CN104332247A - 一种抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆,电缆的中心设有镀银铜导体，在镀银铜线内导体外绕包聚四氟乙烯微孔带构成绝缘层，在绝缘层外缠绕镀银铜扁线外导体，在镀银铜扁线外导体外包覆抗核电磁屏蔽层，在抗核电磁屏蔽层外挤包可融性聚四氟乙烯护套层。同时，本发明还公开了上述电缆的制造方法。本发明满足良好的温度相位稳定性、机械相位稳定性、耐高低温性和较小的信号衰减外，还具有耐较强的电磁场干扰性。

Description

一种抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆及其制造方法

技术领域

本发明专利涉及一种抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆，该电缆主要用作空间站、人造卫星、机载等装置上的雷达、电子对抗、导航设备等有相位敏感性要求的信号传输线。

背景技术

随着空间站、登月探测器及导航定位卫星、机载等装置上的雷达、导航电子装备以及其它数字化相敏电子系统等装备系统技术的发展，除了对射频电缆的传输频率、传输损耗以及相位稳定性提出了要求外，还必须满足电缆在核电磁脉冲场强50kV，频率1GHz的条件下，要求屏蔽衰减低，这样才能保证信号在传输过程中不受外界的电磁场干扰。但是这中电缆的制造技术较高，屏蔽性能要求高，屏蔽结构设计难度大。这就引发了人们对电缆抗核电磁干扰的材料和制作工艺关系的研究。

发明内容

为填补以上领域需要的空白，本发明专利提供了一种抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆，在满足良好的温度相位稳定性、机械相位稳定性、耐高低温性和较小的信号衰减外，还具有耐较强的电磁场干扰性。

本发明的方案如下：一种抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆,电缆的中心设有镀银铜导体，在镀银铜线内导体外绕包聚四氟乙烯微孔带构成绝缘层，在绝缘层外缠绕镀银铜扁线外导体，在镀银铜扁线外导体外包覆抗核电磁屏蔽层，在抗核电磁屏蔽层外挤包可融性聚四氟乙烯护套层；

所述的抗核电磁屏蔽层由铜塑复合带绕包层、镀锌铁丝编织层、铜塑复合带绕包层Ⅰ、镀镍铜丝编织、铜塑复合带绕包 层Ⅱ依次绕包编织构成。

进一步，所述的镀银铜扁线外导体与抗核电磁屏蔽层之间还编织有镀银铜线紧固层。

一种抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆，制造方法如下：

a.对内导体用镀银铜线进行拉制和绞合，必须采用高光洁度的钻石拉丝模进行拉制以保证镀银层的光洁度；对导体进行拉制后，在真空退火炉中对镀银铜线进行250℃，8h的退火以降低镀银铜线的硬度和内应力；

b.在内导体外用进口恒张力绕包生产线绕包多层微孔聚四氟乙烯薄膜作为电缆的绝缘层；采用的微孔聚四氟乙烯薄膜的密度均为0.6g/cm³；考虑到电缆的在绕包过程中外径逐渐增大，为了满足同样的绕包搭盖率和绕包角度，薄膜宽度由5mm逐渐增加到10mm；每层薄膜绕包好后，采用合适相对应外径的钨钢模进行定径，以提高电缆的驻波要求；其包带的搭盖率在48%～50%，一直绕包到规定外径；

c.在绝缘层外用进口恒张力绕包生产线缠绕一层搭盖率控制精确度为2%的镀银铜扁线作为外导体；

d. 在缠绕镀银铜扁线外包覆编抗核电磁屏蔽层，抗核电磁屏蔽层依次为：铜塑复合带绕包、镀锌铁丝编织、铜塑复合带绕包、镀镍铜丝编织、铜塑复合带绕包，以提高抗核电磁屏蔽效率；

e. 在抗核电磁屏蔽层外挤包一层可融性聚四氟乙烯作为电缆的外护套。

本发明的有益效果：

1、机械相位好：通过缠绕镀银扁铜扁线作为外导体并在外面编织一层镀银铜线紧固层，使外导体、微孔聚四氟乙烯绝缘绕包与内导体之间更加紧密，在弯曲时不容易发生相对位移，从而保证了电缆的机械相位，电缆在1GHz下弯曲相位控制在±3o；

2、抗核电磁屏蔽性好：采用铜塑复合带绕包、镀锌铁丝编织、铜塑复合带绕包、镀镍铜丝编织、铜塑复合带绕包五层结构。由于电磁波在传输过程中，每遇到一次金属层，就会出现一次吸收一次反射，这样就会形成多次的吸收和多次的反射，极大的降低了电磁波对电缆内部信号传输的干扰。采用镀锌铁丝编织、镀镍铜丝编织是由于电场铁、镍含有磁性，在磁场的作用下，磁体本身也有磁性，内外抵消时，外界磁场便不能穿入干扰内部信号传输，以提高抗核电磁屏蔽效率；

3、传输损耗小：对内导体用的镀银铜线在拉制时均采用了光洁度高的钻石拉丝模，保证了内导体银层的光洁度高，电缆的衰减要比进口低损耗微波电缆的衰减还要小5%左右。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明。

一种抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆,电缆的中心设有镀银铜导体，在镀银铜线内导体外绕包聚四氟乙烯微孔带构成绝缘层，在绝缘层外缠绕镀银铜扁线外导体，在镀银铜扁线外导体外包覆抗核电磁屏蔽层，在抗核电磁屏蔽层外挤包可融性聚四氟乙烯护套层；

所述的抗核电磁屏蔽层由铜塑复合带绕包层、镀锌铁丝编织层、铜塑复合带绕包层Ⅰ、镀镍铜丝编织、铜塑复合带绕包 层Ⅱ依次绕包编织构成。

进一步，所述的镀银铜扁线外导体与抗核电磁屏蔽层之间还编织有镀银铜线紧固层。

一种抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆，制造方法如下：

a.对内导体用镀银铜线进行拉制和绞合，必须采用高光洁度的钻石拉丝模进行拉制以保证镀银层的光洁度；对导体进行拉制后，在真空退火炉中对镀银铜线进行250℃，8h的退火以降低镀银铜线的硬度和内应力；

b.在内导体外用进口恒张力绕包生产线绕包多层微孔聚四氟乙烯薄膜作为电缆的绝缘层；采用的微孔聚四氟乙烯薄膜的密度均为0.6g/cm³；考虑到电缆的在绕包过程中外径逐渐增大，为了满足同样的绕包搭盖率和绕包角度，薄膜宽度由5mm逐渐增加到10mm；每层薄膜绕包好后，采用合适相对应外径的钨钢模进行定径，以提高电缆的驻波要求；其包带的搭盖率在48%～50%，一直绕包到规定外径；

c.在绝缘层外用进口恒张力绕包生产线缠绕一层搭盖率控制精确度为2%的镀银铜扁线作为外导体。

d. 在缠绕镀银铜扁线外包覆编抗核电磁屏蔽层，抗核电磁屏蔽层依次为：铜塑复合带绕包、镀锌铁丝编织、铜塑复合带绕包、镀镍铜丝编织、铜塑复合带绕包，以提高抗核电磁屏蔽效率；

e. 在抗核电磁屏蔽层外挤包一层可融性聚四氟乙烯作为电缆的外护套。

尽管上文对本发明的具体实施方式给予了详细描述和说明，但是应该指明的是，我们可以依据本发明的构想对上述实施方式进行各种等效改变和修改，其所产生的功能作用仍未超出说明书所涵盖的精神时，均应在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆, 其特征在于：电缆的中心设有镀银铜导体，在镀银铜线内导体外绕包聚四氟乙烯微孔带构成绝缘层，在绝缘层外缠绕镀银铜扁线外导体，在镀银铜扁线外导体外包覆抗核电磁屏蔽层，在抗核电磁屏蔽层外挤包可融性聚四氟乙烯护套层；

所述的抗核电磁屏蔽层由铜塑复合带绕包层、镀锌铁丝编织层、铜塑复合带绕包层Ⅰ、镀镍铜丝编织、铜塑复合带绕包 层Ⅱ依次绕包编织构成。

2.根据权利要求1所述的抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆，其特征在于，所述的镀银铜扁线外导体与抗核电磁屏蔽层之间还编织有镀银铜线紧固层。

3.根据权利要求1所述的抗核电磁脉冲型低损耗微波同轴电缆，其特征在于，制造方法如下：

对内导体用镀银铜线进行拉制和绞合，必须采用高光洁度的钻石拉丝模进行拉制以保证镀银层的光洁度；对导体进行拉制后，在真空退火炉中对镀银铜线进行250℃，8h的退火以降低镀银铜线的硬度和内应力；

b.在内导体外用进口恒张力绕包生产线绕包多层微孔聚四氟乙烯薄膜作为电缆的绝缘层；采用的微孔聚四氟乙烯薄膜的密度均为0.6g/cm³；考虑到电缆的在绕包过程中外径逐渐增大，为了满足同样的绕包搭盖率和绕包角度，薄膜宽度由5mm逐渐增加到10mm；每层薄膜绕包好后，采用合适相对应外径的钨钢模进行定径，以提高电缆的驻波要求；其包带的搭盖率在48%～50%，一直绕包到规定外径；

c.在绝缘层外用进口恒张力绕包生产线缠绕一层搭盖率控制精确度为2%的镀银铜扁线作为外导体；

d. 在缠绕镀银铜扁线外包覆编抗核电磁屏蔽层，抗核电磁屏蔽层依次为：铜塑复合带绕包、镀锌铁丝编织、铜塑复合带绕包、镀镍铜丝编织、铜塑复合带绕包，以提高抗核电磁屏蔽效率；

e. 在抗核电磁屏蔽层外挤包一层可融性聚四氟乙烯作为电缆的外护套。