CN104425323A - 处理基板的装置和清洁该装置的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供用于处理基板的装置,该基板包括基板放置在其上的转盘头,被设置为围绕转盘头的容器,向下供应处理溶液的上管口部件,与转盘头的底部相距一定距离而定位的底部清洁部件,其中底部清洁部件将清洁容易喷射至转盘头的底部。
Description
相关申请的交叉引用
该美国非临时专利申请要求根据35U.S.C§119,于2013年8月30提交的韩国专利申请Nos.10-2013-0104070和2013年12月27日提交的韩国专利申请Nos.10-2013-0165407的优先权,其内容通过引用的方式并入本文中。
技术领域
本文公开的本发明涉及基板处理设备和清洁该装置的方法。
背景技术
半导体工艺包括刻蚀或清洁薄膜、外来杂质或晶片上的颗粒的工艺。这些工艺以这样一种方式执行:晶片放置在转盘头上,构图侧向上,转盘头以高速旋转,因此处理溶液供应到晶片上。用于处理基板的处理溶液可以残留在组件中,例如转盘头,甚至是在完成基板的处理之后。而且,由于不同处理溶液之间的化学反应造成的副产品可以附着在转盘头上。这种残留的处理溶液和副产品引起稍后要处理的基板的缺陷。
发明内容
本发明提供基板处理装置和可以清洁转盘头和容器的清洁装置的方法。
本发明的实施方式提供用于处理基板的装置,包括转盘头,转盘头上放置基板;容器,容器被设置为围绕转盘头;上管口部件,上管口部件向下供应处理溶液;底部清洁部件,底部清洁部件与转盘头的底部相距一定距离定位,其中底部清洁部件将冲洗溶液喷射至转盘头的底部。
在一些实施方式中,底部清洁部件可以包括:支撑臂,支撑臂与转盘头的底部相距一定距离定位;和第一清洁管口,第一清洁管口设置在支撑臂上以面对转盘头的底部。
在其它实施方式中,底部清洁部件可以进一步包括第二清洁管口,第二清洁管口设置在支撑臂上以关于第一清洁管口定位在转盘头的中央部分。
在另一些其它实施方式中,底部清洁部件可以进一步包括:第二支撑臂,第二支撑臂与转盘头的底部相距一定距离定位,其中,第二支撑臂短于支撑臂;和第二清管口,第二清洁管口设置在二级支撑臂上,比第一清洁管口更靠近转盘头的中央部分。
在另一些其它实施方式中,转盘头可以包括:本体,本体上放置基板;卡盘针,卡盘针安装在本体上以从本体向上突出,和卡盘针移动单元,卡盘针移动单元连接至卡盘针的下部以驱动卡盘针。
在另一些其它实施方式中,本体可以包括定位为能够移动卡盘针的针孔,和连接至针孔的下部孔,针孔形成在本体的顶部,而下部孔形成在本体的下部。
在进一步实施方式中,第一清洁管口和转盘头的中央轴之间的距离等于下部孔和转盘头的中央轴之间的距离。
在进一步实施方式中,本体包括连接至针孔和下部孔的通孔,通过形成在本体的侧边。
在本发明的其它实施方式中,清洁装置的方法包括:从与旋转放置在具有顶部开口的容器中的转盘头的底部相距一定距离的位置喷射冲洗溶液至转盘头的底部,以清洁附着在转盘头上的盐。
在一些实施方式中,在将基板放置在转盘头的同时执行冲洗溶液的喷射。
在其它实施方式中,当转盘头旋转时,执行冲洗溶液的喷射。
在另一些其它实施方式中,在具有距转盘头的中央部分开始的不同半径的位置上同时执行冲洗溶液的喷射。
在其它实施方式中,该方法进一步包括供应冲洗溶液向下至转盘头的顶部,以一起执行转盘头顶部连同容器的清洁。
在另一些实施方式中,冲洗溶液被供应至偏离转盘头的中央部分的位置。
在进一步实施方式中,在供应冲洗溶液的同时,在不同的方向上交替旋转转盘头。
附图说明
附图被包括以提供本发明的进一步理解,并且被并入和构成本说明书的一部分。附图示出本发明的示例性实施方式,并且连同本说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1为根据本发明的实施方式的基板处理装置的平面视图;
