CN104409317B - 一种平面型场致发射背光源及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种平面型场致发射背光源，包括阳极基板，阴极基板、设置于阳极基板和阴极基板之间的隔离柱以及连接阳极基板和阴极基板的封框体，其特征在于：所述阳极基板由一玻璃基板、设置于玻璃基板表面的透明导电层和设置于透明导电层表面的带有若干个填充圈的荧光粉层所组成；所述阴极基板由一玻璃基板、设置于玻璃基板表面的阴极电极和栅极电极、电子发射源和设置于栅极电极表面的荧光粉所组成。本发明将荧光粉层设置于平面型场发射结构的阳极基板和栅极电极表面，能有效地提高背光源的电子发射效率和发光效率；同时，还将隔离柱设置于填充圈内，有效地解决了场发射背光源隔离柱安置对准问题，从而优化场发射背光源的工艺流程，降低制造成本。

Description

一种平面型场致发射背光源及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种背光源及其制造技术领域，特别是一种平面型场致发射背光源及其制造方法。

背景技术

平面光源在众多领域均有广泛应用，尤其是在信息显示领域。包括液晶显示器在内的多种被动式显示器件都需要一个能够均匀发光的平面光源为其提供光源。现有技术中一般采用光学方法对点光源或线光源进行处理得到一个均匀平面光源，比如液晶的背光板就是采用导光板及扩散片将线光源分散成一个平面光源。然而，采用这种转化方式工作的平面光源装置无法直接得到平面光，必须进行后续的光学处理来得到。并且，还需要装配经过精密加工的光学部件，如微透镜、导光板等，从而增加该部分光学部件的费用， 使得生产成本提高。

目前，业界也有利用场发射效应来制造光源装置。其主要工作原理为：它的工作原理是靠很强的外部电场来压抑物体表面的势垒，使势垒高度降低，宽度变窄，当势垒的宽度窄到可以同电子的波长相比拟时，电子通过隧道效应穿透势垒逸入真空而轰击阳极荧光粉发光。

现有技术的平面型场致发射背光源的结构如图1和2所示。图1为传统的二极式结构的背光源，包括阳极基板110、阴极基板140、隔离柱130和封框体120，其中阳极基板110由玻璃基板111和透明导电层112和荧光粉层113组成，隔离柱130设置于荧光粉层113表面；阴极基板140由玻璃基板141、阴极电极142和设置阴极电极142表面的电子发射源143组成。该结构简单，但隔离柱设置于荧光粉层表面，加大了隔离柱的安装、对准及固定；同时器件的工作电压高，电子发射不稳定，且发光效率低。图2为传统的平栅极三极式结构的场致发射背光源，包括阳极基板120、阴极基板240、隔离柱230和封框体220，其中阳极基板210由玻璃基板211和透明导电层212和荧光粉层213组成，隔离柱230设置于荧光粉层213表面；阴极基板240由玻璃基板241、阴极电极242、栅极电极243和设置阴极电极242表面的电子发射源243组成。该结构在栅极的调控下能有效的降低器件的工作电压，但栅极吸收大量电子，降低器件的发光效率低；同时，隔离柱设置于荧光粉层表面，加大了隔离柱的安装、对准及固定。

鉴于此，有必要提供一种新型的平面型场致发射背光源结构，解决隔离柱安装、对准及固定的问题；同时在降低器件工作电压的同时，提高器件的发光效率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种平面型场致发射背光源及其制造方法。

本发明的技术方案在于：

一种平面型场致发射背光源，包括阳极基板，阴极基板、设置于阳极基板和阴极基板之间的隔离柱以及连接阳极基板和阴极基板的封框体，其特征在于：所述阳极基板由一玻璃基板、设置于玻璃基板表面的透明导电层和设置于透明导电层表面的带有若干个填充圈的荧光粉层所组成；所述阴极基板由一玻璃基板、设置于玻璃基板表面的阴极电极和栅极电极、电子发射源和设置于栅极电极表面的荧光粉所组成。

其中所述若干个填充圈在水平方向上自左到右均匀间隔排列构成一个水平行，在竖直方向上匀间隔排列构成一个垂直列，且所述填充圈在水平方向和竖直方向上的间距相等，相邻填充圈的间距为5-100毫米，直径为10-3000微米。

