CN104333363B - 双向可控硅的触发电路及具有其的负载控制电路和风扇 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种双向可控硅的触发电路，其包括：第一电阻和第二电阻，第一电阻和第二电阻之间具有第一节点，第一节点与双向可控硅的门极相连，双向可控硅的第一极通过负载与交流电的第一极相连，双向可控硅的第二极与交流电的第二极相连；控制模块，其第一输出端与第一电阻的另一端相连，其第二输出端和第二电阻的另一端相连，控制模块通过第一、第二输出端输出具有电压差的输出信号以触发双向可控硅导通。该双向可控硅的触发电路，使得双向可控硅的A1脚电压不管是0V、5V，还是0V和5V交变的电压，均能保证双向可控硅可靠地导通和截止，大大降低电路的成本和增加电路的可靠性。本发明还公开了负载控制电路和设置有负载控制电路的风扇。

Description

双向可控硅的触发电路及具有其的负载控制电路和风扇

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，特别涉及一种双向可控硅的触发电路以及具有双向可控硅的触发电路的负载控制电路和一种设置负载控制电路的风扇。

背景技术

目前，许多采用双向可控硅的家电产品的控制电路仍然采用阻容降压方式供电，触发电路为保证双向可控硅不工作在第四象限，所以必须让双向可控硅的A1极和A2极中有一极直接连接市电，如图1所示，这就限制触发电路的电源必须来自市电的半波整流，造成触发电路的电源有50%的浪费，电源电路成本高。

参照图1，电阻R4’、电容MC2’和电阻R5’组成阻容降压电路，ACL相对于ACN为正时，电流直接由ACL通过稳压二极管ZD1’流回ACN，不能为控制电路等低压电路供电，电能白白浪费掉。ACL相对于ACN为负时，电流经稳压二极管ZD1’稳压，保证电解电容EC1’的电压为5V左右，为低压电路供电。并且，图1中的控制电路输出低电平时，双向可控硅导通负载，控制电路输出高电平时，双向可控硅截止，关闭负载。

因此，在本技术方案中，阻容降压电路提供的电能只有50%有效，等同于降压电容容量增大了50%，成本升高，而且电容容量增加，电路的可靠性也随之降低。

现有技术中，另外有一种方案仍是阻容降压方式降压，再经全波整流供电，为让双向可控硅不工作在第四象限，而加上光耦进行隔离，如图2所示。或不用双向可控硅直接采用继电器，这种方案成本更高。

参照图2，电阻R4’、电容MC2’和电阻R5’组成阻容降压电路，经桥式全波整流、稳压二极管ZD1’稳压，保证电解电容EC1’的电压为5V左右，为低压电路供电。并且，图2中的控制电路点亮光耦中的发光二极管时，双向可控硅导通负载，控制电路熄灭光耦中的发光二极管时，双向可控硅截止，关闭负载。该技术方案中因设有光耦，设计复杂、成本高昂。

发明内容

发明人基于现有技术研究得出：现有技术不能采用全波整流电路的关键在于，如果采用全波整流电路，双向可控硅的A1脚电压相对于控制电路的0V电压，将是频率为交流电源频率、电压为0V和5V交变的方波，而控制电路只能输出5V或0V，这样双向可控硅的G脚电压有一半的时间电压与A1脚相同，没有电压差，双向可控硅不能完全导通，因此阻容降压电路提供的电能只有50%有效，等同于降压电容容量增大了50%，不仅成本升高，而且电容容量增加，电路的可靠性也随之降低，还造成电能浪费。

本发明的目的旨在至少解决上述的技术缺陷之一。

为此，本发明的目的在于提出一种双向可控硅的触发电路，使得双向可控硅的A1脚电压不管是0V、5V，还是0V和5V交变的电压，均能保证双向可控硅可靠地导通和截止。

为达到上述目的，本发明的一方面实施例提出的一种双向可控硅的触发电路，包括：第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端相连，所述第一电阻和所述第二电阻之间具有第一节点，所述第一节点与双向可控硅的门极相连，所述双向可控硅的第一极通过负载与输入的交流电的第一极相连，所述双向可控硅的第二极与所述交流电的第二极相连；控制模块，所述控制模块的第一输出端与所述第一电阻的另一端相连，所述控制模块的第二输出端和所述第二电阻的另一端相连，所述控制模块通过所述第一输出端和所述第二输出端输出具有电压差的输出信号以触发所述双向可控硅导通。

