属氧化物前趋物溶液150可包括2-甲氧基乙醇(2-methoxyl ethanol)、金属卤化物(metal halide)、金属醋酸化合物(metal acetate)或金属硝酸化合物(metal nitrate)，或者主要由2-甲氧基乙醇(2-methoxyl ethanol)、金属卤化物(metal halide)、金属醋酸化合物(metalacetate)或金属硝酸化合物(metal nitrate)组成。
接着，请参照图1D，通入气体160，其中气体160不与金属氧化物前趋物溶液150反应且部分的气体160与金属氧化物前趋物溶液150接触。氧体160包含惰性气体、氮气、或是其它不与金属氧化物前趋物溶液150反应的气体，或者氧体160可以主要由惰性气体、氮气、或是其它不与金属氧化物前趋物溶液150反应的气体组成。此外，在通入气体160的过程中，通入气体的气体流量为100至500立方公尺/小时(m3/hr)。
在本实施例中，在通入气体160的同时，对金属氧化物前趋物溶液150进行照光程序170，以使得金属氧化物前趋物溶液150进行光交联反应而形成金属氧化物半导体材料155做为源极140与漏极140'之间的通道。然而，本发明不以此为限，亦可在通入气体160后，再对金属氧化物前趋物溶液150进行照光程序170。以照光反应来进行光催化交联反应(又称光交联反应)，当光催化交联反应不完全时，容易使得金属氧化物的金属离子与氧离子的键结密度过低，进而造成所制造出来的薄膜晶体管稳定性不足的问题。
当藉由照光程序170来进行金属氧化物前趋物溶液150转变为金属氧化物半导体材料155的光交联反应时，可能会产生反应性物质，例如臭氧。这些反应性物质可能会与金属氧化物前趋物溶液150及/或金属氧化物半导体材料155反应而形成不需要的副产物。
因此，若在照光程序170之前及/或同时，通入气体160，则通入的气体160可带走上述的反应性物质(例如是臭氧)，从而避免金属氧化物前趋物溶液150或已形成的金属氧化物与反应性物质(例如是臭氧)发生反应而形成产生副产物。因此，本实施例透过通入气体160以带走反应性物质可使形成的金属氧化物半导体材料155具有高键结密度，且因此提高薄膜晶体管100的稳定性。在照光程序170中，所使用的光例如是185nm及/或254nm的紫外光，且185nm及254nm的紫外光的强度为分别4.1mW/cm2与22mW/cm2。照光程序170的总时程例如是5分钟至10分钟，从而使得金属氧化物前趋物溶液150能够反应为金属氧化物半导体材料155。
在本实施例中，在通入气体160时，更可以进行排气步骤以使得气体160被带离金属氧化物前趋物溶液150或金属氧化物半导体材料155，且排气步骤的排气量例如是100至500m3/hr。此外，上述排气步骤也可以进一步将光交联反应所产生的反应性物质带离金属氧化物前趋物溶液150或金属氧化物半导体材料155。在本实施例中，在形成金属氧化物半导体材料155后，更可对其进行烧结程序以提升金属氧化物半导体材料155中的金属氧化物的键结密度，其中烧结温度例如是350℃以下且烧结时间例如是约1小时。
请参照图1E，在基板110上形成有机绝缘层180，有机绝缘层180的材料例如是聚酯类(PET)、聚烯类、聚丙酰类、聚碳酸酯类、聚环氧烷类、聚苯烯类、聚醚类、聚酮类、聚醇类、聚醛类、其它合适的材料、或上述的组合。之后，再利用各种习知制造方法完成薄膜晶体管100所有制造步骤，以将薄膜晶体管100应用至各种用途。举例而言，在漏极140'上形成一连结至外部电路的ITO层，以使得薄膜晶体管100可做为显示面板中的主动元件等等。
在本发明中，由于在进行照光程序之前及/或同时，通入不与金属氧化物前趋物溶液反应的气体，因此在金属氧化物前趋物溶液形成金属氧化物半导体材料时，所通入的气体带走反应性物质，从而避免金属氧化物前趋物溶液或已形成的金属氧化物与反应性物质反应而形成不需要的副产物，且因此可提高金属氧化物半导体材料中的金属氧化物的键结密度，故可进一步提高薄膜晶体管的稳定性。
第二实施例
图2A至图2E是依照本发明的第二实施例的一种薄膜晶体管的制造方法的示意图。请参照图2A，提供基板110，并且在基板110上依序形成栅极120以及绝缘层130。
请参照图2B，在栅极120上方的绝缘层130上涂布金属氧化物前趋物溶液250。与第一实施例相似，金属氧化物前趋物溶液250可包括2-甲氧基乙醇、金属卤化物、金属醋酸化合物或金属硝酸化合物。
接着，请参照图2C，通入气体160，其中气体160不与金属氧化物前趋物溶液250反应。氧体160包含惰性气体、氮气、或是其它不与金属氧化物前趋物溶液250反应的气体或者氧体160主要是惰性气体、氮气、或是其它不与金属氧化物前趋物溶液250反应的气体所组成，且通入气体的气体流量为100至500m3/hr。在通入气体160的同时及/或之后，对金属氧化物前趋物溶液250进行照光程序170，以使得金属氧化物前趋物溶液250进行光交联反应而形成金属氧化物半导体材料255做为后续的源/漏极之间的通道。此外，在本实施例中，亦进行排气步骤以使得气体160及反应性物质被带离金属氧化物前趋物溶液250及/或金属氧化物半导体材料255，且此排气步骤的排气量为100至500m3/hr。
接着，请参照图2D，在绝缘层上形成源极240以及漏极240'，其中金属氧化物半导体材料255、源极240及漏极240'可构成背通道蚀刻(BCE)结构。除了配置方式不同之外，源极240及漏极240的材料及厚度皆与第一实施例的源极140及漏极140'相似，故在此不再赘述。
本实施例与第一实施例的差异在于：先在绝缘层130上形成金属氧化物前趋物溶液250，且使得金属氧化物前趋物溶液250形成金属氧化物半导体材料255之后，再于绝缘层130上形成源极240以及漏极240'。因此，部分的源极240以及部分的漏极240'配置于金属氧化物半导体材料255上，且金属氧化物半导体材料255做为源极240与漏极240'之间的通道而将源极240连接至漏极240'。
最后，请参照图2E，在基板110上形成有机绝缘层180做为平坦层。之后，再利用各种现有制造方法完成薄膜晶体管200所有制造步骤，以将薄膜晶体管200应用至各种用途。
虽然在上述的实施例中，仅将本发明的制造方法应用于具有共面结构或背信道蚀刻结构的薄膜晶体管中，但是本发明不以此为限。举例而言，更可将本发明的制造方法应用于蚀刻阻文件或信道保护结构中。在IS蚀刻阻文件或信道保护结构中，源/漏极是配置在金属氧化物半导体材料膜层的上方，且源/漏极与金属氧化物半导体材料膜层之间更配置有蚀刻终止层(ESL)。
以下参照图3说明根据本发明的薄膜晶体管的工艺设备。
图3是依照本发明一实施例的一种薄膜晶体管的工艺设备的示意图。请参照图3，薄膜晶体管的工艺设备300包括腔室302、照光源370、气体通入装置330及排气装置335。腔室302具有侧壁304及侧壁306，且在腔室302中设置有载具310。载具310具有支撑件314及载台312，且基板320配置在载台312上。基板320上具有多个薄膜晶体管325，其中基板320例如是玻璃基板、石英基板、有机聚合物基板或是金属基板等等，且薄膜晶体管325例如是上述第一实施例中的薄膜晶体管100及/或第二实施例中的薄膜晶体管200。
在本实施例中，若薄膜晶体管325为第一实施例中的薄膜晶体管100，则薄膜晶体管325可包括栅极、覆盖栅极的绝缘层、位于绝缘层上的源极以及漏极，且金属氧化物前趋物溶液可涂布在源极以及漏极之间，其中金属氧化物前趋物溶液例如是2-甲氧基乙醇、金属卤化物、金属醋酸化合物或金属硝酸化合物。若薄膜晶体管325为第二实施例中的薄膜晶体管200，则薄膜晶体管325可包括栅极以及覆盖栅极的绝缘层，且金属氧化物前趋物溶液可涂布在栅极上方的绝缘层上。此外，虽然在图3中为了方便说明而夸大薄膜晶体管325的尺寸，但应理解的是，图中所示的尺寸仅用于示意而非限制本发明的范围。
请再次参照图3，照光源370位于腔室302内，且照光源370的作用为对薄膜晶体管中的栅极上方的绝缘层上的金属氧化物前趋物溶液进行照光程序，以使得金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成金属氧化物半导体材料。举例而言，照光源可发射波长为185nm及/或254nm的紫外光，且它们的强度可分别是4.1mW/cm2与22mW/cm2。
气体通入装置330一端连接于腔室302的侧壁304，而另一端连接至供气装置(未绘示)。气体通入装置330的作用为在上述照光程序进行之前或同时通入气体360，其中气体360不与金属氧化物前趋物溶液反应，且其例如是惰性气体或氮气。气体通入装置330通入气体360的气体流量例如是100至500m3/hr。
