CN104465805B - 太阳能电池正表面局部接触的栅线结构及其制备方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 133
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 133
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 28
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 27
- 238000004513 sizing Methods 0.000 claims description 14
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 abstract description 3
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011267 electrode slurry Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022433—Particular geometry of the grid contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构及其制备方法，太阳能电池正表面局部接触的栅线结构具有多条栅线电极，每条栅线电极具有多段局部接触金属电极和多段非接触金属电极，局部接触金属电极和非接触金属电极电性连接，非接触金属电极由非烧穿型金属电极浆料制成，局部接触金属电极穿过电池的介质膜后与硅基体构成欧姆接触。本发明能够在保证避免输运电子的情况下，有效降低金属化面积，降低金属化区域的复合电流，从而有效地提升电池的开路电压，提高太阳电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构及其制备方法，属于电池制备技术领域。
背景技术
目前，传统的晶体硅太阳电池的正面电极由若干条主栅和若干条细栅相互垂直构成，这种正面电极的细栅为准矩形结构，一方面影响太阳电池的有效光照面积，且金属半导体接触区域较大，制约太阳电池的转换效率，另一方面银浆使用量较大，制约太阳电池的制造成本。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构，它能够在保证避免输运电子的情况下，有效降低金属化面积，降低金属化区域的复合电流，从而有效地提升电池的开路电压，提高太阳电池的转换效率。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构，它具有多条栅线电极，每条栅线电极具有多段局部接触金属电极和多段非接触金属电极，局部接触金属电极和非接触金属电极电性连接，非接触金属电极由非烧穿型金属电极浆料制成，局部接触金属电极穿过电池的介质膜后与硅基体构成欧姆接触。
进一步提供了一种局部接触金属电极的具体结构以便其与硅基体形成良好的欧姆接触，所述的局部接触金属电极由烧穿型金属电极浆料制成，并且该局部接触金属电极烧穿电池的介质膜后与硅基体构成欧姆接触。
进一步为了使电流能够很好地传输，所述的每条栅线电极设置有由烧穿型金属电极浆料制成的传输电极，多段局部接触金属电极和传输电极一体制成，并且传输电极还覆盖在多段非接触金属电极上。
进一步提供了另外一种局部接触金属电极的具体结构以便其与硅基体形成良好的欧姆接触，所述的局部接触金属电极也由非烧穿型金属电极浆料制成，局部接触金属电极和非接触金属电极一体制成，并且该局部接触金属电极穿过电池的介质膜上的激光开孔后与硅基体构成欧姆连接。
进一步，在同一条栅线电极中，所述的局部接触金属电极的长度为10μm～2500μm，所述的非接触金属电极的长度为20μm～5000μm。
进一步为了使本结构能够具有更好的局部接触效果，间隔状布置的栅线电极上的局部接触金属电极和非接触金属电极的分布结构相同。
进一步，所述的局部接触金属电极和/或非接触金属电极为圆形点或方形点结构。
本发明还提供了一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构的制备方法，该方法的步骤如下：
(a)制备一已沉积介质膜的电池；
(b)按指定图形制备多条栅线电极：在电池上完成介质膜的表面采用非烧穿型金属电极浆料局部形成非接触金属电极；在电池上完成介质膜的表面采用烧穿型金属电极浆料局部形成局部接触金属电极，并确保在同一个栅线电极上，局部接触金属电极和非接触金属电极电性连接；
(c)再进行烧结，使局部接触金属电极烧穿电池的介质膜后与硅基体构成欧姆接触。
本发明还提供了一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构的制备方法，该方法的步骤如下：
(a)制备一已沉积介质膜的电池；
(b)按指定图形在电池上完成介质膜的表面激光局部开孔，使其表面需制备局部接触金属电极的相应部位形成激光开孔；
(c)制备多条栅线电极：在电池上完成介质膜的表面采用非烧穿型金属电极浆料覆盖指定图形，从而在指定图形的非开孔区域形成非接触金属电极，在开孔区域形成局部接触金属电极，并确保该局部接触金属电极穿过相对应的激光开孔后与硅基体抵接，非接触金属电极和相对应的局部接触金属电极形成相应的栅线电极；
(d)再进行烧结使局部接触金属电极与硅基体形成欧姆接触。
采用了上述技术方案后，其正表面的栅线和硅基体的接触区域，采用分段线或点的方式局部接触，在保证正表面输运电阻的情况下，局部的金属接触有效降低了金属化面积，降低了金属化区域的复合电流，从而可有效地提升电池的开路电压，提高电池的转换效率，同时也减少了金属浆料的用量。
附图说明
图1为本发明的太阳能电池正表面局部接触的栅线结构的俯视图；
图2为本发明的太阳能电池正表面局部接触的栅线结构的第一种结构的结构剖视图；
图3为本发明的太阳能电池正表面局部接触的栅线结构的第二种结构的结构剖视图；