图2为基板处理装置的纵向横截视图;
图3为容器的纵向横截透视图;
图4为转盘头的平面视图;
图5为沿着图4的线I-I截取的横截面视图;
图6为当转盘头被分离时,轴壳体部分的平面视图;
图7显示图5的部分Z和位于其下方的底部清洁部件的扩大视图;
图8表示当冲洗溶液从底部清洁部件喷射时;
图9至图11表示当冲洗溶液供应管口清洁转盘头和容器时;和
图12表示根据另一个实施方式在其上设置底部清洁部件的轴壳体。
具体实施方式
下面将参考附图更详细的描述本发明的实施方式。本发明的实施方式可以以许多形式实施,并且不应当理解成本发明的范围限制为以下实施方式。提供实施方式向本领域技术人员完整解释本发明。因此,在附图中的元件的形状被放大以增加更清楚的描述。
图1为根据本发明的实施方式的基板处理装置的平面图。
参考图1,基板处理装置1包括液体供应单元10、容器20、提升单元和转盘头40。
液体供应单元10供应用于基板处理的处理溶液或气体至基板W。当执行处理时,转盘头40支撑和旋转基板W。容器20防止在处理中使用的液体在处理期间发出的烟雾发生溅射或向外流。提升单元30竖直移动转盘头40或容器20并且改变容器20和在容器20中的转盘头40之间的相对高度。
液体供应单元10具有上管口部件100a和下管口部件100b(图4的)。上管口部件100a将处理溶液或气体供应至转盘头40之上的基板W顶部,而下管口部件100b将处理溶液或气体供应至转盘头40上方的基板W的底部。基板W可以放置在转盘头40上方与转盘头40的上表面相距一定距离,而下管口部件100b将处理溶液或气体供应至转盘头40和基板W之间。
上管口部件100a具有液体供应管口120a,冲洗溶液供应管口140a和干燥气体供应管口160a。化学溶液供应管口120a将多种化学溶液向下供应。化学溶液供应管口120a具有多个喷射器121,支撑棒122和棒移动单元125。喷射器121设置在容器20的一侧。喷射器121连接至化学溶液存储单元(未示出)并且接收来自化学溶液存储单元的化学溶液。在同一方向上并排设置喷射器121。每个喷射器121可以有向上突出的突出部121a,并且在突出部121a的侧边上形成凹陷(未显示)。化学溶液可以为硫酸、硝酸、氨水、氢氟酸和通过用去离子水将它们混合而形成的混合液体。排放孔形成在每个喷射器121的端部。
支撑棒122可以耦接至多个喷射器121中的任意一个。支撑棒122可以移动至放置在转盘头40上方的基板W的上部。支撑棒122具有长杆形状并且被设置以致支撑棒122的长度方向垂直于喷射器121被设置的方向。用于耦接至喷射器121的支撑器(未显示)设置在支撑棒122的底部,并且支撑器具有可以插入喷射器121的突出部121a中形成的凹陷中的臂(未显示)。臂可以设置有这样一种结构,其中在该结构中臂可以朝着突出部121a的凹陷从突出部121a的外侧开始旋转或移动。
棒移动单元125在转盘头40上方的基板的上部和喷射器121的上部之间线性移动支撑棒122。棒移动单元125具有支架123,引导轨124和驱动器(未示出)。引导轨124从喷射器121的外侧线性延伸至喷射器121并且通过容器20传递至容器20的外侧。支架123耦接至引导轨124,支架123可以沿着引导轨移动,并且支撑棒122耦接且固定至支架123。驱动器提供线性地移动支架123的驱动力。支架的线性移动可以由具有电机和螺杆的组件来执行。选择性地,支架123的线性移动可以由具有条带、滑轮和电机的组件来执行。选择性地,支架123的线性移动可以由线性电机来执行。
冲洗溶液供应管口140a设置在容器20的一侧,而干燥气体供应管口160a设置在容器20的另一侧。冲洗溶液供应管口140a具有喷射器141、支撑棒142和驱动器144。喷射器141耦接且固定至支撑棒142的一端。由驱动器144旋转的旋转轴(未显示)耦接且固定至支撑棒142的另一端。喷射器141接收来自冲洗溶液存储单元(未显示)的冲洗溶液。干燥气体供应管口160a通常具有与冲洗溶液供应管口140a相似的结构。干燥气体供应管口160a供应异丙醇和氮气。氮气可以为加热的氮气。