根据本发明实施例的双向可控硅的触发电路，电源转换模块中的阻容降压电路后的半波整流电路在不增加光耦、继电器等成本高的隔离元件的前提下，可以改为桥式整流后仍能驱动双向可控硅，而且在降压电容容量不变的情况下电源能量增加1倍，使得电源方案应用范围更广，避免了电能浪费。此外在负载不变的情况下，可以允许降压电容容量降低50%，这将大大降低成本和增加电路的可靠性。

其中，所述控制模块还通过所述第一输出端和所述第二输出端输出高阻信号以控制所述双向可控硅截止。

优选地，在本发明的一个实施例中，所述的双向可控硅的触发电路，还包括：第三电阻，所述第三电阻的一端与所述双向可控硅的门极相连，所述第三电阻的另一端与所述第一节点相连。其中，所述第三电阻的阻值为0-1000欧姆。

并且，所述的双向可控硅的触发电路，还包括第一电容，所述第一电容连接在所述双向可控硅的门极和第二极之间。

进一步地，在本发明的一个实施例中，所述控制模块包括控制单元和驱动单元，所述控制单元用于输出控制信号至所述驱动单元，所述驱动单元根据所述控制信号生成驱动信号以控制所述双向可控硅的导通和截止，所述驱动单元包括：第一三极管，所述第一三极管的集电极与所述第一电阻的另一端相连，所述第一三极管的发射极与预设电压的直流电相连；第四电阻，所述第四电阻的一端与所述第一三极管的基极相连；第二三极管，所述第二三极管的集电极与所述第四电阻的另一端相连，所述第二三极管的发射极接地；第五电阻，所述第五电阻的一端与所述第二三极管的基极相连；第三三极管，所述第三三极管的集电极与所述第二电阻的另一端相连，所述第三三极管的发射极接地；第六电阻，所述第六电阻的一端与所述第三三极管的基极相连，所述第六电阻的另一端与所述第五电阻的另一端相连后与所述控制单元相连。

本发明的第二方面的实施例提出的一种负载控制电路，用于控制输入的交流电为负载供电，所述负载控制电路包括电源转换模块和双向可控硅，所述双向可控硅的第一极通过负载与所述交流电的第一极相连，所述双向可控硅的第二极与所述交流电的第二极相连，所述电源转换模块的第一端与所述交流电的第一极相连，并通过所述负载与所述双向可控硅的第一极相连，所述电源转换模块的第二端与所述交流电的第二极及所述双向可控硅的第二极相连，以使所述双向可控硅的第二极具有第一参考电压或第二参考电压，所述负载控制电路还包括上述的双向可控硅的触发电路，所述双向可控硅的触发电路与所述双向可控硅的门极连接，所述双向可控硅的触发电路在第一状态下向所述双向可控硅的门极输出介于所述第一参考电压和第二参考电压之间的触发电压。

根据本发明实施例的负载控制电路，使得双向可控硅的第二极电压不管是第一参考电压或第二参考电压，还是第一参考电压和第二参考电压交变的电压，均能保证双向可控硅可靠地导通和截止。并且，电源转换模块中的阻容降压电路后的半波整流电路在不增加光耦、继电器等成本高的隔离元件的前提下，可以改为桥式整流后仍能驱动双向可控硅，而且在降压电容容量不变的情况下电源能量增加1倍，使得电源方案应用范围更广，避免了电能浪费。此外在负载不变的情况下，可以允许降压电容容量降低50%，这将大大降低成本和增加电路的可靠性。