所述隔离柱设置于所述填充圈中，并与透明导电层基底粘在一起并成为一个整体。

所述隔离柱在水平方向上自左到右均匀间隔排列构成一个水平行，在竖直方向上匀间隔排列构成一个垂直列，在水平和竖直方向上相邻隔离子之间的距离均为5-100毫米，隔离柱高度为10-5000微米，直径为10-3000微米。

所述阴极电极和栅极电极平行交替排列设置于同一平面上，且阴极电极和栅极电极之间存在一个微米量级的间隙。

所述间隙的宽度为0.01微米-3000微米。

所述阴极电极和栅极电极的导电材质包括银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的一种金属元素的单层薄膜，或者是银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的多种金属元素的多层复合薄膜或合金薄膜，或者是具有导电性的Sn、Zn、In的氧化物中一种或多种组合的氧化物半导体薄膜，或者是含有所述银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的一种或多种组合的导电金属颗粒或所述Sn、Zn、In中的一种或多种组合的导电半导体氧化物中一种或多种组合的浆料所制备的导电层。

所述电子发射源设置于阴极电极表面，构成一场致发射电子源；或设置于阴极电极表面及该阴极电极与栅极电极之间的间隙内，构成一场致发射电子源和一表面传导电子源。

所述场致电子发射源包括碳纳米管、石墨烯、金属纳米线、金属量子点和金属纳米氧化物；所述表面传导电子源包括金属纳米氧化物或金属氧化物薄膜。

本发明还公开了一种基于上述场致发射背光源下的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

（a）阳极基板制作，其具体包括如下步骤：

（1）提供一透明导电玻璃，对该玻璃进行划片，清洗，烘干后；

（2）采用光刻技术制作四周留有封框圈的透明导电层；

（3）在洁净的透明导电层表面采用印刷、喷涂或3D打印技术涂覆带有若干个填充圈的荧光粉层；

（b）隔离柱制作，采用印刷或3D打印技术在填充圈内打印低熔点玻璃浆料制作隔离柱，设置于填充圈内的隔离柱在水平方向上自左到右均匀间隔排列构成一个水平行，在竖直方向上匀间隔排列构成一个垂直列，在水平和竖直方向上相邻隔离子之间的距离均为5-100毫米，隔离柱高度为10-5000微米，直径为10-3000微米；

（c）封框体制作，采用印刷或3D打印技术在阳极基板的封框圈表面涂覆一层宽度为1-5毫米，厚度为隔离柱高度1-3倍的低熔点玻璃浆料；

（d）阴极基板制作，其具体包括如下步骤：

（1）提供一洁净的玻璃基底；

（2）采用印刷、光刻或3D打印技术在玻璃基底表面形成阴极电极和栅极电极，阴极电极和栅极电极同处一平面，且平行交替排列，阴极电极和栅极电极之间的间隙为0.01微米-3000微米；

（3）采用光刻、镀膜、印刷、热蒸发、原位沉积或3D打印技术中的一种或两种及以上方法在阴极电极表面，或在阴极电极表面及阴极电极和栅极电极之间制作电子发射源；

（4）采用印刷、喷涂或3D打印技术在栅极电极表面制作荧光粉层；

（e）阳极基板和阴极基板对准封接，形成场致发射背光源。

本发明的优点在于：

本发明提供的一种平面型场致发射背光源不仅解决了隔离柱安装、对准及固定的问题；同时在降低器件工作电压的同时，提高了器件的电子发射均匀和发光效率高，而且制作工艺极其简单，易于实现大面积生产制造。

附图说明

图1 为现有技术的二极式场致发射背光源结构示意图。

图2 为现有技术的平栅极场致发射背光源结构示意图。

图3 为本发明一种平面型场致发射背光源的结构示意图。

图4 为本发明优选实施例的一种平面型场致发射背光源的制造流程图。

图5-10为本发明优选实施例的一种平面型场致发射背光源的具体实施步骤示意图。

具体实施方式

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，结合附图作详细说明如下。

图3是本发明提供的一种平面型场致发射背光源结构示意图，图4是本发明优选实施例的一种平面型场致发射背光源的制造流程图。图5至图10示意了一种平面型场致发射背光源具体实施的结构示意图。以下结合图3至图10对本发明优选实施例的一种场平面型致发射背光源及其制造方法进行详细的说明。