从上管口部件100a和下管口部件100b供应的化学溶液、冲洗溶液和干燥气体通过转盘头40的旋转,从基板W的顶部或底部的中央区域开始扩散至其边缘以清洁基板W。
图2为基板处理装置的纵向横截视图,并且图3为容器的纵向横截透视图。
参考图2和图3,容器20具有空间32,该空间有在其中处理基板W的顶部开口,并且转盘头40设置在空间32中。用于支撑并且旋转转盘头40的旋转轴42耦接且固定至转盘头40的底部。旋转轴42通过在容器20的底部中形成的开口突出至容器20的外侧。驱动器例如用于提供扭矩的电机耦接且固定至旋转轴42。轴壳体43围绕旋转轴42的外圆周表面。
容器20具有这样一种,其中在该结构中分离和收集处理中所使用的化学溶液。这使得再使用的化学溶液成为可能。容器20具有多个收集槽220、240和260。每个收集槽220、240和260收集在处理中使用的处理溶液之中的不同种类的处理溶液。在本实施方式中,容器20具有三个收集槽。收集槽分别被称为内部收集槽220、中间收集槽240和外部收集槽。
以围绕转盘头40的圆环形状来设置内部收集槽,以围绕内部收集槽220的圆环形状来设置中间收集槽240以及以围绕中间收集槽240的圆环形状来设置外部收集槽260。在容器20中,收集槽220、240和260具有分别与容器20中的空间42联通的入口227、247和267。每个入口227、247和267以转盘头40的圆周上的环形形状来设置。喷射至基板W并且在处理中使用的化学溶液通过由于基板W的旋转造成的离心力流经入口227、247和267流入收集槽220、240、260。外部收集槽260的入口267设置在中间收集槽240的入口247上方,并且中间收集槽240的入口247设置在内部收集槽220的入口227上方。也就是说,设置内部收集槽220、中间收集槽240和外部收集槽260的入口227、247和267,以便它们具有不同高度。
内部收集槽220具有外壁222、底壁224、内壁226和引导壁228。外壁222、底壁224、内壁226和引导壁228中的每个具有环形形状。外壁222具有倾斜以远离转盘头40的倾斜壁222a和从倾斜壁222a的下端开始竖直向下延伸的竖直壁222b。底壁224从竖直壁222b的下端开始朝着转盘头40水平延伸。底壁224的一端延伸至与倾斜壁222a的上端相同的位置。内壁226从底部224的内部端开始竖直向上延伸。内壁226延伸至内壁226的上端距离倾斜壁222a的上端一定距离的位置处。内壁226和倾斜壁222a之间的空间用作如上文描述的内部收集槽220的入口227。
多个开口223形成在内壁226上以形成环。每个开口223以狭缝形状设置。开口223用作使流入内部收集槽220的气体能够通过转盘头40的下部空间被向外排放的排放孔。排放管225耦接至底壁224。流入内部收集槽220的处理溶液通过排放管225被排放至外部化学溶液循环系统。
引导壁228具有倾斜以从内壁226的上端开始远离转盘头40的倾斜壁228a和从倾斜壁228a的下端开始竖直向下延伸的竖直壁228b。竖直壁228b的下端被放置为与底壁224相距一定距离。引导壁228引导处理溶液流入入口227以便处理溶液可以容易地流至由外部臂222、底壁224和内壁226所包围的空间229。
中间收集槽240具有外壁242、底壁244、内壁246和突出壁248。中间收集槽240的外壁242、底壁244、内壁246具有与内部收集槽220的外壁222、底壁224、内壁226通常类似的形状,但是中间收集槽240具有与内部收集槽220相比更大的尺寸,以便中间收集槽240围绕内部收集槽220。中间收集槽240的外壁242的倾斜壁242a的上端和内部收集槽220的外壁224的倾斜壁222a的上端在竖直方向上相距一定距离定位,并且空间用作中间收集餐240的入口247。突出壁248从底部244的一端开始竖直向下延伸。中间收集槽的内壁224的上端与内部收集槽220的底壁224接触。用于排放气体的狭缝形排放孔243设置在中间收集槽240的内壁246上以形成环。排放管245耦接至底壁244,并且流入中间收集槽240的处理溶液通过排放管245被排放至外部化学溶液循环系统。