在本发明的一个实施例中，所述双向可控硅的触发电路在第二状态下所述控制模块向所述第一电阻和第二电阻输出高阻信号。

进一步地，在本发明的一个实施例中，所述控制模块包括控制单元和驱动单元，所述控制单元用于输出控制信号至所述驱动单元，所述驱动单元根据所述控制信号生成驱动信号以控制所述双向可控硅的导通和截止，所述驱动单元包括：第一三极管，所述第一三极管的集电极与所述第一电阻的另一端相连，所述第一三极管的发射极与所述电源转换模块相连以从所述电源转换模块获得所述第一参考电压；第四电阻，所述第四电阻的一端与所述第一三极管的基极相连；第二三极管，所述第二三极管的集电极与所述第四电阻的另一端相连，所述第二三极管的发射极接地；第五电阻，所述第五电阻的一端与所述第二三极管的基极相连；第三三极管，所述第三三极管的集电极与所述第二电阻的另一端相连，所述第三三极管的发射极接地；第六电阻，所述第六电阻的一端与所述第三三极管的基极相连，所述第六电阻的另一端与所述第五电阻的另一端相连后与所述控制单元相连。

本发明的第三方面的实施例还提出的一种负载控制电路，用于控制输入的交流电为负载供电，所述负载控制电路包括电源转换模块和双向可控硅，所述双向可控硅的第一极通过负载与所述交流电的第一极相连，所述双向可控硅的第二极与所述交流电的第二极相连，所述电源转换模块的第一端与所述交流电的第一极相连，并通过所述负载与所述双向可控硅的第一极相连，所述电源转换模块的第二端与所述交流电源的第二极及所述双向可控硅的第二极相连，以使所述双向可控硅的第二极具有第一参考电压或第二参考电压，所述负载控制电路还包括双向可控硅的触发电路，所述双向可控硅的触发电路与所述双向可控硅的门极连接，所述双向可控硅的触发电路在第一状态下向所述双向可控硅的门极输出介于所述第一参考电压和第二参考电压之间的触发电压，以及在第二状态下向所述双向可控硅的门极输出高阻信号。

根据本发明实施例的负载控制电路，使得双向可控硅的第二极电压不管是第一参考电压或第二参考电压，还是第一参考电压和第二参考电压交变的电压，均能保证双向可控硅可靠地导通和截止。并且，电源转换模块中的阻容降压电路后的半波整流电路在不增加光耦、继电器等成本高的隔离元件的前提下，可以改为桥式整流后仍能驱动双向可控硅，而且在降压电容容量不变的情况下电源能量增加1倍，使得电源方案应用范围更广，避免了电能浪费。此外在负载不变的情况下，可以允许降压电容容量降低50%，这将大大降低成本和增加电路的可靠性。

此外，本发明的实施例还提出了一种风扇，包括设置有本发明第二方面实施例提出的所述的负载控制电路或本发明第三方面实施例提出的所述的负载控制电路。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1为现有技术中一种双向可控硅的触发电路的电路示意图；

图2为现有技术中另一种双向可控硅的触发电路的电路示意图；

图3为根据本发明实施例的双向可控硅的触发电路的电路示意图；

图4为根据本发明一个实施例的双向可控硅的触发电路的电路示意图；

图5为根据本发明实施例的负载控制电路的电路示意图；以及

图6为根据本发明一个实施例的负载控制电路的电路示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

参照下面的描述和附图，将清楚本发明的实施例的这些和其他方面。在这些描述和附图中，具体公开了本发明的实施例中的一些特定实施方式，来表示实施本发明的实施例的原理的一些方式，但是应当理解，本发明的实施例的范围不受此限制。相反，本发明的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。

下面参照附图来描述根据本发明实施例提出的双向可控硅的触发电路以及具有双向可控硅的触发电路的负载控制电路和设置有负载控制电路的风扇。

参照图3和图4来描述本发明第一方面实施例提出的双向可控硅的触发电路。图3为根据本发明实施例的双向可控硅的触发电路的电路示意图。如图3所示，该双向可控硅的触发电路包括第一电阻R1、第二电阻R2和控制模块10。