如图3所示，本发明提供的一种平面型场致发射背光源，其特征在于，场致发射背光源由阳极基板10、阴极基板40、设置于阳极基板10和阴极基板40之间的隔离柱30以及连接阳极基板10和阴极基板40的封框体20组成。所述阳极基板10由一玻璃基板11、设置于玻璃基板11表面的透明导电层12和封框圈50，以及设置于透明导电层12表面的带有若干个填充圈14的荧光粉层13所组成；所述阴极基板40由一玻璃基板41、设置于玻璃基板41表面的阴极电极42和栅极电极43、设置于阴极电极42表面的场致发射电子源44及设置于阴极电极和栅极电极43之间的表面传导电子源45，及设置于栅极电极表面的荧光粉46所组成；

所述若干个填充圈14在水平方向上自左到右均匀间隔排列构成一个水平行，在竖直方向上匀间隔排列构成一个垂直列；所述填充圈14在水平方向和竖直方向上的间距相等，相邻填充圈14的间距为5-100毫米，直径为10-3000微米。所述隔离柱30设置于所述填充圈14中，并与透明导电层12基底粘在一起并成为一个整体，所述隔离柱30在水平方向上自左到右均匀间隔排列构成一个水平行，在竖直方向上匀间隔排列构成一个垂直列，在水平和竖直方向上相邻隔离柱之间的距离均为5-100毫米，高度为10-5000微米，直径为10-3000微米；所述阴极电极42和栅极电极43平行交替排列设置于同一平面上，且阴极电极42和栅极电极43之间存在一个间距为0.01微米-300微米量级间隙；在该实施例中，构成阴极电极42和栅极电极43的导电材质包括银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的一种金属元素的单层薄膜，或者是银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的多种金属元素的多层复合薄膜或合金薄膜，或者是具有导电性的Sn、Zn、In的氧化物中一种或多种组合的氧化物半导体薄膜，或者是含有所述银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的一种或多种组合的导电金属颗粒或所述Sn、Zn、In中的一种或多种组合的导电半导体氧化物中一种或多种组合的浆料所制备的导电层。所述电子发射源设置于阴极电极42表面，构成一场致发射电子源44；或设置于阴极电极42表面及该阴极电极42与栅极电极43之间的间隙内，构成一场致发射电子源44和一表面传导电子源45；在该实施例中，场致电子发射源43包括碳纳米管、石墨烯、金属纳米线、金属量子点和金属纳米氧化物；表面传导电子源45包括金属纳米氧化物或金属氧化物薄膜。

请参考图4，并结合图5至图10，本发明优选实施例提供的一种平面型场致发射背光源的制造方法包括下列步骤：

（S1）阳极基板10制作。参照图5至图7，具体步骤如下：

（S11）玻璃基板11的准备。选用带有ITO透明导电层的玻璃，对整个玻璃进行划片，清洗。

（S12）透明导电层12制作。利用旋涂工艺将RZJ-304光刻胶转移至带有ITO薄膜的玻璃基片表面，并在110℃保温25min；预烘干的光刻胶膜层自然冷却至室温后进行曝光，将所需图形的掩膜版遮盖在光刻胶膜层上，在光强为4.4mW/cm2光刻机上曝光11秒，用浓度为3%的RZX-3038溶液显影，被光固化的光刻胶被RZX-3038溶液除去，留下所需的图形；用体积比为50 : (3-9) : 50的盐酸、硝酸与水的混合溶液加热至50-60℃喷淋刻蚀；将湿法刻蚀后的基片浸泡于丙酮溶液中，ITO表面的光刻胶因溶于丙酮而脱落，形成ITO透明导电层12和封框圈50。

（S13）荧光粉层13制作。参照图5，在烘干后的洁净透明导电层表面采用印刷或3D打印技术涂覆一层带有填充圈14的荧光粉层13。其中，填充圈14在水平方向上自左到右均匀间隔5-100mm排列构成一个水平行，在竖直方向上匀间隔排列5-100毫米构成一个垂直列，且填充圈14在水平方向和竖直方向上的间距相等，每个填充圈14的直径为10-3000微米；本实施例优选用印刷技术在ITO透明导电层12表面涂覆一层带有填充圈14的荧光粉层13，并在100-150℃保温30分钟，形成场致发射背光源阳极基板10。

（S3）隔离柱30制作。参照图6，采用印刷或3D打印技术在填充圈14内制作隔离柱30。设置于填充圈14内的隔离柱30在水平方向上自左到右均匀间隔排列构成一个水平行，在竖直方向上匀间隔排列构成一个垂直列，在水平和竖直方向上相邻隔离子之间的距离均为5-100毫米，隔离柱高度为10-5000微米，直径为10-3000微米。本实施例优选3D打印技术在填充圈14内打印低熔点玻璃浆料制作隔离柱30。具体步骤如下：

（S31）利用计算机设计隔离柱30结构的三维数字模型，可采用的三维画图软件包括Pro/E、SolidWorks、CATIA、UG、Solidege、AUTO CAD；

（S32）采用RP-Tools软件对隔离柱30的三维数字模型进行二维数字化处理，即沿模型的高度方向对模型进行分割切片，获得Z轴方向厚度为0.2mm的二维子层；

（S33）将隔离柱30的数据模型输入到3D打印机程序中，根据所建模型得出每层二维平面上的材料和形状，设计出打印路径；

（S34）将基板放置与3D打印成型腔内，抽真空并通入惰性气体，如氩气，形成保护气氛；

（S35）打印低熔点玻璃浆料。具体步骤如下：

（S351）隔离柱12打印参数确定。根据3D建模的2D子层图案，确定隔离柱12的参数，包括隔离柱12的高度、直径和相邻隔离柱12之间的间距；本实施优选隔离柱的高度为1mm，直径为0.4mm，在水平和竖直方向上的相邻隔离柱的间距为5mm；

（S352）低熔点玻璃浆料转移。利用3D打印设备中的喷头沿其扫描路径移动将配置好的低熔点玻璃浆料均匀涂布在填充圈14内；

（S353）低熔点玻璃浆料烧结。控制激光束使其烧结温度为460℃，激光头沿喷头移动方向移动，激光发出的高能激光通对涂覆的低熔点玻璃浆料末进行照射，低熔点玻璃浆料与基底粘在一起；

（S354）多次重复步骤（S352）和（S353）制作隔离柱30。

（S355）基片表面处理。将制造完成的基片移出3D打印设备，清理基片表面与内部，包括喷涂打印和激光烧结过程中残留在基片表面多余的低熔点玻璃浆料。

（S4）封框体20制作。参照图7，采用印刷或3D打印技术在阳极基板的封框圈50表面涂覆一层宽度为1-5mm，厚度为隔离柱30高度1-3倍的低熔点玻璃浆料，并在200-300℃保温60分钟。本实施例优选3D打印技术在阳极基板10的封框圈50表面涂覆低熔点玻璃浆料，具体步骤如下：

（S41）利用计算机设计封框体20结构的三维数字模型，可采用的三维画图软件包括Pro/E、SolidWorks、CATIA、UG、Solidege、AUTO CAD；

（S42）采用RP-Tools软件对封框体的三维数字模型进行二维数字化处理，即沿模型的高度方向对模型进行分割切片，得到各层截面的二维轮廓图，获得Z轴方向厚度为0.5mm的二维子层；

（S43）将封框体的数据模型输入到3D打印机程序中，根据所建模型得出每层二维平面上的材料和形状，设计出打印路径；

（S44）将玻璃基板放置与3D打印成型腔内，抽真空并通入惰性气体，如氩气，形成保护气氛；

（S45）打印低熔点玻璃浆料。具体步骤如下：

（S451）封框体打20印参数确定。根据3D建模的2D子层图案，确定封框体的参数，包括封框体的厚度和宽度；本实施优选封框体的宽度为2mm，厚度为2mm；

（S452）低熔点玻璃浆料转移。利用3D打印设备中的喷头沿其扫描路径移动将配置好的低熔点玻璃浆料均匀涂布在封框圈50范围内；

（S453）低熔点玻璃浆料烧结。控制激光束使其烧结温度为300℃，激光头沿喷头移动方向移动，激光发出的高能激光通对基底表面的低熔点玻璃浆料末进行照射，低熔点玻璃浆料中的有机溶剂挥发。

（S454）多次重复步骤（S452）和（S453）制作封框体20。（S455）基片表面处理。将制造完成的基片移出3D打印设备，清理基片表面与内部，包括喷涂打印和激光烧结过程中残留在基片表面多余的低熔点玻璃浆料。

（S5）阴极基板40制作。参照图8至图10，具体步骤如下：

（S51）玻璃基板41的准备。选取玻璃，对整个玻璃进行划片，清洗玻璃基底；

（S52）阴极电极42和栅极电极43制作。参照图8，在玻璃基底41表面形成阴极电极42和栅极电极43，其导电材质包括银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的一种金属元素的单层薄膜，或者是银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的多种金属元素的多层复合薄膜或合金薄膜，或者是具有导电性的Sn、Zn、In的氧化物中一种或多种组合的氧化物半导体薄膜，或者是含有所述银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的一种或多种组合的导电金属颗粒或所述Sn、Zn、In中的一种或多种组合的导电半导体氧化物中一种或多种组合的浆料所制备的导电层。其制作方法可为印刷，或光刻，或3D打印技术。本实施例优选用感光银浆为导电层，利用光刻技术在玻璃基底41表面形成厚膜银浆阴极电极42和栅极电极43，阴极电极42和栅极电极43同处一平面，且平行交替排列，阴极电极42和栅极电极43之间的间隙为0.01微米-3000微米。具体步骤如下：

（S521）感光银浆的旋涂：利用印刷技术将感光银浆浆料转移至玻璃基底41表面，并在110℃保温30min；

（S522）曝光：预烘干的感光银浆膜层自然冷却至室温后进行曝光，将阴极图形的掩膜版遮盖在感光银浆膜层上，感光银浆的光敏剂呈负性，所以受紫外光照的图形被光固化，不受紫外光照的图形保持不变；

（S523）显影：用浓度为0.4%的Na2CO3溶液显影，未被光固化的感光银浆被Na2CO3溶液除去，留下所需的阴极图形；

（S524）高温烧结：在530℃的温度下烧结30min，形成相互平行的阴极电极42和栅极电极43。

（S53）发射源制作。所述电子发射源可设置于阴极电极42表面，构成一场致发射电子源44；也可设置于阴极电极42表面及该阴极电极42与栅极电极43之间的间隙内，构成一场致发射电子源44和一表面传导电子源45；所述场致电子发射源44包括碳纳米管、石墨烯、金属纳米线、金属量子点和金属纳米氧化物；所述表面传导电子源45包括金属纳米氧化物或金属氧化物薄膜。电子发射源的制作方法包括光刻、镀膜、印刷、热蒸发、原位沉积或3D打印技术中的一种或两种及以上方法。本实施例优选氧化锌纳米线为电子发射源，采用光刻技术将电子发射源沉积在阴极电极42表面及该阴极电极42与栅极电极43之间的间隙内。参照图9，具体步骤如下：

（S531）氧化锌感光浆料配制：将质量百分数为4.5%氧化锡纳米线、质量百分数为0.5%低熔点玻璃和质量百分数95%有机浆料（含光敏单体和光引发剂）混合在一起，均匀配制成氧化锡感光浆料。

（S532）感光氧化锌的旋涂：利用旋涂工艺将感光氧化锌浆料转移至表面有阴极电极42和栅极电极43的玻璃基板41表面， 120℃保温时间35分钟，氧化锌膜层形成在玻璃基底41表面。

（S533）曝光：预烘干的感光氧化锌浆料层自然冷却至室温进行曝光，将制备好的掩模版盖在感光氧化锌膜层上，在光强为4.4mW/cm2光刻机上曝光70秒。

（S534）显影：用浓度为1%的Na2CO3溶液显影，未被光固化的感光氧化锌被Na2CO3溶液除去，留下阴极电极42表面和阴栅之间氧化锌电子发射源。

（S535）烧结。将上述基板置于烘箱中，430℃保温时间30分钟，除去氧化锌膜层中的有机浆料，形成在阴极电极42表面的氧化锌纳米线场致发射电子源44和阴栅间隙内的氧化锌纳米线表面传导电子源45。

（S54）栅极电极43表面的荧光粉层46制作。采用印刷，或喷涂，或3D打印技术在栅极电极43表面涂覆一荧光粉层46。本实施例优选用印刷技术在栅极电极43表面涂覆一荧光粉层46，并在350℃保温30分钟。

（S6）背光源制作。将阴极基板40和阳极基板10对准，放置高温烘箱，530℃的温度下烧结30min，经排气封离后形成场致发射背光源。

至此，本发明优选实施例的一种平面型场致发射背光源结构的制造完成。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (9)