外部收集槽260具有外壁262和底壁264。外部收集槽260的外壁262具有与中间收集槽240的外壁242相似的形状,但是与中间收集槽240相比具有更大的尺寸,以便外部收集槽260围绕中间收集槽240。外部收集槽260的外壁262的倾斜壁262a的上端和中间收集槽240的外壁242的倾斜壁242a的上端在竖直方向上相距一定距离定位,并且空间用作外部收集槽260的入口267。底壁264通常具有盘形形状,并且旋转轴42所插入的开口形成在底壁264的中央部分上。排放管265耦接至底壁264,并且流入外部收集槽260的处理溶液通过排放管265被排放至外部化学溶液循环系统。外部收集槽260用作容器20的外壁。排放管263耦接至外部收集槽260的底壁264并且流入外部收集槽260的气体通过排放管263被向外排放。而且,来自设置在内部收集槽220的内壁226上的排放孔223和来自设置在中间收集槽240的内壁246上的排放孔243的流动气体通过连接至外部收集槽260的排放管263被向外排放。安装排放管263以从底壁264开始向上突出一定距离。
提升单元30在竖直方向上线性移动容器20。当容器20竖直移动时,容器20相对于转盘头40的高度改变。提升单元30具有支架31、移动轴24和驱动器(36)。支架31安装和固定于容器20的外壁,并且通过驱动器36而在竖直方向上移动的移动轴34耦接且固定于支架31。当基板W放置在转盘头上或当从转盘头40升起基板W时,容器20向下动,以便转盘头40向上突出以从容器20中暴露出。而且,当执行处理时,根据供应至基板W的处理溶液的种类而调节容器20的高度,以便处理溶液可以流入收集槽220、240和260中。相反,提升单元30可以在竖直方向上移动转盘头40.
图4为转盘头的平面视图;并且图5为沿着图4的线I-I截取的横截面视图。
参考图1至图4,转盘头40具有下管口部件110b、本体300、支撑脚400、卡盘针500和卡盘针移动单元600。
下管口部件100b具有喷射头180b。喷射头180b具有头部182和插入部分184。头部182具有凸面形状并且从转盘头40开始向上突出。头部182具有多个喷嘴孔。喷嘴将多种化学溶液、冲洗溶液、异丙醇或干燥气体(例如氮气)中的一种喷射出。插入部分184具有比头部182的底端更小的直径并且在长度方向上不变,而且从头部182开始向下延伸。插入部184插入在转盘头40的中央部分上形成的通孔中。
支撑针400支撑基板W的后缘,以便基板W与本体300的顶部相距一定距离。支撑针400都有相同的形状和尺寸。支撑针400具有渐进往下逐渐变宽的上部,和从上部开始延伸并且具有不变直径的下部。形成在支撑针400的底端的螺杆部分耦接至本体300的底部上的与螺杆部分对应的凹陷,所以支撑针400固定于本体300。
卡盘针500安装在本体300的边缘区域以从本体300的顶部向上突出。可以提供多个卡盘针500。卡盘针500支撑基板W的侧边,以便当转盘头40旋转时基板W侧向与右边位置分离。卡盘针500都具有相同的形状和尺寸。卡盘针500具有支撑部分520、中央部分540、紧固部分560和止动部分580。支撑部分520具有从其平坦顶部开始渐进向下逐渐变窄并且然后渐进向下逐渐变宽的直径。因此,支撑部分520具有当从前面观察时是凹进的凹进部分522。在支撑针400上的基板W的侧边与凹进部分522接触。中央部分540从与底端具有相同直径的支撑部分520的底端向下延伸。紧固部分560从中央部分540开始向下延伸。紧固部分560具有用于耦接至卡盘针移动单元的螺杆孔。止动部分580从中央部分540开始向外延伸并且设置为环形形状。止动部分580与本体300的上表面密切接触并且使得所有卡盘针500具有相同的高度。
