CN104332527B - 一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器 - Google Patents

一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器 Download PDF

Info

Publication number
CN104332527B
CN104332527B CN201410525599.0A CN201410525599A CN104332527B CN 104332527 B CN104332527 B CN 104332527B CN 201410525599 A CN201410525599 A CN 201410525599A CN 104332527 B CN104332527 B CN 104332527B
Authority
CN
China
Prior art keywords
hole
gallium
responsiveness
infrared detector
indium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410525599.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104332527A (zh
Inventor
王晓东
王兵兵
潘鸣
侯丽伟
谢巍
臧元章
周德亮
俞旭辉
邹锶
刘素芳
关冉
鲁斌
汪瑞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 50 Research Institute
Original Assignee
CETC 50 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 50 Research Institute filed Critical CETC 50 Research Institute
Priority to CN201410525599.0A priority Critical patent/CN104332527B/zh
Publication of CN104332527A publication Critical patent/CN104332527A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104332527B publication Critical patent/CN104332527B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)

Abstract

本发明提供一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器，该方法首先通过数值模拟分别得到铟镓砷红外探测器件在不同情况下，其响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线，然后通过数据拟合得到铟镓砷红外探测器件响应率取最大值时吸收层厚度的经验公式，进而根据拟合结果设计并制作铟镓砷红外探测器。该方法的优点在于，可以针对不同工艺条件生长的铟镓砷材料提取出相应的最佳吸收层厚度，由此设计的探测器件响应率将具有最大值，从而避免为了提高器件响应率而进行反复试片。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。

Description

一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器
技术领域
本发明涉及半导体光探测器件技术，更具体的，涉及一种最大限度提高铟镓砷红外探测器件响应率的方法。
背景技术
由于大气中二氧化碳和水汽分子的强烈吸收，适合应用的红外谱段主要集中在1μm～2.5μm、3μm～5μm、8μm～14μm等三个大气窗口。其中，1μm～2.5μm为短波红外谱段，由于很多物质在该谱段具有独特的光谱特性，所以工作于该谱段的光谱分析和成像设备可广泛应用于医学成像、产业测温、安全防范等民用领域和精确武器制导、红外报警与识别、侦察与监视等军事领域，而且具有低成本、高可靠和实用性强等特点。国际上，用于制备该谱段探测器的材料主要有铟镓砷(InGaAs)基III-V族和碲隔汞(HgCdTe)基II-VI族化合物半导体。与HgCdTe探测器相比，InGaAs探测器的优势在于：(1)可以在常温下工作(HgCdTe探测器需工作于液氮温度下)，使其可以摆脱制冷器的制约，在仪器小型化和成本降低等方面具有较大竞争力；(2)其材料比HgCdTe更容易生长，而且其衬底具有更高的质量和更坚固的性质，使其在批量生产、可靠性及稳定性等方面占有优势。
InP的晶格常数介于InAs与GaAs之间，因此InP被普遍用作三元化合物InxGa1-xAs的衬底材料及外延材料。当x取值0.53时，In0.53Ga0.47As将与InP完全晶格匹配，材料的缺陷与位错密度降至最低。出于对高量子效率和快响应速度的追求，铟镓砷红外探测器普遍采用P-I-N的InP/InGaAs/InP结构。其中，I型的InGaAs红外吸收层作为该结构的功能层，不仅需要完成红外辐射到光生载流子的转化，而且需要将光生载流子输运到结区，以实现电信号的收集。而吸收层的厚度可以直接影响上述两个过程，进而决定铟镓砷红外探测器响应率的大小。
因此，通过控制吸收层的厚度来最大限度提高铟镓砷红外探测器的响应率显得尤为重要。
发明内容
本发明针对上述现有技术中存在的技术问题，提供一种最大限度提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器，从InP/InGaAs/InP红外探测器件的响应率着手研究，考察吸收层厚度对响应率的影响，通过数值模拟得到探测器件响应率随吸收层厚度变化的规律，通过拟合模拟数据得到了响应率取最大值时吸收层厚度的经验公式，进而根据拟合结果设计并制作InP/InGaAs/InP红外探测器件，所得结果对该器件的优化设计具有一定的指导意义。
为达到上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种最大限度提高铟镓砷红外探测器响应率的方法，其步骤如下：
1、首先构建InP/InGaAs/InP红外探测器件的结构模型；
在N型的InP缓冲层上依次形成I型(弱N型)的InGaAs吸收层和P型的InP帽层，然后在InP缓冲层上形成N电极，以及在InP帽层上形成P电极；
2、构建物理模型；
半导体器件数值模拟的基本方程是泊松方程、电子与空穴的连续性方程、电子与空穴的电流密度方程，载流子复合率及其光学产生率通过产生复合项加入连续性方程，其中载流子复合项包括SRH复合、辐射复合和俄歇复合，载流子产生项通过耦合吸收模型来描述其光学产生率，同时还需考虑到载流子的热效应、速度饱和效应以及带间隧穿效应，用有限元方法离散化联立迭代求解；
3、模拟中短波红外辐射从背面垂直照射到器件上，将吸收层厚度设为变量，绘制响应率随吸收层厚度变化的曲线，定义响应率取最大值时的吸收层厚度为最佳吸收层厚度；
4、固定空穴寿命及迁移率，改变入射波长，重复步骤3，得到不同入射波长对应的器件响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线；
5、固定入射波长为Vλ，分别改变空穴寿命及其迁移率，重复步骤3，得到不同空穴寿命及其迁移率对应的器件响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线；
6、首先根据步骤4中被固定的空穴寿命及迁移率，计算相应的空穴扩散长度之值VLD，然后在步骤4所得的一系列曲线中，提取当空穴扩散长度固定为VLD时的最佳吸收层厚度T* abs与入射波长的关系，进而得到T* abs随吸收长度La变化的曲线，通过拟合该曲线得到公式T* abs(La)；
7、在步骤5所得的一系列曲线中，提取当入射波长固定为Vλ时的最佳吸收层厚度T+ abs与空穴寿命及其迁移率的关系，进而得到T+ abs与空穴扩散长度Ldh的关系；
8、将步骤7中所得的T+ abs在Ldh＝VLD点做整体归一化处理后定义为乘法因子MF，然后通过拟合MF随空穴扩散长度Ldh变化的曲线得到公式MF(Ldh)；
9、将步骤6中所得公式T* abs(La)与步骤8中所得公式MF(Ldh)相乘，得到最佳吸收层厚度的经验公式：
T abs ( L a , L dh ) = ( 0.762 + 1.354 L dh ) exp ( - 0.5682 - 0.0332 L a - 0.4088 ) ;
10、制备测试样品，即在InP半绝缘衬底上依次生长N型的InP缓冲层和I型的InGaAs吸收层，并测试样品吸收层的吸收长度La及空穴扩散长度Ldh；
11、根据步骤9中所得的经验公式Tabs(La,Ldh)及步骤10中所测的La与Ldh之值，计算得到样品材料的最佳吸收层厚度；
12、采用与步骤10中测试样品相同的工艺条件在InP半绝缘衬底上依次生长N型的InP缓冲层、I型的InGaAs吸收层和P型的InP帽层，其中吸收层的厚度设计为步骤11中所得的最佳吸收层厚度，然后经过刻蚀、钝化、开孔及电极制作等工艺完成器件制作。
一种铟镓砷红外探测器，采用上述方法制备而成。
本发明的优点是：首先通过数值模拟及数据拟合得到InP/InGaAs/InP红外探测器件响应率取最大值时吸收层厚度的经验公式，进而根据拟合结果设计并制作铟镓砷红外探测器。该方法可以针对不同工艺条件生长的铟镓砷材料提取出相应的最佳吸收层厚度，由此设计的探测器件响应率将具有最大值，避免为了提高器件响应率而进行反复试片，具有方便、快捷、节约成本等优点。
附图说明
图1为台面型InP/InGaAs/InP红外探测器件的结构图；
图2为当空穴寿命＝0.1ns，空穴迁移率＝252.127cm2/Vs时不同入射波长对应的器件响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线；