其中，第一电阻R1的一端和第二电阻R2的一端相连，第一电阻R1和第二电阻R2之间具有第一节点O1，第一节点O1与双向可控硅T1的门极G脚相连，双向可控硅T1的第一极A2脚通过负载20与输入的交流电的第一极ACL相连，双向可控硅T1的第二极A1脚与交流电的第二极ACN相连。控制模块10的第一输出端OUT1与第一电阻R1的另一端相连，控制模块10的第二输出端OUT2和第二电阻R2的另一端相连，控制模块10通过第一输出端OUT1和第二输出端OUT2输出具有电压差的输出信号以触发双向可控硅T1导通。并且，控制模块10还通过第一输出端OUT1和第二输出端OUT2输出高阻信号以控制双向可控硅T1截止。

即言，控制模块10的第一输出端OUT1和第二输出端OUT2至少能有两种状态，一种是具有电压差的输出状态，另一种是输出高阻信号的状态。其中，控制模块10可以是微控制器、集成电路或者其它具有上述功能的电路模块。

在本发明的实施例中，如图3所示，在控制模块10向电阻R1和R2分别提供5V、0V时，因电阻R1和R2的分压作用，双向可控硅T1的门极电压介于0V和5V之间。双向可控硅T1的A1脚不管是0V或5V，还是0V和5V交变的电压，都会与门极G脚之间产生电压差，从而产生触发电流，双向可控硅T1导通，负载20开始工作。

在控制模块10向R1和R2提供高阻信号输入时，电阻R1和R2近似为悬空，因而双向可控硅T1的门极G脚近似为悬空，双向可控硅T1的A1脚不管是什么电压，与门极G脚之间都没有电压差，不会产生触发电流，因此双向可控硅T1截止，负载20停止工作。

其中，需要说明的是，双向可控硅的控制原理是A1脚和G脚有电压差，超过阀值就会产生触发电流，导致A1脚和A2脚导通。

在本发明的一个实施例中，如图4所示，上述的双向可控硅的触发电路还包括第三电阻R3和第一电容C1，第三电阻R3的一端与双向可控硅T1的门极G脚相连，第三电阻R3的另一端与第一节点O1相连。第三电阻R3与双向可控硅T1的门极G脚之间具有第二节点O2，第一电容C1连接在双向可控硅T1的门极G脚和第二极A1脚之间即连接在第二节点O2和第二极A1脚之间，第一电容C1起到滤波作用。

其中，第三电阻R3的阻值可以为0-1000欧姆，允许第三电阻R3两端直接短路连接，即可不需要电阻R3。

在本发明的一个实施例中，如图4所示，控制模块10包括控制单元101和驱动单元102，控制单元101用于输出控制信号至驱动单元102，驱动单元102根据控制信号生成驱动信号以控制双向可控硅T1的导通和截止。

具体而言，如图4所示，驱动单元102包括第一三极管Q1、第四电阻R4、第二三极管Q2、第五电阻R5、第三三极管Q3和第六电阻R6。其中，第一三极管Q1的集电极与第一电阻R1的另一端相连，第一三极管Q1的发射极与预设电压例如5V的直流电相连。第四电阻R4的一端与第一三极管Q1的基极相连，第二三极管Q2的集电极与第四电阻R4的另一端相连，第二三极管Q2的发射极接地（0V）。第五电阻R5的一端与第二三极管Q2的基极相连，第三三极管Q3的集电极与第二电阻R2的另一端相连，第三三极管Q3的发射极接地，第六电阻R6的一端与第三三极管Q3的基极相连，第六电阻R6的另一端与第五电阻R5的另一端相连后与控制单元101相连。

在本实施例中，控制模块10采用3个三极管实现上述的两种状态：有电压差的输出状态和高阻输出状态。当控制单元101输出的控制信号为高电平时，三极管Q2导通，拉低三极管Q1的基极电压，三极管Q1导通，5V电源加给电阻R1；当控制单元101输出的控制信号为高电平时，三极管Q3导通，电阻R2的电压变为0V。这样，电阻R1和电阻R2两端产生电压差，双向可控硅T1的门极电压将不同于与A1脚，从而产生触发电流，双向可控硅T1导通，负载20得电工作。