本体300具有上部板320和下部板340。当从顶部观察时,上部板320通常具有圆形顶部。下部板340设置在上部板320下方并且提供其中设置卡盘针移动单元600的空间。上部板320的边缘区域具有卡盘针500所插入的针孔322。每个针孔322具有狭缝形形状。形成针孔322以便其长度方向跟随上部板320的半径方向。形成针孔322的宽度等于卡盘针500的中央部分540的直径,或是比卡盘针500的中央部分540的直径更宽,形成针孔322的长度以能够引导至卡盘针500的半径方向的移动。针孔322的长度可以短于卡盘针500的止动部分580的直径。可替选地,针孔322可以具有圆形形状。在这种情况下,针孔322的直径比卡盘针500的中央部分540的直径更长并且比止动部分580的直径更短。上文描述的喷射头180b所插入的通孔形成在上部板320和下部板340的中央部分中。
卡盘针移动单元600具有移动杆620、引导部件640和凸轮720。
卡盘针移动单元600在支撑位置和备用位置之间移动卡盘针500。支撑位置是指当执行处理时卡盘针500与基板W侧边接触的位置,而备用位置是指提供比基板W更宽的空间,以便基板W放置在转盘头40上的位置。因此,支撑位置与备用位置相比更靠近本体300的中央部分。
因为当执行处理时,上部板320暴露于化学溶液,所以上班320有具有抗化学溶液的腐蚀的材料制成。而且,下部板340由抗热材料制成,以便当执行处理时,卡盘针500的设定位置不由于通过供应高温化学材料至基板W造成的下部板340的热膨胀而发生错误。在本发明中,上部板320由与下部板340相比更抗腐蚀的材料制成,而下部340由与上部板240相比具有更小热应变的材料制成。根据实例,上部板320由聚氯乙烯材料制成,而下部板340由铝材料制成。
上部板320具有从边缘开始向下延伸的侧边部分321。侧边部分321包括从外表面开始向内形成的通孔320。通孔329连接至针孔322。下部孔323从侧边部分321的底部开始向上形成。孔324从侧边部分321的内部开始向外形成。针孔322、下部孔323、孔324和通孔329设置为相互连接。
移动杆620具有与卡盘针500相同的数量并且一个卡盘针500耦接至每个移动杆620。在上部板320和下部板340之间形成的空间中,在与本体300的半径方向相同的方向上设置移动杆620。移动杆520的一个外部端位于孔324中。螺杆凹陷628形成在移动杆620的一个外部端处,而卡盘针500和移动杆620通过螺杆590相互耦接和固定。而且,围绕移动杆620并且在外侧、上部板320和下部板340之间密封空间的密封部件330安装在孔324中。O环用作密封部件330。移动杆620具有在内部端处的滚动球622。滚动球622耦接至移动杆620以能够关于移动杆620而旋转。
用于引导移动杆620在半径方向上线性移动的移动部件640设置在每个移动杆620的移动路径上。滑动轴承可以用作引导部件640。滑动轴承耦接并且固定至本体300。
移动杆620与凸轮720接触。凸轮720通过凸轮驱动器(未显示)线性移动。凸轮720的线性移动传动至移动杆620。因此,根据移动杆620的移动,卡盘针500位于支撑位置或备用位置。
图6为当转盘头被分离时,轴壳体部分的平面视图,而图7显示图5的部分Z和位于其下方的底部清洁部件的扩大视图。
参考图1至图7,底部清洁部件80设置在转盘头40下方。底部清洁部分部件80包括支撑臂81和清洁管口82a和82b。
支撑臂81与转盘头40的底部相距一定距离而定位。作为实例,可以设置支撑臂81从轴壳体43的外圆周表面开始朝着容器21延伸。而且,可以设置支撑臂81从容器20的内圆周表面开始朝着轴壳体43延伸。可以设置相互相距一定距离的多个支撑臂81.