图3为当入射波长＝1.55μm，空穴迁移率＝252.127cm2/Vs时不同空穴寿命对应的器件响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线；
图4为当入射波长＝1.55μm，空穴寿命＝0.1ns时不同空穴迁移率对应的器件响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线；
图5为当空穴扩散长度固定在0.2554μm时最佳吸收层厚度随吸收长度变化的拟合曲线；
图6为入射波长固定在1.55μm时乘法因子随空穴扩散长度变化的拟合曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。
1、首先构建台面型InP/In0.53Ga0.47As/InP红外探测器件的结构模型，如图1所示，在1μm厚的N型InP缓冲层上依次形成I型(弱N型)的InGaAs吸收层和0.6μm厚的P型InP帽层，然后在InP缓冲层上形成N电极，以及在InP帽层上形成P电极，缓冲层、吸收层和帽层的掺杂浓度分别为2×1018cm-3，3×1016cm-3和2×1018cm-3，台面面积为25×25μm2；
2、构建物理模型：半导体器件数值模拟的基本方程是泊松方程、电子与空穴的连续性方程、电子与空穴的电流密度方程，载流子复合率及其光学产生率通过产生复合项加入连续性方程，其中载流子复合项包括SRH复合、辐射复合和俄歇复合，载流子产生项通过耦合吸收模型来描述其光学产生率，同时还需考虑到载流子的热效应、速度饱和效应以及带间隧穿效应，用有限元方法离散化联立迭代求解；
3、模拟中电子寿命＝0.1ns，电子迁移率＝14702.6cm2/Vs，短波红外辐射从背面垂直照射到器件上，将吸收层厚度设为变量，绘制响应率随吸收层厚度变化的曲线，定义响应率取最大值时的吸收层厚度为最佳吸收层厚度；
4、保持空穴寿命＝0.1ns及空穴迁移率＝252.127cm2/Vs不变，在1.0μm～1.6μm范围内改变入射波长，重复步骤3，得到不同入射波长对应的器件响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线，如图2所示，最佳吸收层厚度随入射波长的增加而增加；
5、保持入射波长＝1.55μm及空穴迁移率＝252.127cm2/Vs不变，改变空穴寿命，重复步骤3，得到不同空穴寿命对应的器件响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线，如图3所示，最佳吸收层厚度随空穴寿命的增加而增加；
6、保持入射波长＝1.55μm及空穴寿命＝0.1ns不变，改变空穴迁移率，重复步骤3，得到不同空穴迁移率对应的器件响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线，如图4所示，最佳吸收层厚度随空穴迁移率的增加而增加，此外，图3和图4还分别展示了改变电子寿命及其迁移率后器件的响应率特性(见空心圆与空心五角星)，但与改变之前(见实线与虚线)几乎重合，说明最佳吸收层厚度并非电子扩散长度的函数；
7、首先根据步骤4中被固定的空穴寿命及迁移率，计算得到相应的空穴扩散长度VLD＝0.25554μm，然后在步骤4所得的一系列曲线(如图2所示)中，提取当空穴扩散长度固定为0.25554μm时的最佳吸收层厚度T* abs与入射波长的关系，进而得到T* abs随吸收长度La变化的曲线，如图5所示，通过拟合该曲线得到公式：
T abs * = exp ( - 0.5682 - 0.0332 L a - 0.4088 ) ;
8、在步骤5及步骤6所得的一系列曲线(如图3及图4所示)中，提取当入射波长固定为1.55μm时的最佳吸收层厚度T+ abs与空穴寿命及其迁移率的关系，进而得到T+ abs与空穴扩散长度Ldh的关系：
T+ abs 0.55 0.65 0.75 0.95 1.05 1.25 1.5 1.75
Ldh 0.25554 0.35986 0.44261 0.6233 0.80809 1.07958 1.39965 1.86989
9、将步骤8中所得的T+ abs在Ldh＝0.25554μm点做整体归一化处理后定义为乘法因子MF，然后通过拟合MF随空穴扩散长度Ldh变化的曲线，如图6所示，得到公式：
MF＝0.762+1.354Ldh；
10、将步骤7中所得公式T* abs(La)与步骤9中所得公式MF(Ldh)相乘，得到最佳吸收层厚度的经验公式：
T abs ( L a , L dh ) = ( 0.762 + 1.354 L dh ) exp ( - 0.5682 - 0.0332 L a - 0.4088 ) ;
11、制备测试样品，即采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在InP半绝缘衬底上依次生长N型的InP缓冲层和I型的InGaAs吸收层，分别采用椭圆偏振光谱(Ellipsometery)法及激光束诱导电流(LBIC)法测试样品得到吸收层的吸收长度La＝1.58μm及空穴扩散长度Ldh＝1.45μm；
12、根据步骤10中所得的经验公式Tabs(La,Ldh)及步骤11中所测的La与Ldh之值，计算得到样品材料的最佳吸收层厚度＝1.5μm；
13、采用与步骤11中测试样品相同的工艺条件在500μm厚的InP半绝缘衬底上依次生长1μm厚的N型InP缓冲层、1.5μm厚的I型(弱N型)InGaAs吸收层和0.6μm厚的P型InP帽层，缓冲层、吸收层和帽层的掺杂浓度分别为2×1018cm-3，3×1016cm-3和2×1018cm-3；
14、在InP帽层上，通过光刻工艺形成台面制作所需窗口，采用Ar+离子干法刻蚀与湿法腐蚀相结合的方法除去窗口区域的InP帽层及InGaAs吸收层；
15、首先将芯片在60℃的(NH4)2S溶液中硫化30分钟后，采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺生长500nm的氮化硅钝化层，然后通过光刻工艺在N、P电极区域形成腐蚀所需窗口，接着用氢氟酸缓冲液腐蚀电极区域的氮化硅，完成电极开孔；
16、利用光刻工艺获得N、P电极区域窗口，然后采用电子束蒸发工艺淀积厚度依次为20/30/20nm的三层金属Ti/Pt/Au，经丙酮浮胶及快速热退火后形成N、P欧姆接触电极，继续在N、P电极区域用离子束溅射工艺沉积厚度为20/400nm的双层金属Cr/Au完成电极加厚。至此具有最大响应率的InP/InGaAs/InP红外探测器件制作完毕。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响本发明的实质内容。