当控制单元101输出的控制信号为低电平时，三极管Q2截止，三极管Q1的基极无电流流过，三极管Q1截止，电阻R1等同为悬空；当控制单元101输出的控制信号为低电平时，三极管Q3截止，电阻R1等同为悬空。这样，电阻R1、R2、R3等同为悬空或接高阻，双向可控硅T1的门极G脚和A1脚之间没有电压差，不会产生触发电流，双向可控硅T1截止，负载20停止工作。

参照图5和图6来描述本发明第二方面实施例提出的负载控制电路。本发明实施例的负载控制电路用于控制输入的交流电为负载供电。如图5或图6所示，该负载控制电路包括电源转换模块30和双向可控硅T1，双向可控硅T1的第一极A2脚通过负载20与交流电的第一极ACL相连，双向可控硅T1的第二极A1叫与所述交流电的第二极ACN相连，电源转换模块30的第一端与交流电的第一极ACL相连，并通过负载30与双向可控硅T1的第一极相连，电源转换模块30的第二端与所述交流电的第二极及双向可控硅T1的第二极相连，以使所述双向可控硅的第二极具有第一参考电压或第二参考电压，并且该负载控制电路还包括上述的双向可控硅的触发电路100，双向可控硅的触发电路100与双向可控硅T1的门极连接，双向可控硅的触发电路100在第一状态下向双向可控硅T1的门极输出介于所述第一参考电压和第二参考电压之间的触发电压。其中，双向可控硅的第二极的电压可以是第一参考电压，也可以是第二参考电压，还可以是第一参考电压和第二参考电压的交变电压。具体地，第一参考电压可以为5V，第二参考电压可以为0V。

在本发明的一个实施例中，双向可控硅的触发电路100在第二状态下所述控制模块向所述第一电阻和第二电阻输出高阻信号。

并且，在本发明的实施例中，如图5或图6所示，外部高压交流电经电容MC2和电阻R7降为低压交流，再经整流桥301后成低压直流，稳压二极管ZD1将低压直流稳定为5V，即电解电容EC1的电压为5V左右，为控制模块10供电。其中，电容MC2和电阻R7、电阻R8组成阻容降压电路。

双向可控硅T1的A1脚连接到整流桥301的交流输入侧第3脚，因而相对于图中的0V，A1脚的电压是0V、5V不停交变的电压。控制模块10向电阻R1输出5V、向R2输出0V时，因电阻R1和R2的分压作用，双向可控硅T1的门极电压介于0V和5V之间。双向可控硅T1的A1脚和G脚之间产生电压差，产生触发电流，双向可控硅T1导通，负载20工作。控制模块10与电阻R1和R2连接的端口即第一输出端OUT1和第二输出端OUT2置为高阻输出时，电阻R1和R2近似为悬空，因而双向可控硅T1的门极近似为悬空，双向可控硅T1的A1脚不管是什么电压，和G脚之间都没有电压差，不会产生触发电流，双向可控硅T1截止，负载20停止工作。

根据本发明实施例的负载控制电路，使得双向可控硅的第二极电压不管是第一参考电压或第二参考电压，还是第一参考电压和第二参考电压交变的电压，均能保证双向可控硅可靠地导通和截止。并且，电源转换模块中的阻容降压电路后的半波整流电路在不增加光耦、继电器等成本高的隔离元件的前提下，可以改为桥式整流后仍能驱动双向可控硅，而且在降压电容容量不变的情况下电源能量增加1倍，使得电源方案应用范围更广，避免了电能浪费。此外在负载不变的情况下，可以允许降压电容容量降低50%，这将大大降低成本和增加电路的可靠性。

在本发明的一个实施例中，如图6所示，控制模块10包括控制单元101和驱动单元102，控制单元101用于输出控制信号至驱动单元102，驱动单元102根据控制信号生成驱动信号以控制双向可控硅T1的导通和截止。

具体而言，如图6所示，驱动单元102包括第一三极管Q1、第四电阻R4、第二三极管Q2、第五电阻R5、第三三极管Q3和第六电阻R6。其中，第一三极管Q1的集电极与第一电阻R1的另一端相连，第一三极管Q1的发射极与电源转换模块30相连以从电源转换模块30获得所述第一参考电压例如5V。第四电阻R4的一端与第一三极管Q1的基极相连，第二三极管Q2的集电极与第四电阻R4的另一端相连，第二三极管Q2的发射极接地（0V）。第五电阻R5的一端与第二三极管Q2的基极相连，第三三极管Q3的集电极与第二电阻R2的另一端相连，第三三极管Q3的发射极接地，第六电阻R6的一端与第三三极管Q3的基极相连，第六电阻R6的另一端与第五电阻R5的另一端相连后与控制单元101相连。

本发明的第三方面的实施例又提出了一种负载控制电路，该负载控制电路用于控制输入的交流电为负载供电，其中，所述负载控制电路包括电源转换模块和双向可控硅，所述双向可控硅的第一极通过负载与所述交流电的第一极相连，所述双向可控硅的第二极与所述交流电的第二极相连，所述电源转换模块的第一端与所述交流电的第一极相连，并通过所述负载与所述双向可控硅的第一极相连，所述电源转换模块的第二端与所述交流电源的第二极及所述双向可控硅的第二极相连，以使所述双向可控硅的第二极具有第一参考电压或第二参考电压，所述负载控制电路还包括双向可控硅的触发电路，所述双向可控硅的触发电路与所述双向可控硅的门极连接，所述双向可控硅的触发电路在第一状态下向所述双向可控硅的门极输出介于所述第一参考电压和第二参考电压之间的触发电压，以及在第二状态下向所述双向可控硅的门极输出高阻信号。

在本发明的实施例中，双向可控硅的第二极的电压可以是第一参考电压，也可以是第二参考电压，还可以是第一参考电压和第二参考电压的交变电压。具体地，第一参考电压可以为5V，第二参考电压可以为0V。

根据本发明实施例的负载控制电路，使得双向可控硅的第二极电压不管是第一参考电压或第二参考电压，还是第一参考电压和第二参考电压交变的电压，均能保证双向可控硅可靠地导通和截止。并且，电源转换模块中的阻容降压电路后的半波整流电路在不增加光耦、继电器等成本高的隔离元件的前提下，可以改为桥式整流后仍能驱动双向可控硅，而且在降压电容容量不变的情况下电源能量增加1倍，使得电源方案应用范围更广，避免了电能浪费。此外在负载不变的情况下，可以允许降压电容容量降低50%，这将大大降低成本和增加电路的可靠性。

此外，本发明的实施例还提出了一种风扇，其包括设置有本发明第二方面实施例提出的所述的负载控制电路或本发明第三方面实施例提出的所述的负载控制电路。

根据本发明实施例的双向可控硅的触发电路，使得双向可控硅的A1脚电压不管是0V、5V，还是0V和5V交变的电压，均能保证双向可控硅可靠地导通和截止。并且，电源转换模块中的阻容降压电路后的半波整流电路在不增加光耦、继电器等成本高的隔离元件的前提下，可以改为桥式整流后仍能驱动双向可控硅，而且在降压电容容量不变的情况下电源能量增加1倍，使得电源方案应用范围更广，避免了电能浪费。此外在负载不变的情况下，可以允许降压电容容量降低50%，这将大大降低成本和增加电路的可靠性。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同限定。

Claims (9)

1.一种双向可控硅的触发电路，其特征在于，包括：

第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端相连，所述第一电阻和所述第二电阻之间具有第一节点，所述第一节点与双向可控硅的门极相连，所述双向可控硅的第一极通过负载与输入的交流电的第一极相连，所述双向可控硅的第二极与所述交流电的第二极相连；

控制模块，所述控制模块的第一输出端与所述第一电阻的另一端相连，所述控制模块的第二输出端和所述第二电阻的另一端相连，所述控制模块通过所述第一输出端和所述第二输出端输出具有电压差的输出信号以触发所述双向可控硅导通。

2.如权利要求1所述的双向可控硅的触发电路，其特征在于，所述控制模块还通过所述第一输出端和所述第二输出端输出高阻信号以控制所述双向可控硅截止。

3.如权利要求1所述的双向可控硅的触发电路，其特征在于，还包括：

第三电阻，所述第三电阻的一端与所述双向可控硅的门极相连，所述第三电阻的另一端与所述第一节点相连。

4.如权利要求1所述的双向可控硅的触发电路，其特征在于，还包括第一电容，所述第一电容连接在所述双向可控硅的门极和第二极之间。

5.如权利要求1至4任一项所述的双向可控硅的触发电路，其特征在于，所述控制模块包括控制单元和驱动单元，所述控制单元用于输出控制信号至所述驱动单元，所述驱动单元根据所述控制信号生成驱动信号以控制所述双向可控硅的导通和截止，所述驱动单元包括：

第一三极管，所述第一三极管的集电极与所述第一电阻的另一端相连，所述第一三极管的发射极与预设电压的直流电相连；

第四电阻，所述第四电阻的一端与所述第一三极管的基极相连；

第二三极管，所述第二三极管的集电极与所述第四电阻的另一端相连，所述第二三极管的发射极接地；

第五电阻，所述第五电阻的一端与所述第二三极管的基极相连；

第三三极管，所述第三三极管的集电极与所述第二电阻的另一端相连，所述第三三极管的发射极接地；

第六电阻，所述第六电阻的一端与所述第三三极管的基极相连，所述第六电阻的另一端与所述第五电阻的另一端相连后与所述控制单元相连。

6.一种负载控制电路，用于控制输入的交流电为负载供电，其特征在于，所述负载控制电路包括电源转换模块和双向可控硅，所述双向可控硅的第一极通过负载与所述交流电的第一极相连，所述双向可控硅的第二极与所述交流电的第二极相连，所述电源转换模块的第一端与所述交流电的第一极相连，并通过所述负载与所述双向可控硅的第一极相连，所述电源转换模块的第二端与所述交流电的第二极及所述双向可控硅的第二极相连，以使所述双向可控硅的第二极具有第一参考电压或第二参考电压，所述负载控制电路还包括如权利要求1至5任一项所述的双向可控硅的触发电路，所述双向可控硅的触发电路与所述双向可控硅的门极连接，所述双向可控硅的触发电路在第一状态下向所述双向可控硅的门极输出介于所述第一参考电压和第二参考电压之间的触发电压。

7.如权利要求6所述的负载控制电路，其特征在于，所述双向可控硅的触发电路在第二状态下所述控制模块向所述第一电阻和第二电阻输出高阻信号。

8.如权利要求6所述的负载控制电路，其特征在于，所述控制模块包括控制单元和驱动单元，所述控制单元用于输出控制信号至所述驱动单元，所述驱动单元根据所述控制信号生成驱动信号以控制所述双向可控硅的导通和截止，所述驱动单元包括：

第一三极管，所述第一三极管的集电极与所述第一电阻的另一端相连，所述第一三极管的发射极与所述电源转换模块相连以从所述电源转换模块获得所述第一参考电压；

第四电阻，所述第四电阻的一端与所述第一三极管的基极相连；

第二三极管，所述第二三极管的集电极与所述第四电阻的另一端相连，所述第二三极管的发射极接地；

第五电阻，所述第五电阻的一端与所述第二三极管的基极相连；

第三三极管，所述第三三极管的集电极与所述第二电阻的另一端相连，所述第三三极管的发射极接地；

第六电阻，所述第六电阻的一端与所述第三三极管的基极相连，所述第六电阻的另一端与所述第五电阻的另一端相连后与所述控制单元相连。

9.一种风扇，其特征在于，设置有如权利要求6至8任一项所述的负载控制电路。