1.一种平面型场致发射背光源，包括阳极基板，阴极基板、设置于阳极基板和阴极基板之间的隔离柱以及连接阳极基板和阴极基板的封框体，其特征在于：所述阳极基板由一玻璃基板、设置于玻璃基板表面的透明导电层和设置于透明导电层表面的带有若干个填充圈的荧光粉层所组成；所述阴极基板由一玻璃基板、设置于玻璃基板表面的阴极电极和栅极电极、电子发射源和设置于栅极电极表面的荧光粉所组成；所述隔离柱设置于所述填充圈中，并与透明导电层基底粘在一起并成为一个整体。

2.根据权利要求1所述的一种平面型场致发射背光源，其特征在于：所述若干个填充圈在水平方向上自左到右均匀间隔排列构成一个水平行，在竖直方向上均匀间隔排列构成一个垂直列，且所述填充圈在水平方向和竖直方向上的间距相等，相邻填充圈的间距为5-100毫米，直径为10-3000微米。

3.根据权利要求1所述的一种平面型场致发射背光源，其特征在于：所述隔离柱在水平方向上自左到右均匀间隔排列构成一个水平行，在竖直方向上均匀间隔排列构成一个垂直列，在水平和竖直方向上相邻隔离柱之间的距离均为5-100毫米，隔离柱高度为10-5000微米，直径为10-3000微米。

4.根据权利要求1所述的一种平面型场致发射背光源，其特征在于：所述阴极电极和栅极电极平行交替排列设置于同一平面上，且阴极电极和栅极电极之间存在一个微米量级的间隙。

5.根据权利要求4所述的一种平面型场致发射背光源，其特征在于：所述间隙的宽度为0.01微米-3000微米。

6.根据权利要求4所述的一种平面型场致发射背光源，其特征在于：所述阴极电极和栅极电极的导电材质包括银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的一种金属元素的单层薄膜，或者是银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的多种金属元素的多层复合薄膜或合金薄膜，或者是具有导电性的Sn、Zn、In的氧化物中一种或多种组合的氧化物半导体薄膜，或者是含有所述银、铜、铝、铁、镍、金、铬、铂、钛中的一种或多种组合的导电金属颗粒或所述Sn、Zn、In中的一种或多种组合的导电半导体氧化物中一种或多种组合的浆料所制备的导电层。

7.根据权利要求1所述的一种平面型场致发射背光源，其特征在于：所述电子发射源设置于阴极电极表面，构成一场致发射电子源；或设置于阴极电极表面及该阴极电极与栅极电极之间的间隙内，构成一场致发射电子源和一表面传导电子源。

8.根据权利要求7所述的一种平面型场致发射背光源，其特征在于：所述场致发射电子源包括碳纳米管、石墨烯、金属纳米线、金属量子点和金属纳米氧化物；所述表面传导电子源包括金属氧化物薄膜。

9.一种基于权利要求1-8所述的平面型场致发射背光源下的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

（a）阳极基板制作，其具体包括如下步骤：

（1）提供一透明导电玻璃，对该玻璃进行划片，清洗，烘干；

（2）采用光刻技术制作四周留有封框圈的透明导电层；

（3）在洁净的透明导电层表面采用印刷、喷涂或3D打印技术涂覆带有若干个填充圈的荧光粉层；

（b）隔离柱制作，采用印刷或3D打印技术在填充圈内打印低熔点玻璃浆料制作隔离柱，设置于填充圈内的隔离柱在水平方向上自左到右均匀间隔排列构成一个水平行，在竖直方向上均匀间隔排列构成一个垂直列，在水平和竖直方向上相邻隔离柱之间的距离均为5-100毫米，隔离柱高度为10-5000微米，直径为10-3000微米；

（c）封框体制作，采用印刷或3D打印技术在阳极基板的封框圈表面涂覆一层宽度为1-5毫米，厚度为隔离柱高度1-3倍的低熔点玻璃浆料；

（d）阴极基板制作，其具体包括如下步骤：

（1）提供一洁净的玻璃基底；

（2）采用印刷、光刻或3D打印技术在玻璃基底表面形成阴极电极和栅极电极，阴极电极和栅极电极同处一平面，且平行交替排列，阴极电极和栅极电极之间的间隙为0.01微米-3000微米；

（3）采用光刻、镀膜、印刷、热蒸发、原位沉积或3D打印技术中的一种或两种及其以上方法在阴极电极表面，或在阴极电极表面及阴极电极和栅极电极之间制作电子发射源；

（4）采用印刷、喷涂或3D打印技术在栅极电极表面制作荧光粉层；

（e）阳极基板和阴极基板对准封接，形成场致发射背光源。