排气装置335的一端连接于腔室302的另一侧壁306，而另一端连接至集气装置(未绘示)或大气。在操作气体通入装置330以使得气体360通入腔室302的过程中，可同时操作排气装置335进行排气步骤，以将气体360与其它气体(包括光交联反应所产生及通常环境下的反应性物质)的混合气体365排出腔室302外，其中排气装置335的排气量例如是100至500m3/hr。
在本实施例的薄膜晶体管的工艺设备中，由于照光源可发射特定波长的光，故可使得薄膜晶体管上的金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成金属氧化物半导体材料。此外，在本实施例的薄膜晶体管的工艺设备中，由于气体通入装置可通入惰性气体或氮气，且所通入的气体可带走反应性物质以避免金属氧化物前趋物溶液及/或金属氧化物半导体材料与反应性物质反应，故可形成具有高键结密度的金属氧化物的金属氧化物半导体材料而提高薄膜晶体管的稳定性。
实验例
以下将藉由实例及比较例进一步说明本发明的薄膜晶体管的性质。
<实例>
使用上述第一实施例中所记载的制造方法来制造本发明实例的薄膜晶体管。特别地说，使用2-甲氧基乙醇和金属卤化物做为金属氧化物前趋物溶液，并以波长为185nm和254nm的紫外光(强度分别为4.1mW/cm2和22mW/cm2)对金属氧化物前趋物溶液进行照射约10分钟，以使得金属氧化物前趋物溶液形成金属氧化物半导体材料做为源/漏极之间的通道。此外，在紫外光的照射过程中，同时通入气体流量100m3/hr至500m3/hr的氮气。
<比较例>
不通入氮气而在通常气体下使用相同于本发明实例的方法来制造比较例的薄膜晶体管。
<氧化物键结密度>
对本发明实例及比较例的薄膜晶体管中的金属氧化物半导体材料进行XPS分析，从而量测在金属氧化物半导体材料中的金属与氧的键结密度，并将结果纪录于下表1，其中表1的氧化物键结密度的单位为原子百分比(原子％)。
表1
由表1的结果可看出，通入氮气所制造出来的金属氧化物半导体材料具有较低的不纯物浓度，而越低的不纯物浓度代表越好的稳定性表现(请参照以下电性评估结果)。此外，在本发明实例的金属氧化物半导体中，具有较高比例的未与金属离子键结的氧离子浓度，此表示通入氮氧所制造出的金属氧化物半导体材料可提供较高的载子浓度而因此具有较高的电子迁移率，进而使得薄膜晶体管也具有较高的电子迁移率。
<电性评估一>
在室温下，分别对上述本发明实例及比较例的薄膜晶体管施予栅极电压为-30伏特的负偏压或30伏特的正偏压持续1000秒，并测量所得的电流以进行电压偏移的电性评估。将所量测到的电流纪录下来，分别如图4A至4B及图5A至5B所示。
图4A及图4B分别是本发明实例的薄膜晶体管经过正偏压及负偏压的电性测试所得的电流-电压图，而图5A及图5B分别是传统的薄膜晶体管(未使用本发明的制造方法)经过正偏压及负偏压的电性测试所得的电流-电压图。请先同时参照图4A及图5A，可得知在通入正偏压电压的条件下，本发明实例(工艺中通入氮气)的薄膜晶体管的电压偏移的绝对值(|ΔVth|)为约1.00伏特(V)，小于传统薄膜晶体管的电压偏移的绝对值2.16伏特。接着，请同时参照图4B及图5B，可得知在通入负偏压电压的条件下，本发明实例的薄膜晶体管的电压偏移的绝对值为约0.92伏特，小于传统薄膜晶体管的电压偏移的绝对值7.11伏特。
综观上述结果可得知，由于本发明实例的薄膜晶体管中的金属氧化物半导体材料具有较高的载子浓度及较低的不纯物浓度，因此本发明实例的薄膜晶体管可具有较稳定的电性。
<电性评估二>
分别对上述本发明实例及比较例的薄膜晶体管施予-30伏特至30伏特的栅极电压且同时提供源极0.1伏特(实线)与10伏特(虚线)电压，测量所得的电流以进行电子迁移率的电性评估，并将所量测到的电流纪录下来，分别如图6及图7所示。
图6是本发明实例的薄膜晶体管经过电性测试所得的电流-电压图，而图7是传统的薄膜晶体管(未使用本发明的制造方法)经过电性测试所得的电流-电压图。请参照图6及图7，可以发现本发明实例的薄膜晶体管的电子迁移率为2.07cm2/V-s，其高于比较例的薄膜晶体管的电子迁移率1.43cm2/V-s。因此，可得知使用通入氮气工艺所制造出的薄膜晶体管可具有较高的电子迁移率。
综上所述，在本发明的薄膜晶体管的制造方法中，由于对金属氧化物前趋物溶液进行照光程序，因此不需要后续的高温热工艺即可使得金属氧化物前趋物溶液转变为金属氧化物半导体材料。此外，由于在照光程序之前及/或同时，通入不与金属氧化物前趋物溶液反应的气体，因此可避免金属氧化物前趋物溶液及/或已形成的金属氧化物与反应性物质反应而形成不需要的副产物，从而能够提高金属氧化物半导体材料中的金属氧化物的键结密度，且进一步提高薄膜晶体管的稳定性。
本发明的薄膜晶体管的工艺设备，其具有照光源且可提供特定波长的光，可使得薄膜晶体管上的金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成金属氧化物半导体材料。此外，由于本发明的薄膜晶体管的工艺设备具有气体通入装置且可通入惰性气体或氮气，故可用于制造具有高稳定性的薄膜晶体管。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (14)

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
在一基板上依序形成一栅极以及一绝缘层；
在该绝缘层上形成一源极以及一漏极；
在该栅极上方的该绝缘层上涂布一金属氧化物前趋物溶液；
通入一气体，其中该气体不与该金属氧化物前趋物溶液反应；以及
对该金属氧化物前趋物溶液进行一照光程序，以使得该金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成一金属氧化物半导体材料。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该气体包括惰性气体及/或氮气。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，通入该气体的气体流量为100至500m3/hr。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，于进行该照光程序时，更包括进行一排气步骤以使得该气体被带离该金属氧化物前趋物溶液或该金属氧化物半导体材料，且该排气步骤的排气量为100至500m3/hr。
5.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该金属氧化物前趋物溶液包括2-甲氧基乙醇、金属卤化物、金属醋酸化合物或金属硝酸化合物。
6.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，先在该绝缘层上形成该源极以及该漏极之后，再于该源极以及该漏极之间的绝缘层上形成该金属氧化物前趋物溶液。
7.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，先在该绝缘层上形成该金属氧化物前趋物溶液，且使得该金属氧化物前趋物溶液形成该金属氧化物半导体材料之后，再于该绝缘层上形成源极以及漏极。
8.一种制造薄膜晶体管的设备，其特征在于，包括：
一腔室；
一照光源，位于该腔室内，用以对一栅极上方的一绝缘层上的一金属氧化物前趋物溶液进行一照光程序，以使得该金属氧化物前趋物溶液进行光交联反应而形成一金属氧化物半导体材料；
一气体通入装置，连接于该腔室的一侧壁，用以在该照光程序进行之前或同时通入一气体，其中该气体不与该金属氧化物前趋物溶液反应；以及
一排气装置，连接于该腔室的另一侧壁。
9.根据权利要求8所述的制造薄膜晶体管的设备，其特征在于，该薄膜晶体管包括该栅极、覆盖该栅极的该绝缘层、位于该绝缘层上的一源极以及一漏极，且该金属氧化物前趋物溶液是涂布在该源极以及该漏极之间。
10.根据权利要求8所述的制造薄膜晶体管的设备，其特征在于，该薄膜晶体管包括该栅极以及覆盖该栅极的该绝缘层，且该金属氧化物前趋物溶液是涂布在该栅极上方的该绝缘层上。
11.根据权利要求8所述的制造薄膜晶体管的设备，其特征在于，该气体包括一惰性气体及/或氮气。
12.根据权利要求8所述的制造薄膜晶体管的设备，其特征在于，该气体通入装置通入该气体的气体流量为100至500m3/hr。
13.根据权利要求8所述的制造薄膜晶体管的设备，其特征在于，该排气装置的排气量为100至500m3/hr。
14.根据权利要求8所述的制造薄膜晶体管的设备，其特征在于，该金属氧化物前趋物溶液包括2-甲氧基乙醇、金属卤化物、金属醋酸化合物或金属硝酸化合物。
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