Claims (6)

1.一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)构建InP/InGaAs/InP红外探测器件的结构模型；
2)通过数值模拟构建红外探测器件的物理模型；
3)模拟中短波红外辐射从背面垂直照射到器件上，将吸收层厚度设为变量，绘制响应率随吸收层厚度变化的曲线，定义响应率取最大值时的吸收层厚度为最佳吸收层厚度；
4)固定空穴寿命及其迁移率，改变入射波长，重复步骤3)，分别得到不同入射波长对应的器件响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线；
5)固定入射波长，改变空穴寿命及其迁移率，重复步骤3)，分别得到不同空穴寿命及其迁移率对应的器件响应率随吸收层厚度变化的一系列曲线；
6)根据步骤4)中被固定的空穴寿命及其迁移率，计算相应的空穴扩散长度之值VLD，然后在步骤4)所得的一系列曲线中，提取当空穴扩散长度固定为VLD时的最佳吸收层厚度T* abs与入射波长的关系，进而得到T* abs随吸收长度La变化的曲线，通过拟合该曲线得到公式T* abs(La)；
7)在步骤5)所得的一系列曲线中，提取当入射波长固定为Vλ时的最佳吸收层厚度T+ abs与空穴寿命及其迁移率的关系，进而得到T+ abs与空穴扩散长度Ldh的关系；
8)将步骤7)中所得的T+ abs在Ldh＝VLD点做整体归一化处理后定义为乘法因子MF，然后通过拟合MF随空穴扩散长度Ldh变化的曲线得到公式MF(Ldh)；
9)将步骤6)中所得公式T* abs(La)与步骤8)中所得公式MF(Ldh)相乘，得到最佳吸收层厚度的经验公式：
T a b s ( L a , L d h ) = ( 0.762 + 1.354 L d h ) exp ( - 0.5682 - 0.0332 L a - 0.4088 ) ;
10)制备测试样品，在InP半绝缘衬底上依次生长N型的InP缓冲层和I型的InGaAs吸收层，并测试样品吸收层的吸收长度La及空穴扩散长度Ldh；
11)根据步骤9)中所得的经验公式Tabs(La,Ldh)及步骤10)中所测的La与Ldh之值，计算得到样品材料的最佳吸收层厚度；
12)采用与步骤10)中测试样品相同的工艺条件在InP半绝缘衬底上依次生长N型的InP缓冲层、I型的InGaAs吸收层和P型的InP帽层，其中吸收层的厚度设计为步骤11)中所得的最佳吸收层厚度，然后经过刻蚀、钝化、开孔及电极制作完成器件制作。
2.根据权利要求1所述的提高铟镓砷红外探测器响应率的方法，其特征在于，所述数值模拟的基本方程是泊松方程、电子与空穴的连续性方程、电子与空穴的电流密度方程，载流子复合率及其光学产生率通过产生复合项加入连续性方程，其中载流子复合项包括SRH复合、辐射复合和俄歇复合，载流子产生项通过耦合吸收模型来描述其光学产生率，同时考虑载流子的热效应、速度饱和效应以及带间隧穿效应，用有限元方法离散化联立迭代求解。
3.根据权利要求1所述的提高铟镓砷红外探测器响应率的方法，其特征在于，所述最佳吸收层厚度随入射波长的增加而增加。
4.根据权利要求1所述的提高铟镓砷红外探测器响应率的方法，其特征在于，所述最佳吸收层厚度随空穴寿命的增加而增加。
5.根据权利要求1所述的提高铟镓砷红外探测器响应率的方法，其特征在于，所述最佳吸收层厚度随空穴迁移率的增加而增加。
6.一种铟镓砷红外探测器，采用如权利要求1至5中任一所述的方法制备而成。
CN201410525599.0A 2014-10-08 2014-10-08 一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器 Active CN104332527B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410525599.0A CN104332527B (zh) 2014-10-08 2014-10-08 一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410525599.0A CN104332527B (zh) 2014-10-08 2014-10-08 一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104332527A CN104332527A (zh) 2015-02-04
CN104332527B true CN104332527B (zh) 2016-08-24

Family

ID=52407219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410525599.0A Active CN104332527B (zh) 2014-10-08 2014-10-08 一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104332527B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105633215B (zh) * 2016-03-04 2017-07-28 中国电子科技集团公司第五十研究所 优化阻挡杂质带探测器阻挡层厚度的方法
CN107910385B (zh) * 2017-11-01 2021-08-27 上海电力学院 一种铟镓砷红外探测器制备方法
CN108133977B (zh) * 2017-11-15 2019-08-16 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） 优化阻挡杂质带探测器工作温度的方法
CN110188379B (zh) * 2019-04-16 2023-03-24 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） 远红外阻挡杂质带探测器吸收层厚度的优化方法及装置
CN111651714B (zh) * 2020-05-19 2023-02-28 上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所） 一种优化氮化镓雪崩探测器n型层厚度的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL156744A (en) * 2003-07-02 2011-02-28 Semi Conductor Devices An Elbit Systems Rafael Partnership Depletion-less photodiode with suppressed dark current
ATE408961T1 (de) * 2003-10-13 2008-10-15 Noble Peak Vision Corp Mit einem siliziumsubstrat und einem siliziumschaltkreis integrierte isolierte germanium-photodetektoren umfassender bildsensor
CN101794839B (zh) * 2010-02-09 2011-08-10 中国科学院上海技术物理研究所 一种优化锑化铟光伏型探测器件吸收层厚度的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104332527A (zh) 2015-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104332527B (zh) 一种提高铟镓砷红外探测器响应率的方法及相应探测器
CN105633215B (zh) 优化阻挡杂质带探测器阻挡层厚度的方法
Wu et al. Monolithically integrated InAs/GaAs quantum dot mid-infrared photodetectors on silicon substrates
CN102534764A (zh) Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法
CN107910385A (zh) 一种铟镓砷红外探测器制备方法
CN106949962B (zh) 优化阻挡杂质带太赫兹探测器响应带宽的方法
CN101271933A (zh) 量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法
Deng et al. Demonstration of Si based InAs/GaSb type-II superlattice pin photodetector
Zhu et al. Temperature-dependent characteristics of HgCdTe mid-wave infrared e-avalanche photodiode
CN102201482A (zh) 量子阱红外探测器
CN110188379B (zh) 远红外阻挡杂质带探测器吸收层厚度的优化方法及装置
Koerperick et al. High-power MWIR cascaded InAs–GaSb superlattice LEDs
CN111191403B (zh) 优化bib探测器响应率的方法及bib探测器
JP6391576B2 (ja) フォトミキサおよびその製造方法
Dyakonova et al. Low frequency noise in reverse biased P-InAsSbP/n-InAs infrared photodiodes
Blumröder et al. Influence of structure geometry on THz emission from Black Silicon surfaces fabricated by reactive ion etching
Zhang et al. Wavelength extended InGaAs/InAlAs/InP photodetectors using n-on-p configuration optimized for back illumination
Dai et al. Investigation of carrier escape mechanism in InAs/GaAs quantum dot solar cells
CN107910403B (zh) 一种量子阱红外探测器件材料的制备方法
CN111428364B (zh) 优化阻挡杂质带探测器噪声的方法、系统及介质
Yagi et al. Evaluation of selective energy contact for hot carrier solar cells based on III–V semiconductors
CN113094941B (zh) 优化远红外阻挡杂质带探测器综合带宽的方法及系统
CN205595352U (zh) 基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器
Şahin et al. A numerical design for SWIR/eSWIR dual-band operation with InGaAs nBn structures
Zotova et al. Optoelectronic sensors based on narrowband A3B5 alloys

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant