CN104375273B - 一种高功率半导体激光器光斑整形装置 - Google Patents

一种高功率半导体激光器光斑整形装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104375273B
CN104375273B CN201410560150.8A CN201410560150A CN104375273B CN 104375273 B CN104375273 B CN 104375273B CN 201410560150 A CN201410560150 A CN 201410560150A CN 104375273 B CN104375273 B CN 104375273B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chip
probe
semiconductor laser
lens
poly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410560150.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104375273A (zh
Inventor
王志源
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd
Original Assignee
Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd filed Critical Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd
Priority to CN201410560150.8A priority Critical patent/CN104375273B/zh
Publication of CN104375273A publication Critical patent/CN104375273A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104375273B publication Critical patent/CN104375273B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0916—Adapting the beam shape of a semiconductor light source such as a laser diode or an LED, e.g. for efficiently coupling into optical fibers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/095—Refractive optical elements
    • G02B27/0955—Lenses

Abstract

本发明涉及一种高功率半导体激光器光斑整形装置，结构为芯片放置平台和探针通电装置通过快速固定装置连接成一体，半导体激光器芯片放置在芯片放置平台上，快速固定装置压下使探针通电装置的探针接触半导体激光器芯片电极完成对半导体激光器芯片通电；多透镜截取装置安装在六维精密调节架的滑动轨道上，多透镜截取装置上安装多个微细透镜，每个微细透镜与半导体激光器芯片的光束弧矢方向水平；半导体激光器芯片出光中心、透镜中心、光斑分析仪的探头中心在一个水平线上。本发明利用探针弹性实现对芯片电极的自适应压力调节实现对芯片的固定，同时探针作为导电材料对半导体激光器施加高电流；对整个透镜采取分段截取，达到一次操作多次使用的目的。

Description

一种高功率半导体激光器光斑整形装置
技术领域
本发明涉及一种用于高功率半导体激光器光斑整形装置，尤其用于高功率半导体激光器单管光束整形的生产过程中。
背景技术
传统的半导体激光器光斑整形是利用机械夹持器对透镜进行夹取，利用螺钉对半导体激光器固定并通电。该方法不仅操作繁琐，机械夹取透镜效率低，而且通过螺钉对激光器施加高电流，为了实现良好的电接触螺钉会对电极造成大面积损伤影响下一步工作；机械夹持法不能对微细透镜进行夹取因此有很大的局限性。
发明内容
本发明的目的为了克服目前高功率半导体激光器光斑整形方面遇到的困难，并提高工作效率，提供一种高功率半导体激光器光斑整形的装置，该装置的操作性强，加快了工作效率。
本发明的技术方案是：
一种高功率半导体激光器光斑整形装置，包括一个芯片放置平台、一个探针通电装置、一个六维精密调节架、一个多透镜截取装置、一个光斑分析仪、一个快速固定装置；其特征在于：芯片放置平台和探针通电装置通过快速固定装置连接成一体，半导体激光器芯片放置在芯片放置平台上，快速固定装置压下使探针通电装置的探针接触半导体激光器芯片电极完成对半导体激光器芯片通电；多透镜截取装置安装在六维精密调节架的滑动轨道上，多透镜截取装置上安装多个微细透镜，每个微细透镜与半导体激光器芯片的光束弧矢方向水平；半导体激光器芯片出光中心、透镜中心、光斑分析仪的探头中心在一个水平线上。
所述的探针通电装置是利用探针的弹性自动调节探针对半导体激光器芯片的压力，保证良好的电接触同时实现对半导体激光器芯片的固定。
所述的多透镜截取装置的微细透镜一次截取为10－20个，通过轨道左右移动实现多次使用。
本发明具有以下特点：一是利用探针的弹性实现对芯片电极的自适应压力调节，同时探针可以作为导电材料对半导体激光器施加高电流；二是为了避免透镜的浪费和提高工作效率，对整个透镜采取分段截取，实现一次操作多次使用的目的。设计了多透镜截取装置和滑动轨道装置。
附图说明
图1是本发明的芯片放置平台和探针通电装置的正视图。
图2是本发明的多透镜截取装置示意图。
图3是图1局部放大示意图。
具体实施方式
结合附图对本发明作进一步的描述。
如图1、图2、图3所示，本发明包括一个芯片放置平台2、一个探针通电装置1、一个六维精密调节架8、一个多透镜截取装置5、一个光斑分析仪9、一个快速固定装置3；其特征在于：芯片放置平台2和探针通电装置1通过快速固定装置3连接成一体，半导体激光器芯片7放置在芯片放置平台2上，快速固定装置3压下使探针通电装置1的探针接触半导体激光器芯片7电极完成对半导体激光器芯片7通电；多透镜截取装置5安装在六维精密调节架8的滑动轨道6上，多透镜截取装置5上安装多个微细透镜4，每个微细透镜4与半导体激光器芯片7的光束弧矢方向水平；半导体激光器芯片出光中心、微细透镜4中心、光斑分析仪9的探头中心在一个水平线上。本发明芯片放置平台2、一个探针通电装置1、一个六维精密调节架8、一个多透镜截取装置5、一个光斑分析仪9、一个快速固定装置3结构均为现有结构。
所述的探针通电装置1是利用探针的弹性自动调节探针对半导体激光器芯片7的压力，保证良好的电接触同时实现对半导体激光器芯片的固定。
如图2所示，所述的多透镜截取装置5的微细透镜4一次截取为11个，微细透镜4用紫外固化胶固定在多透镜截取装置5上，通过滑动轨道6左右移动实现多次使用。
调节的六维精密调节架8，对半导体激光器芯片7的光斑进行整形，通过光斑分析仪9观察。

Claims (3)

1.一种高功率半导体激光器光斑整形装置，包括一个芯片放置平台、一个探针通电装置、一个六维精密调节架、一个多透镜截取装置、一个光斑分析仪、一个快速固定装置；其特征在于：芯片放置平台和探针通电装置通过快速固定装置连接成一体，半导体激光器芯片放置在芯片放置平台上，快速固定装置压下使探针通电装置的探针接触半导体激光器芯片电极完成对半导体激光器芯片通电；多透镜截取装置安装在六维精密调节架的滑动轨道上，多透镜截取装置上安装多个微细透镜，每个微细透镜与半导体激光器芯片的光束弧矢方向水平；半导体激光器芯片出光中心、透镜中心、光斑分析仪的探头中心在一个水平线上。
2.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器光斑整形装置，其特征在于：所述的探针通电装置是利用探针的弹性自动调节探针对半导体激光器芯片的压力，保证良好的电接触同时实现对半导体激光器芯片的固定。
3.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器光斑整形装置，其特征在于：所述的多透镜截取装置的微细透镜一次截取为10－20个，通过轨道左右移动实现多次使用。
CN201410560150.8A 2014-10-21 2014-10-21 一种高功率半导体激光器光斑整形装置 Active CN104375273B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410560150.8A CN104375273B (zh) 2014-10-21 2014-10-21 一种高功率半导体激光器光斑整形装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410560150.8A CN104375273B (zh) 2014-10-21 2014-10-21 一种高功率半导体激光器光斑整形装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104375273A CN104375273A (zh) 2015-02-25
CN104375273B true CN104375273B (zh) 2016-11-09

Family

ID=52554295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410560150.8A Active CN104375273B (zh) 2014-10-21 2014-10-21 一种高功率半导体激光器光斑整形装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104375273B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107102253B (zh) * 2017-05-10 2020-05-08 深圳瑞波光电子有限公司 测试设备及其给电治具
CN109940266B (zh) * 2019-04-10 2020-07-28 中南大学 一种透镜定位装置及定位方法
CN109932829B (zh) * 2019-04-10 2021-02-26 武汉锐科光纤激光技术股份有限公司 一种透镜定位装置及方法
CN111786254B (zh) * 2020-07-15 2021-08-31 中南大学 基于光斑检测的阵列半导体激光器反射镜耦合装置和方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1696764A (zh) * 2005-03-30 2005-11-16 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于高功率半导体激光列阵的光束整形装置
CN202067024U (zh) * 2011-01-18 2011-12-07 山西飞虹激光科技有限公司 半导体激光阵列快慢轴光束重排装置
CN204143070U (zh) * 2014-10-21 2015-02-04 武汉锐科光纤激光器技术有限责任公司 一种高功率半导体激光器光斑整形装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59172622A (ja) * 1983-03-23 1984-09-29 Nec Corp レ−ザ−マ−キング装置およびレ−ザ−マ−キング方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1696764A (zh) * 2005-03-30 2005-11-16 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 用于高功率半导体激光列阵的光束整形装置
CN202067024U (zh) * 2011-01-18 2011-12-07 山西飞虹激光科技有限公司 半导体激光阵列快慢轴光束重排装置
CN204143070U (zh) * 2014-10-21 2015-02-04 武汉锐科光纤激光器技术有限责任公司 一种高功率半导体激光器光斑整形装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104375273A (zh) 2015-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104375273B (zh) 一种高功率半导体激光器光斑整形装置
MX2016002822A (es) Metodo para producir un cristal con un recubrimiento electricamente conductor con defectos aislados electricamente.
EP2390926A3 (en) Light emitting device, method for fabricating the light emitting device, light emitting device package, and lighting unit
EP2346100A3 (en) Light emitting apparatus and lighting system
EP2610892A3 (en) Mass spectrometer and mass spectrometry
CN207765885U (zh) 一种10kV架空导线抬升器
EP2849324A3 (en) Power conversion apparatus
WO2013020933A3 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung von lebensmitteln
EP2511017A3 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen einer Oberfläche
CN204143070U (zh) 一种高功率半导体激光器光斑整形装置
EP2355196A3 (en) Light emitting device package, method of manufacturing the same, and lighting system
EP2696376A3 (en) Current blocking structure for a light emitting diode
RU2015100885A (ru) Искровой разрядник
EP2665142A3 (en) Method and apparatus for emitting wavelength-swept light
CN104075873B (zh) 一种大功率半导体激光器的光斑检测装置及光斑检测方法
WO2014132049A3 (en) Apparatus for the generation of low-energy x-rays
CN205630070U (zh) 气动磁力吸盘及气动磁力夹具
CN102519587B (zh) 测量激光光束光强分布的装置
CN203991514U (zh) 太阳能电池板的风力分区除尘系统
WO2013000580A3 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung von wasserstoff mit hohem wirkungsgrad und dessen verwendungen
CN202502176U (zh) 一种直流离子流场实验装置
CN203991513U (zh) 带风力除尘的电磁分区除尘系统
CN210780680U (zh) 一种太阳能电池片的发电效率检测装置
CN203991494U (zh) 基于风机辅助除尘的高压除尘系统
EP2709154A3 (en) Semiconductor Device and Method for Making the Same

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 430074 East Lake science and technology zone, Wuhan province high tech Avenue, No. 999, the future of science and technology city of the city of Hubei

Applicant after: WUHAN RAYCUS FIBER LASER TECHNOLOGIES CO., LTD.

Address before: 430223 East Lake New Technology Development Zone, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan science and technology park innovation base, building No. 10, building No.

Applicant before: Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co., Ltd.

COR Change of bibliographic data
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant