CN104254803B

CN104254803B - 液晶显示元件

Info

Publication number: CN104254803B
Application number: CN201380008382.6A
Authority: CN
Inventors: 栗泽和树; 小川真治; 岩下芳典
Original assignee: Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Current assignee: Shijiazhuang Chengzhi Yonghua Display Material Co Ltd
Priority date: 2013-05-22
Filing date: 2013-10-02
Publication date: 2016-04-06
Anticipated expiration: 2033-10-02
Also published as: EP2884335B1; KR101522952B1; TWI472600B; EP2884335A4; EP2884335A1; TW201435064A; KR20140146579A; US20160060522A1; US9464229B2; CN104254803A; WO2014188613A1

Abstract

本发明提供一种FFS型液晶显示元件，其为使用了介电常数各向异性为负的液晶组合物的液晶显示元件，所述介电常数各向异性为负的液晶组合物在不使介电常数各向异性、粘度、向列相上限温度、低温下的向列相稳定性、γ₁等作为液晶显示元件的诸多特性以及显示元件的烧屏特性变差的情况下，通过使用于FFS模式的液晶显示元件能够实现优异的显示特性，所述液晶组合物含有选自下述通式(I)所表示的化合物组中的至少1种化合物、选自下述通式(II)所表示的化合物组中的至少1种化合物、以及选自下述通式(III)所表示的化合物组中的至少1种化合物，

Description

液晶显示元件

技术领域

本申请发明涉及使用介电常数各向异性为负的向列液晶组合物，具有高透过率、高开口率特征的FFS模式的液晶显示装置。

背景技术

由于显示品质优异，有源矩阵方式液晶显示元件被供于移动终端、液晶电视、投影仪、计算机等的市场。有源矩阵方式中各像素使用TFT(薄膜晶体管)或MIM(金属-绝缘体-金属)等，该方式中使用的液晶化合物或液晶组合物具有高电压保持率得到重视。此外，为了得到更宽的视角特性，提出了与VA(VerticalAlignment：垂直取向)模式、IPS(平面转换(InPlaneSwitching))模式、OCB(光学补偿弯曲排列(OpticallyCompensatedBend)，光学补偿双折射(OpticallyCompensatedBirefringence))模式组合的液晶显示元件，为了得到更明亮的显示，提出了ECB(电控双折射(ElectricallyControlledBirefringence))模式的反射型液晶显示元件。为了应对这样的液晶显示元件，目前还提出了新的液晶化合物或液晶组合物。

作为目前智能手机用液晶显示器，正广泛使用作为高品位、且视觉特性优异的IPS模式的液晶显示元件的一种的边缘场开关模式液晶显示装置(FringeFieldSwitchingmodeLiquidCrystalDisplay；FFS模式液晶显示装置)(参照专利文献1、专利文献2)。FFS模式是为了改善IPS模式的低开口率和透过率而导入的方式，作为所使用的液晶组合物，广泛利用使用了介电常数各向异性为正的p型液晶组合物的材料，这是因为其容易低电压化。此外，由于FFS模式用途的大部分为移动终端，因此进一步节省电力化的要求强烈，液晶元件制造商继续活跃地开发使用了IGZO的阵列的采用等。

另一方面，通过将目前使用了p型材料的液晶材料作为介电常数各向异性为负的n型材料，也能够改善透过率(参照专利文献3)。此时，FFS模式与IPS模式不同而并不产生完全平行的电场，在使用了p型材料的情况下，就靠近像素电极的液晶分子而言，由于液晶分子的长轴沿着边缘电场倾斜，因此透过率变差。与此相对，在使用了n型液晶组合物的情况下，由于n型组合物的极化方向在分子短轴方向上，因此就边缘电场的影响而言，仅使液晶分子沿着长轴旋转，分子长轴能够维持平行排列，因而不会产生透过率的降低。

然而，虽然n型液晶组合物通常作为VA用液晶组合物，但对于VA模式与FFS模式而言，在取向方向、电场方向、所需的光学特性的任一个方面都不同。进而，如后所述，FFS模式的液晶显示元件在电极的结构上具有特征，在VA模式中，两个基板双方都具有电极，而在FFS模式中，只有阵列基板具有电极。因此，关于烧屏、滴痕这样的根据以往技术难以预测效果的课题，处于完全没有了解的状态。因此，即使单纯地转用VA用的液晶组合物，也难以构成目前要求的高性能的液晶显示元件，从而要求提供最适合于FFS模式的n型液晶组合物。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-202356号公报

专利文献2：日本特开2003-233083号公报

专利文献3：日本特开2002-31812号公报

发明内容

发明要解决的课题

本发明的课题在于，提供使用了n型液晶组合物的液晶显示元件，所述n型液晶组合物在介电常数各向异性(Δε)、粘度(η)、向列相-各向同性液体的转变温度(T_NI)、低温下的向列相稳定性、旋转粘度(γ₁)等作为液晶显示元件的诸多特性方面优异，通过使用于FFS模式的液晶显示元件能够实现优异的显示特性。

用于解决课题的手段

本申请发明人等为了解决上述课题而进行了深入研究，并对最适合于FFS模式的液晶显示元件的各种液晶组合物的构成进行了研究，结果发现了含有具有三个特征性结构的液晶化合物的液晶组合物的有用性，从而完成了本申请发明。

本申请发明提供一种液晶显示元件，其特征在于，

第一透明绝缘基板与第二透明绝缘基板相对配置，在上述第一基板与第二基板之间夹持含有液晶组合物的液晶层，

各像素具有在上述第一基板上由透明导电性材料构成的共用电极、配置成矩阵状的多个栅极总线和数据总线、在上述栅极总线与数据总线的交叉部的薄膜晶体管、和由该晶体管驱动的以透明导电性材料构成的像素电极，

在上述液晶层与上述第一基板和第二基板之间分别具有诱发均匀取向的取向膜层，各取向膜的取向方向平行，

为了在上述像素电极与共用电极之间形成边缘电场，上述像素电极与共用电极之间的电极间距离R比上述第一基板与第二基板的距离G更小，

上述共用电极配置于上述第一基板的几乎整个面上，并且配置于与上述像素电极相比更靠近第一基板的位置上，

该液晶组合物具有负的介电常数各向异性，向列相-各向同性液体的转变温度为60℃以上，介电常数各向异性的绝对值为2以上，该液晶组合物含有选自通式(I)所表示的化合物组中的至少1种化合物、选自下述通式(II)所表示的化合物组中的至少1种化合物、以及选自下述通式(III)所表示的化合物组中的至少1种化合物。

[化1]

(式中，R¹和R²各自独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，A表示1,4-亚苯基或反式-1,4-环亚己基，k表示1或2，在k为2的情况下，两个A可以相同也可以不同。)

[化2]

(式中，R³表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，R⁴表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数4～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数3～8的烯氧基，B表示1,4-亚苯基或反式-1,4-环亚己基，m表示0、1或2，在m为2的情况下，两个B可以相同也可以不同。)

[化3]

(式中，R⁵表示碳原子数1～5的烷基，R⁶表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～4的烷氧基，n表示0或1。)

发明效果

本发明的FFS模式的液晶显示元件具有高速响应性优异、显示不良的产生少的特征，具有优异的显示特性。本发明的液晶显示元件有用于液晶TV、监视器等显示元件。

附图说明

图1是示意性地示出本发明的液晶显示元件的构成的一个例子的图。

图2是将图1中的形成在基板2上的电极层3的以II线包围的区域放大的平面图。

图3是沿图2中的III-III线方向切断图1中所示的液晶显示元件的剖面图。

图4是示意性地示出由取向膜4诱发的液晶的取向方向的图。

图5是将图1中的形成在基板2上的电极层3的以II线包围的区域的另一个例子放大的平面图。

图6是沿图2中的III-III线方向切断图1中所示的液晶显示元件的另一个例子的剖面图。

具体实施方式

如上所述，本申请发明中，发现了最适合于FFS模式的液晶显示元件的n型液晶组合物。以下，首先对本发明中的液晶组合物的实施方式进行说明。

(液晶层)

本发明中的液晶组合物含有1种或2种以上通式(I)所表示的化合物作为第一成分。

[化4]

关于通式(I)所表示的化合物的合计含量，在组合物全体的含量当中，作为下限值，优选为10质量％，更优选为15质量％，进一步优选为20质量％，特别优选为25质量％，最优选为27质量％，作为上限值，优选为65质量％，更优选为55质量％，进一步优选为50质量％，特别优选为47质量％，最优选为45质量％。

作为通式(I)所表示的化合物，具体可以举出例如由下述通式(I-a)至通式(I-e)所表示的化合物组表示的化合物。

[化5]

(式中，R¹¹～R¹⁵以及R²¹～R²⁵各自独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基。)

选自通式(I-a)～通式(I-e)所表示的化合物组中的化合物优选含有1种～10种，特别优选含有1种～8种，特别优选含有1种～5种，还优选含有2种以上的化合物。

R¹¹～R¹⁵以及R²¹～R²⁵优选各自独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基或碳原子数2～8的烷氧基，更优选表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基或碳原子数2～5的烷氧基，在表示烯基的情况下，优选为下面记载的式(i)～式(iv)所表示的结构。

[化6]

(式中，在右端与环结构结合。)

此外，R¹¹和R²¹、R¹²和R²²、R¹³和R²³、R¹⁴和R²⁴、R¹⁵和R²⁵可以相同也可以不同，但优选表示不同的取代基。

从这些方面出发，例如，作为通式(I)所表示的化合物，优选含有选自下述通式(V)所表示的化合物组中的至少1种化合物。

[化7]

(式中，R⁹表示氢原子或甲基，R¹⁰表示碳原子数1～5的烷基、碳原子数2～5的烯基、碳原子数1～4的烷氧基。)

更具体地说，通式(V)所表示的化合物优选为下面记载的化合物。

[化8]

[化9]

就通式(V)所表示的化合物在液晶组合物中的含有率而言，作为下限值，优选为5质量％，更优选为15质量％，进一步优选为20质量％，特别优选为23质量％，最优选为25质量％，作为上限值，优选为55质量％，更优选为45质量％，进一步优选为40质量％，特别优选为35质量％，最优选为33质量％。更具体地说，在重视响应速度的情况下，作为下限值，优选为20质量％，更优选为23质量％，进一步优选为25质量％，作为上限值，优选为55质量％，更优选为50质量％，进一步优选为45质量％，在更加重视驱动电压的情况下，作为下限值，优选为5质量％，更优选为10质量％，进一步优选为15质量％，作为上限值，优选为40质量％，更优选为35质量％，进一步优选为33质量％。就通式(V)所表示的化合物的比例而言，通式(V)所表示的化合物在液晶组合物的通式(I)所表示的化合物的合计含量中的含量，作为下限值，优选为50质量％，更优选为55质量％，进一步优选为60质量％，特别优选为65质量％，最优选为67质量％，作为上限值，优选为80质量％，更优选为90质量％，进一步优选为95质量％，特别优选为97质量％，优选为100质量％。

此外，作为通式(V)所表示的化合物以外的通式(I-a)至通式(I-e)所表示的化合物，更具体地说，优选为下面记载的化合物。

[化10]

[化11]

[化12]

[化13]

[化14]

[化15]

[化16]

这些当中，优选式(V-a2)、式(V-b2)、式(I-a1)～式(I-a6)、式(I-b2)、式(I-b6)、式(I-d1)、式(I-d2)、式(I-d3)和式(I-e2)所表示的化合物。

本发明中的液晶组合物含有1种或2种以上通式(II)所表示的化合物作为第二成分。

[化17]

通式(II)所表示的化合物中，R³优选为碳原子数1～8的烷基或碳原子数2～8的烯基，更优选为碳原子数1～8的烷基，进一步优选为碳原子数2～5的烷基，R⁴优选为碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的烷氧基，更优选为碳原子数1～8的烷氧基，进一步优选为碳原子数2～5的烷氧基。

就由通式(II)所表示的化合物表示的化合物在液晶组合物中的含有率而言，作为下限值，优选为25质量％，更优选为35质量％，进一步优选为40质量％，特别优选为43质量％，最优选为45质量％，作为上限值，优选为85质量％，更优选为75质量％，进一步优选为70质量％，特别优选为67质量％，最优选为65质量％。

通式(II)所表示的化合物优选从下面记载的通式(IIa)～通式(IIc)所表示的化合物组中选择至少1种以上，更优选选择2种以上。

[化18]

(式中，R³¹～R³³以及R⁴¹～R⁴³表示与通式(II)中的R³和R⁴相同的意思)

具体地说，通式(IIa)所表示的化合物优选为下面记载的式(IIa-1)～式(IIa-8)所表示的化合物，更优选为式(IIa-1)～式(IIa-4)所表示的化合物，进一步优选为式(IIa-1)和式(IIa-4)所表示的化合物。

[化19]

就通式(IIa)所表示的化合物而言，作为下限值，优选为2质量％，更优选为3质量％，进一步优选为4质量％，特别优选为5质量％，最优选为7质量％，作为上限值，优选为45质量％，更优选为35质量％，进一步优选为29质量％，特别优选为26质量％，最优选为24质量％。

在使用4种以上通式(IIa)所表示的化合物的情况下，优选将式(IIa-1)～式(IIa-4)所表示的化合物组合使用，式(IIa-1)～式(IIa-4)所表示的化合物的含量优选为通式(IIa)所表示的化合物中的50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为85质量％以上，最优选为90质量％以上。

在使用3种通式(IIa)所表示的化合物的情况下，优选将式(IIa-1)、式(IIa-2)和式(IIa-4)所表示的化合物组合使用，式(IIa-1)、式(IIa-2)和式(IIa-4)所表示的化合物的含量优选为通式(IIa)所表示的化合物中的50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为85质量％以上，最优选为90质量％以上。

在使用2种通式(IIa)所表示的化合物的情况下，优选将式(IIa-1)和式(IIa-4)所表示的化合物组合使用，式(IIa-1)和式(IIa-4)所表示的化合物的含量优选为通式(IIa)所表示的化合物中的50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为85质量％以上，最优选为90质量％以上。

具体地说，通式(IIb)所表示的化合物优选为下面记载的式(IIb-1)～式(IIb-6)所表示的化合物，更优选为式(IIb-1)～式(IIb-4)所表示的化合物，进一步优选为式(IIb-1)～式(IIb-3)所表示的化合物，特别优选为式(IIb-1)和式(IIb-3)所表示的化合物。

[化20]

此外，在本申请发明的液晶组合物要求高向列相-各向同性相转变温度(T_NI)的情况下，优选从式(IIb-5)和式(IIb-6)所表示的化合物组中选择至少1种。

在使用4种以上通式(IIb)所表示的化合物的情况下，优选将式(IIb-1)～式(IIb-4)所表示的化合物组合使用，式(IIb-1)～式(IIb-4)所表示的化合物的含量优选为(IIb)所表示的化合物中的50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为85质量％以上，最优选为90质量％以上。

在使用3种通式(IIb)所表示的化合物的情况下，优选将(IIb-1)～式(IIb-3)所表示的化合物组合使用，式(IIb-1)～式(IIb-3)所表示的化合物的含量优选为通式(IIb)所表示的化合物中的50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为85质量％以上，最优选为90质量％以上。

在使用2种通式(IIb)所表示的化合物的情况下，优选将式(IIb-1)和式(IIb-3)所表示的化合物组合使用，式(IIb-1)和式(IIb-3)所表示的化合物的含量优选为通式(IIb)所表示的化合物中的50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为85质量％以上，最优选为90质量％以上。

具体地说，通式(IIc)所表示的化合物优选为下面记载的式(IIc-1)～(IIc-4)所表示的化合物，优选为式(IIc-1)或式(IIc-2)所表示的化合物。

[化21]

在使用2种以上通式(IIc)所表示的化合物的情况下，优选将式(IIc-1)和式(IIc-2)所表示的化合物组合使用，式(IIc-1)和式(IIc-2)所表示的化合物的含量优选为通式(IIc)所表示的化合物中的50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为85质量％以上，最优选为90质量％以上。

本发明中的液晶组合物含有1种或2种以上通式(III)所表示的化合物作为第三成分。

[化22]

(式中，R⁵表示碳原子数1～5的烷基，R⁶表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～4的烷氧基，n表示0、1或2。Y¹～Y⁴各自独立地表示氢原子或氟原子，Y¹～Y⁴中的至少一个表示氟原子，在n＝0时，Y¹或Y²中的至少一个表示氟原子。)

本申请发明的液晶组合物中，就通式(III)所表示的化合物组的总含有率而言，作为下限值，优选为2质量％，更优选为3质量％，进一步优选为4质量％，特别优选为5质量％，作为上限值，优选为35质量％，更优选为28质量％，进一步优选为23质量％，特别优选为19质量％，最优选为17质量％。

作为通式(III)所表示的化合物，n＝0的化合物优选选自下面记载的式(IIIa-1)～式(IIIa-8)所表示的化合物组中，更优选为式(IIIa-1)～式(IIIa-4)所表示的化合物，进一步优选为式(IIIa-1)和式(IIIa-3)所表示的化合物，特别优选为式(IIIa-1)所表示的化合物。

[化23]

在使用4种以上通式(IIIa)所表示的化合物的情况下，优选将式(IIIa-1)～式(IIIa-4)所表示的化合物组合使用，式(IIIa-1)～式(IIIa-4)所表示的化合物的含量优选为通式(III)所表示的化合物中的50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为90质量％以上。

在使用3种通式(IIIa)所表示的化合物的情况下，优选将式(IIIa-1)～式(IIIa-3)所表示的化合物组合使用，式(IIIa-1)～式(IIIa-3)所表示的化合物的含量优选为通式(IIIa)所表示的化合物中的50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为90质量％以上。

在使用2种通式(IIIa)所表示的化合物的情况下，优选将式(IIIa-1)和式(IIIa-3)所表示的化合物组合使用，式(IIIa-1)和式(IIIa-3)所表示的化合物的含量优选为通式(IIIa)所表示的化合物中的50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为90质量％以上。

作为通式(III)所表示的化合物，n＝1或2的化合物优选选自下面记载的通式(IIIb-1)～通式(IIIb-11)所表示的化合物组中，更优选为式(IIIb-1)，式(IIIb-3)～式(IIIb-11)，进一步优选为式(IIIb-1)、式(IIIb-3)、式(IIIb-5)、式(IIIb-6)和式(IIIb-12)，特别优选为式(IIIb-1)、式(IIIb-5)、式(IIIb-6)，最优选为式(IIIb-5)。

[化24]

(式中，R⁵和R⁶表示与通式(III)中的R⁵和R⁶相同的意思。)

在使用通式(IIIb-1)～通式(IIIb-11)所表示的化合物的情况下，优选使用式(IIIb-5)所表示的化合物，式(IIIb-5)所表示的化合物的含量优选为通式(IIIb)所表示的化合物中的50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上，特别优选为90质量％以上。

通式(IIIb-1)～通式(IIIb-11)中的R⁵表示碳原子数1～5的烷基，R⁶表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～4的烷氧基，优选表示碳原子数2～5的烷基，在R⁵和R⁶均为烷基的情况下，优选各自的碳原子数不同。

更详细而言，优选R⁵表示丙基且R⁶表示乙基的化合物或者R⁵表示丁基且R⁶表示乙基的化合物。

本申请发明的液晶组合物可以进一步含有选自以下所示的通式(IV)所表示的化合物中的至少一种。但是，通式(IV)所表示的化合物中，将通式(II)和通式(III)所表示的化合物除外。

[化25]

(式中R⁷和R⁸各自独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，该烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的一个以上的氢原子可以被氟原子取代，该烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的亚甲基在氧原子不连续结合的情况下可以被氧原子取代，在羰基不连续结合的情况下可以被羰基取代，

A¹和A²各自独立地表示1,4-环亚己基、1,4-亚苯基或四氢吡喃-2,5-二基，在A¹或/和A²表示1,4-亚苯基的情况下，该1,4-亚苯基中的一个以上的氢原子可以被氟原子取代，

Z¹和Z²各自独立地表示单键、-OCH₂-、-OCF₂-、-CH₂O-或-CF₂O-，

n¹和n²各自独立地表示0、1、2或3，n¹+n²为1～3，在A¹、A²、Z¹和/或Z²存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同，但将上述通式(II)和通式(III)所表示的化合物除外。)

具体地说，通式(IV)所表示的化合物优选为下面记载的通式(IV-1)～(IV-5)所表示的化合物，进一步优选为通式(IV-1)和式(IV-4)。

[化26]

(式中，R⁷和R⁸表示与通式(IV)中的R⁷和R⁸相同的意思。)

通式(IV)中的R⁷和R⁸各自独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，优选表示碳原子数1～8的烷基或碳原子数2～8的烯基，更优选表示碳原子数2～5的烷基或碳原子数2～5的烯基，进一步优选表示碳原子数2～5的烷基，优选为直链，在R⁷和R⁸均为烷基的情况下，优选各自的碳原子数不同。

更详细而言，优选R⁷表示丙基且R⁸表示乙基的化合物或者R⁷表示丁基且R⁸表示乙基的化合物。

本申请发明的液晶组合物可以进一步含有选自通式(VI)所表示的化合物组中的化合物。

[化27]

(式中，R¹¹至R¹²各自独立地表示碳原子数1至10的烷基、碳原子数1至10的烷氧基或碳原子数2至10的烯基，但在通式(VI)所表示的化合物中，将R¹¹表示碳原子数1～3的烷基且R¹²表示碳原子数1～5的1-烯烃或氢原子的化合物除外。)

在含有选自通式(VI)所表示的化合物组中的化合物的情况下，优选含有2种以上的化合物，也优选含有1种化合物，就此时的含有率而言，作为下限值，优选为1质量％，更优选为2质量％，进一步优选为2.5质量％，作为上限值，优选为25质量％，更优选为20质量％，进一步优选为10质量％。

R¹¹、R¹²优选各自独立地表示碳原子数1至10的烷基、碳原子数2至10的烯基或碳原子数2至10的烷氧基，更优选表示碳原子数1至5的烷基、碳原子数2至5的烯基或碳原子数2至5的烷氧基。此外，R¹¹和R¹²可以相同也可以不同，优选表示不同的取代基。

从这些方面考虑，式(VI)所表示的化合物更具体地说优选为下面记载的化合物。

[化28]

这些当中，优选式(VI-2)、式(VI-4)和式(VI-5)所表示的化合物。

本申请中的1,4-环己基优选为反式-1,4-环己基。

本发明中的液晶组合物将通式(I)、通式(II)和式(III)所表示的化合物作为必须成分，可以进一步含有通式(IV)和/或通式(VI)所表示的化合物。液晶组合物中所含的通式(I)、通式(II)、通式(III)、通式(IV)和通式(VI)所表示的化合物的合计含量优选为80～100质量％，更优选为85～100质量％，进一步优选为90～100质量％，特别优选为95～100质量％，最优选为97～100质量％。

更具体地说，液晶组合物中所含的通式(I)、通式(II)和通式(III)所表示的化合物的合计含量优选为35～55质量％，更优选为40～50质量％，进一步优选为42～48质量％。

就通式(I)、通式(II)、通式(III)、通式(IV)和通式(VI)所表示的化合物的合计含量而言，作为下限值，优选为55质量％，更优选为65质量％，进一步优选为70质量％，特别优选为73质量％，最优选为75质量％，作为上限值，优选为85质量％，更优选为90质量％，进一步优选为92质量％，特别优选为94质量％，最优选为95质量％。

本申请发明的液晶组合物优选不含在分子内具有过酸(-CO-OO-)结构等氧原子彼此结合的结构的化合物。

在重视液晶组合物的可靠性和长期稳定性的情况下，优选使具有羰基的化合物的含量相对于上述组合物的总质量为5质量％以下，更优选设为3质量％以下，进一步优选设为1质量％以下，最优选基本上不含。

优选使分子内的环结构全部为6元环的化合物的含量增多，优选使分子内的环结构全部为6元环的化合物的含量相对于上述组合物的总质量为80质量％以上，更优选设为90质量％以上，进一步优选设为95质量％以上，最优选基本上仅由分子内的环结构全部为6元环的化合物构成液晶组合物。

为了抑制由液晶组合物的氧化导致的劣化，优选使具有亚环己烯基作为环结构的化合物的含量减少，优选使具有亚环己烯基的化合物的含量相对于上述组合物的总质量为10质量％以下，更优选设为5质量％以下，进一步优选基本上不含。

为了抑制由液晶组合物的氧化导致的劣化，优选使具有-CH＝CH-作为连结基团的化合物的含量减少，优选使该化合物的含量相对于上述组合物的总质量为10质量％以下，更优选设为5质量％以下，进一步优选基本上不含。

在重视粘度的改善以及T_NI的改善的情况下，优选使在分子内具有氢原子可以被卤素取代的2-甲基苯-1,4-二基的化合物的含量减少，优选使上述在分子内具有2-甲基苯-1,4-二基的化合物的含量相对于上述组合物的总质量为10质量％以下，更优选设为5质量％以下，进一步优选基本上不含。

在本发明的第一实施方式的组合物中所含的化合物具有烯基作为侧链的情况下，当上述烯基与环己烷结合时，该烯基的碳原子数优选为2～5，当上述烯基与苯结合时，该烯基的碳原子数优选为4～5，优选上述烯基的不饱和键与苯不直接结合。此外，在重视液晶组合物的稳定性的情况下，优选使具有烯基作为侧链并且具有2,3-二氟苯-1,4-二基的化合物的含量减少，优选使该化合物的含量相对于上述组合物的总质量为10质量％以下，更优选设为5质量％以下，进一步优选基本上不含。

本申请发明中的液晶组合物的介电常数各向异性Δε的值具有负的介电常数各向异性，介电常数各向异性的绝对值为2以上。在25℃，介电常数各向异性Δε的值优选为-2.0至-6.0，更优选为-2.5至-5.0，特别优选为-2.5至-4.0，更详细而言，在重视响应速度的情况下，优选为-2.5～-3.4，在重视驱动电压的情况下，优选为-3.4～-4.0。

在25℃，本发明中的液晶组合物的折射率各向异性Δn的值优选为0.08至0.13，更优选为0.09至0.12。更详细而言，在应对薄的单元间隙的情况下，优选为0.10至0.12，在应对厚的单元间隙的情况下，优选为0.08至0.10。

本发明中的液晶组合物的旋转粘度(γ₁)优选为150以下，更优选为130以下，特别优选为120以下。

在本发明中的液晶组合物中，优选作为旋转粘度和折射率各向异性的函数的Z表示特定值。

[数1]

Z＝γ₁/Δn²

(式中，γ₁表示旋转粘度，Δn表示折射率各向异性。)

Z优选为13000以下，更优选为12000以下，特别优选为11000以下。

本发明中的液晶组合物的向列相-各向同性液体相转变温度(T_NI)为60℃以上，优选为75℃以上，更优选为80℃以上，进一步优选为90℃以上。

在本发明的液晶组合物使用于有源矩阵显示元件的情况下，需要具有10¹²(Ω·m)以上的电阻率，优选为10¹³(Ω·m)，更优选为10¹⁴(Ω·m)以上。

本发明的液晶组合物除了上述的化合物以外也可以根据用途含有通常的向列液晶、近晶液晶、胆甾醇液晶、抗氧化剂、紫外线吸收剂等，但在要求液晶组合物的化学稳定性的情况下，优选在其分子内不具有氯原子，在要求液晶组合物对于紫外线等光的稳定性的情况下，优选在其分子内不具有以萘环等为代表的共轭长度长且在紫外区域存在吸收峰的稠环等。

(液晶显示元件)

如上所述的本发明的液晶组合物适用于FFS模式的液晶显示元件。以下，参照图1～6，说明本发明的FFS模式的液晶显示元件的例子。

图1是示意性地示出液晶显示元件的构成的图。在图1中，为了方便说明，将各构成要素分开记载。如图1中所记载，本发明涉及的液晶显示元件10的构成如下：其为具有夹持在相对配置的第一透明绝缘基板2与第二透明绝缘基板7之间的液晶组合物(或液晶层5)的FFS模式的液晶显示元件，具有使用了上述本发明的液晶组合物作为该液晶组合物的特征。第一透明绝缘基板2在液晶层5侧的面上形成有电极层3。此外，在液晶层5与第一透明绝缘基板2和第二透明绝缘基板8之间分别具有与构成液晶层5的液晶组合物直接抵接并诱发均匀取向的一对取向膜4，该液晶组合物中的液晶分子在没有施加电压时按照相对于上述基板2、7大致平行的方式取向。如图1和图3所示，上述第二基板7和上述第一基板2也可以由一对偏振片1、8夹持。进而，图1中，在上述第二基板7与取向膜4之间，设有滤色器6。

即，本发明涉及的液晶显示元件10的构成为：依次层叠有第一偏振片1、第一基板2、包含薄膜晶体管的电极层3、取向膜4、包含液晶组合物的液晶层5、取向膜4、滤色器6、第二基板7和第二偏振片8。第一基板2和第二基板7可以使用如玻璃或塑料那样具有柔软性的透明材料，但也可以一方是硅等不透明材料。2片基板2、7通过配置于周边区域的环氧系热固性组合物等密封材料和封闭材料被贴合，为了保持基板间距离，也可以在其间配置例如玻璃粒子、塑料粒子、氧化铝粒子等粒状间隔物(spacer)或利用光刻法形成的由树脂构成的间隔柱。

图2是将图1中的形成在基板2上的电极层3的以II线包围的区域放大的平面图。图3是沿图2中的III-III线方向切断图1中所示的液晶显示元件的剖面图。如图2所示，形成在第一基板2的表面上的包含薄膜晶体管的电极层3中，用于提供扫描信号的多个栅极总线26与用于提供显示信号的多个数据总线25相互交叉而配置成矩阵状。予以说明的是，在图2中仅示出了一对栅极总线25和一对数据总线24。

由被多个栅极总线26和多个数据总线25包围的区域形成液晶显示装置的单位像素，在该单位像素内，形成有像素电极21和共用电极22。在栅极总线26与数据总线25相互交叉的交叉部附近，设有包含源电极27、漏电极24和栅电极28的薄膜晶体管。该薄膜晶体管作为向像素电极21提供显示信号的开关元件而与像素电极21连结。此外，与栅极总线26并列地设置共用线29。该共用线29为了向共用电极22提供共用信号而与共用电极22连结。

就薄膜晶体管的结构的一个优选形态而言，例如，如图3所示，具有：形成在基板2表面上的栅电极11、以覆盖该栅电极11并且覆盖上述基板2的大致整个面的方式设置的栅绝缘层12、以与上述栅电极11相对的方式形成在上述栅绝缘层12的表面上的半导体层13、以覆盖上述半导体层17的表面的一部分的方式设置的保护膜14、以覆盖上述保护层14和上述半导体层13的一个侧端部并且与形成在上述基板2表面上的上述栅绝缘层12接触的方式设置的漏电极16、以覆盖上述保护膜14和上述半导体层13的另一个侧端部并且与形成在上述基板2表面上的上述栅绝缘层12接触的方式设置的源电极17、以及以覆盖上述漏电极16和上述源电极17的方式设置的绝缘保护层18。在栅电极11的表面上，为了消除与栅电极的段差等理由，也可以形成阳极氧化被膜(未图示)。

对于上述半导体层13，可以使用非晶硅、多晶硅等，但使用ZnO、IGZO(In-Ga-Zn-O)、ITO等透明半导体膜时，能够抑制由光吸收引起的光载流子的不良影响，从增大元件的开口率的观点考虑也优选。

进而，以减小肖特基势垒的宽度、高度为目的，在半导体层13与漏电极16或源电极17之间，也可以设置欧姆接触层15。对于欧姆接触层，可以使用n型非晶硅、n型多晶硅等以高浓度添加了磷等杂质的材料。

栅极总线26、数据总线25、共用线29优选为金属膜，更优选为Al、Cu、Au、Ag、Cr、Ta、Ti、Mo、W、Ni或者其合金，特别优选使用Al或者其合金的配线的情况。此外，绝缘保护层18为具有绝缘功能的层，由氮化硅、二氧化硅、硅酸氮化膜等形成。

在图2和图3所示的实施方式中，共用电极22为形成在栅绝缘层12上的几乎整个面上的平板状电极，另一方面，像素电极21为形成在覆盖共用电极22的绝缘保护层18上的梳形电极。即，共用电极22配置在与像素电极21相比更靠近第一基板2的位置上，这些电极隔着绝缘保护层18相互重叠地配置。像素电极21和共用电极22例如由ITO(铟锡氧化物，IndiumTinOxide)IZO(铟锌氧化物，IndiumZincOxide)、IZTO(铟锌锡氧化物，IndiumZincTinOxide)等透明导电性材料形成。由于像素电极21和共用电极22由透明导电性材料形成，因此以单位像素面积计开口的面积变大，开口率和透过率增加。

就像素电极21和共用电极22而言，为了在这些电极之间形成边缘电场，形成为像素电极21与共用电极22之间的电极间距离R比第一基板1与第二基板7之间的距离G更小。在此，电极间距离R表示在各电极之间的基板上水平方向的距离。在图3中，示出了由于平板状共用电极22与梳形像素电极21重叠，因此电极间距离R＝0的例子，由于电极间距离R比第一基板2与第二基板7之间的距离(即，单元间隙)G更小，因此形成边缘电场E。由此，FFS型液晶显示元件能够利用在相对于形成像素电极21的梳形的线垂直的方向上形成的水平方向的电场和抛物线状电场。像素电极21的梳状部分的电极宽度l以及像素电极21的梳状部分的间隙宽度m优选形成为，利用所产生的电场能够驱动液晶层5内的全部液晶分子的程度的宽度。

就滤色器6而言，从防止漏光的观点考虑，优选在与薄膜晶体管和储存电容器23对应的部分上形成黑色矩阵(未图示)。

在电极层3和滤色器6上，设有与构成液晶层5的液晶组合物直接抵接并诱发均匀取向的一对取向膜4。取向膜4例如是经摩擦处理的聚酰亚胺膜，各取向膜的取向方向平行。在此，使用图4，对本实施方式中的取向膜4的摩擦方向(液晶组合物的取向方向)进行说明。图4是示意性地示出由取向膜4诱发的液晶的取向方向的图。本发明中，使用具有负的介电常数各向异性的液晶组合物。因此，在将相对于形成像素电极21的梳形的线垂直的方向(形成水平电场的方向)设为x轴时，优选取向成该x轴与液晶分子30的长轴方向所成的角θ为大致0～45°。在图3中所示的例子中，示出了x轴与液晶分子30的长轴方向所成的角θ为大致0°的例子。如此诱发液晶的取向方向是为了提高液晶显示装置的最大透过率。

此外，关于偏振片1和偏振片8，可以调整各偏振片的偏振轴从而调整为视场角、对比度变得良好，并且优选具有相互正交的透过轴，使得它们的透过轴以常黑模式工作。特别是偏振片1和偏振片8中的任一个优选配置成具有与液晶分子30的取向方向平行的透过轴。此外，优选以对比度最大的方式调整液晶的折射率各向异性Δn和单元厚度d的积。进而，也可以使用用于扩大视场角的相位差膜。

如上所述的构成的FFS型液晶显示装置10通过薄膜TFT向像素电极21提供图像信号(电压)，从而在像素电极21与共用电极22之间产生边缘电场，利用该电场驱动液晶。即，在不施加电压的状态下，液晶分子30配置成其长轴方向与取向膜4的取向方向平行。如果施加电压，则在像素电极21与共用电极22之间，抛物线形的电场的等电位线形成至像素电极21和共用电极22的上部，液晶层5内的液晶分子30沿着所形成的电场在液晶层5内进行旋转。在本发明中，由于使用具有负的介电常数各向异性的液晶分子30，因此按照液晶分子30的长轴方向与所产生的电场方向正交的方式进行旋转。位于像素电极21附近的液晶分子30虽然容易受到边缘电场的影响，但是具有负的介电常数各向异性的液晶分子30由于极化方向在分子的短轴上，因此不会向其长轴方向相对于取向膜4正交的方向旋转，液晶层5内的所有液晶分子30的长轴方向能够相对于取向膜4维持平行方向。由此，与使用了具有正的介电常数各向异性的液晶分子30的FFS型液晶显示元件相比，能够得到优异的透过率特性。

使用图1～图4说明的FFS型液晶显示元件是一个例子，只要不脱离本发明的技术思想，就可以以其他各种方式实施。例如，图5是将图1中的形成在基板2上的电极层3的以II线包围的区域放大的平面图的另一个例子。如图5所示，也可以为像素电极21具有狭缝的构成。此外，也可以按照相对于栅极总线26或数据总线25具有倾斜角的方式形成狭缝的图案。

此外，图6是沿图2中的III-III线方向切断图1中所示的液晶显示元件的剖面图的另一个例子。在图6所示的例子中，使用梳形或具有狭缝的共用电极22，像素电极21与共用电极22的电极间距离R＝α。进而，虽然在图3中示出了共用电极22形成在栅绝缘膜12上的例子，但也可以如图6所示，将共用电极22形成在第一基板2上，隔着栅绝缘膜12设置像素电极21。像素电极21的电极宽度l、共用电极22的电极宽度n以及电极间距离R优选适当地调整为利用所产生的电场能够驱动液晶层5内的全部液晶分子的程度的宽度。

本发明涉及的FFS模式的液晶显示元件由于使用了特定液晶组合物，因此能够兼顾高速响应与显示不良的抑制。

此外，就FFS模式的液晶显示元件而言，在第一基板2与第二基板7之间注入液晶层5时，例如进行真空注入法或滴注(ODF：OneDropFill)法等方法，但在本申请发明中，ODF法中，能够抑制向基板滴下液晶组合物时的滴痕的产生。此外，滴痕定义为，在显示黑色的情况下将液晶组合物滴下的痕迹浮现出白色的现象。

滴痕的产生受到所注入的液晶材料的大影响，进而根据显示元件的构成，也无法避免该影响。FFS模式的液晶显示元件中，就显示元件中形成的薄膜晶体管以及梳形、具有狭缝的像素电极21等而言，由于使其与液晶组合物隔开的构件只有薄取向膜4、或者薄取向膜4和薄绝缘保护层18等，因此不能完全遮挡离子性物质的可能性高，无法避免由于构成电极的金属材料与液晶组合物的相互作用而导致的滴痕的产生，但在FFS型液晶显示元件中，通过将本申请发明的液晶组合物组合使用，能够有效抑制滴痕的产生。

此外，利用ODF法的液晶显示元件的制造工序中，需要根据液晶显示元件的尺寸而滴下最佳液晶注入量，但本申请发明的液晶组合物例如对滴下液晶时产生的滴下装置内的急剧压力变化、冲击的影响小，能够长时间稳定地持续滴下液晶，因此也能够保持高的液晶显示元件的成品率。特别是多用于最近流行的智能手机中的小型液晶显示元件，由于最佳的液晶注入量少，因此本身就难以将与最佳值的偏差控制在一定范围内，但通过使用本申请发明的液晶组合物，即使在小型液晶显示元件中也能够实现稳定的液晶材料的排出量。

实施例

以下举出实施例来更详细说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。此外，以下的实施例和比较例的组合物中的“％”是指“质量％”。

实施例中，测定的特性如下。

T_NI：向列相-各向同性液体相转变温度(℃)

Δn：25℃时的折射率各向异性

Δε：25℃时的介电常数各向异性

η：20℃时的粘度(mPa·s)

γ₁：25℃时的旋转粘度(mPa·s)

VHR：在频率60Hz、施加电压1V的条件下于60℃时的电压保持率(％)

烧屏：

就液晶显示装置的烧屏评价而言，在显示区域内使规定的固定图案显示1000小时后，通过目视对进行全画面均匀显示时的固定图案的残影水平进行以下的4阶段评价。

◎无残影

○残影即使有一点，也为可允许的水平

Δ存在残影，为不可允许的水平

×存在残影，非常差

滴痕：

就液晶显示装置的滴痕的评价而言，通过目视对在整面显示黑色的情况下浮现出白色的滴痕进行以下的4阶段评价。

◎无残影

○残影即使有一点，也为可允许的水平

Δ存在残影，为不可允许的水平

×存在残影，非常差

工艺适合性：

就工艺适合性而言，在ODF工艺中，使用定容计量泵，每1次滴下50pL液晶，将其进行100000次，对如下“0～100次、101～200次、201～300次、····99901～100000次”的各100次滴下的液晶量的变化进行以下的4阶段评价。

◎变化极小(能够稳定地制造液晶显示元件)

○变化即使有一点，也为可允许的水平

△有变化，为不可允许的水平(因产生斑而成品率差)

×有变化，非常差(产生液晶泄漏、真空气泡)

低温下的溶解性：

就低温下的溶解性评价而言，调制液晶组合物后，称量1g液晶组合物到2mL的样品瓶中，在温度控制式试验槽中对其持续施加如下温度变化，该温度变化以“-20℃(保持1小时)→升温(0.1℃/每分钟)→0℃(保持1小时)→升温(0.1℃/每分钟)→20℃(保持1小时)→降温(-0.1℃/每分钟)→0℃(保持1小时)→降温(-0.1℃/每分钟)→-20℃”为1个循环，通过目视观察来自液晶组合物的析出物的产生，并进行以下的4阶段评价。

◎600小时以上未观察到析出物。

○300小时以上未观察到析出物。

△在150小时以内观察到析出物。

×在75小时以内观察到析出物。

另外，实施例中，对于化合物的记载，使用以下的略称。

(侧链)

-n-C_nH_2n+1碳原子数n的直链状烷基

-On-OC_nH_2n+1碳原子数n的直链状烷氧基

-V-C＝CH₂乙烯基

-Vn-C＝C-C_nH_2n+1碳原子数(n+1)的1-烯烃

(环结构)

[化29]

(实施例1(液晶组合物1))

调制具有下面所示的组成的液晶组合物(液晶组合物1)，测定其物性值。将其结果示于下表。

使用液晶组合物1，制作通常作为TV用的单元厚度3.0μm的FFS模式的液晶显示元件。液晶组合物的注入利用滴下法进行，并进行了烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性的评价。

另外，含量左侧的符号是上述化合物的略称的记载。

[化30]

实施例1

[表1]

可知，液晶组合物1具有作为TV用液晶组合物实用的85.3℃的T_NI、具有大Δε绝对值、具有低η和最佳的Δn。使用液晶组合物1制作FFS模式的液晶显示元件，并利用上述方法，评价烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性时，显示出非常优异的评价结果。

(实施例2(液晶组合物2))

调制设计成与液晶组合物1具有同等的T_NI、同等的Δn值以及同等的Δε值的具有下面所示的组成的液晶组合物(液晶组合物2)，并测定其物性值。将其结果示于下表。

使用液晶组合物2，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，将进行烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性的评价结果示于同一表中。

[表2]

实施例2

可知，液晶组合物2具有作为TV用液晶组合物实用的液晶相温度范围、具有大介电常数各向异性的绝对值、具有低粘性以及最佳的Δn。使用液晶组合物2制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元件，并利用上述方法，评价烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性时，显示出优异的评价结果。

(实施例3(液晶组合物3))

调制设计成与液晶组合物1、2具有同等的T_NI、同等的Δn值以及同等的Δε值的具有下面所示的组成的液晶组合物(液晶组合物3)，并测定其物性值。将其结果示于下表。

使用液晶组合物3，与实施例1同样地制作FFS模式的液晶显示元件，将进行烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性的评价结果示于同一表中。

[表3]

实施例3

可知，液晶组合物3具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI、具有大Δε绝对值、具有低η和最佳的Δn。使用液晶组合物3制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元件，并利用上述方法，评价烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性时，显示出优异的评价结果。

(比较例1～3)

使用液晶组合物1～3，制作通常作为TV用的单元厚度3.5μm的垂直取向液晶显示元件(VA模式的液晶显示元件)。

对于实施例1～3中分别制作的FFS模式的液晶显示元件与比较例1～3中分别制作的VA模式的液晶显示元件，进行透过率、对比度、响应速度的比较。将其结果示于下面。另外，实施例1～3以及比较例1～3的液晶显示元件的透过率是将各模式中注入液晶组合物前的元件的透过率设为100％时的值。

[表4]

使用液晶组合物1～3而制作的FFS模式的显示元件(实施例1～3)与分别使用相同的液晶组合物而制作的VA模式的液晶显示元件(比较例1～3)相比，在最高透过率、对比度以及响应速度方面均显示出优异的特性。

在液晶分子相对于基板平行取向并且产生边缘电场的FFS模式的液晶显示元件中，要求与液晶分子相对于基板垂直取向并且垂直地产生电场的VA模式的液晶显示元件不同的液晶的基本特性。通过使液晶组合物1～3含有作为本申请必须成分的通式(I)、通式(II)和通式(III)的化合物，从而在不损害作为液晶显示元件的基本特性的情况下实现了作为FFS模式的重要特征的透过率的提高。另一方面，由于FFS模式的这些差异，关于烧屏、滴痕这样的效果，是难以根据以往的知识来预测到的。本发明的液晶显示元件中，对这些方面也显示出良好的特性。

(实施例4(液晶组合物4))

调制设计成与组合物1～3具有同等的T_NI、同等的Δn值以及同等的Δε值的具有下面所示的组成的液晶组合物(液晶组合物4)，并测定其物性值。将其结果示于下表。

[表5]

实施例4

可知，液晶组合物4具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI、具有大Δε绝对值、具有低η以及最佳的Δn。使用液晶组合物4制作FFS模式的液晶显示元件时，显示出与实施例1～3同等的优异的显示特性。

(实施例5(液晶组合物5))

调制设计成与液晶组合物1～4具有同等的T_NI、同等的Δn值以及同等的Δε值的具有下面所示的组成的液晶组合物(液晶组合物5)，并测定其物性值。将其结果示于下表。

[表6]

实施例5

可知，液晶组合物5具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI、具有大Δε绝对值、具有低η以及最佳的Δn。使用液晶组合物5制作FFS模式的液晶显示元件时，显示出与实施例1～3同等的优异的显示特性。

(实施例6(液晶组合物6))

调制设计成与液晶组合物1～5具有同等的T_NI、同等的Δn值以及同等的Δε值的具有下面所示的组成的液晶组合物(液晶组合物6)，并测定其物性值。将其结果示于下表。

[表7]

实施例6

可知，液晶组合物6具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI、具有大Δε绝对值、具有低η以及最佳的Δn。使用液晶组合物6制作FFS模式的液晶显示元件时，显示出与实施例1～3同等的优异的显示特性。

(实施例7(液晶组合物7))

调制设计成与液晶组合物1～6具有同等的T_NI、同等的Δn值以及同等的Δε值的具有下面所示的组成的液晶组合物(液晶组合物7)，并测定其物性值。将其结果示于下表。

[表8]

实施例7

可知，液晶组合物7具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI、具有大Δε绝对值、具有低η以及最佳的Δn。使用液晶组合物7制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元件，并利用上述方法，评价烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性时，显示出优异的评价结果。

(实施例8(液晶组合物8))

调制设计成与液晶组合物1～7具有同等的T_NI、同等的Δn值以及同等的Δε值的具有下面所示的组成的液晶组合物(液晶组合物8)，并测定其物性值。将其结果示于下表。

[表9]

实施例8

可知，液晶组合物8具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI、具有大Δε绝对值、具有低η以及最佳的Δn。使用液晶组合物8制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元件，并利用上述方法，评价烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性时，显示出优异的评价结果。

(实施例9(液晶组合物9))

调制设计成与液晶组合物1～8具有同等的T_NI、同等的Δn值以及同等的Δε值的具有下面所示的组成的液晶组合物(液晶组合物9)，并测定其物性值。将其结果示于下表。

[表10]

实施例9

可知，液晶组合物9具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI、具有大Δε绝对值、具有低η以及最佳的Δn。使用液晶组合物9制作与实施例1同样的FFS模式的液晶显示元件，并利用上述方法，评价烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性时，显示出优异的评价结果。

(比较例4～6)

使用液晶组合物7～9，制作与比较例1～3同样的VA模式的液晶显示元件。

对于实施例7～9中分别制作的FFS模式的液晶显示元件与比较例4～6中分别制作的VA模式的液晶显示元件，进行透过率、对比度、响应速度的比较。将其结果示于下面。

[表11]

使用液晶组合物7～9而制作的FFS模式的显示元件(实施例7～9)与分别使用相同的液晶组合物而制作的VA模式的液晶显示元件(比较例4～6)相比，在最高透过率、对比度以及响应速度方面均显示出优异的特性。

(实施例10(液晶组合物10))

调制设计成与液晶组合物7～9具有同等的T_NI、同等的Δn值以及同等的Δε值的具有下面所示的组成的液晶组合物(液晶组合物10)，并测定其物性值。将其结果示于下表。

[表12]

实施例10

可知，液晶组合物10具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI、具有大Δε绝对值、具有低η以及最佳的Δn。使用液晶组合物10制作FFS模式的液晶显示元件，并利用上述方法，评价烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性时，显示出优异的评价结果。

(实施例11(液晶组合物11))

调制设计成与液晶组合物1～10具有同等的T_NI、同等的Δn值以及同等的Δε值的具有下面所示的组成的液晶组合物，并测定其物性值。将其结果示于下表。

[表13]

实施例11

可知，液晶组合物11具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI、具有大Δε绝对值、具有低η以及最佳的Δn。使用液晶组合物11制作FFS模式的液晶显示元件，并利用上述方法，评价烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性时，显示出优异的评价结果。

(实施例12(液晶组合物12))

调制设计成与液晶组合物7～11具有同等的T_NI、同等的Δn值以及同等的Δε值的具有下面所示的组成的液晶组合物(液晶组合物12)，并测定其物性值。将其结果示于下表。

[表14]

实施例12

可知，液晶组合物12具有作为TV用液晶组合物实用的T_NI、具有大Δε绝对值、具有低η以及最佳的Δn。使用液晶组合物12制作FFS模式的液晶显示元件，并利用上述方法，评价烧屏、滴痕、工艺适合性以及低温下的溶解性时，显示出优异的评价结果。

符号说明

1、8偏振片

2第一基板

3电极层

4取向膜

5液晶层

6滤色器

7第二基板

11栅电极

12栅绝缘膜

13半导体层

14绝缘层

15欧姆接触层

16漏电极

17源电极

18绝缘保护层

21像素电极

22共用电极

23储存电容器

25数据总线

27源电极

29共用线

Claims

1.一种液晶显示元件，

第一透明绝缘基板与第二透明绝缘基板相对配置，在所述第一基板与第二基板之间夹持含有液晶组合物的液晶层，

各像素具有在所述第一基板上由透明导电性材料构成的共用电极、配置成矩阵状的多个栅极总线和数据总线、在所述栅极总线与数据总线的交叉部的薄膜晶体管、和由该晶体管驱动的以透明导电性材料构成的像素电极，

在所述液晶层与所述第一基板和第二基板之间分别具有诱发均匀取向的取向膜层，各取向膜的取向方向平行，其特征在于，

为了在所述像素电极与共用电极之间形成边缘电场，所述像素电极与共用电极之间的电极间距离R比所述第一基板与第二基板的距离G更小，

所述共用电极配置于所述第一基板的几乎整个面上，并且配置于与所述像素电极相比更靠近第一基板的位置上，

该液晶组合物具有负的介电常数各向异性，向列相-各向同性液体的转变温度为60℃以上，介电常数各向异性的绝对值为2以上，该液晶组合物含有选自通式(I)所表示的化合物组中的至少1种化合物、选自下述通式(II)所表示的化合物组中的至少1种化合物、以及下述通式(III)所表示的化合物组中的至少1种化合物，

式中，R¹和R²各自独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，A表示反式-1,4-环亚己基，k表示1，

式中，R³表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，R⁴表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数4～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数3～8的烯氧基，B表示1,4-亚苯基或反式-1,4-环亚己基，m表示0、1或2，在m为2的情况下，两个B可以相同也可以不同，

式中，R⁵表示碳原子数1～5的烷基，R⁶表示碳原子数1～5的烷基或碳原子数1～4的烷氧基，n表示0或1，Y¹和Y²各自独立地表示氢原子或氟原子，Y¹和Y²中的至少一个表示氟原子。

2.根据权利要求1所述的液晶显示元件，其特征在于，含有1种以上下述通式(IV)所表示的化合物，

式中，R⁷和R⁸各自独立地表示碳原子数1～8的烷基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数1～8的烷氧基或碳原子数2～8的烯氧基，该烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的一个以上的氢原子可以被氟原子取代，该烷基、烯基、烷氧基或烯氧基中的亚甲基在氧原子不连续结合的情况下可以被氧原子取代，在羰基不连续结合的情况下可以被羰基取代，

n¹和n²各自独立地表示0、1、2或3，n¹+n²为1～3，在A¹、A²、Z¹和/或Z²存在多个的情况下，它们可以相同也可以不同，但将所述通式(II)和通式(III)所表示的化合物除外。

3.根据权利要求1所述的液晶显示元件，该像素电极为梳形或者具有狭缝。

4.根据权利要求1所述的液晶显示元件，电极间距离R为0。