图4为本发明的太阳能电池正表面局部接触的栅线结构的第三种结构的结构剖视图。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
如图1、2所示，一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构，它具有多条栅线电极1，每条栅线电极1具有多段局部接触金属电极11和多段非接触金属电极12，局部接触金属电极11和非接触金属电极12电性连接，非接触金属电极12由非烧穿型金属电极浆料制成，局部接触金属电极11穿过电池的介质膜2后与硅基体3构成欧姆接触。
图1中，栅线电极1中的虚线部分为与硅基体3不接触部分，实现部分为与硅基体3的接触部分。
局部接触金属电极11由烧穿型金属电极浆料制成，并且该局部接触金属电极11烧穿电池的介质膜2后与硅基体3构成欧姆接触。
在同一条栅线电极1中，局部接触金属电极11的长度为10μm～2500μm，所述的非接触金属电极12的长度为20μm～5000μm。具体长度可以根据调整。
为了达到更好地接触效果，如图1所示，间隔状布置的栅线电极1上的局部接触金属电极11和非接触金属电极12的分布结构相同；当然，也可以上下对齐。
局部接触金属电极11和/或非接触金属电极12为圆形点或方形点结构。
该太阳能电池正表面局部接触的栅线结构的制备方法，该方法的步骤如下：
(a)制备一已沉积介质膜2的电池；介质膜可以是氮化硅、二氧化硅、三氧化二铝或者其叠层的组合，但是不限于以上的介质膜材料。介质膜2的目的是：作为非接触金属电极12的保护膜，阻止由非烧穿型金属电极浆料制成的非接触金属电极12烧入硅表面与硅基体3形成电性接触；
(b)按指定图形制备多条栅线电极1：在电池上完成介质膜2的表面采用非烧穿型金属电极浆料局部形成非接触金属电极12；在电池上完成介质膜2的表面采用烧穿型金属电极浆料局部形成局部接触金属电极11，并确保在同一个栅线电极1上，局部接触金属电极11和非接触金属电极12电性连接；制备栅线电极1可以采用印刷、激光喷墨或者打印方式；其中，烧穿和非烧穿浆料的印刷顺序可根据材料要求进行相应的更改。
(c)再进行烧结，使局部接触金属电极11烧穿电池的介质膜2后与硅基体3构成欧姆接触。
本发明中所述的烧穿和非烧穿，指的是烧穿介质膜和不能烧穿介质膜。
实施例二
如图1、3所示，本实施例的栅线结构与实施例一基本相同，不同的是：每条栅线电极1设置有由烧穿型金属电极浆料制成的传输电极13，多段局部接触金属电极11和传输电极13一体制成，并且传输电极13还覆盖在多段非接触金属电极12上，完成后的太阳能电池与常规太阳能电池外观一致。
实施例三
如图1、4所示，一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构，它具有多条栅线电极1，每条栅线电极1具有多段局部接触金属电极11和多段非接触金属电极12，局部接触金属电极11和非接触金属电极12电性连接，非接触金属电极12由非烧穿型金属电极浆料制成，局部接触金属电极11穿过电池的介质膜2后与硅基体3构成欧姆接触。
如图3所示，局部接触金属电极11也由非烧穿型金属电极浆料制成，局部接触金属电极11和非接触金属电极12一体制成，并且该局部接触金属电极11穿过电池的介质膜2上的激光开孔后与硅基体3构成欧姆连接。
在同一条栅线电极1中，局部接触金属电极11的长度为10μm～2500μm，所述的非接触金属电极12的长度为20μm～5000μm；具体长度可以根据调整。
间隔状布置的栅线电极1上的局部接触金属电极11和非接触金属电极12的分布结构相同；当然，也可以上下对齐。
局部接触金属电极11和/或非接触金属电极12为圆形点或方形点结构。
一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构的制备方法，该方法的步骤如下：
(a)制备一已沉积介质膜2的电池；介质膜可以是氮化硅、二氧化硅、三氧化二铝或者其叠层的组合，但是不限于以上的介质膜材料；介质膜2的目的是：作为非接触金属电极12的保护膜，阻止由非烧穿型金属电极浆料制成的非接触金属电极12烧入硅表面与硅基体3形成电性接触；
(b)按指定图形在电池上完成介质膜2的表面激光局部开孔，使其表面需制备局部接触金属电极11的相应部位形成激光开孔；
(c)制备多条栅线电极1：在电池上完成介质膜2的表面采用非烧穿型金属电极浆料覆盖指定图形，从而在指定图形的非开孔区域形成非接触金属电极12，在开孔区域形成局部接触金属电极11，并确保该局部接触金属电极11穿过相对应的激光开孔后与硅基体3抵接，非接触金属电极12和相对应的局部接触金属电极11形成相应的栅线电极1；
(d)再进行烧结使局部接触金属电极11与硅基体3形成欧姆接触。
以上所述的具体实施例，对本发明解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种太阳能电池正表面局部接触的栅线结构的制备方法，太阳能电池正表面局部接触的栅线结构具有多条栅线电极(1)，每条栅线电极(1)具有多段局部接触金属电极(11)和多段非接触金属电极(12)，局部接触金属电极(11)和非接触金属电极(12)电性连接，非接触金属电极(12)由非烧穿型金属电极浆料制成，局部接触金属电极(11)穿过电池的介质膜(2)后与硅基体(3)构成欧姆接触，其特征在于：所述的局部接触金属电极(11)由非烧穿型金属电极浆料制成，局部接触金属电极(11)和非接触金属电极(12)一体制成，并且该局部接触金属电极(11)穿过电池的介质膜(2)上的激光开孔后与硅基体(3)构成欧姆连接；在同一条栅线电极(1)中，所述的局部接触金属电极(11)的长度为10μm～2500μm，所述的非接触金属电极(12)的长度为20μm～5000μm；间隔状布置的栅线电极(1)上的局部接触金属电极(11)和非接触金属电极(12)的分布结构相同；所述的局部接触金属电极(11)和/或非接触金属电极(12)为圆形点或方形点结构，该方法的步骤如下：
(a)制备一已沉积介质膜(2)的电池；
(b)按指定图形在电池上完成介质膜(2)的表面激光局部开孔，使其表面需制备局部接触金属电极(11)的相应部位形成激光开孔；
(c)制备多条栅线电极(1)：在电池上完成介质膜(2)的表面采用非烧穿型金属电极浆料覆盖指定图形，从而在指定图形的非开孔区域形成非接触金属电极(12)，在开孔区域形成局部接触金属电极(11)，并确保该局部接触金属电极(11)穿过相对应的激光开孔后与硅基体(3)抵接，非接触金属电极(12)和相对应的局部接触金属电极(11)形成相应的栅线电极(1)；
(d)再进行烧结使局部接触金属电极(11)与硅基体(3)形成欧姆接触。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410778073.3A CN104465805B (zh) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 太阳能电池正表面局部接触的栅线结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410778073.3A CN104465805B (zh) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 太阳能电池正表面局部接触的栅线结构及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104465805A CN104465805A (zh) | 2015-03-25 |
| CN104465805B true CN104465805B (zh) | 2017-05-10 |
Family
ID=52911547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410778073.3A Active CN104465805B (zh) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 太阳能电池正表面局部接触的栅线结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104465805B (zh) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107768484A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-06 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 太阳能电池的电极局部接触结构的制备方法 |
| CN109616530B (zh) * | 2018-11-14 | 2020-07-31 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种形成太阳能电池的电极的工艺 |
| CN111477697A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-07-31 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种ibc太阳能电池金属化栅线结构的制备方法 |
| CN111490111A (zh) * | 2019-10-22 | 2020-08-04 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 一种太阳能电池金属化栅线结构及其制备方法 |
| CN113644145B (zh) | 2021-10-18 | 2022-02-18 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| CN114765230B (zh) * | 2022-03-23 | 2024-04-02 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种局部互联晶硅电池结构及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101404296B (zh) * | 2008-11-13 | 2011-09-07 | 中山大学 | 一种改进型太阳电池前电极及其制作方法 |
| CN101562217A (zh) * | 2009-05-22 | 2009-10-21 | 中国科学院电工研究所 | 一种太阳电池前电极制备方法 |
| CN102820343B (zh) * | 2012-08-16 | 2014-12-10 | 常州天合光能有限公司 | 具有无发射极区的太阳能电池及其制备方法 |
| CN204271093U (zh) * | 2014-12-15 | 2015-04-15 | 常州天合光能有限公司 | 太阳能电池正表面局部接触的栅线结构 |
-
2014
- 2014-12-15 CN CN201410778073.3A patent/CN104465805B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104465805A (zh) | 2015-03-25 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
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|
| CP03 | Change of name, title or address | ||
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
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