清洁管口82a和82b位于支撑臂81处以面对转盘头40的底部。清洁管口82a和82b通过线路(未显示)连接至冲洗溶液供应单元(未显示)。清洁管口82a和82b包括第一清洁管口82a和第二清洁管口82b。
可以设置第一清洁管口82a以便用于喷射冲洗溶液的喷嘴器可以位于下部孔323的下方。也就是说,转盘头40的中央轴和下部孔323之间的距离等于转盘头40的中央轴和第一清洁管口82a的喷嘴器之间的距离。而且,第一清洁管口82a可以在数量上与卡盘针500相等。另外,为了第一情况管口82a可以一起位于下部孔323处,可以设置支撑臂81具有和相邻卡盘针500的距离相同的距离。
设置第二清洁管口82b相对于第一清洁管口82a位于转盘头40的中央部分。
图8表示当冲洗溶液从底部清洁部件喷射时。
参考图1至图8,底部清洁部件80的清洁管口82a和82b喷射冲洗溶液至转盘头40的底部。当在转盘头40上没有基板时,底部清洁部件80可以喷射冲洗溶液。而且,在放置在转盘头40上的基板被处理的同时,底部清洁部件80可以喷射冲洗溶液。
冲洗溶液为去离子水(DIW)。在喷射清洁水的同时,转盘头40可以旋转。当随着转盘头40的旋转,下部孔位于第一清洁管口82a的上部时,从第一清洁管口82a喷射的冲洗溶液通过下部孔323直接喷射至卡盘针500的下部。在清洁卡盘针500的下部之后,冲洗溶液可以通过通孔329喷射至容器20的内壁。从第二清洁管口82b喷射的冲洗溶液清洁转盘头40的底部。而且,从清洁管口82a和82b喷射至转盘头40的底部的冲洗溶液可以随着转盘头40的旋转朝着容器20喷溅并且清洁容器20的内壁。
从液体供应单元10供应的用于处理基板的处理溶液可以以高温喷射。作为实例,当处理溶液为硫酸时,硫酸在140℃至200℃温度上喷射。而且,当从液体供应单元10供应的处理溶液包括酸性溶液和基本溶液时,盐可以通过这些溶液的反应制成。这种盐附着在转盘头40或容器20上。这种盐可能附着在要处理的基板W上并且因此引起瑕疵。而且,这些溶液可能流入针孔322并且因此从卡盘针500的下部或移动杆620生成烟雾。而且,由于转盘头40的热应变,卡盘针500可以不与基板的侧壁密切接触。
从底部清洁部件80喷射的冲洗溶液清洁从卡盘针500的下部生成的烟雾。而且,冲洗溶液可以在比硫酸更低的温度处喷射。当冲洗溶液喷射至下部孔和主题300时,卡盘针500和主题300被冷却。因此,转盘头40的热应变可以被避免或热应变程度减少。而且,冲洗溶液朝着容器20的内壁喷射并且因此清洁容器20的内壁。作为实例,冲洗溶液可以以室温喷射。
图9至图11表示当冲洗溶液供应管口清洁转盘头和容器时。
参考图1至图11,冲洗溶液供应管口140a可以在转盘头40和容器20上执行清洁。
在转盘头40上没有基板W时冲洗溶液供应管口140a喷射冲洗溶液至转盘头40。喷射至转盘头40的冲洗溶液可以在转盘头40、支撑针400和卡盘针500的顶部上执行清洁。冲洗溶液要清洁的目标可以为处理溶液的反应所生成的盐。在供应冲洗溶液的同时,转盘头40可以旋转。利用转盘头40的旋转,冲洗溶液可以从转盘头40的顶部开始朝着容器20的内壁喷射。喷射至容器20的冲洗溶液清洁容器20的内壁。冲洗溶液供应管口140a提供的清洁可以与底部清洁部件80提供的清洁分开执行。
冲洗溶液供应管口140a可以将冲洗溶液供应至偏离转盘头40的中央部分的位置。具体的,在喷射位于偏离下管口部件的上部的位置时,冲洗溶液供应管口140a可以供应冲洗溶液。因此,从冲洗溶液供应管口140a喷射进入下管口100b中的冲洗溶液的流动可以被最小化。而且,由于转盘头40的旋转,施加至冲洗溶液的离心力增加,所以喷射至容器200的内壁的冲洗溶液的速度可以增加。喷射的冲洗溶液的速度的增加加强容器20的内壁的清洁度。
在喷射冲洗溶液的同时,转盘头40可以如图10中显示的逆时针和图11中显示的顺时针来交替旋转。当转盘头40逆时针旋转时,冲洗溶液主要从转盘头40喷射至区域A的容器20的内壁。另外,当转盘头40顺时针旋转时,冲洗溶液主要从转盘头40喷射至区域B的容器20的内壁。
图12表示根据另一个实施方式在其上设置底部清洁部件的轴壳体。
参考图12,底部清洁部件90包括支撑臂91和二级支撑臂95。
设置支撑臂91具有与转盘头40的半径对应的长度。沿着轴壳体42设置多个支撑臂91。支撑臂91设置有第一清洁管口92a和第二清洁管口92b。
二级支撑臂95短于支撑臂91。可以沿着轴壳体42的圆周设置多个二级支撑臂95。而且,每个支撑臂95可以位于两个相邻支撑之间。二级支撑臂96设置有第二清洁管口92b。
因为相对于转盘头40的第一清洁管口92a和第二清洁管口92b的位置和操作和图6中的底部清洁部件80的位置和操作相同,不再进行重复描述。
作为另一个实施方式,设置有支撑臂91的第二管口可以省略。
根据本发明的实施方式,可以清洁转盘头和容器。
上文的详细描述显示本发明的实例。而且,上文描述表现示例性实施方式并且本发明可以在各种不同的结合、改变和环境下使用。也就是说,可以在本文所公开的本发明的概念的范围内、在本公开的等同范围内和/或相关技术的技术或知识范围内作为改变或修改。上文描述的实施方式提供有实现本发明的技术精神的最好模式,并且对于具体应用和本发明的使用所需要的各种改变可以实现。因此,本发明的详细描述并不意图将本发明限制为所公开实施方式。而且本文所附权利要求应当构建为包括其它实施方式。
Claims (15)
1.一种处理基板的装置,所述装置包括:
转盘头,在所述转盘头上放置基板;
容器,所述容器被设置为围绕转盘头;
上管口部件,所述上管口部件向下供应的处理溶液;
底部清洁部件,所述底部清洁部件与所述转盘头的底部相距一定距离定位,其中底部清洁部件将冲洗溶液喷射至所述转盘头的底部。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述底部清洁部件包括:
支撑臂,所述支撑臂与所述转盘头的底部相距一定距离定位;和
第一清洁管口,所述第一清洁管口设置在所述支撑臂上以面对所述转盘头的底部。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述底部清洁部件进一步包括第二清洁管口,所述第二清洁管口设置在所述支撑臂上以关于所述第一清洁管口定位在所述转盘头的中央部分。
4.根据权利要求2所述的装置,其中,所述底部清洁部件进一步包括:
二级支撑臂,所述二级支撑臂与所述转盘头的底部相距一定距离定位,其中,所述二级支撑臂短于所述支撑臂;和
第二清管口,所述第二清洁管口设置在二级支撑臂上,比所述第一清洁管口更靠近所述转盘头的中央部分。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述转盘头包括:
本体,在所述本体上放置基板;
卡盘针,所述卡盘针安装在所述本体上以从所述本体向上突出;和
卡盘针移动单元,所述卡盘针移动单元连接至所述卡盘针的下部以驱动所述卡盘针。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述本体包括定位为能够移动所述卡盘针的针孔,和连接至所述针孔的下部孔,所述针孔形成在所述本体的顶部,而所述下部孔形成在所述本体的下部。
7.根据权利要求6所述的装置,其中,所述第一清洁管口和所述转盘头的中央轴之间的距离等于所述下部孔和所述转盘头的中央轴之间的距离。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述本体包括连接至所述针孔和所述下部孔的通孔,所述通过形成在所述本体的侧面。
9.一种清洁装置的方法,所述方法包括:
从与旋转放置在具有顶部开口的容器中的转盘头的底部相距一定距离的位置喷射冲洗溶液至转盘头的底部,以清洁附着在所述转盘头上的盐。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,当基板放置在所述转盘头上时执行冲洗溶液的喷射。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,当所述转盘头旋转时,执行冲洗溶液的喷射。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,在具有与所述转盘头的中央部分相距不同半径的位置上同时执行冲洗溶液的喷射。
13.根据权利要求9所述的方法,进一步包括供应冲洗溶液向下至所述转盘头的顶部,以一起执行所述转盘头顶部连同容器的清洁。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述冲洗溶液被供应至偏离所述转盘头的中央部分的位置。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,当供应冲洗溶液时,在不同的方向上交替旋转所述转盘头。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2013-0104070 | 2013-08-30 | ||
KR20130104070 | 2013-08-30 | ||
KR1020130165407A KR101543691B1 (ko) | 2013-08-30 | 2013-12-27 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법 |
KR10-2013-0165407 | 2013-12-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104425323A true CN104425323A (zh) | 2015-03-18 |
CN104425323B CN104425323B (zh) | 2018-01-19 |
Family
ID=52581422
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410438403.4A Active CN104425323B (zh) | 2013-08-30 | 2014-08-29 | 处理基板的装置和清洁该装置的方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US20150059808A1 (zh) |
CN (1) | CN104425323B (zh) |
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US20150059808A1 (en) | 2015-03-05 |
CN104425323B (zh) | 2018-01-19 |
US11823915B2 (en) | 2023-11-21 |
US20170338132A1 (en) | 2017-11-23 |
US20210074557A1 (en) | 2021-03-11 |
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |